JP2741757B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は相補型集積回路装置の製造方法に関し、特に
半導体基板の表面に形成された拡散層と配線との間の接
触が良好な、相補型集積回路装置の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 従来のコンタクト構造は、例えば1985年秋季応用物理
学会学術講筵予講集第411頁、3a−Ｖ−１に論じられて
いるように、拡散層の上に直接TiN膜を被着し、その上
にAlあるいはAl化合物の膜を被着していた。TiN膜を間
にはさむ理由は、TiN膜が、AlとSiの合金化を防ぐバリ
ヤとして働くためである。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、TiN膜の被着方法（スパッタリン
グ）に起因する被覆性の不良を十分に配慮していないた
め、コンタクト穴が小さくなって、開口面積に対する深
さの比が大きくなった場合には、コンタクト穴の内部が
TiNによって完全には被覆されないことがある。 さらに、第２図あるいは第３図に示したように、コン
タクト領域25が拡散層23または33からずれて、アイソレ
ーション用のSiO2膜22または32に入り込んだ場合は、コ
ンタクト穴を形成する際に、アイソレション用のSiO2膜
22または32の端部もエッチされてしまうため、コンタク
ト穴の内部にさらに深い溝が形成されて、コンタクト穴
内部のすべてをTiNによって被覆できなくなる。そのた
め、TiN膜上にAlを埋積した際に、Si基板とAlが直接接
触し、その後に行われるアニールによってAlとSiの合金
化が進み、Al−Si合金が拡散層をつきぬけてSi基板と直
接ショートする不良が発生することがある。 本発明の目的は、上記のようにコンタクト領域が拡散
層からずれてアイソレーション領域に入り込んだ場合に
おいても、Si基板と配線が電気的に短絡することなく、
拡散層と良好な電気的接触を行なうことができる配線構
造体を有する相補型集積回路装置の製造方法を提供する
ことである。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明は、被覆性の良好
な低圧化学気相成長法によって形成された多結晶Siを、
コンタクト穴内部に被着することによって、拡散層領域
とアイソレーション領域の間に形成された凹部を多結晶
シリコンによって埋め、イオン打込みとアニールを行
い、多結晶Si特有の速い不純物拡散を利用して、互いに
異なる導電型を有する不純物を異なるコンタクト穴の内
部にそれぞれ拡散させて深い良好な接合をそれぞれ形成
し、その後、TiN膜を被着し、さらにAlを埋積する
ものである。 〔作用〕 上記方法を用いると、TiN膜を被着する前のコンタク
ト穴内は、上記多結晶Siによって平坦化され、TiNの被
覆性の低さによって起こるAlとSiの合金化およびそれに
よるAlとSi基板の間のショートを防止を低減できる。さ
らに、TiN膜の下方の深い位置に良好な接合が形成され
ているため、万一AlとSiの間に合金化が起っても、合金
化された領域がSi基板に達しにくいため、両者のショー
トは防止される。しかも、上記多結晶シリコン膜から導
電型が互いに異なる不純物を、異なる場所へ自己整合的
に同時に拡散させることができる。 参考例１ 本発明の一参考例を第１図を用いて説明する。まず、
第１図（１）に示したょうに、ｐ型Si基板１の表面にSi
O2を用いたアイソレーション領域であるSiO2膜２を形成
した後、イオン打込み法を用いてn+拡散層３を形成し、
さらに化学気相成長法を用いてリンケイ酸ガラス膜４を
形成した。 第１図（２）に示したょうに、レジスト膜５をマスク
とする異方性ドライエッチング技術を用いて、Si基板１
の表面に達するコンタクト穴を形成した。この際アイソ
レーション領域であるSiO2膜２の端部がエッチされてSi
基板１の表面に凹部が形成され、ｐ型Si基板１の一部が
露出される場合がある。この凹部を埋めるため、第１図
（３）に示したように、低圧気相成長法を用いて多結晶
Si膜６を形成し、さらにリン７をイオン打込みしてリン
層８を形成した。 アニールを行って、第１図（４）に示したように、多
結晶Si特有の速い不純物拡散を利用して、良好な深いn+
拡散層９をコンタクト穴の下に自己整合的に形成した。
次に、AlとSiの間の反応を防止するためのバリヤ層とし
てTiN膜10を被着した後、Al膜11を被着し、さらに多結
晶Si膜６、TiN膜10およびAl膜11の不要部分をエッチし
て除去して、第１図（４）に示す構造を形成した。 この場合、TiN膜10はスパッタ法で形成されるので、
表面被覆性が低い。そのため、多結晶Si膜６が存在しな
いと、Si基板１の表面に形成された凹部が完全には埋ま
らず、したがってAl−Siの化合、合金化が起こり、Alと
Si基板がショートする場合がある。このショートは、第
２図に示した従来のLOCOS（Local Oxidation of Sil
icon）では比較的発生しにくかった。しかし、埋込み型
アイソレーション（第３図参照）では、アイソレーショ
ン用SiO2膜の端部の傾きが垂直に近いため、イオン打込
みとアニールによって形成された拡散層36が実質的に浅
くなり、ショートが発生しやすい。そのため、第１図に
示したような深く、良好な接合を形成することは重要で
ある。 本参考例の若干の変形を図４に示した。コンタクト穴
が比較的大きく、拡散層43が比較的深い場合は、図４に
示したように、バリヤ層であるTiN膜がなくても良好な
接合が形成でき、良好な接続が実現できる。 〔実施例〕 実施例１ 第５図を用いて本発明の実施例を説明する。まず第５
図（１）に示したように、ｎ型Si基板51にｎ型ウエル5
2、ｐ型ウエル53、アイソレション領域であるSiO2膜5
4、p+型拡散層55、n+型拡散層56およびリンケイ酸ガラ
ス膜57を、周知の方法によって形成した。上記リンケイ
酸ガラス膜57にコンタクト穴を形成した後、周知の低圧
化学気相成長法を用いて多結晶Si膜58を形成した。 第５図（２）に示したように、レジスト膜59によって
上記ｎ型ウエル52を覆い、上記ｐ型ウエル53のみにリン
60を選択的にイオン打込みして、リン層61を形成した。 次に、第５図（３）に示したように、レジスト膜62に
よって上記ｐ型ウエル53を覆い、上記リンをイオン打込
みした以外の領域にボロン63をイオン打込みして、ボロ
ン層64を形成した。 さらにアニールをを行って、p+拡散層65およびn+拡散
層66を形成した後、TiN膜67およびAl膜68を形成し、不
要部分をエッチして除去して配線を形成して、第５図
（４）に示す断面構造を有する相補型集積回路を形成し
た。 〔発明の効果〕 本発明によれば、Si基板の表面に形成された拡散層と
のコンタクトを形成する場合、コンタクト領域の位置が
ずれてアイソレーション領域に入り込み、アイソレーシ
ョン領域のSiO2膜の端部が深くエッチングされた場合で
も、エッチングによって生じたコンタクト穴内の凹部
は、多結晶Siによって充填されて穴内は平坦化され、こ
の平坦化された穴内にTiN膜が形成されるので、TiNの表
面被覆性が低いことに起因する、AlとSi基板の間の合金
化反応が起こる恐れはない。
半導体基板の表面に形成された拡散層と配線との間の接
触が良好な、相補型集積回路装置の製造方法に関する。 〔従来の技術〕 従来のコンタクト構造は、例えば1985年秋季応用物理
学会学術講筵予講集第411頁、3a−Ｖ−１に論じられて
いるように、拡散層の上に直接TiN膜を被着し、その上
にAlあるいはAl化合物の膜を被着していた。TiN膜を間
にはさむ理由は、TiN膜が、AlとSiの合金化を防ぐバリ
ヤとして働くためである。 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、TiN膜の被着方法（スパッタリン
グ）に起因する被覆性の不良を十分に配慮していないた
め、コンタクト穴が小さくなって、開口面積に対する深
さの比が大きくなった場合には、コンタクト穴の内部が
TiNによって完全には被覆されないことがある。 さらに、第２図あるいは第３図に示したように、コン
タクト領域25が拡散層23または33からずれて、アイソレ
ーション用のSiO2膜22または32に入り込んだ場合は、コ
ンタクト穴を形成する際に、アイソレション用のSiO2膜
22または32の端部もエッチされてしまうため、コンタク
ト穴の内部にさらに深い溝が形成されて、コンタクト穴
内部のすべてをTiNによって被覆できなくなる。そのた
め、TiN膜上にAlを埋積した際に、Si基板とAlが直接接
触し、その後に行われるアニールによってAlとSiの合金
化が進み、Al−Si合金が拡散層をつきぬけてSi基板と直
接ショートする不良が発生することがある。 本発明の目的は、上記のようにコンタクト領域が拡散
層からずれてアイソレーション領域に入り込んだ場合に
おいても、Si基板と配線が電気的に短絡することなく、
拡散層と良好な電気的接触を行なうことができる配線構
造体を有する相補型集積回路装置の製造方法を提供する
ことである。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明は、被覆性の良好
な低圧化学気相成長法によって形成された多結晶Siを、
コンタクト穴内部に被着することによって、拡散層領域
とアイソレーション領域の間に形成された凹部を多結晶
シリコンによって埋め、イオン打込みとアニールを行
い、多結晶Si特有の速い不純物拡散を利用して、互いに
異なる導電型を有する不純物を異なるコンタクト穴の内
部にそれぞれ拡散させて深い良好な接合をそれぞれ形成
し、その後、TiN膜を被着し、さらにAlを埋積する
ものである。 〔作用〕 上記方法を用いると、TiN膜を被着する前のコンタク
ト穴内は、上記多結晶Siによって平坦化され、TiNの被
覆性の低さによって起こるAlとSiの合金化およびそれに
よるAlとSi基板の間のショートを防止を低減できる。さ
らに、TiN膜の下方の深い位置に良好な接合が形成され
ているため、万一AlとSiの間に合金化が起っても、合金
化された領域がSi基板に達しにくいため、両者のショー
トは防止される。しかも、上記多結晶シリコン膜から導
電型が互いに異なる不純物を、異なる場所へ自己整合的
に同時に拡散させることができる。 参考例１ 本発明の一参考例を第１図を用いて説明する。まず、
第１図（１）に示したょうに、ｐ型Si基板１の表面にSi
O2を用いたアイソレーション領域であるSiO2膜２を形成
した後、イオン打込み法を用いてn+拡散層３を形成し、
さらに化学気相成長法を用いてリンケイ酸ガラス膜４を
形成した。 第１図（２）に示したょうに、レジスト膜５をマスク
とする異方性ドライエッチング技術を用いて、Si基板１
の表面に達するコンタクト穴を形成した。この際アイソ
レーション領域であるSiO2膜２の端部がエッチされてSi
基板１の表面に凹部が形成され、ｐ型Si基板１の一部が
露出される場合がある。この凹部を埋めるため、第１図
（３）に示したように、低圧気相成長法を用いて多結晶
Si膜６を形成し、さらにリン７をイオン打込みしてリン
層８を形成した。 アニールを行って、第１図（４）に示したように、多
結晶Si特有の速い不純物拡散を利用して、良好な深いn+
拡散層９をコンタクト穴の下に自己整合的に形成した。
次に、AlとSiの間の反応を防止するためのバリヤ層とし
てTiN膜10を被着した後、Al膜11を被着し、さらに多結
晶Si膜６、TiN膜10およびAl膜11の不要部分をエッチし
て除去して、第１図（４）に示す構造を形成した。 この場合、TiN膜10はスパッタ法で形成されるので、
表面被覆性が低い。そのため、多結晶Si膜６が存在しな
いと、Si基板１の表面に形成された凹部が完全には埋ま
らず、したがってAl−Siの化合、合金化が起こり、Alと
Si基板がショートする場合がある。このショートは、第
２図に示した従来のLOCOS（Local Oxidation of Sil
icon）では比較的発生しにくかった。しかし、埋込み型
アイソレーション（第３図参照）では、アイソレーショ
ン用SiO2膜の端部の傾きが垂直に近いため、イオン打込
みとアニールによって形成された拡散層36が実質的に浅
くなり、ショートが発生しやすい。そのため、第１図に
示したような深く、良好な接合を形成することは重要で
ある。 本参考例の若干の変形を図４に示した。コンタクト穴
が比較的大きく、拡散層43が比較的深い場合は、図４に
示したように、バリヤ層であるTiN膜がなくても良好な
接合が形成でき、良好な接続が実現できる。 〔実施例〕 実施例１ 第５図を用いて本発明の実施例を説明する。まず第５
図（１）に示したように、ｎ型Si基板51にｎ型ウエル5
2、ｐ型ウエル53、アイソレション領域であるSiO2膜5
4、p+型拡散層55、n+型拡散層56およびリンケイ酸ガラ
ス膜57を、周知の方法によって形成した。上記リンケイ
酸ガラス膜57にコンタクト穴を形成した後、周知の低圧
化学気相成長法を用いて多結晶Si膜58を形成した。 第５図（２）に示したように、レジスト膜59によって
上記ｎ型ウエル52を覆い、上記ｐ型ウエル53のみにリン
60を選択的にイオン打込みして、リン層61を形成した。 次に、第５図（３）に示したように、レジスト膜62に
よって上記ｐ型ウエル53を覆い、上記リンをイオン打込
みした以外の領域にボロン63をイオン打込みして、ボロ
ン層64を形成した。 さらにアニールをを行って、p+拡散層65およびn+拡散
層66を形成した後、TiN膜67およびAl膜68を形成し、不
要部分をエッチして除去して配線を形成して、第５図
（４）に示す断面構造を有する相補型集積回路を形成し
た。 〔発明の効果〕 本発明によれば、Si基板の表面に形成された拡散層と
のコンタクトを形成する場合、コンタクト領域の位置が
ずれてアイソレーション領域に入り込み、アイソレーシ
ョン領域のSiO2膜の端部が深くエッチングされた場合で
も、エッチングによって生じたコンタクト穴内の凹部
は、多結晶Siによって充填されて穴内は平坦化され、こ
の平坦化された穴内にTiN膜が形成されるので、TiNの表
面被覆性が低いことに起因する、AlとSi基板の間の合金
化反応が起こる恐れはない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の参考例を示す工程図、第２図はLOCOS
をアイソレーションに用いた従来のコンタクト部を示す
断面図、第３図は埋込型アイソレーションに用いた従来
のコンタクト部を示す断面図、第４図はバリヤ層を用い
ない参考例を示す断面図、第５図は本発明の一実施例を
示す工程図である。 １、21、31、41……ｐ型Si基板、２、22、32、42、54…
…SiO2膜、３、９、23、26、33、36、43、46、56、66…
…n+型拡散層、55、65……p+型拡散層、４、24、34、4
4、57……リンケイ酸ガラス膜、５、59、62……レジス
ト膜、６、45、58……多結晶Si膜、10、67……TiN膜、1
1、27、37、47、68……Al膜、60……リン、８、61……
リン層、63……ボロン、64……ボロン層、25……コンタ
クト領域、51……型Si基板、52……ｎ型ウエル、53……
ｐ型ウエル。
をアイソレーションに用いた従来のコンタクト部を示す
断面図、第３図は埋込型アイソレーションに用いた従来
のコンタクト部を示す断面図、第４図はバリヤ層を用い
ない参考例を示す断面図、第５図は本発明の一実施例を
示す工程図である。 １、21、31、41……ｐ型Si基板、２、22、32、42、54…
…SiO2膜、３、９、23、26、33、36、43、46、56、66…
…n+型拡散層、55、65……p+型拡散層、４、24、34、4
4、57……リンケイ酸ガラス膜、５、59、62……レジス
ト膜、６、45、58……多結晶Si膜、10、67……TiN膜、1
1、27、37、47、68……Al膜、60……リン、８、61……
リン層、63……ボロン、64……ボロン層、25……コンタ
クト領域、51……型Si基板、52……ｎ型ウエル、53……
ｐ型ウエル。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 本間 喜夫
国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式
会社日立製作所中央研究所内
合議体
審判長 松本 悟
審判官 内野 春喜
審判官 関根 恒也
(56)参考文献 特開 昭60−143648（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−74668（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−169169（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−175726（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−85041（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−110037（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−86760（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−74175（ＪＰ，Ａ)
徳山巍、橋本哲一「ＭＯＳ ＬＳＩ製
造技術」（昭60−６−20）日経マグロウ
ヒル社 Ｐ40
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体基板の表面領域内に、第１導電型を有する第
１のウエル領域および上記第１導電型とは逆の第２導電
型を有する第２のウエル領域が互いに隣接して設けら
れ、かつ上記第１および第２のウエル領域内にそれぞれ
分離絶縁膜が選択的に設けられた半導体基体を用意する
工程と、 上記第１および第２のウエル領域の表面領域に、上記第
２導電型を有する第１の高不純物濃度領域および上記第
１導電型を有する第２の高不純物濃度領域をそれぞれ形
成し、当該第１および第２の高不純物濃度領域および上
記分離絶縁膜の一部をまたがって露出する開口部を有す
る絶縁膜を形成した後、化学気相成長法を用いて多結晶
シリコン膜を上記絶縁膜上および開口部内に形成する工
程と、 上記多結晶シリコン膜のうち、上記第１のウエル領域の
上に形成された部分を覆って上記第１導電型を有する第
１の不純物をイオン打込みする工程と、 上記多結晶シリコン膜のうち、上記第２のウエル領域の
上に形成された部分を覆って上記第２導電型を有する第
２の不純物をイオン打込みする工程と、 熱処理を行なって、上記第１および第２の不純物を拡散
させて、上記第１の高不純物濃度領域より深い上記第２
導電型を有する高不純物濃度拡散層を上記第１のウエル
領域に、上記第２の高不純物濃度領域より深い上記第１
導電型を有する高不純物濃度拡散層を上記第２のウエル
領域に、それぞれ形成する工程と、 スパッタ法を用いて上記多結晶シリコン膜上にTiN膜を
形成した後、当該TiN膜上にAl膜を積層して電極を形成
する工程を含むことを特徴とする相補型集積回路装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097927A JP2741757B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61097927A JP2741757B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7065630A Division JP2690468B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256455A JPS62256455A (ja) | 1987-11-09 |
| JP2741757B2 true JP2741757B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=14205310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61097927A Expired - Lifetime JP2741757B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741757B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974668A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-04-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路接点構造体 |
| JPS59175726A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60143648A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-07-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60169169A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61097927A patent/JP2741757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 徳山巍、橋本哲一「ＭＯＳ ＬＳＩ製造技術」（昭６０−６−２０）日経マグロウヒル社 Ｐ４０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256455A (ja) | 1987-11-09 |
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