JP2746778B2 - Tantalum capacitors - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ、特にタン
タルコンデンサの改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a capacitor, in particular, a tantalum capacitor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、一般的なタンタルコンデンサは、
タンタル(Ta)板とタンタル板の一方の主面に形成された
酸化タンタル(Ta 2 O 5 ) 膜と、酸化タンタル膜上に配
置された酸化マンガン(MnO2) 層と、酸化マンガン層に
配置された電極とを備えている。この種のタンタルコン
デンサは、酸化タンタル膜にタンタル板の露出部が発生
した場合でも酸化マンガン層中の酸素イオンがタンタル
板と反応して酸化タンタル膜を形成する、いわゆる自己
修復機能を有するため耐電圧特性及び絶縁性が良好であ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, general tantalum capacitors are:
A tantalum (Ta) plate and a tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) film formed on one main surface of the tantalum plate, a manganese oxide (MnO 2 ) layer disposed on the tantalum oxide film, and a manganese oxide layer And provided electrodes. This type of tantalum capacitor has a so-called self-healing function in which oxygen ions in the manganese oxide layer react with the tantalum plate to form a tantalum oxide film even when an exposed portion of the tantalum plate is generated in the tantalum oxide film. Good voltage characteristics and good insulation.
【０００３】しかしながら、前記従来のタンタルコンデ
ンサでは酸化タンタル膜の自己修復機能を実現するため
に、極性を一定に維持しておく必要がある。即ち、タン
タル板をプラス側に設定し、酸化マンガン層をマイナス
側に設定しておく必要がある。このためこの従来のタン
タルコンデンサは、例えば通信装置等の交流回路には利
用できない。However, in the conventional tantalum capacitor, it is necessary to maintain a constant polarity in order to realize the self-healing function of the tantalum oxide film. That is, it is necessary to set the tantalum plate on the plus side and set the manganese oxide layer on the minus side. For this reason, this conventional tantalum capacitor cannot be used for an AC circuit such as a communication device.
【０００４】そこで、上記欠点を解消するために表面を
平滑としたタンタル製本体に酸化タンタル膜をスパッタ
リング法によって被着させタンタル製本体の一部が酸化
タンタル膜より露出しないようになすことが考えられ
る。Therefore, in order to solve the above-mentioned drawbacks, it is considered that a tantalum oxide film is applied to a tantalum body having a smooth surface by a sputtering method so that a part of the tantalum body is not exposed from the tantalum oxide film. Can be
【０００５】かかるタンタルコンデンサによればタンタ
ル製本体の一部が酸化タンタル膜より露出することがな
いため初期の耐電圧特性及び絶縁性が良好で、且つ交流
回路も利用することができる。According to such a tantalum capacitor, a part of the tantalum main body is not exposed from the tantalum oxide film, so that the initial withstand voltage characteristics and insulation are good, and an AC circuit can be used.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このタ
ンタルコンデンサは回路基板の配線導体に半田等のロウ
材を介して取着する際、ロウ材を溶融させる熱が酸化タ
ンタル膜に印加されると該酸化タンタル膜の酸素が抜け
て金属タンタルとなり、その結果、酸化タンタルの膜厚
みが徐々に薄く成って、コンデンサの静電容量値が変化
するとともに耐電圧特性及び絶縁性が劣化し、コンデン
サとしての信頼性が極めて低いものとなる欠点を有して
いた。However, when the tantalum capacitor is attached to the wiring conductor of the circuit board via a brazing material such as solder, when the heat for melting the brazing material is applied to the tantalum oxide film. Oxygen in the tantalum oxide film is released to become metal tantalum, and as a result, the thickness of the tantalum oxide film gradually decreases, and the capacitance value of the capacitor changes, and the withstand voltage characteristics and insulation properties deteriorate. There was a disadvantage that the reliability was extremely low.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のタンタルコンデ
ンサはタンタル製本体と、前記タンタル製本体の一部に
被着された窒化タンタル膜と、前記窒化タンタル膜に形
成された酸窒化タンタル膜と、前記酸窒化タンタル膜上
に配置された電極とから成ることを特徴とするものであ
る。A tantalum capacitor according to the present invention comprises a tantalum main body, a tantalum nitride film deposited on a part of the tantalum main body, and a tantalum oxynitride film formed on the tantalum nitride film. And an electrode disposed on the tantalum oxynitride film.
【０００８】[0008]
【実施例】次に本発明にかかるタンタルコンデンサを添
付図面に基づき詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a tantalum capacitor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
【０００９】図1 は本発明のタンタルコンデンサの一実
施例を示す断面図であり、タンタルコンデンサ1 は、タ
ンタル製本体2 と、窒化タンタル膜3 と、酸窒化タンタ
ル膜4 と、一対の電極5 、6 とから構成されている。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a tantalum capacitor according to the present invention. The tantalum capacitor 1 has a tantalum main body 2, a tantalum nitride film 3, a tantalum oxynitride film 4, a pair of electrodes 5 , And 6.
【００１０】前記タンタル製本体2 は厚さ0.1 乃至1.0m
m の板状体から成り、窒化タンタル膜3 、酸窒化タンタ
ル膜4 及び一対の電極5 、6 の支持部材として作用する
とともにタンタルコンデンサ1 の機械的強度を強いもの
する作用を為す。The main body 2 made of tantalum has a thickness of 0.1 to 1.0 m.
m, and serves as a support member for the tantalum nitride film 3, the tantalum oxynitride film 4, and the pair of electrodes 5, 6, and has the effect of increasing the mechanical strength of the tantalum capacitor 1.
【００１１】前記タンタル製本体2 は金属タンタルから
成り、該金属タンタルを従来周知の圧延加工法等を採用
することによって所定の板状に形成される。The main body 2 made of tantalum is made of metal tantalum, and the metal tantalum is formed into a predetermined plate shape by employing a conventionally known rolling method or the like.
【００１２】また前記タンタル製本体2 の一主面には窒
化タンタル膜3 が被着されており、該窒化タンタル膜3
は、アルゴン(Ar)40SCCMに対し窒素を2 乃至18SCCM含有
させた雰囲気中において金属タンタルをスバッタリング
により飛散させるとともに窒化処理して窒化タンタルと
なし、これをタンタル製本体2 に被着させることによっ
てタンタル製本体２の一主面に被着される。A tantalum nitride film 3 is adhered to one main surface of the tantalum main body 2.
Is to spatter metal tantalum by sputtering in an atmosphere containing 2 to 18 SCCM of nitrogen with respect to argon (Ar) 40 SCCM and to form a tantalum nitride by nitriding treatment, and to apply this to the tantalum body 2. Thereby, the main body 2 made of tantalum is adhered to one main surface.
【００１３】尚、前記窒化タンタル膜3 はタンタル製本
体2 の一主面にスパッタリング法によって厚さ2000乃至
6000オングストロームに被着される。The tantalum nitride film 3 has a thickness of 2000 to 2000 on one main surface of the tantalum main body 2 by sputtering.
Deposited at 6000 angstroms.
【００１４】また前記タンタル製本体2 の一主面に着さ
れた窒化タンタル膜3 は後述する酸窒化タンタル膜4 を
形成する際の下地部材として作用し、酸窒化タンタル膜
4 をタンタル製本体2 に強固に被着させるとともに酸窒
化タンタル膜4 を極めて容易に形成させる作用を為す。The tantalum nitride film 3 attached to one main surface of the tantalum main body 2 acts as a base member for forming a tantalum oxynitride film 4 described later, and the tantalum oxynitride film
4 is firmly adhered to the tantalum main body 2 and acts to form the tantalum oxynitride film 4 very easily.
【００１５】前記窒化タンタル膜3 はまたその表面に酸
窒化タンタル膜4 が被着形成されており、該酸窒化タン
タル膜4 はそれ自身が有する一定の誘電率によってタン
タルコンデンサ1 に所定の静電容量値を付与する。The tantalum nitride film 3 has a tantalum oxynitride film 4 formed on the surface thereof. The tantalum oxynitride film 4 has a predetermined dielectric constant on the tantalum capacitor 1 and has a predetermined electrostatic capacity. Assign a capacitance value.
【００１６】前記酸窒化タンタル膜4 はその膜中に窒素
を含有するため極めて安定であり、タンタルコンデンサ
1 を回路基板の配線導体に半田等のロウ材を介して取着
する際、ロウ材を溶融させる熱が酸窒化タンタル膜4に
印加されても該酸窒化タンタル膜4 の酸素が抜けること
は殆どなく、その結果、酸窒化タンタル膜4 の膜厚を常
に一定としてタンタルコンデンサ1 の静電容量値を一定
となすとともに耐電圧特性及び絶縁性を優れたものとな
すことができる。Since the tantalum oxynitride film 4 contains nitrogen in the film, the tantalum oxynitride film 4 is extremely stable.
When 1 is attached to the wiring conductor of the circuit board via a brazing material such as solder, even if heat for melting the brazing material is applied to the tantalum oxynitride film 4, oxygen of the tantalum oxynitride film 4 does not escape. As a result, the thickness of the tantalum oxynitride film 4 can be kept constant, the capacitance value of the tantalum capacitor 1 can be kept constant, and the withstand voltage characteristics and the insulating properties can be improved.
【００１７】尚、前記酸窒化タンタル膜4 は含有する窒
素の量が1.0atm% 未満となるとタンタルコンデンサ1 を
回路基板の配線導体にロウ材を介して取着する際、ロウ
材を溶融させるための熱によって酸窒化タンタル膜4 の
酸素が抜けてタンタルコンデンサ1 の静電容量値が変化
したり、耐電圧特性、絶縁性が劣化したりする傾向にあ
り、また7.5atm% を越えると酸窒化タンタル膜4 の電気
抵抗が低下し、タンタルコンデンサ1 の耐電圧特性、絶
縁性が劣化する傾向にあることから酸窒化タンタル膜4
に含有する窒素の量は1.0atm% 乃至7.5atm% の範囲とし
ておくことが好ましい。When the amount of nitrogen contained in the tantalum oxynitride film 4 is less than 1.0 atm%, the tantalum capacitor 1 is melted when the tantalum capacitor 1 is attached to the wiring conductor of the circuit board via the brazing material. Oxygen of the tantalum oxynitride film 4 is released by the heat of the heat, and the capacitance value of the tantalum capacitor 1 tends to change, and the withstand voltage characteristics and insulation properties tend to be deteriorated. Since the electrical resistance of the tantalum film 4 tends to decrease and the withstand voltage characteristics and insulation of the tantalum capacitor 1 tend to deteriorate, the tantalum oxynitride film 4
It is preferable that the amount of nitrogen contained in the steel is in the range of 1.0 atm% to 7.5 atm%.
【００１８】また前記酸窒化タンタル膜4 は窒化タンタ
ル膜3 の主面を陽極酸化処理することによって形成さ
れ、具体的には、クエン酸等の電解液中に窒化タンタル
膜3 を被着させたタンタル製本体2 とプラチナ板とを浸
漬するとともにタンタル製本体2 を直流電源の陽極に、
プラチナ板を陰極に接続させ、次に前記タンタル製本体
2 とプラチナ板の間に100 乃至350Vの電圧を印加し、窒
化タンタル膜3 の表面を酸化させることによって形成さ
れる。この場合、タンタル製本体2 の表面粗さをJIS-B-
0601に規定の中心線平均粗さ(Ra)でRa＜50nmとしておく
とその一主面に被着されている窒化タンタル膜3の表面
を平滑となすとともに該窒化タンタル膜3を陽極酸化処
理すことによって形成される酸窒化タンタル膜4 の厚み
もその略全体にわたって均一となすことができ、これに
よってタンタルコンデンサ1 の耐電圧特性、絶縁特性を
良好とするとともにタンタルコンデンサ1 の静電容量値
を大きなものとなすことが可能となる。従って、タンタ
ル製本体2 はその表面の粗さを中心線平均粗さ(Ra)でRa
＜50nmとしておくことが好ましい。The tantalum oxynitride film 4 is formed by anodizing the main surface of the tantalum nitride film 3. Specifically, the tantalum nitride film 3 is deposited in an electrolyte such as citric acid. The tantalum body 2 and the platinum plate are immersed and the tantalum body 2 is
Connect the platinum plate to the cathode and then the tantalum body
It is formed by applying a voltage of 100 to 350 V between the metal plate 2 and the platinum plate and oxidizing the surface of the tantalum nitride film 3. In this case, the surface roughness of the tantalum main body 2 is JIS-B-
When Ra <50 nm with the center line average roughness (Ra) specified in 0601, the surface of the tantalum nitride film 3 adhered to one main surface is smoothed and the tantalum nitride film 3 is anodized. As a result, the thickness of the tantalum oxynitride film 4 formed can be made uniform over substantially the entirety of the film, thereby improving the withstand voltage characteristics and the insulation characteristics of the tantalum capacitor 1 and improving the capacitance value of the tantalum capacitor 1. It becomes possible to make it big. Therefore, the surface roughness of the tantalum main body 2 is expressed by the center line average roughness (Ra).
It is preferable to set it to <50 nm.
【００１９】前記窒化タンタル膜3 を陽極酸化処理する
ことによって形成される酸窒化タンタル膜4 はタンタル
コンデンサ1 が所望する静電容量値によってその厚みが
異なるが1000オングストローム未満であるとタンタルコ
ンデンサ1 の耐電圧特性、絶縁特性が劣化する傾向にあ
る。従って、前記酸窒化タンタル膜4 はその厚みを1000
オングストローム以上としておくことが好ましい。The thickness of the tantalum oxynitride film 4 formed by anodizing the tantalum nitride film 3 varies depending on the capacitance value desired by the tantalum capacitor 1, but if the thickness is less than 1000 angstroms, the thickness of the tantalum capacitor 1 will be reduced. Withstand voltage characteristics and insulation characteristics tend to deteriorate. Therefore, the tantalum oxynitride film 4 has a thickness of 1000
It is preferable to set it to angstrom or more.
【００２０】また前記酸窒化タンタル膜4 はその表面に
ニッケル クロム(Ni-Cr) から成る第1 金属層5aと金
（Au) から成る第2 金属層5bの2 層構造を有する電極5
が被着されており、更にタンタル製本体2 の他方の主面
にニッケル クロム(Ni-Cr) から成る第1 金属層6aと金
（Au) から成る第2 金属層6bの2 層構造を有する電極6
が被着されている。The tantalum oxynitride film 4 has an electrode 5 having a two-layer structure of a first metal layer 5a made of nickel chromium (Ni-Cr) and a second metal layer 5b made of gold (Au) on its surface.
And a two-layer structure of a first metal layer 6a made of nickel chromium (Ni-Cr) and a second metal layer 6b made of gold (Au) on the other main surface of the tantalum main body 2. Electrode 6
Is attached.
【００２１】前記電極5 、6 はその両者間に、間に挟ま
れた酸窒化タンタル膜4 の誘電率に起因する一定の静電
容量が形成され、各電極5 、6 の各々には外部電気回路
に接続される外部リード端子7 がロウ材を介して取着さ
れる。また前記一対の電極4 、5 の第1 金属層5a、6aを
構成するニッケル クロムは電極5 、6 を酸窒化タンタ
ル膜4 及びタンタル製本体2 に強固に被着させる作用を
為し、従来周知の蒸着法によって100 乃至2000オングス
トロームの厚みに被着される。A constant capacitance is formed between the electrodes 5 and 6 due to the dielectric constant of the tantalum oxynitride film 4 interposed therebetween, and each of the electrodes 5 and 6 has an external electric capacity. External lead terminals 7 connected to the circuit are attached via brazing material. Nickel-chromium constituting the first metal layers 5a and 6a of the pair of electrodes 4 and 5 has a function of firmly adhering the electrodes 5 and 6 to the tantalum oxynitride film 4 and the tantalum main body 2, and has been conventionally known. Deposited to a thickness of 100 to 2000 Angstroms.
【００２２】更に前記一対の電極5 、6 の第2 金属層5
b、6bを構成する金は第1 金属層5a、6aが酸化腐食する
のを防止するとともに電極5 、6 に外部リード端子7 を
強固に取着させる作用を為し、従来周知のメッキ法によ
り1000乃至40000 オングストロームの厚みに被着され
る。Further, the second metal layer 5 of the pair of electrodes 5 and 6
The gold constituting b and 6b prevents the first metal layers 5a and 6a from being oxidized and corroded, and acts to firmly attach the external lead terminals 7 to the electrodes 5 and 6 by using a conventionally known plating method. Deposited to a thickness of 1000 to 40000 angstroms.
【００２３】また更に前記電極5 、6 に取着される外部
リード端子7 はタンタルコンデンサ1 を外部電気回路に
接続する作用を為し、例えば表面が銅で被覆された鉄芯
に錫メッキを施したものにより形成されている。Further, external lead terminals 7 attached to the electrodes 5, 6 serve to connect the tantalum capacitor 1 to an external electric circuit. For example, tin plating is applied to an iron core whose surface is coated with copper. It is formed by what was done.
【００２４】前記外部リード端子7 は表面に銅及び錫メ
ッキを有する鉄芯を、例えば直径0.5 乃至1.0mm の棒状
に加工するとともに電極5 、6 にロウ材を介して電気的
に接続される。The external lead terminal 7 is formed by processing an iron core having copper and tin plating on the surface into a rod shape having a diameter of, for example, 0.5 to 1.0 mm, and is electrically connected to the electrodes 5, 6 via a brazing material.
【００２５】かくして本発明のタンタルコンデンサによ
れば外部リード端子7 を外部電気回路に電気的に接続す
ることによって電極5 、6 間に形成される静電容量を外
部電気回路に付加されることとなる。Thus, according to the tantalum capacitor of the present invention, by connecting the external lead terminal 7 to the external electric circuit, the capacitance formed between the electrodes 5, 6 is added to the external electric circuit. Become.
【００２６】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば一対の電極5 、6 に外
部リード端子7 を取着せず、電極5 、6が直接外部電気
回路に電気的に接続されるようにしてもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the external lead terminals are connected to the pair of electrodes 5 and 6. The electrodes 5 and 6 may be electrically connected directly to an external electric circuit without attaching 7.
【００２７】( 実験例)次に本発明の作用効果を下記に
示す実験例に基づき説明する。まず表面粗さが中心線平
均粗さ(Ra)で50nmであり、且つ厚さが1mm のタンタル製
本体を準備するとともに該タンタル製本体の一主面にス
パッタリング法により厚さ4000オングストロームの窒化
タンタル膜を被着させ、次に前記窒化タンタル膜を陽極
酸化処理し、窒素の含有量が5.0atm% の酸窒化タンタル
膜を4000オングストロームの厚みに被着させるとともに
該酸窒化タンタル膜及びタンタル製本体の他主面に厚さ
1000オングストロームのニッケル クロムと厚さ2000オ
ングストロームの金から成る電極を被着させ、本発明品
の実験試料を得る。(Experimental Example) Next, the operation and effect of the present invention will be described based on the following experimental examples. First, a tantalum main body having a surface roughness of 50 nm in center line average roughness (Ra) and a thickness of 1 mm is prepared, and a 4000 angstrom thick tantalum nitride is formed on one main surface of the tantalum main body by a sputtering method. Then, the tantalum nitride film is subjected to anodizing treatment, a tantalum oxynitride film having a nitrogen content of 5.0 atm% is deposited to a thickness of 4000 angstroms, and the tantalum oxynitride film and the tantalum body are formed. Thickness on the other main surface
An electrode consisting of 1000 angstroms of nickel chromium and 2000 angstroms of gold is deposited to obtain an experimental sample of the invention.
【００２８】また同様に、厚さが1mm の金属タンタル製
本体の一主面に酸化タンタル膜を4000オングストローム
の厚みに被着させるとともに該酸化タンタル膜及び金属
タンタル製本体の他主面に厚さ1000オングストロームの
ニッケル クロムと厚さ2000オングストロームの金から
成る電極を被着させ、比較試料を得る。Similarly, a tantalum oxide film having a thickness of 4000 angstroms is deposited on one main surface of a metal tantalum body having a thickness of 1 mm, and a thickness of the tantalum oxide film and the metal tantalum main body is formed on the other main surface. An electrode consisting of 1000 angstroms of nickel chromium and 2000 angstroms of gold is deposited to obtain a comparative sample.
【００２９】そして次に前記本発明の実験試料と比較試
料の初期および両試料に400 ℃の熱を100 秒印加した後
の耐電圧、絶縁抵抗値を求め、その変化を調べた。Then, withstand voltage and insulation resistance were determined at the initial stage of the experimental sample and the comparative sample of the present invention and after applying 400 ° C. heat for 100 seconds to both samples, and the changes were examined.
【００３０】上記の結果を表1 に示す。The results are shown in Table 1.
【００３１】[0031]
【表１】 [Table 1]
【００３２】上記実験結果から明らかな如く、従来のタ
ンタルコンデンサは初期の耐電圧特性及び絶縁性は優れ
ているものの400 ℃の熱が印加されると酸化タンタルの
酸素が抜けることによって耐電圧特性及び絶縁性が大き
く劣化するのに対し、本発明品は初期は勿論のこと400
℃の熱が印加された後も耐電圧特性、絶縁性に優れてい
ることが判る。As is clear from the above experimental results, the conventional tantalum capacitor has excellent initial withstand voltage characteristics and insulating properties, but when heat of 400 ° C. is applied, oxygen of the tantalum oxide is released, so that the withstand voltage characteristics and the withstand voltage characteristics are improved. While the insulation property is greatly deteriorated, the product of the present invention
It can be seen that even after application of heat of ° C., it is excellent in withstand voltage characteristics and insulating properties.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明のタンタルコンデンサによればタ
ンタル製本体に被着させた窒化タンタル膜に酸窒化タン
タル膜を形成したことから膜が安定であり、タンタルコ
ンデンサを回路基板の配線導体に半田等のロウ材を介し
て取着する際、ロウ材を溶融させる熱が酸窒化タンタル
膜に印加されても該酸窒化タンタル膜の酸素が抜けるこ
とは殆どなく、その結果、酸窒化タンタル膜の膜厚を常
に一定としてタンタルコンデンサの静電容量値を一定と
なすとともに耐電圧特性及び絶縁性を優れたものとなす
ことが可能となる。According to the tantalum capacitor of the present invention, since the tantalum oxynitride film is formed on the tantalum nitride film adhered to the tantalum body, the film is stable, and the tantalum capacitor is soldered to the wiring conductor of the circuit board. At the time of attachment through a brazing material such as, even if heat for melting the brazing material is applied to the tantalum oxynitride film, oxygen of the tantalum oxynitride film hardly escapes, and as a result, the tantalum oxynitride film It is possible to make the capacitance value of the tantalum capacitor constant while keeping the film thickness constant, and to make the withstand voltage characteristics and the insulation excellent.
【図１】本発明のタンタルコンデンサの一実施例を示す
断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a tantalum capacitor of the present invention.
１・・・・・タンタルコンデンサ ２・・・・・タンタル製本体 ３・・・・・窒化タンタル膜 ４・・・・・酸窒化タンタル膜 ５、６・・・電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tantalum capacitor 2 ... Tantalum main body 3 ... Tantalum nitride film 4 ... Tantalum oxynitride film 5, 6 ... Electrode
Claims (2)
の表面を有するタンタル製本体と、前記タンタル製本体
の表面の一部に被着された窒化タンタル膜と、前記窒化
タンタル膜に形成した酸窒化タンタル膜と、該酸窒化タ
ンタル膜上に配置された電極とから成るタンタルコンデ
ンサ。1. A surface roughness having a center line average roughness of 50 nm or less.
A tantalum body having a surface of the same, and the tantalum body
1. A tantalum capacitor comprising: a tantalum nitride film attached to a part of the surface of the tantalum; a tantalum oxynitride film formed on the tantalum nitride film; and an electrode disposed on the tantalum oxynitride film.
１．０ atm％乃至７．５atm ％であることを特徴とする
請求項１に記載のタンタルコンデンサ。2. The tantalum capacitor according to claim 1, wherein the nitrogen content in said tantalum oxynitride film is 1.0 atm% to 7.5 atm%.
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-
1991
- 1991-09-12 JP JP3232898A patent/JP2746778B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0574647A (en) | 1993-03-26 |
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