JP2752809B2 - 減圧気相成長装置 - Google Patents

減圧気相成長装置

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JP2752809B2
JP2752809B2 JP3209054A JP20905491A JP2752809B2 JP 2752809 B2 JP2752809 B2 JP 2752809B2 JP 3209054 A JP3209054 A JP 3209054A JP 20905491 A JP20905491 A JP 20905491A JP 2752809 B2 JP2752809 B2 JP 2752809B2
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boat
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徳亮 峰永
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YAMAGUCHI NIPPON DENKI KK
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に薄膜を成
長させる気相成長装置に関し、特に減圧気相成長装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の減圧気相成長装置の一例を
示す模式断面図である。従来、この種の減圧気相成長装
置は、図3に示すように、ウェーハ4を複数枚に並べて
立て替えるボート2と、このボート2を収納し、ガスを
導入するガス導入口3を有する石英製の反応管1とを有
していた。
【0003】この減圧気相成長装置は、反応管1内部を
減圧することにより、ガスの流量と流速が増大したこと
により、垂直に立てたウェーハ4の間隙にも活性ガスが
均一に導入され、ウェーハ4に均一な膜が形成される。
また、この減圧気相成長装置は、成膜の均一性やステッ
プカバレッジの改善を図るために、ガス導入口の位置や
方向に種々改善が施されてきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の減圧気
相成長装置は、反応管にウェーハを垂直になるようにボ
ートに立て替え、ガスの流れがウェーハと垂直になるよ
う原料ガス吹き出し口を一定方向に定めているので垂直
に立ててウェーハを積載するボートに変形があったり、
あるいは傾きが生ずると、ウェーハとウェーハとの間及
び真空排気側付近の反応管に原料ガスの滞留を起し、ウ
ェーハに厚さの異る膜が形成され、堆積される膜のウェ
ーハ面間均一性,面内均一性及びスレップカバレッジが
悪くなるという問題があった。
【0005】本発明の目的は、かかる問題と解消すべく
より均一でステップカバレッジが改善される膜を形成す
ることの出来る減圧気相成長装置を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
ウェーハを並べて積載するボートと、このボートを収納
する反応管と、前記ボートの周囲を取り囲むように前記
ウェーハに原料ガスの噴出口が形成されるとともに前記
ボートの周囲全体を取り囲む螺旋状のガス導入管とを有
する減圧気相成長装置である
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の関連する技術における一例
を示す減圧気相成長装置の模式断面図である。この減圧
気相成長装置は、図1に示すように、ボート2の周囲を
取り囲み、ウェーハ4に垂直方向にガスを噴出する噴出
口7が円周上に形成されるリング状ガス導入管6を設け
たことである。それ以外は、従来例と同じである。
【0009】このように、ウェーハ4を取り囲むよう
に、ガス噴出口7を設けることにより、ボート2に縦に
並んで積載されたウェーハ4に均等な原料ガスを流すこ
とが可能になり、また、原料ガスのウェーパ面での拡散
量も増大するので、ウェーハは堆積する膜厚が面内及び
面間で均一が図れ、かつステップカバレッジをより改善
することができる。
【0010】図2は本発明の一実施例を示す減圧気相成
長装置の模式断面図である。この減圧気相成長装置は、
図2に示すように、立て替え用のボート2の全体を取り
囲むように螺旋状ガス導入管6aを設けたことである。
そして、この螺旋状ガス導入管6aにはガスを噴出する
ガス噴出口7aを一定間隔おいて多数個形成したことで
ある。
【0011】このようにウェーハ4を多数並べて立て替
えているボート2の全体を取り囲むようにガス噴出口7
aを設ければ、ウェーハ4間におこる滞留ガスの抑制と
ガスとウェーハ4とをより接近させ、ウェーハ4にガス
の流入をより大きくし、ウェーハ表面でのガスの拡散量
を増大させることができる。
【0012】この実施例は前述の実施例に比べ、ウェー
ハへの堆積膜厚の面内面間均一性をより一層確実なもの
とする利点がある。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多数のウ
ェーハ立て替えて並べて積載するボートを囲むように複
数の反応ガスを噴出口を設けることにより、ウェーハ面
へのガス拡散量をより増大し、ウェーハを立て替えるボ
ートの変形及び傾き当の不具合によって生じるガスの滞
留を抑制し、成膜の偏りを失くすることが出来る。従っ
て、本発明によれば、ウェーハ面内及び面間の成膜にお
ける均一性が向上し、ステップカベレックにより改善さ
れる減圧気相成長装置が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の関連する技術における一例を示
す減圧気相成長装置の模式断面図である。
【図2】図2は本発明の一実施例を示す減圧気相成長装
置の模式断面図である。
【図3】従来の一例を示す減圧気相成長装置の模式断面
図である。
【符号の説明】
1 反応管 2 ボート 3 ガス導入口 4 ウェーハ 5 ターンテーブル 6 リング状ガス導入管 6a 螺旋状ガス導入管 7,7a ガス噴出口

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のウェーハを並べて積載するボート
    と、このボートを収納する反応管と、前記ボートの周囲
    を取り囲むように前記ウェーハに原料ガスの噴出口が形
    成されるとともに前記ボートの周囲全体を取り囲む螺旋
    状のガス導入管とを有することを特徴とする減圧気相成
    長装置。
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JPH0547677A JPH0547677A (ja) 1993-02-26
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JP2568185B2 (ja) * 1987-01-23 1996-12-25 株式会社日立製作所 熱処理装置

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JPH0547677A (ja) 1993-02-26

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