JP2746695B2 - Sputtering apparatus and sputtering method - Google Patents
Sputtering apparatus and sputtering methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタ装置及びスパッタ方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sputtering apparatus and a sputtering method.
（従来の技術） スパッタ装置としては、特開昭59−67369に開示され
たものがある。これは、第４図（Ａ），（Ｂ）に示すよ
うに、冷却水が循環供給される磁石ハウジング100の外
表面にターゲット102を固定し、前記磁石ハウジング100
に回転自在に設けた駆動軸104に多重羽根撹拌車106と磁
石組立体108とを固定し、供給される冷却水により撹拌
車104を回転駆動させ、上記ターゲット102の裏面側にて
磁石組立体108を回転することにより、ターゲット102の
広範囲の表面領域に磁場を形成し、エロージョンエリア
を拡大している。(Prior Art) As a sputtering apparatus, there is one disclosed in JP-A-59-67369. As shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B), the target 102 is fixed to the outer surface of the magnet housing 100 to which the cooling water is circulated and supplied,
A multi-blade stirring wheel 106 and a magnet assembly 108 are fixed to a drive shaft 104 rotatably provided on the target 102, and the stirring wheel 104 is rotationally driven by supplied cooling water, and a magnet assembly is mounted on the back side of the target 102. By rotating 108, a magnetic field is formed in a wide area of the surface of the target 102, and the erosion area is enlarged.
（発明が解決しようとする課題） 上記公報では、磁石組立体108を回転することによ
り、エロージョンエリアの拡大を図れるが、この種のス
パッタ装置の他の課題として、成膜されるウエハ上に均
一に膜付けする要求があり、さらに改善の余地があっ
た。(Problems to be Solved by the Invention) In the above publication, the erosion area can be enlarged by rotating the magnet assembly 108. However, another problem of this type of sputtering apparatus is that the erosion area is uniform on a wafer on which a film is formed. There was a demand for film formation, and there was room for further improvement.
そこで、本発明の目的とするところは、磁力源を回転
することでエロージョンエリアの拡大を図り、さらに、
被スパッタ材料体も回転することにより被処理基板への
均一な膜付けを可能としたスパッタ装置及びスパッタ方
法を提供することにある。Therefore, the object of the present invention is to enlarge the erosion area by rotating the magnetic force source, and furthermore,
An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus and a sputtering method that enable a uniform film to be formed on a substrate to be processed by rotating a material body to be sputtered.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係るスパッタ装置は、被処理
基板と、前記被処理基板と対向して配置され、該被処理
基板を成膜するためにスパッタされる被スパッタ材料体
と、前記被スパッタ材料体の裏面側に配置され、前記被
処理基板と前記被スパッタ材料体との対向間に誘起され
るプラズマを閉じ込める、前記被処理基板より小さい大
きさの磁力源と、前記磁力源を、前記被処理基板との対
向位置が順次変化するように公転駆動させる第１の駆動
手段と、前記第１の駆動手段の駆動時に、前記被処理基
板との対向位置が順次変化するように、前記被スパッタ
材料体を自転駆動させる第２の駆動手段と、を含むこと
を特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The sputtering apparatus according to the invention according to claim 1 is arranged to face a substrate to be processed and the substrate to be processed, and forms a film on the substrate to be processed. A substrate to be sputtered to perform sputtering, and the substrate to be processed, which is disposed on a back surface side of the material to be sputtered, and confine plasma induced between the substrate to be processed and the body to be sputtered. A magnetic force source having a smaller size, first driving means for revolving the magnetic force source so as to sequentially change the position facing the substrate to be processed, and the driving means for driving the first driving means. Second driving means for rotating the material to be sputtered so that the position facing the processing substrate changes sequentially.
請求項２に記載の発明に係るスパッタ装置は、被処理
基板と、前記被処理基板と対向して配置され、該被処理
基板を成膜するためにスパッタされる被スパッタ材料体
と、前記被スパッタ材料体の裏面側に配置され、前記対
向間に誘起されるプラズマを閉じ込める、前記被処理基
板より小さい大きさの磁力源と、前記磁力源を、前記被
スパッタ材料体との対向位置が順次変化するように公転
駆動させる駆動手段と、前記被スパッタ材料体を回転自
在に保持する保持部材と、を含み、前記被スパッタ材料
体は、前記磁力源の駆動に起因する渦電流により自転す
ることを特徴とする。The sputtering apparatus according to claim 2, wherein the substrate to be processed, the material to be sputtered disposed to face the substrate to be processed and sputtered to form a film on the substrate to be processed, A magnetic force source smaller than the substrate to be processed, which is disposed on the back surface side of the sputtered material body and confines the plasma induced between the opposing surfaces, and the position of the magnetic force source facing the sputtered material body sequentially. A driving unit for revolvingly driving the material to be changed, and a holding member for rotatably holding the material to be sputtered, wherein the material to be sputtered rotates by eddy current caused by driving of the magnetic force source. It is characterized by.
請求項３に記載の発明に係るスパッタ方法は、被処理
基板と被スパッタ材料体との間にプラズマ誘起し、該被
スパッタ材料体をスパッタして該被処理基板に成膜する
スパッタ方法において、前記被スパッタ材料体の裏面側
に配置された磁力源を、前記被処理基板との対向位置が
順次変化するように公転移動させる公転移動工程と、前
記公転移動時に、前記被処理基板との対向位置が順次変
化するように、前記被スパッタ材料体を自転移動させる
自転移動工程と、を含むことを特徴とする。A sputtering method according to claim 3, wherein plasma is induced between the substrate to be processed and the material to be sputtered, and the sputtering method is to sputter the material to be sputtered to form a film on the substrate to be processed. A revolving movement step of revolving a magnetic force source disposed on the back side of the material to be sputtered so that a position facing the substrate to be processed is sequentially changed; and opposing the substrate to be processed during the revolving movement. A rotation moving step of rotating the material to be sputtered so that the position is sequentially changed.
（作用） 請求項１〜３に記載の各発明によれば、被処理基板に
対して磁力源を公転駆動させ、かつ、この公転駆動時に
被処理基板に対して被スパッタ材料体をも自転駆動させ
ることで、特開昭63−247366号等を含む従来装置に比し
て、被処理基板に対してより均一な膜付けを行うことが
できる。(Operation) According to each of the first to third aspects of the invention, the magnetic force source is driven to revolve with respect to the substrate to be processed, and the sputtered material is also driven to rotate with respect to the substrate to be processed during the orbital driving. By doing so, a more uniform film can be formed on the substrate to be processed as compared with the conventional apparatus including JP-A-63-247366.
即ち、被処理基板より小さい大きさに形成された磁力
源を、該被処理基板の周縁領域に沿って公転駆動する
と、小さい磁力源にも拘わらずエロージョンエリアが拡
大し、均一磁場の形成によりスパッタの均一性が向上す
る。この際、スパッタ粒子が飛び出す被スパッタ材料体
をも被処理基板に対して自転させることにより、被処理
基板に対して均一な膜付けができ、さらに均一性を高く
できる。That is, when a magnetic force source formed to be smaller than the substrate to be processed is driven to revolve along the peripheral region of the substrate to be processed, the erosion area is expanded despite the small magnetic force source, and the sputter is generated by forming a uniform magnetic field. Is improved. At this time, the sputtered material body from which sputtered particles are sputtered is also rotated on the substrate to be processed, whereby a uniform film can be formed on the substrate to be processed, and the uniformity can be further improved.
特に、請求項２では、被スパッタ材料体を自転させる
のに特別な装置を要さなくても、保持部材により被スパ
ッタ材料体を回転自在に保持することで、被スパッタ材
料体を磁力源の駆動に起因した渦電流により自転させる
ことができる。In particular, in claim 2, the sputtered material body is rotatably held by the holding member so that the sputtered material body can be rotated by the magnetic force source without using a special device for rotating the sputtered material body. It can be rotated by eddy current caused by driving.
（実施例） 以下、本発明をスパッタ装置に適用した一実施例につ
いて図面を参照して具体的に説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the present invention is applied to a sputtering apparatus will be specifically described with reference to the drawings.
第１図は、スパッタ装置の一例としてマグネトロン形
スパッタ装置を示すもので、図示しない真空容器内に
は、半導体ウエハ１と被スパッタ材料体としてのターゲ
ット２とが対向して配置されている。前記半導体ウエハ
１は、ウエハ加熱機構３を含む材料台４に支持されてい
る。FIG. 1 shows a magnetron type sputtering apparatus as an example of a sputtering apparatus. In a vacuum vessel (not shown), a semiconductor wafer 1 and a target 2 as a material to be sputtered are arranged to face each other. The semiconductor wafer 1 is supported on a material stage 4 including a wafer heating mechanism 3.
前記ウエハ１の上方に配置される前記ターゲット２
は、保持部材５によって保持されている。このターゲッ
ト２は、ウエハ１に形成すべき材料に応じてその母材が
選択され、例えばアルミニウム，シリコン，タングステ
ン，チタン，モリブデン，クロム，コバルト，ニッケル
等、あるいはこれらを素材とする合金で形成され、場合
によっては焼結金属等の熱伝導性の悪い材料も用いられ
る。その形状も、断面段付形状，円板状，円錘状，角板
状，角錐状等何れでもよい。このターゲット２には、負
の直流電圧が印加され、カソード電極を構成するもので
ある。The target 2 disposed above the wafer 1
Is held by the holding member 5. The base material of the target 2 is selected according to the material to be formed on the wafer 1, and is formed of, for example, aluminum, silicon, tungsten, titanium, molybdenum, chromium, cobalt, nickel, or the like, or an alloy using these materials. In some cases, a material having poor thermal conductivity such as a sintered metal is used. The shape may be any of a stepped shape in section, a disc shape, a cone shape, a square plate shape, a pyramid shape, and the like. A negative DC voltage is applied to the target 2 to form a cathode electrode.
前記保持部材５のさらに上方には、この保持部材５を
支持し、かつ、後述するマグネット10を回転自在に支持
するための基台６が設けられている。この基台６の中央
部には、中空筒状の円筒部6aが形成されている。そし
て、前記円筒部6aの周囲にはベアリング７が配置され、
このベアリング７によって回転円盤８が回転自在に支持
されている。そして、この回転円盤８の偏心した位置に
前記マグネット10が固着されている。一方、前記基台６
の上面にはマグネット回転用モータ11が固定され、この
モータ11の出力軸には第１のギア12が固着されている。
また、前記回転円盤８と同心にて第２のギア13が固着さ
れ、この第1,第２のギア12,13が噛合するようになって
いる。この結果、前記マグネット回転用モータ11を駆動
することで、この回転出力は第１のギア12,第２のギア1
3を介して前記回転円盤８に伝達され、前記マグネット1
0を回転駆動することになる。このマグネット10は、回
転移動方向と平行方向に拡散磁場を形成すると、さらに
均一性が高くなる。Above the holding member 5, a base 6 for supporting the holding member 5 and rotatably supporting a magnet 10, which will be described later, is provided. At the center of the base 6, a hollow cylindrical cylindrical portion 6a is formed. A bearing 7 is arranged around the cylindrical portion 6a,
The rotating disk 8 is rotatably supported by the bearing 7. The magnet 10 is fixed to an eccentric position of the rotating disk 8. On the other hand, the base 6
A motor 11 for magnet rotation is fixed to the upper surface of the motor 11, and a first gear 12 is fixed to an output shaft of the motor 11.
A second gear 13 is fixed concentrically with the rotating disk 8 so that the first and second gears 12 and 13 mesh with each other. As a result, by driving the magnet rotation motor 11, the rotation output is changed to the first gear 12 and the second gear 1.
3 to the rotating disk 8 and the magnet 1
0 will be driven to rotate. When the magnet 10 forms a diffusion magnetic field in a direction parallel to the rotational movement direction, the uniformity is further improved.
前記保持部材５は、ターゲット２を冷却可能に保持
し、かつ、ターゲット２に負の直流電圧を印加する電極
として作用するものである。このために、保持部材５に
は複数の冷却ジャケット15が配置されている。そして、
この冷却ジャケット15内に冷却媒体例えば冷却水を循環
させることで、保持部材５を冷却し、この保持部材５と
ターゲット２との間の熱交換によってプラズマ発生時の
ターゲット２の昇温を抑制するようになっている。ま
た、上記保持部材５は前記基台６の円筒部6aに挿通さ
れ、この基台６に絶縁して支持された支持部材23の一端
にネジ止め固定されることで、ターゲット２への電圧印
加を可能としている。The holding member 5 holds the target 2 so as to be able to cool, and also functions as an electrode for applying a negative DC voltage to the target 2. For this purpose, a plurality of cooling jackets 15 are arranged on the holding member 5. And
The holding member 5 is cooled by circulating a cooling medium, for example, cooling water, in the cooling jacket 15, and the heat exchange between the holding member 5 and the target 2 suppresses the temperature rise of the target 2 during plasma generation. It has become. The holding member 5 is inserted into the cylindrical portion 6a of the base 6, and is fixed to one end of a support member 23 supported insulated by the base 6, thereby applying a voltage to the target 2. Is possible.
尚、前記ターゲット２の周囲には、絶縁体16を介して
アノード電極17が設けられ、さらに、ウエハ１とターゲ
ット２との間を必要に応じて遮ぎることが可能なように
シャッタ18が設けられ、このシャッタ18をシャッタ駆動
機構19によって駆動可能としている。An anode electrode 17 is provided around the target 2 via an insulator 16, and a shutter 18 is provided so that the space between the wafer 1 and the target 2 can be shut off if necessary. The shutter 18 can be driven by a shutter drive mechanism 19.
前記ターゲット２は、一段又は複数段例えば一段の段
付きの円板状に形成され、第２図に示すようにスパッタ
リング面を有する大径部21と、この大径部21の裏面側中
央にて突出形成された小径部22とから構成されている。
尚、上記大径部21の周縁部21aの直径をl1とし、小径部2
2の周縁部22aの直径をl2とする。一方、前記ターゲット
２を回転自在に保持するための保持部材５は段付き穴形
状となっていて、前記ターゲット２の大径部21に対応す
る大径穴24と、前記小径部22に対応する小径穴25とを有
している。尚、大径穴24の内周面24aの直径をl3とし、
小径穴25の内周面25aの直径をl4とする。そして、上記
ターゲット２及び保持部材５の大きさについては、ター
ゲット２を回転自在とするためにl1〜l4の関係が以下の
ようになっている。The target 2 is formed in a single step or a plurality of steps, for example, a stepped disk, and has a large-diameter portion 21 having a sputtering surface as shown in FIG. And a small-diameter portion 22 protrudingly formed.
Incidentally, the diameter of the peripheral portion 21a of the large diameter portion 21 and l 1, the small diameter portion 2
The diameter of the second peripheral edge 22a and l 2. On the other hand, the holding member 5 for rotatably holding the target 2 has a stepped hole shape, and corresponds to the large diameter hole 24 corresponding to the large diameter portion 21 of the target 2 and the small diameter portion 22. And a small-diameter hole 25. Incidentally, the diameter of the inner circumferential surface 24a of the large-diameter hole 24 and l 3,
The diameter of the inner circumferential surface 25a of the small-diameter hole 25 and l 4. As for the size of the target 2 and the holding member 5, the relationship of l 1 to l 4 is as follows in order to make the target 2 rotatable.
l1＜l3,l2＜l4 上記ターゲット２のスパッタ面側は、スパッタ粒子の
飛翔方向を考慮してその中心側のテーパ面31と周縁側の
テーパ面32とを有し、かつ、昇温の激しいターゲット２
の中央部を保持部材５にクランプするようにしている。
このクランプは例えば第３図に示すように、ターゲット
２の中心に段付き孔34を形成し、この段付き孔34に締結
具40を挿通して保持部材５のねじ孔27と連結することで
実現している。この段付き孔34は凹部36と、その底面36
aよりターゲット２の裏面に貫通する貫通孔38から成
る。また、前記締結具40は、中空筒状スペーサ42と、こ
れに挿通されて前記保持部材５のねじ孔27に螺合される
ボルト44から成る。そして、前記スペーサ42は、前記底
面36aに当接しない位置にフランジ42aを有している。l 1 <l 3 , l 2 <l 4 The sputtering surface side of the target 2 has a tapered surface 31 on the center side and a tapered surface 32 on the peripheral side in consideration of the flying direction of sputtered particles, and Intense heating target 2
Is clamped to the holding member 5.
For example, as shown in FIG. 3, this clamp forms a stepped hole 34 at the center of the target 2 and inserts a fastener 40 into the stepped hole 34 to connect with the screw hole 27 of the holding member 5. Has been realized. The stepped hole 34 has a concave portion 36 and a bottom surface 36 thereof.
A through hole 38 penetrates through the back surface of the target 2 from a. The fastener 40 includes a hollow cylindrical spacer 42 and a bolt 44 inserted through the hollow spacer 42 and screwed into the screw hole 27 of the holding member 5. The spacer 42 has a flange 42a at a position where it does not contact the bottom surface 36a.
次に、作用について説明する。 Next, the operation will be described.
このスパッタ装置にてスパッタリングを行うために、
ウエハ１及びターゲット２をそれぞれ支持した状態で、
これらが配置される真空容器（図示せず）内の真空度を
例えば10-1〜10-3Torrに荒引きする。次に、上記真空容
器内の真空度を10-5〜10-7Torr台に高真空引きし、その
後この真空容器内にスパッタガス例えばArガスを導入
し、真空容器内を10-2〜10-3Torr台に設定する。ここ
で、ターゲット２に負電圧を印加すると、このターゲッ
ト２のスパッタリング面側にプラズマが形成され、さら
にこのターゲット２の裏面側にてマグネット10を回転駆
動することにより、このプラズマを磁界によって閉込め
たプラズマリング30を形成することができる。特に、本
出願人が先に出願した特願昭63−297747に開示したよう
なマグネット10の永久磁石配列を行なうことにより、回
転半径方向の内，外に拡がる磁力線を形成でき、プラズ
マリング30の径をマグネット10の外形より大きくでき
る。このプラズマリング30の形成によりイオン化率が向
上し、ターゲット２のスパッタリング面での所定エロー
ジョンエリアにてスパッタが実行されることになる。In order to perform sputtering with this sputtering device,
While supporting the wafer 1 and the target 2 respectively,
The degree of vacuum in a vacuum vessel (not shown) in which these are arranged is roughly reduced to, for example, 10 -1 to 10 -3 Torr. Then, the vacuum degree of the vacuum container is highly evacuated to 10 -5 to 10 -7 Torr base, followed by introducing a sputtering gas such as Ar gas into the vacuum vessel, the vacuum vessel 10 -2 to 10 Set to -3 Torr level. Here, when a negative voltage is applied to the target 2, plasma is formed on the sputtering surface side of the target 2, and the plasma is confined by rotating the magnet 10 on the back surface side of the target 2 by a magnetic field. The plasma ring 30 can be formed. In particular, by arranging the permanent magnets of the magnets 10 as disclosed in Japanese Patent Application No. 63-297747 filed earlier by the present applicant, it is possible to form magnetic lines of force that extend inward and outward in the direction of the radius of rotation. The diameter can be made larger than the outer shape of the magnet 10. Due to the formation of the plasma ring 30, the ionization rate is improved, and sputtering is performed in a predetermined erosion area on the sputtering surface of the target 2.
ここで、上記マグネット10の回転速度としては、速度
が速いものほど膜付けの均一性を向上できるが、さらに
ターゲット２も回転させることにより均一性が高くな
る。ここで、本発明者は上記スパッタ装置にてマグネッ
ト10を20rpm以上の速度で回転することにより、マグネ
ット10の回転に起因してターゲット２に多くの渦電流が
発生し、この渦電流によりターゲット２を回転駆動する
力が発生することを確認した。Here, as the rotation speed of the magnet 10, the higher the speed, the more uniform the film can be formed, but the more the target 2 is rotated, the higher the uniformity. Here, the inventor rotates the magnet 10 at a speed of 20 rpm or more by the above-mentioned sputtering apparatus, whereby a large amount of eddy current is generated in the target 2 due to the rotation of the magnet 10, and the target 2 It was confirmed that a force for driving the rotation was generated.
本実施例では、ターゲット２は保持部材５に対して回
転自在に支持されているので、上記渦電流によりターゲ
ット２を保持部材５に対して回転駆動することができ
る。このように、ターゲット２を回転駆動することによ
り、このターゲット２から飛び出すスパッタ粒子、特
に、ターゲット２から散乱して飛び出すスパッタ粒子
が、ターゲット２の回転によってウエハ１の各所により
散乱して飛び出すことになるので、ウエハ１上の膜厚の
均一性をより向上することが可能となる。In this embodiment, since the target 2 is rotatably supported by the holding member 5, the target 2 can be driven to rotate with respect to the holding member 5 by the eddy current. In this way, by rotating the target 2, sputter particles that fly out of the target 2, in particular, sputter particles that fly out of the target 2 scatter and fly out of the wafer 1 due to the rotation of the target 2. Therefore, the uniformity of the film thickness on the wafer 1 can be further improved.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
例えば、ターゲット２を回転自在に支持する手段とし
ては、上記実施例のように締結具40とターゲット２との
間に遊びを設けるものに限らず、ベアリング等により摩
擦抵抗の少ない支持機構を採用することもできる。For example, the means for rotatably supporting the target 2 is not limited to a means for providing a play between the fastener 40 and the target 2 as in the above-described embodiment, and a support mechanism having a small frictional resistance by a bearing or the like is employed. You can also.
また、ターゲット２を別の駆動手段によって回転駆動
してもよく、磁力源10と同一方向に回転どうするものに
限らず、逆方向駆動でもよく、断続回転であってもよ
い。Further, the target 2 may be rotationally driven by another driving means, and is not limited to rotation in the same direction as the magnetic force source 10, but may be driven in the opposite direction or may be intermittent rotation.
［発明の効果］ 請求項１〜３の各発明によれば、被処理基板に対する
磁力源の公転駆動及び被スパッタ材料体の自転駆動の双
方の移動により、エロージョンエリアの拡大を図りなが
らも、膜付けの均一性を向上することができる。また、
請求項２では、被スパッタ材料体を自転させるのに特別
な装置を要さず、装置の小型化が図れる。[Effects of the Invention] According to each of the first to third aspects of the present invention, the film is formed while expanding the erosion area by both the revolving drive of the magnetic force source and the rotation of the sputtered material body with respect to the substrate to be processed. The uniformity of the attachment can be improved. Also,
According to the second aspect, a special device is not required for rotating the material to be sputtered, and the size of the device can be reduced.
第１図は、本発明を適用したスパッタ装置の一実施例の
概略断面図、 第２図は、ターゲットと保持部材との組立構造を示す概
略斜視図、 第３図は、ターゲットと保持部材との連結構造を示す概
略断面図、 第４図（Ａ），（Ｂ）は、マグネットを回転駆動した従
来技術を示す概略説明図である。 １……被処理基板、 ２……被スパッタ材料体、 ５……保持部材、 10……磁力源。FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of a sputtering apparatus to which the present invention is applied, FIG. 2 is a schematic perspective view showing an assembly structure of a target and a holding member, and FIG. 4 (A) and 4 (B) are schematic explanatory views showing a conventional technique in which a magnet is rotationally driven. 1 ... substrate to be processed, 2 ... material body to be sputtered, 5 ... holding member, 10 ... magnetic force source.
Claims (3)
膜するためにスパッタされる被スパッタ材料体と、 前記被スパッタ材料体の裏面側に配置され、前記被処理
基板と前記被スパッタ材料体との対向間に誘起されるプ
ラズマを閉じ込める、前記被処理基板より小さい大きさ
の磁力源と、 前記磁力源を、前記被処理基板との対向位置が順次変化
するように公転駆動させる第１の駆動手段と、 前記第１の駆動手段の駆動時に、前記被処理基板との対
向位置が順次変化するように、前記被スパッタ材料体を
自転駆動させる第２の駆動手段と、 を含むことを特徴とするスパッタ装置。1. A substrate to be processed, a material to be sputtered arranged to face the substrate to be processed and sputtered to form a film on the substrate to be processed, and a back surface of the material to be sputtered A magnetic force source having a size smaller than that of the substrate to be processed, for confining plasma induced between the substrate to be processed and the object to be sputtered, and a position facing the substrate to be processed. A first driving means for revolving so as to change sequentially, and when the first driving means is driven, the sputtered material body is driven to rotate so that a position facing the substrate to be processed changes sequentially. A second driving means, comprising: a sputtering apparatus.
膜するためにスパッタされる被スパッタ材料体と、 前記被スパッタ材料体の裏面側に配置され、前記対向間
に誘起されるプラズマを閉じ込める、前記被処理基板よ
り小さい大きさの磁力源と、 前記磁力源を、前記被スパッタ材料体との対向位置が順
次変化するように公転駆動させる駆動手段と、 前記被スパッタ材料体を回転自在に保持する保持部材
と、 を含み、 前記被スパッタ材料体は、前記磁力源の駆動に起因する
渦電流により自転することを特徴とするスパッタ装置。2. A substrate to be processed, a material to be sputtered disposed to face the substrate to be processed, and sputtered to form a film on the substrate to be processed, and a rear surface side of the material to be sputtered is disposed. And a magnetic force source smaller in size than the substrate to be processed for confining the plasma induced between the opposing surfaces; and a drive for revolving the magnetic force source so that the position facing the material to be sputtered changes sequentially. Means, and a holding member for rotatably holding the material to be sputtered, wherein the material to be sputtered rotates by eddy current caused by driving of the magnetic force source.
ラズマ誘起し、該被スパッタ材料体をスパッタして該被
処理基板に成膜するスパッタ方法において、 前記被スパッタ材料体の裏面側に配置された磁力源を、
前記被処理基板との対向位置が順次変化するように公転
移動させる公転移動工程と、 前記公転移動時に、前記被処理基板との対向位置が順次
変化するように、前記被スパッタ材料体を自転移動させ
る自転移動工程と、 を含むことを特徴とするスパッタ方法。3. A sputtering method in which plasma is induced between a substrate to be processed and a material to be sputtered, and the material to be sputtered is sputtered to form a film on the substrate to be processed. The magnetic force source located in
A revolving movement step of revolving so as to sequentially change the position facing the substrate to be processed; and, during the revolving movement, rotating the sputtered material body such that the position facing the substrate to be processed changes sequentially. A sputter method, comprising:
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