JP2744809B2

JP2744809B2 - ひげそり用かみそり

Info

Publication number: JP2744809B2
Application number: JP1173881A
Authority: JP
Inventors: カール・エイ・ハルトマン; ウィリアム・イー・ブリーランド; ピーター・エス・ウィリアムズ; ロス・ボランド
Original assignee: ワーナー・ランバート・カンパニー
Priority date: 1988-07-13
Filing date: 1989-07-05
Publication date: 1998-04-28
Anticipated expiration: 2013-04-28
Also published as: ES2050238T3; EP0351093A3; FI893341A; DE68913606T2; ATE102535T1; DE68913606D1; KR900001469A; MX170705B; TR26049A; EP0351093A2; EP0351093B1; PT91135A; DK348689D0; CN1040536A; ZA894947B; NO892884D0; CA1332500C; DK348689A; JPH0265891A; BR8903414A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はかみそりに関する。

本明細書においては、「かみそり」とは、少くとも１
枚の刃と、刃支持材と、刃支持材に取付けられ、刃の下
方で支持材から外方に延在する保護表面と、刃を蔽つて
保護するキヤツプと、を有する自蔵式ひげそり装置であ
る、と定義される。支持材とキヤツザは協働して、刃を
所定のひげそり位置に保つ。かみそりは使捨ての柄を含
んで、それ自体で使捨てかみそりとすることもできれ
ば、恒久的な柄と共に使用する使捨てカートリツジの形
をとることもできる。両例において、使捨てカートリツ
ジと、使捨てかみそりのかみそり頭部は実質的に同等で
ある。

近代のひげそり用かみそりに用いられる刃は効果的で
心地よいひげそり作用を与えるように協働する複数の特
徴を取り入れている。ひげそり用かみそり刃は普通の工
業用レザーの刃またはナイフよりも遥かに鋭利である。
鋭利さは「局限刃先半径（ultimate tip radius）」で
表わされ、測定されることができる。ひげそり用かみそ
り刃は通常、約600Å以下の局限刃先半径を有するのに
反し、工業用レザーの刃、切断用ナイフ等は通常、数千
Åの局限刃先半径を有する。そのうえ、近代のひげそり
用かみそり刃はその切刃に、炭素−ふつ素重合体の被膜
のような潤滑剤被膜を有する。潤滑剤は刃とほほひげの
係合によつて生ずる摩さつ力を減じ、従つて、ひげそり
の際、使用者が感ずる抵抗、つまり「引つ張り」を大い
に減少させる。

近代の基準から満足すべきと見なされることとして、
ひげそり用かみそりは多数回のひげそりの間、使用可能
な状態を保つべきである。刃は鋭い刃先を維持すべきで
あり、顎ひげや皮膚との物理的接着効果にさらされて
も、またひげそり環境にて出会う水、石鹸等の化学効果
にさらされても、これらの繰返しひげそり中に潤滑剤を
保持するべきである。ひげそり用かみそり刃は効率的で
経済的な大量生産に適していなければならない。特別な
配慮なしでも、通常の状況の下での出荷、格納および取
扱いに耐えなければならない。これらの要素の全ては合
せて侮りがたい挑戦となる。

近代の典型的なひげそり用かみそりは、鉄およびクロ
ムを含むマルテンサイト系ステンレス鋼のようなステン
レス鋼の基板と共に、少なくとも刃の切刃に沿つてステ
ンレス鋼の基板の上に重ねたクロムまたは窒化クロムの
硬質被膜を組みこんでいる。ポリテトラフロロエチレン
のようなふつ素重合体潤滑剤が硬質被膜の上に塗られて
接着されている。硬質被膜は数百Å程度の厚さを有する
ことができる。

硬質被膜はスパツタリングとして知られる工程により
施こされる。後述するように、通常、スパツタリングは
管理されたふん囲気、代表的には超低圧の希ガスの下で
行われる。スパツタリング工程のあと、硬質被膜が施こ
された半仕上げの刃は管理されたふん囲気から取り出さ
れる。蒸発性の液体溶剤中に分散させた炭素−ふつ素重
合体を施こし、溶剤を気化させてから、重合体の融点よ
りも高温に加熱して、残つている潤滑剤を溶着するこ
と、により刃に潤滑剤を施こす。代表的には、溶着工程
は不活性ふん囲気の中で行われるが、分散潤滑剤の適用
中、および硬質被膜の適用と分散潤滑剤の適用の中間の
任意の格納期間中は、刃は普通の室内空気にさらされ
る。

この全体構成による刃を組込んだかみそりは、これま
で、ひげそり性能、耐久性および低価格の巧い組合せを
与えることから、秀れていると見なされていた。それで
も、なおいつそう改良の要求があった。

かみそり業界の研究の一つの道は、刃の中のクロムの
代替品として使用し得る硬質被膜の開発を指向した。普
通の切削工具はその切刃が徐々に摩滅するために、なま
くらに、そして使用不能になる。この種の摩損は代表的
には、硬さに直接関連する。クロムよりも硬い材料は多
い。理想的には、そのような硬い材料は全て実験の対象
になり得るであろう。しかし、ひげそり用かみそりの切
刃は通常、この種の摩損によつて、なまくらになるので
はない。かみそり刃の非常に鋭便で薄い切刃は通常、切
刃の顕微鏡的破損によつて、なまくらになる。従つて、
かみそり刃においては、硬さだけが必ずしも切刃の耐久
性に十分に結びつくものではない。他の用途で成し遂げ
られた耐摩性の成果はかみそり刃の切刃の耐久性を高く
保証することにならないことも有り得る。そのうえ、か
みそり刃に用いられる硬質被膜は、潤滑剤被膜とも、潤
滑剤を施こすのに用いられる工程とも、両立しなければ
ならない。殊に、使用中に長持ちのする潤滑効果を与え
るように、潤滑剤は硬質被膜によく付着しなければなら
ない。硬質被膜材と潤滑剤との付着性は予測し得ない。
他の点では適切な多くの硬質被膜材が、潤滑剤をよく付
着させないという意味で、潤滑剤と両立しない。それや
これやの理由で、ひげそり用かみそりに用いられる、よ
り秀れた硬質被膜の探求が今日まで成功しなかつた。

本発明の一局面は、改良されたひげそり用かみそりを
与える。本発明のこの局面により改良されたかみそりは
改良された刃を含む。この刃は、基板と、少なくとも刃
の切刃に基板を蔽い、切刃の局限刃先を画成する硬質被
膜組成の層と、を含む。最も望ましいことは、重合体の
潤滑剤被膜が直接に硬質被膜を蔽い、それに接着するこ
とである。

本発明のこの局面によるかみそりにおいて、硬質被膜
化合物は炭化硼素として硼素と炭素を含む。硬質被膜化
合物の少なくとも主要部分は炭化硼素であることが望ま
しい。純粋の炭素硼素は80原子％の硼素と20原子％の炭
素を含む。よつて、硬質被膜化合物は少なくとも約40原
子％の硼素と、少なくとも約10原子％の炭素を含むこと
が望ましく、少なくとも約60原子％の硼素と約15原子％
の炭素を含むことが好ましく、また少なくとも約72原子
％の硼素と約18原子％の炭素を含むことがより好まし
い。

硬質被膜の硼素と炭素の原子比は約3:1と4.5:1の間で
あることが望ましく、約3:1と約4:1の間であることが好
ましく、約4:1であることが最も好ましい。

硬質被膜の組成は硼素以外に１種類以上の付加的な金
属または半金属元素を含むことができる。そのような付
加的元素を含む被膜は実質的に硼素の炭化物と付加的な
元素から成ることが望ましい。付加的元素はSi、Zr、Hf
とそれらの組合せから成る群から選ばれることが好まし
く、Siが最も好ましい。付加的金属または半金属元素は
少量の割合で存在することが望ましくて、硼素と付加的
金属または半金属の原子比は少なくとも約5:1であり、
少なくとも約7:1であることが好ましく、少なくとも約
9:1であることが最も好ましい。硬質被膜は実質的に非
晶質である、つまり、Ｘ線結晶学によつて見分けられる
結晶構造を実質的に欠いていること、が好ましい。

潤滑剤は含ふつ素ポリオレフインを含むことが望まし
い。実質的にポリテトラフロロエチレン（PTFE）から成
る潤滑剤が殊に好ましい。基板は鉄とクロムを含むステ
ンレス鋼のような鉄合金を含むことが好ましい。硬質被
膜は直接に鉄合金の上に重なつて接着することが望まし
い。

本発明のこの局面による好ましいかみそりは秀れたひ
げそり性能を与える。この秀れた性能は長期間の使用中
に持続する。本発明は何らかの作動理論による制限は受
けないが、この性能特性の組合せは少なくともいくぶん
かは、硬質被膜を含む切刃の秀れた耐久性が、硬質被膜
とそれを蔽う重合体潤滑剤の間の良き相互作用に組合さ
つた結果である。本発明のこの局面は従つて、炭化硼素
が永年望まれた物理特性と対潤滑剤親和性の組合せを与
える、という発見を取り入れている。本発明のいま一つ
の局面は、ひげそり用かみそりと刃を製作する工程を与
える。本発明のこの局面による工程は、望ましくは、ス
パツタリングにより基板の切刃上に炭化硼素被膜化合物
の層を付着させる段階と、硬質被膜層の上に含ふつ素ポ
リオレフインのような重合体潤滑剤を付着させる段階
と、硬質被膜層および潤滑剤の付着した基板をほぼ潤滑
剤の融点またはそれ以上の温度で熱処理する段階と、を
含む。

以下に添付図面を参照しつつ、本発明の実施例を詳細
に説明する。

本発明の一実施例による刃は、扁平な帯状の基板10を
含む。基板は従来のかみそり刃によく用いられる、実質
的に任意の材料を含むことができる。その材料のうち、
ステンレス鋼のような鉄系金属が好ましい。中でも「40
0シリーズ」という業界の一般名称で呼ばれる種類のマ
ルテンサイト系ステンレス鋼が殊に好ましい。これらの
鋼は、少なくとも約80％の鉄と、少なくとも約10％のク
ロムを含む。実質的に約13〜15％のCrと、約0.7％のＣ
と、残りFeから成る440Aステンレス鋼が殊に望ましい。

従来通りの態様で、１つの切刃15において、基板10の
片面に、研削された小面11、粗くホーニングされた後方
小面12、および精密にホーニングされた前方小面14が設
けられている。基板の同じ切刃15の反対面に、精密にホ
ーニングされた前方小面16、粗くホーニングされた後方
小面18および研削された小面19が設けられる。前方小面
14、16は切刃の最先端20にて相互に交差する。小面は研
削、ホーニング等のような従来の工程により形成され
る。小面の幾何学形状も従来通りであり、従来のクロム
被膜されたステンレス鋼のかみそり刃の小面に用いられ
るものと同じであることができる。代表的には、基板の
交差する前方小面は約300Å以下のかど半径を画成す
る。両刃の刃では、前記の切刃15の反対側の第２の切歯
21（第２図）に同じ配置の小面が設けられる。

小面の形成後、刃は従来の湿式そうじ工程によつてそ
うじされるが、これは、研削またはホーニング工程によ
る残りかすとして残つたくずやグリスを除くように、適
切な溶剤溶液の中で洗うことを含むことができる。

この予備そうじ段階のあと、スパツタそうじ段階に基
板10がかけられる。好ましくは、基板10は積重ね22に配
置され、その積重ねの中の基板の全部の小面付きの縁、
つまり切刃15、21は積重ねの長面に整合して相互に平行
に延在する。積重ねはスパツタリング装置の室24の中に
置かれる。低い亜大気圧、典型的には10^-7〜10^-6mmHg、
に室を減圧するために、従来の真空ポンプ装置26を作動
し、そのあと、室にアルゴンのような希ガスを満たして
室内の圧力を約10^-3〜10^-2mmHgに維持するために、従来
のガス供給装置28を作動する。つぎに、基板10の積重ね
と室のアースとの間に交流無線周波数（RF）の電圧をか
けるために、スパツタリング電源30を作動する。普通
は、かけられる電力密度は、積重ねの長面の投影面積、
つまり切刃により画成される平面に投影された積重ねの
面積、を基にして、約0.1〜約1.0W/cm²であることがで
きる。交流電圧は室24の中の低圧ガス中で放電を生じ、
ガスをプラズマ、つまり正に荷電したイオンと電子の混
合物、に変える。公知のプラズマの「ダイオード効果」
により、基板10の積重ねはプラズマに対して負の電位と
なる。この電位の影響の下で、プラズマからの正電荷イ
オンが基板の露出した切刃15、21に衝突する。代りに、
交流のRF電圧と共に、またはそれ無しで、基板に負のDC
電圧を与えるように、電源30を装置することもできる。
直流電圧も同様に放電を生じ、同様にプラズマからのイ
オンによる基板への衝突を生ずる。DCまたはRFの何れか
のスパツターそうじにより、衝突するイオンが小面11〜
14、16〜19の表面から物質を除去する。

高エネルギーを有する中性原子の形をとる、除去され
た物質は、気相に変化して室から出るか、または室の壁
に堆積する。このスパツタリング作用は基板、殊に小面
の表面から微量の汚染物を除去する。小面の表面から汚
染物が無くなるまで、このスパツターそうじを継続する
ことが大切である。殊に、これらの表面に残つている酸
素の痕跡をスパツターそうじ工程で全て除去することが
望ましい。ステンレス鋼は通常、耐酸化性材料と考えら
れているけれども、ステンレス鋼基板の表面…基板と環
境をなす最初の原子の数層…は、もしも基板が通常の室
内ふん囲気にさらされていたならば、かなりの割合で、
吸収酸素、鉄酸化物、クロム酸化物またはそれらの混合
物を含んでいる可能性がある。このスパツターそうじ工
程はこれら最初の原子の数層を除去し、従つて、吸収酸
素、酸化物および他の汚染物を除去する。許容し得る度
合の表面清潔度を達成するのに必要な時間は、ガス圧、
印加電圧およびスパツタリング装置の物理的形態によつ
て異なる。典型的には、少なくとも約５〜約50分間以
上、より典型的には、約10〜約30分間で、基板小面の表
面から遊離酸素または酸化物形式の酸素を実質的に無く
し、また他の汚染物も同じく実質的に無くする。

スパツターそうじ段階のあと、基板10はスパツター被
膜段階にかけられる。これら両工程の過渡期には、希ガ
ス、還元ガスまたは高真空のような非酸化性ふん囲気の
中に基板が保たれる。典型的には、スパツタ被膜段階は
スパツタそうじ段階に使用するの同じ装置で行われ、ス
パツター被膜工程はスパツターそうじ段階の直後に行わ
れる。

スパツター被膜段階もアルゴンのような希ガスのふん
囲気を用いて行われる。好ましくは、スパツター被膜工
程は約10^-3〜10^-2mmHgのアルゴン圧で、またより好まし
くは、約４×10^-3mmHgのアルゴン圧で、行われる。スパ
ツター被膜段階では、ターゲツト32が積重ねた基板の切
刃15、21に対面する。各ターゲツト32は基板場に硬質被
膜として付着すべき材料を含む。所要の炭化硼素含有被
膜を与えるには、各ターゲツト32は、好ましくは約3:1
〜約4.5:1、より好ましくは約3:1〜約4:1;そして最も好
ましくは約4:1の原子比での硼素と炭素から主に構成さ
れる。望ましくは、炭化硼素のような、硼素と炭素の合
金として、硼素と炭素がターゲツトの中に存在する。タ
ーゲツトはまた、付加的な、Si、Zr、Hfまたはそれらの
組合せのような非ボロン金属または半金属を含むことも
できる。付加的金属または半金属は炭化物としてターゲ
ツト中に存在することができる。ターゲツト中の付加的
物質は硼素および炭素との合金か、さもなければ、ター
ゲツトの別個の部分として存在することができる。

各ターゲツトはスパツタリング装置によく使用される
型式の従来形のターゲツト保持器上に保持される。スパ
ツター被膜操作中、刃10の積重ね22をアース電位に保
ち、ターゲツト32と室壁の間にRF電圧をかけるように、
電源30を作動する。ここでも、印加されたRF電圧は、室
内のガスをプラズマに変えるように、ガス内で放電を発
生する。ダイオード効果の影響の下で、ターゲツト32は
プラズマに対して負の電位をとるので、プラズマからの
正電荷イオンが各ターゲツトに衝突して、ターゲツトか
ら材料をはじき出す。RF電圧の代りに、またはそれと協
働してDC電圧をかけることもできる。さらに、スパツタ
リング装置および技法は公知のスパツタリング手段を用
いることができる。例えば、ターゲツトの近傍に磁界を
かけて、公知のマグネトロン効果によりスパツタリング
を高めることができる。また、各切刃の長手に沿つてス
パツタリング状態の均質性を高めるように、取板の積重
ねおよび／またはターゲツトを相互に対して動かすこと
ができる。

ターゲツト32から跳ね出た物質は基板10、そして殊に
露出した切刃15、21の上に付着し、基板の鉄系材料の上
に直接重なつて接着する被膜となる。ターゲツトからの
物質はほぼ均質の非晶質被膜として付着する。スパツタ
ー被膜段階中に基板10は図示のように積重ね22に配置さ
れるので、スパツターされた原子は基板の各切刃に対し
てほぼ前方から後方へ（第１図では上から下へ）進んだ
あと、基板に衝突する。被膜はほぼ第１図に示す形態に
付着する。よつて、反対側の層38、40は切刃15、21にあ
る各基板10の反対側の表面上に付着する。層38は小面1
2、14に重なり、層40は小面16、18に重なる。各層38、4
0は刃20の最先端を超えて前方に突き出るので、２つの
層は相互に融合する。融合した層は切刃の局限の刃先、
つまり最先端を画成する。各刃の第２の切刃21上の硬質
被膜は実質的に同じである。

基板表面に重なる硬質被膜に言及して本明細書に使用
される語、「厚み」は下方にある表面の平面に垂直な寸
法を言う。図示のように、各硬質被膜層38、40の厚さｔ
は後方に、切刃の局限の刃先42から遠ざかるにつれて漸
進的に減ずる。基板の前方局限20に最も近い前方小面1
4、16上の各硬質被膜層38、40の平均厚さは約100〜約40
0Åで、より好ましくは約150〜約300Å、最も好ましく
は約200〜約250Åである。先端と先端の間の寸法、つま
り基板の最前方局限20と硬質被膜の最前方局限42の間の
前後寸法ｄは望ましくは約200〜約900Å、より好ましく
は約300〜約700Å、最も好ましくは約500〜約600Åであ
る。被膜の平均厚さｔおよび先端−先端距離ｄはスパツ
ター被膜工程が進行するにつれて共に増大する。

所要の被膜厚さおよび先端−先端距離まで硬質被膜物
質を付着させるのに要する時間は、スパツタリング装置
の幾何学形態、ガス圧、および電源から加えられる電力
によつて異なる。一般のスパツタリング工程における様
々な物質の付着率を支配する要因はスパツタリング技術
者にとつて公知であり、同じ要因が本発明のスパツター
被膜段階にも当てはまる。単に例として、スパツタリン
グ入力電力が高いほど、付着率が高くなる傾向がある。
しかし、典型的な状況の下では、ターゲツト32のスパツ
ターされる面積を基準として、約１〜約30W/cm²、望ま
しくは約6W/cm²のRFスパツタリング入力電力を用いれ
ば、約５〜約50分、代表的には約20〜約40分、最も好ま
しくは約30分で、被膜工程を完了することができる。望
まれた時間内で上記の望まれた厚さの被膜を付着させる
スパツタリング工程は、概して、基板または被膜の上に
過熱その他の悪影響を与えない。

スパツターそうじ段階中に小面の表面がたんねんに清
掃されるならば、硬質被膜は小面の表面にしつかり付着
する。普通は、この付着性を高めるために、徹底したス
パツターそうじ段階以外の特別なスパツタリング技法ま
たは段階は何も用いる必要がない。スパツタリング技術
において公知のことであるが、被膜と基板の接着はイオ
ン・インプランテーシヨン（注入）のような技法によつ
て高められ、そこでは、従来のスパツタリング技法の最
中に、ターゲツトに電圧がかけられ、基板に負の電圧が
かけられて、スパツターされたターゲツト物質の幾らか
がイオン化されて基板に向つて加速される。しかし、一
般にこれらの付加的技法は不要である。

スパツター被膜段階を終えて、硬質被膜が施こされた
基板を含む半仕上げの刃はスパツタリング室から取り出
される。つぎに、蒸発性の液体キヤリヤーに重合体を分
散させた液に刃を浸すなどして、重合体潤滑剤を刃の上
に付着させる。

たとえば、刃の露出した切刃15、21上に従来の吹付け
ノズルから分散液を吹付けることもできる。浸漬その他
の従来の液体適用技法を吹付けの代替法として用いるこ
ともできる。重合体が粉末形式である場合、従来の粉末
適用技法を用いることができる。重合体付着段階およ
び、硬質被膜と重合体付着の間の格納と取扱いは通常の
空気のふん囲気内で行われることができる。重合体付着
段階のあと、刃はガス供給装置50を装置された従来の工
業炉48の中で熱処理を受ける。熱処理中に炉内に還元性
または不活性ふん囲気のような非酸化性ふん囲を保つよ
うに、ガス供給装置50を作動する。潤滑剤を溶かして、
硬質被膜36を蔽つて密着する潤滑被膜52にするのに十分
な時間をかけて、重合体の融点またはそれ以上の温度、
好ましくはほぼ重合体の融点温度にて、熱処理を行う。
潤滑剤被膜52の厚さは適用される潤滑剤の量によつて異
なる。好ましくは、適用される潤滑剤の量は、最も前方
の小面14、16を蔽う硬質被膜36の部分に密着被膜を形成
するのに要する最少量である。刃の他の区域にも或る量
の潤滑剤を施こすことができるけれども、これは重要で
ない。

好ましくは、潤滑剤はふつ素含有ポリオレフイン、あ
るいはふる素含有ポリオレフインを含む共重合体または
ブレンドである。よつて、望ましくは、潤滑剤は主とし
て−CF₂−の反復単位からなる主鎖、つまり基幹を有す
る重合体を含む。潤滑剤は好ましくは、ポリテトラフロ
ロエチレン（PTFE）を含み、最も望ましくは、実質的に
PTFEから成る。望ましくは、PTFEの分子量は約10,000〜
約30,000,000である。よく「テロマー（telomer）と呼
ばれる、比較的低分子量のPTFE重合体が好ましい。約1
0,000〜約50,000、殊に約30,000の分子量を有するPTFE
が特に望まれる。蒸発性ふつ素−炭素溶液内の分子量3
0,000のPTFEの適当な分散液は米国デアウエア州ウイル
ミントン市デユポン社（DuPont Company,Wilmington,De
laware,U.S.A.）から登録商標VYDAX1000として市販され
ている。英国のICIケミカル・インダストリーズ社（ICI
Chemical Industries,Great Britain）から登録商標
フルオン（Fluon）の名で他のPTFE拡散液が入手でき
る。本工程での使用に適した比較的高分子量のPTFEがデ
ュポン社によつて登録商標テフロン（Teflon）の名で市
販される。PTFEの融点は約327℃であり、PTFEを用いる
時には、約327℃〜約335℃の度が熱処理段階に望まれ
る。

前記のように、付着した硬質被膜材は切刃の局限刃先
を画成する。この局限刃先における切刃の鋭利性は、刃
先における硬質被膜表面の曲率半径である。局限刃先半
径Ｒによつて表わすことができる。通常、局限刃先半径
Ｒは走査式電子顕微鏡を用いて測定される。局限刃先の
半径の測定では、潤滑剤を考えない。本明細書で潤滑剤
で被覆された刃に言及して使用される時、「局限刃先半
径」なる用語は、潤滑剤を除いた部分の半径を言うもの
と理解すべきである。

完成されたかみそりを形成するには、刃10を刃支持材
54とキヤツプ56と共に組立てて、刃10が刃支持材とキヤ
ツプの間に入るようにする。刃支持材54は、刃10の切刃
15の下側で支持材から外方に延在する保護表面58と、切
刃21に関連するもう１個の保護表面60と、を画成する。
典型的な使捨てかみそりカートリツジにおけるように、
従来の技法で、キヤツプと支持材を恒久的に刃に組付け
ることできる。代りに、従来の「安全かみそり」におけ
るように、刃が再使用自在のキヤツプと支持材とに協働
することもできる。代表的には、かみそりに柄62が設け
られ、柄は刃支持材と一体であるか、取外し自在に支持
材に結合されることができる。

仕上つた刃は殊に望ましい性能特性を与える。刃が新
らしい時、ひげ切断中に発生する力は、他の硬質被膜系
を有する同等の刃よりも概して小さい。刃の反復使用と
共に、切断力は徐々に増すけれども、この増えかたは、
従来のクロム硬質被膜を有する同等の刃よりも、本発明
による刃の方が少ない傾向がある。これらの要因は、本
発明による刃が切刃の鋭利性を保持し、また潤滑剤と硬
質被膜の間の強い結合を保持すること、を実証する。

以下に述べる非限定的実例は、本発明の或る局面を説
明することを意図されている。

実施例Ｉ 440−Ａステンレス鋼の帯板を研削し、ホーニングし
て、未被膜の半仕上げの刃、つまり基板の１バツチを作
る。このバツチ全体を通じて、研削およびホーニングの
工程が実質的に均等に保たれる。バツチから２組の試料
をとる。両試料とも同じ予備そうじまたは洗滌段階を受
ける。両試料とも同一のスパツタリング装置の中で処理
される。管理試料と名付けられる１方の試料は約10^-3mm
Hgのアルゴン圧力と約0.1W/cm²のRF電力密度の下で９分
間、スパツタリングでそうじされる。このスパツターそ
うじ作業に続いて、管理試料は約10^-3mmHgのアルゴン圧
力と約3.0W/cm²の電力密度の下で30分間、クロムをスパ
ツター被膜される。試験試料と呼ばれる他方の試料は、
約10^-3mmHgのアルゴン圧力の下で、約0.3W/cm²のPF電力
密度を用いて、18分間のスパツタそうじサイクルを受け
る。スパツタそうじサイクルに続いて、試験試料は、約
10^-3mmHgのアルゴン圧力の下で、約6.0W/cm²の電力密度
を用いて、炭化硼素から成ターゲツトを用いてスパツタ
ー被膜される。

スパツター被膜作業のあと、管理試料と試験試料から
副試料が取られる。管理無潤滑と試験無潤滑と名付けら
れるこれらの副試料は、あとの試験のために、とつてお
かれる。試験試料のＸ線回折および電子顕微鏡による検
査の結果、被膜は実質的に非晶質で粒界が無いことが立
証される。被膜は4:1のモル濃度比の硼素と炭素から成
る。管理試料と試験試料の残りに、それぞれVydax1000
ふつ素重合体の分散液を同一の吹付け条件の下で吹付
け、続いて乾燥窒素のふん囲の中で、約10分間、約327
℃にて熱処理する。処理済みの刃は、管理潤滑と試験潤
滑と名付けられる。

この４つの集団の各々からの個々の刃をフエルト切断
力試験にかける。この試験では、既知の物理特性を有す
るフエルトの一片を通して所定の早さで刃の切刃を進め
るのに要する力が測定される。同一の刃を用いて、反復
の都度、新らしいフエルト片を使つてこの試験が繰返え
される。その結果を第１表に示す。各々の場合、数値は
装置の力変換器からの信号をmV（ミリボルト）で表わし
ている。この信号は切断力に比例する。

管理未潤滑試料の結果は未潤滑の刃に典型的な切刃劣
化の痕跡を示す。切断力は、１回の切断毎に平均約1mV
の割合で、漸増する。比較すると、試験未潤滑の刃の切
断力の増加は切断１回当り、僅か約0.04mVであるにすぎ
ない。この増加はほとんどとるに足りないもので、試験
刃の硬質被膜と、硬質被膜によつて画成される局限刃先
と、がフエルト切断試験という苛酷な条件に反復暴露さ
れても、ほとんど影響されないこと、を示している。

潤滑刃の２つの群の結果は、最初の数回の切断の間に
切断力が典型的に減少することを示す。この減少のあ
と、管理試料の結果は、５回目から20回目の切断の間に
平均約0.39mV/1切断の勾配で、かなりの漸増を示す。試
験試料も増加を示すが、平均増加はより小さく、５回目
から20回目の切断までに、１回の切断毎に約0.17mVの増
加に過ぎない。このことは、試験試料の硬質被膜と潤滑
被膜の接着性が管理試料のそれと少くとも等しいこと、
を示す。

第II例試験群のスパツタリング・ターゲツトが約５原子％の
珪素、76原子％の硼素および19原子％の炭素を含むこ
と、を除いて、同じ条件で第Ｉ例を手順を繰返す。結果
は第Ｉ例に示す数値とほぼ等しい。

本発明から逸脱することなく、上記の特徴の数多くの
変更および組合せを用いることができる。たんに実例と
して、前記と両刃の刃でなく、片刃の刃に関連して本発
明を適用することもできる。よつて、望ましい実施例の
上記の説明は、特許請求の範囲に定義される本発明の制
限としてではなく、説明として理解すべきである。

【図面の簡単な説明】第１図は、本発明の一実施例による刃の説明的な、理想
化された部分断面、第２図は、本発明の一実施例による工程の段階を示す説
明図である。 10……基板,15……切刃,38,40……硬質被膜層,52……潤
滑剤層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ピーター・エス・ウィリアムズアメリカ合衆国コネチカット州06497, ストラットフォード，ジェームズ・ファーム・ロード 985 (72)発明者ロス・ボランドアメリカ合衆国コネチカット州06119, ウエスト・ハートフォード，フェーン・ストリート 316 (56)参考文献特開昭62−181836（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−41988（ＪＰ，Ａ) 特開昭54−79769（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】刃支持材と、キャップと、切刃を有する刃
と、を含むひげそり用かみそりであって、前記刃は、鉄
合金から成り鋭利な切刃を有する基板と、少くとも前記
切刃に沿って前記基板の一部を直接蔽う硬質被膜化合物
の少なくとも一層と、前記硬質被膜化合物を直接に蔽っ
てそれに接着する重合体潤滑剤と、を含み、前記硬質被
膜化合物は、炭化硼素としての硼素および炭素と、Si、
Zr、Hfおよびそれらの組合せから成る群から選択される
少くとも１種類の非硼素の金属又は半金属元素とから成
り、前記重合体潤滑剤はふっ素含有ポリオレフィンを含
んでいるかみそり。
【請求項２】前記硬質被膜化合物は、少なくとも約40原
子％の硼素と、少なくとも約10原子％の炭素を含む、請
求項１記載のかみそり。
【請求項３】前記硬質被膜化合物は、少なくとも約60原
子％の硼素と少なくとも約15原子％の炭素を含む、請求
項１記載のかみそり。
【請求項４】前記硬質被膜化合物は、少なくとも約72原
子％の硼素と少なくとも約18原子％の炭素を含む、請求
項１記載のかみそり。
【請求項５】前記硬質被膜化合物は実質的に炭化硼素で
ある、請求項１記載のかみそり。
【請求項６】前記少なくとも１種類の半金属元素はSiで
ある、請求項１記載のかみそり。
【請求項７】硼素と前記少なくとも１種の非硼素の金属
または半金属元素との原子比は少なくとも約9:1であ
る、請求項１記載のかみそり。
【請求項８】前記硬質被膜化合物は実質的に非晶質であ
る、請求項１記載のかみそり。
【請求項９】前記鉄合金は少なくとも約10％のクロムと
少なくとも約80％の鉄を含む、請求項１記載のかみそ
り。
【請求項１０】前記ふっ素含有ポリオレフィンはポリテ
トラフルオロエチレンである、請求項１記載のかみそ
り。
【請求項１１】前記硬質被膜化合物の前記層と前記基板
の間の境界は実質的に無酸素である、請求項１記載のか
みそり。
【請求項１２】前記切刃は前記基板上に１対の背中合わ
せに向く前方小面を含み、前記１対の小面は相互に交差
して前記基板の最前端を画成し、前記硬質被膜化合物の
前記少なくとも１層は前記前方小面の各々の１層を含
み、前記前方小面上の前記硬質被膜化合物の前記層は相
互に融合して前記基板の前記最前端から前方に突き出
し、それにより、前記硬質被膜化合物は前記切刃の刃先
を形成する、請求項１記載のかみそり。
【請求項１３】前記切刃は約500Åまたはそれ以下の刃
先半径を有する、請求項１記載のかみそり。
【請求項１４】前記前方小面上の前記層の各々の厚さは
約200〜約900Åである、請求項13記載のかみそり。
【請求項１５】a. 切刃を有する基板を与える段階、 b. 炭化硼素として硼素と炭素を含む硬質被膜化合物の
少なくとも１層を前記基板の前記切刃上にスパッタリン
グによって付着させる段階、および、 c. 前記硬質被膜化合物の前記１層の上に重合体潤滑剤
を付着させ、前記潤滑剤を前記硬質被膜化合物に溶着さ
せるように、前記硬質被膜および潤滑剤が付着した前記
基板を、前記潤滑剤の少なくともほぼ融点温度に等しい
高温度にて、熱処理する段階、を含む、ひげそり用かみそりの製造方法。
【請求項１６】前記硬質被膜化合物は少なくとも約40原
子％の硼素と少なくとも約10原子％の炭素を含む、請求
項15記載の方法。
【請求項１７】前記潤滑剤はふっ素含有ポリオレフィン
を含む、請求項16記載の方法。
【請求項１８】前記重合体を付着させる前記段階は空気
の雰囲気内で行われる、請求項16記載の方法。