JP2745557B2 - Metallized film and method for forming the same - Google Patents
Metallized film and method for forming the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ハイブリッドIC回路基板やプリント基板
などで好適に実施されるメタライズ膜およびその形成方
法に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metallized film suitably implemented on a hybrid IC circuit board, a printed board, and the like, and a method for forming the same.
ハイブリッドIC回路基板やプリント基板などでは、た
とえばアルミナ，窒化珪素，炭化珪素などのセラミック
ス基板が用いられることがある。この場合に前記セラミ
ックス基板表面への厚膜電極の形成は、従来より下記
〜の方法で行われている。In a hybrid IC circuit board, a printed board, or the like, for example, a ceramic substrate such as alumina, silicon nitride, or silicon carbide may be used. In this case, the formation of a thick film electrode on the surface of the ceramic substrate has been conventionally performed by the following methods.
MoとMnとの混合粉末をペースト化し、これをAl2O3な
どのセラミックス基板表面に塗布し、加湿された水素中
で1500℃程度に加熱して密着性の良いMo層を得る（Mo−
Mn法）。この後このMo層上にNiめっきを施して、このめ
っき層上にAu,Ag,Pt,Cuなどの厚膜電着を行う。前記セ
ラミックス基板が非酸化物系セラミックスであるAlN基
板であるときには、このAlN基板を酸化雰囲気中で1000
℃以上に加熱して表面酸化層を形成した後に、前記Mo−
Mn法を適用して厚膜電極を形成する。A mixed powder of Mo and Mn is made into a paste, applied to a ceramic substrate surface such as Al 2 O 3, and heated to about 1500 ° C. in humidified hydrogen to obtain a Mo layer having good adhesion (Mo−
Mn method). Thereafter, Ni plating is performed on the Mo layer, and thick film electrodeposition of Au, Ag, Pt, Cu, or the like is performed on the plating layer. When the ceramic substrate is an AlN substrate that is a non-oxide ceramic, the AlN substrate is placed in an oxidizing atmosphere at 1000
After forming a surface oxide layer by heating to a temperature of at least
A thick film electrode is formed by applying the Mn method.
無電解めっき層（Pd,Niなど）上に上記厚膜電着を施
す。The above thick film electrodeposition is performed on the electroless plating layer (Pd, Ni, etc.).
セラミックス基板表面に活性金属（Tiなど）を蒸着し
た後、Pt,Auの蒸着を行う。After depositing an active metal (such as Ti) on the surface of the ceramic substrate, Pt and Au are deposited.
上記方法では、形成された厚膜電極のセラミックス
基板に対する密着強度は高いが、高温プロセスを含んで
いるため、セラミックス基板に歪みが生じたりして、歩
留りが悪くなるとともに、コスト高となる問題がある。
また上記の方法では、形成された厚膜電極のセラミッ
クス基板に対する密着強度が2kg/mm2以下と低く、信頼
性の高い回路基板を得ることができない。さらに上記
の方法では、Tiの蒸着層に直接半田付けや、ろう付けを
行うことが困難であるため、Pt,Auの蒸着を行うように
しており、このためコスト高となる問題がある。また密
着強度も２〜5kg/mm2程度でばらつき、安定しない。In the above method, the adhesion strength of the formed thick film electrode to the ceramic substrate is high, but the high temperature process is involved, so that the ceramic substrate is distorted, the yield is reduced, and the cost increases. is there.
Further, in the above method, the adhesion strength of the formed thick film electrode to the ceramic substrate is as low as 2 kg / mm 2 or less, and a highly reliable circuit board cannot be obtained. Further, in the above method, it is difficult to perform soldering or brazing directly on the Ti vapor deposition layer, so that Pt and Au are vapor-deposited, and thus there is a problem that the cost increases. In addition, the adhesion strength varies from about 2 to 5 kg / mm 2 and is not stable.
この発明の目的は、セラミックス基板に強固に密着す
ることができ、歩留りが向上されるとともに、低コスト
化に有利なメタライズ膜およびその形成方法を提供する
ことである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a metallized film which can be firmly adhered to a ceramic substrate, improves the yield, and is advantageous in reducing the cost, and a method for forming the same.
この発明のメタライズ膜は、セラミックス基板材料お
よびTi,Al,Ni,Ptのうち１種類または２種類の金属なら
びに不活性ガスを含む混合層と、この混合層上にNi,Pt,
Cuのうちいずれか１種類の金属を用いて形成した金属蒸
着層と、この金属蒸着層上に形成したCuめっき層とを備
えている。The metallized film of the present invention comprises a mixed layer containing a ceramic substrate material and one or two metals of Ti, Al, Ni, Pt and an inert gas, and Ni, Pt,
It has a metal deposition layer formed using any one of the metals of Cu, and a Cu plating layer formed on the metal deposition layer.
この発明のメタライズ膜の形成方法は、Ti,Al,Ni,Pt
のうち１種類または２種類の金属の蒸着と不活性ガスイ
オン照射とを併用してセラミックス基板表面にこのセラ
ミックス基板材料および蒸着される金属ならびに不活性
ガスを含む混合層を形成し、この混合層上にNi,Pt,Cuの
うちいずれか１種類の金属を蒸着して金属蒸着層を形成
し、この金属蒸着層上にCuを電着してCuめっき層を形成
することを特徴とする。The method for forming a metallized film according to the present invention includes the steps of:
Forming a mixed layer containing the ceramic substrate material, the metal to be deposited and the inert gas on the surface of the ceramic substrate by using the vapor deposition of one or two types of metals and the irradiation of inert gas ions in combination. One of Ni, Pt, and Cu is vapor-deposited thereon to form a metal vapor-deposited layer, and Cu is electrodeposited on the metal vapor-deposited layer to form a Cu plating layer.
この発明によれば、Ti,Al,Ni,Ptのうち１種類または
２種類の金属の蒸着と不活性ガスイオン照射とを併用し
てセラミックス基板表面にこのセラミックス基板材料お
よび蒸着される金属ならびに不活性ガスを含む混合層を
形成し、この混合層上にNi,Pt,Cuのうちいずれか１種類
の金属を蒸着して金属蒸着層を形成し、この金属蒸着層
上にCuを電着してCuめっき層を形成することにより、セ
ラミックス基板と混合層との間，混合層と金属蒸着層と
の間，および金属蒸着層とCuめっき層との間はいずれも
強固に密着している。したがって、このメタライズ膜は
セラミックス基板に対して強固に密着して形成される。According to the present invention, the ceramic substrate material, the metal to be deposited and the non-deposited metal and non-metal are used on the surface of the ceramic substrate by using the vapor deposition of one or two types of metals among Ti, Al, Ni, and Pt in combination with the inert gas ion irradiation. A mixed layer containing an active gas is formed, and one of Ni, Pt, and Cu is deposited on the mixed layer to form a metal deposited layer, and Cu is electrodeposited on the metal deposited layer. By forming the Cu plating layer, the ceramic substrate and the mixed layer, the mixed layer and the metal deposition layer, and the metal deposition layer and the Cu plating layer are firmly adhered to each other. Therefore, the metallized film is formed in tight contact with the ceramic substrate.
第１図はこの発明の一実施例のメタライズ膜１の構成
を簡略化して示す断面図である。このメタライズ膜１
は、セラミックス基板２表面に形成された混合層３と、
この混合層３に積層して形成された金属蒸着膜４と、こ
の金属蒸着膜４に積層して形成されためっき層５とによ
って構成されている。セラミックス基板２はたとえばAl
N基板などであり、前記混合層３は前記セラミックス基
板２の材料であるAlNと、NiまたはPtなどの金属と、Ar
などの不活性ガスイオンとの混合物からなっており、後
述する構成によって形成される。また前記金属蒸着層４
およびめっき層５はたとえばCuである。FIG. 1 is a sectional view schematically showing the structure of a metallized film 1 according to one embodiment of the present invention. This metallized film 1
Is a mixed layer 3 formed on the surface of the ceramic substrate 2,
It is composed of a metal deposition film 4 formed by laminating the mixed layer 3 and a plating layer 5 formed by laminating the metal deposition film 4. The ceramic substrate 2 is made of, for example, Al
The mixed layer 3 is composed of AlN, which is a material of the ceramic substrate 2, a metal such as Ni or Pt,
And a mixture with an inert gas ion such as that described above. The metal deposition layer 4
And plating layer 5 is, for example, Cu.
第２図は前記混合層３および金属蒸着層４を形成する
ための基本的な構成を示す概念図である。ホルダ６に前
記セラミックス基板２が装着され、このセラミックス基
板２に対向して、金属（Ni,Ptなど）を蒸発させる蒸発
源7,および不活性ガスイオン（たとえばArイオン）８を
発生して加速するイオン源９が配置される。10は蒸発源
７から蒸発した金属蒸発物である。この装置は真空槽内
に設置されており、セラミックス基板２への金属蒸着お
よび不活性ガスイオン８の照射を同時にまたは交互に行
うことによって、すなわち併用することによって、前記
混合層３が前記セラミックス基板２表面に形成される。
このようにして形成された混合層３は、セラミックス基
板２に対して充分な密着強度を有している。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a basic configuration for forming the mixed layer 3 and the metal deposition layer 4. The ceramic substrate 2 is mounted on the holder 6, and an evaporation source 7 for evaporating metal (Ni, Pt, etc.) and an inert gas ion (for example, Ar ion) 8 are generated and accelerated to face the ceramic substrate 2. An ion source 9 is arranged. Reference numeral 10 denotes a metal evaporate evaporated from the evaporation source 7. This apparatus is installed in a vacuum chamber, and performs the metal deposition on the ceramic substrate 2 and the irradiation of the inert gas ions 8 simultaneously or alternately, that is, in combination with each other. 2 formed on the surface.
The mixed layer 3 thus formed has a sufficient adhesion strength to the ceramic substrate 2.
この混合層３の形成後には、不活性ガスイオン８の照
射を停止して、蒸発源７から蒸発される金属（Ni,Ptな
ど）の蒸着のみが行われる。これによって前記混合層３
表面に金属蒸発物10が堆積されて、前記金属蒸着層４が
形成される。この金属蒸着層４は、前記混合層３との間
で、高い密着強度を有することができる。After the formation of the mixed layer 3, the irradiation of the inert gas ions 8 is stopped, and only the evaporation of the metal (Ni, Pt, etc.) evaporated from the evaporation source 7 is performed. Thereby, the mixed layer 3
The metal evaporation 10 is deposited on the surface to form the metal evaporation layer 4. The metal deposition layer 4 can have high adhesion strength with the mixed layer 3.
第３図は前記金属蒸着層４表面にめっき層５を形成す
るための構成を簡略化して示す概念図である。めっき槽
11内のめっき液12に前記混合層３および金属蒸着層４
（第３図には図示が省略されている）を形成したセラミ
ックス基板２と、陽極13とを浸漬し、この陽極13と前記
セラミックス基板２の金属蒸着４との間に直流電源14を
接続する。このようにして、前記金属蒸着層４表面に金
属を電着させてめっき層５を形成する。このめっき層５
は金属蒸着層４に強固に密着して形成することができ
る。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a simplified configuration for forming a plating layer 5 on the surface of the metal deposition layer 4. Plating tank
The mixed layer 3 and the metal deposition layer 4
The ceramic substrate 2 on which the ceramic substrate 2 (not shown in FIG. 3 is formed) and the anode 13 are immersed, and a DC power supply 14 is connected between the anode 13 and the metal deposition 4 of the ceramic substrate 2. . Thus, a metal is electrodeposited on the surface of the metal deposition layer 4 to form the plating layer 5. This plating layer 5
Can be formed in tight contact with the metal deposition layer 4.
このようにして厚膜化したメタライズ膜１がセラミッ
クス基板２上に形成される。しかもセラミックス基板2,
混合層3,金属蒸着層4,およびめっき層５は、各界面で強
固に密着されているので、メタライズ膜１はセラミック
ス基板２に対して強固に密着している。The metallized film 1 thus thickened is formed on the ceramic substrate 2. Moreover, the ceramic substrate 2,
Since the mixed layer 3, the metal deposition layer 4, and the plating layer 5 are firmly adhered at each interface, the metallized film 1 is firmly adhered to the ceramic substrate 2.
前記混合層３の形成時に蒸着される金属，前記金属蒸
着層4,およびめっき層５の金属は、たとえばTi（混合層
３）,Ni（金属蒸着層４），およびCu（めっき層５）の
組み合わせや、Al,Ni,およびCuの組み合せなどが好まし
く、このような組み合せによれば各層の界面において極
めて高い密着強度を得ることができる。The metal deposited when the mixed layer 3 is formed, the metal deposited layer 4 and the metal of the plating layer 5 are, for example, Ti (mixed layer 3), Ni (metal deposited layer 4), and Cu (plated layer 5). A combination or a combination of Al, Ni, and Cu is preferable. With such a combination, extremely high adhesion strength can be obtained at the interface between the layers.
本件発明者は、セラミックス基板２としてAlN基板を
用い、このセラミックス基板２上に前記メタライズ膜１
をパターン形成してこのメタライズ膜１を厚膜電極とし
た回路基板を作製している。このメタライズ膜１のパタ
ーン形成に当たっては、セラミックス基板２表面にフォ
トレジスト膜を貼付または塗布によって形成し、回路配
線パターンに対応する露光を行って、メタライズ膜１
（厚膜電極）を形成すべき部分の前記フォトレジストを
洗浄して除去して、このセラミックス基板２表面にマス
キングを施した。この後にNi（もしくはPt）の蒸着（ま
たはTiおよびNiもしくはTiおよびPtの併用による蒸着）
とともに、イオン源９から加速エネルギーを25keVとし
たArイオンを1017個/cm2照射して混合層３を形成し、さ
らにArイオンの照射およびNiの蒸着を停止してCuの蒸着
のみを行って前記混合層３と金属蒸着層４とを合わせた
層厚が約0.1〜１μｍとなるように金属蒸着層４を形成
した。このときの混合層３および金属蒸着層４のセラミ
ックス基板２に対する密着強度は約6kg/mm2であり、シ
ート抵抗すなわち薄膜の面抵抗値（正方形の薄膜の辺に
そう方向の電気抵抗値）は２〜20Ω／□であった。The present inventor used an AlN substrate as the ceramic substrate 2 and provided the metallized film 1 on the ceramic substrate 2.
To form a circuit board using this metallized film 1 as a thick film electrode. In forming the pattern of the metallized film 1, a photoresist film is formed on the surface of the ceramic substrate 2 by sticking or coating, and exposure corresponding to the circuit wiring pattern is performed.
The portion of the photoresist where a (thick film electrode) is to be formed was removed by washing, and the surface of the ceramic substrate 2 was masked. This is followed by the deposition of Ni (or Pt) (or Ti and Ni or a combination of Ti and Pt)
At the same time, the mixed layer 3 is formed by irradiating 10 17 atoms / cm 2 of Ar ions with an acceleration energy of 25 keV from the ion source 9, and further stopping the irradiation of Ar ions and the deposition of Ni to perform only the deposition of Cu. Thus, the metal deposition layer 4 was formed such that the total layer thickness of the mixed layer 3 and the metal deposition layer 4 was about 0.1 to 1 μm. At this time, the adhesion strength of the mixed layer 3 and the metal deposition layer 4 to the ceramic substrate 2 is about 6 kg / mm 2 , and the sheet resistance, that is, the sheet resistance (the electric resistance in the direction along the side of the square thin film) of the thin film is It was 2 to 20 Ω / □.
次にセラミックス基板２表面に残留している前記フォ
トレジスタを除去し、さらに前記金属蒸着層４上にCuの
めっき層５を形成して、メタライズ膜１の膜厚を30μｍ
とした。このメタライズ膜１のセラミックス基板２に対
する密着強度を測定したところ、４〜5kg/mm2であり、
充分な密着強度を得ることができた。めっき層５の形成
前後で密着強度が変化しているのは、めっき層５の内部
応力によるものと推定される。Next, the photoresist remaining on the surface of the ceramic substrate 2 is removed, and a Cu plating layer 5 is formed on the metal deposition layer 4 so that the metallized film 1 has a thickness of 30 μm.
And When the adhesion strength of the metallized film 1 to the ceramic substrate 2 was measured, it was 4 to 5 kg / mm 2 .
Sufficient adhesion strength could be obtained. The change in the adhesion strength before and after the formation of the plating layer 5 is presumed to be due to the internal stress of the plating layer 5.
以上のようにこの実施例によれば、セラミックス基板
２上に、厚膜電極などとして用いることができるメタラ
イズ膜１を、前記セラミックス基板２に充分に強固に密
着して形成することができる。しかもこのメタライズ膜
１の形成プロセスは、いずれも低温プロセスであるの
で、セラミックス基板２と、混合層3,金属蒸着層4,およ
びめっき層５との熱膨張の差などに起因してメタライズ
膜１のセラミックス基板２からの剥離が生じることはな
く、さらにセラミックス基板２およびメタライズ膜１の
歪みが生じることもないので歩留りが極めて良好（前述
の例では99％）になる。As described above, according to this embodiment, the metallized film 1 that can be used as a thick film electrode or the like can be formed on the ceramic substrate 2 so as to be sufficiently firmly adhered to the ceramic substrate 2. Moreover, since the formation process of the metallized film 1 is a low-temperature process, the metallized film 1 is formed due to a difference in thermal expansion between the ceramic substrate 2 and the mixed layer 3, the metal deposition layer 4, and the plating layer 5. Since the ceramic substrate 2 and the metallized film 1 are not separated from each other and the metallized film 1 is not distorted, the yield is extremely good (99% in the above-described example).
なお、上記の説明中に、メタライズ膜１を構成する材
料の例をあげたが、ここでまとめると、混合層３として
は、Ti,Al,Ni,Ptのうち１種類または２種類の金属の蒸
着と不活性ガスイオン照射とを併用してセラミックス基
板２表面にこのセラミックス基板材料および上記蒸着さ
れる金属ならびに不活性ガスを含む層を形成し、金属蒸
着層４としては、Ni,Pt,Cuのうちいずれか１種類の金属
を蒸着して形成し、めっき層５としては、Cuを電着して
Cuめっき層を形成すれば、上記の効果を得ることができ
る。In the above description, examples of the material constituting the metallized film 1 have been given. However, when summarized here, the mixed layer 3 is made of one or two metals of Ti, Al, Ni, and Pt. A layer containing the ceramic substrate material, the metal to be deposited and the inert gas is formed on the surface of the ceramic substrate 2 by using both the vapor deposition and the inert gas ion irradiation, and the metal vapor deposition layer 4 is made of Ni, Pt, Cu. Is formed by evaporating any one of the metals, and the plating layer 5 is formed by electrodepositing Cu.
The above effects can be obtained by forming a Cu plating layer.
ここで、混合層３はセラミックス基板２との密着性確
保のために形成してあり、混合層３形成のために蒸着す
る金属として、Ti,Alを用いる理由は、セラミックス基
板材料に対して化学的に活性なTi,Alを用いることによ
り、イオン照射による物理的なミキシング効果に加え、
蒸着金属原子と基板材料の原子間で化合物を形成する化
学的効果が期待できるからである。また、Ni,Ptを用い
る理由は、Cuのめっき層５を直接セラミックス基板２に
形成してもセラミックスとの熱膨張係数が大きく異なる
ため高い密着性を得ることは難しいが、熱膨張係数がセ
ラミックスとCuとの中間値にあるNi,Ptを用いることに
より、熱膨張係数の傾斜化が図れ、熱膨張係数の違いに
よる密着力の低下を防ぐことができるからである。Here, the mixed layer 3 is formed to secure adhesion to the ceramic substrate 2, and the reason why Ti and Al are used as the metal deposited for forming the mixed layer 3 is that the mixed material 3 is chemically In addition to the physical mixing effect of ion irradiation,
This is because a chemical effect of forming a compound between the deposited metal atoms and the atoms of the substrate material can be expected. The reason for using Ni or Pt is that even if the Cu plating layer 5 is formed directly on the ceramic substrate 2, it is difficult to obtain high adhesion because the coefficient of thermal expansion differs greatly from that of ceramics. This is because the use of Ni or Pt having an intermediate value between Cu and Cu makes it possible to achieve a slope of the thermal expansion coefficient and prevent a decrease in adhesion due to a difference in the thermal expansion coefficient.
また、混合層３上に金属蒸着層４を形成する理由は、
その上に形成するCuのめっき層５との密着性を確保する
ためであり、実際の作業では、蒸着工程からめっき工程
への移行の際に金属蒸着層４の表面が酸化されるとその
上に形成するCuのめっき層５との密着性が低下すること
になるため、金属蒸着層４としては酸化されにくい材料
を用いるのが好ましく、また、Cuとの相性の良い（例え
ば熱膨張係数の近い）材料を用いる必要がある。このよ
うに金属蒸着層４には、酸化されにくく、Cuとの相性の
良い材料としてNi,Pt,Cuを用いるのが好ましい。The reason for forming the metal deposition layer 4 on the mixed layer 3 is as follows.
This is to ensure the adhesion of the Cu formed thereon to the plating layer 5, and in actual work, when the surface of the metal deposition layer 4 is oxidized during the transition from the deposition step to the plating step, Therefore, it is preferable to use a material which is not easily oxidized as the metal deposition layer 4 and has good compatibility with Cu (for example, a coefficient of thermal expansion). Close) materials must be used. As described above, it is preferable to use Ni, Pt, or Cu as the material that is not easily oxidized and has good compatibility with Cu for the metal deposition layer 4.
また、上記メタライズ膜１で用いられる金属は比較的
安価な金属材料を用いることができ、さらに前述のよう
に高温プロセスを含んでいないので加熱のためなどの構
成が不要であり、したがって生産コストの低減に有利で
ある。In addition, the metal used for the metallized film 1 can be a relatively inexpensive metal material, and does not include a high-temperature process as described above, and thus does not require a configuration for heating or the like. It is advantageous for reduction.
この発明のメタライズ膜およびその形成方法によれ
ば、Ti,Al,Ni,Ptのうち１種類または２種類の金属の蒸
着と不活性ガスイオン照射とを併用してセラミックス基
板表面にこのセラミックス基板材料および蒸着される金
属ならびに不活性ガスを含む混合層を形成し、この混合
層上にNi,Pt,Cuのうちいずれか１種類の金属を蒸着して
金属蒸着層を形成し、この金属蒸着層上にCuを電着して
Cuめっき層を形成することにより、セラミックス基板と
混合層との間，混合層と金属蒸着層との間，および金属
蒸着層とCuめっき層との間はいずれも強固に密着してい
る。したがって、このメタライズ膜はセラミックス基板
に対して強固に密着して形成される。According to the metallized film and the method of forming the same according to the present invention, the ceramic substrate material is deposited on the surface of the ceramic substrate by combining the vapor deposition of one or two metals of Ti, Al, Ni, and Pt with the irradiation of inert gas ions. And forming a mixed layer containing a metal to be deposited and an inert gas, and depositing any one of Ni, Pt, and Cu on the mixed layer to form a metal deposited layer. Electrodeposit Cu on top
By forming the Cu plating layer, the ceramic substrate and the mixed layer, the mixed layer and the metal deposition layer, and the metal deposition layer and the Cu plating layer are firmly adhered to each other. Therefore, the metallized film is formed in tight contact with the ceramic substrate.
しかもこのメタライズ膜の形成プロセスは、いずれも
低温プロセスであるので、セラミックス基板と、混合層
および金属蒸着層ならびにめっき層との熱膨張の差など
に起因してメタライズ膜のセラミックス基板からの剥離
が生じることはなく、さらにセラミックス基板およびメ
タライズ膜の歪みが生じることもないので歩留りが極め
て良好になる。またメタライズ膜で用いられる金属とし
ては比較的安価な金属材料を用いることができ、さらに
前述のように高温プロセスを含んでいないので加熱のた
めなどの構成が不要であり、したがって生産コストの低
減に有利である。Moreover, since the metallized film is formed at a low temperature, the metallized film is not separated from the ceramic substrate due to a difference in thermal expansion between the ceramic substrate, the mixed layer, the metal deposition layer, and the plating layer. No yield occurs, and no distortion occurs in the ceramic substrate and the metallized film, so that the yield is extremely good. In addition, as the metal used for the metallized film, a relatively inexpensive metal material can be used. Further, as described above, since a high-temperature process is not included, a configuration for heating or the like is not required, and thus the production cost is reduced. It is advantageous.
第１図はこの発明の一実施例のメタライズ膜１の構成を
簡略化して示す断面図、第２図は前記メタライズ膜１の
混合層３および金属蒸着層４を形成するための基本的な
構成を示す概念図、第３図は前記メタライズ膜１のめっ
き層５を形成するための基本的な構成を示す概念図であ
る。 １……メタライズ膜、２……セラミックス基板、３……
混合層、４……金属蒸着層、５……めっき層、７……蒸
発源、８……不活性ガスイオン、９……イオン源、10…
…金属蒸発物FIG. 1 is a sectional view showing a simplified structure of a metallized film 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a basic structure for forming a mixed layer 3 and a metal deposition layer 4 of the metallized film 1. FIG. 3 is a conceptual diagram showing a basic configuration for forming a plating layer 5 of the metallized film 1. 1 ... metallized film, 2 ... ceramic substrate, 3 ...
Mixed layer, 4 ... Metal deposition layer, 5 ... Plating layer, 7 ... Evaporation source, 8 ... Inert gas ion, 9 ... Ion source, 10 ...
… Metal evaporation
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/14 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H05K 3/14 H01L 23/14 M
Claims (2)
イズ膜であって、前記セラミックス基板材料およびTi,A
l,Ni,Ptのうち１種類または２種類の金属ならびに不活
性ガスを含む混合層と、この混合層上にNi,Pt,Cuのうち
いずれか１種類の金属を用いて形成した金属蒸着層と、
この金属蒸着層上に形成したCuめっき層とを備えたメタ
ライズ膜。1. A metallized film formed on a surface of a ceramic substrate, wherein said metallized film is made of a material of Ti,
A mixed layer containing one or two kinds of metals among l, Ni, and Pt and an inert gas, and a metal deposition layer formed on the mixed layer using one of Ni, Pt, and Cu. When,
A metallized film including a Cu plating layer formed on the metal deposition layer.
成する方法であって、Ti,Al,Ni,Ptのうち１種類または
２種類の金属の蒸着と不活性ガスイオン照射とを併用し
て前記セラミックス基板表面にこのセラミックス基板材
料および前記蒸着される金属ならびに不活性ガスを含む
混合層を形成し、この混合層上にNi,Pt,Cuのうちいずれ
か１種類の金属を蒸着して金属蒸着層を形成し、この金
属蒸着層上にCuを電着してCuめっき層を形成することを
特徴とするメタライズ膜の形成方法。2. A method for forming a metallized film on a surface of a ceramic substrate, the method comprising: depositing one or two kinds of metals of Ti, Al, Ni, Pt and irradiating with inert gas ions in combination with the ceramics. A mixed layer containing the ceramic substrate material and the metal to be deposited and an inert gas is formed on the substrate surface, and one of Ni, Pt, and Cu is deposited on the mixed layer to form a metal deposition layer. And forming a Cu plating layer by electrodepositing Cu on the metal-deposited layer.
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|---|---|---|---|
| JP63230776A JP2745557B2 (en) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | Metallized film and method for forming the same |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0277584A JPH0277584A (en) | 1990-03-16 |
| JP2745557B2 true JP2745557B2 (en) | 1998-04-28 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0770638B2 (en) * | 1986-12-08 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | Microwave IC substrate manufacturing method |
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1988
- 1988-09-13 JP JP63230776A patent/JP2745557B2/en not_active Expired - Fee Related
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