JP2741086B2 - 検体の腐食特性を測定するための方法及び装置 - Google Patents
検体の腐食特性を測定するための方法及び装置Info
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- JP2741086B2 JP2741086B2 JP1502338A JP50233889A JP2741086B2 JP 2741086 B2 JP2741086 B2 JP 2741086B2 JP 1502338 A JP1502338 A JP 1502338A JP 50233889 A JP50233889 A JP 50233889A JP 2741086 B2 JP2741086 B2 JP 2741086B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、請求の範囲第１項の前提事項に記載された
検体試験方法及び請求の範囲第５項の前提事項に記載さ
れたポテンシオスタットに関する。
検体試験方法及び請求の範囲第５項の前提事項に記載さ
れたポテンシオスタットに関する。
現存するポテンシオスタットにおいては、電解質中の
試験検体が所与のポテンシャルを運ぶようにされていて
検体の腐食特性を調査し、それにより腐食電流、即ち、
検体からの金属の溶解度を調査することができる。しか
し、所与のサンプルポテンシャルを確立するのに比較的
高い励磁電流が必要とされ、この電流は対電極表面に水
素あるいは酸素を発生する可能性がある。また、適宜の
水のごとき不十分な導電率を有する電解質においては、
電解質の抵抗は比較的高く、それにより電圧降下も高
く、その結果大きな誤差となり、最大でその誤差は数百
mVになる。従って、真の腐食電流の測定は不正確とな
り、測定装置の水化学が変化し、信頼性のある、そして
比較用の結果を得ることが難しくなる。
試験検体が所与のポテンシャルを運ぶようにされていて
検体の腐食特性を調査し、それにより腐食電流、即ち、
検体からの金属の溶解度を調査することができる。しか
し、所与のサンプルポテンシャルを確立するのに比較的
高い励磁電流が必要とされ、この電流は対電極表面に水
素あるいは酸素を発生する可能性がある。また、適宜の
水のごとき不十分な導電率を有する電解質においては、
電解質の抵抗は比較的高く、それにより電圧降下も高
く、その結果大きな誤差となり、最大でその誤差は数百
mVになる。従って、真の腐食電流の測定は不正確とな
り、測定装置の水化学が変化し、信頼性のある、そして
比較用の結果を得ることが難しくなる。
本発明の目的は、上述した欠点の除去にある。具体的
には、本発明の目的は、新規な試験方法及びそれに対応
した装置を提供することで、それら試験方法及び装置に
より、干渉がなく、正確に、そして広範囲の連続性をも
って、いくつかの異なるポテンシャルレベルを同時に用
いて、腐食測定を実施できるものを提供することであ
る。
には、本発明の目的は、新規な試験方法及びそれに対応
した装置を提供することで、それら試験方法及び装置に
より、干渉がなく、正確に、そして広範囲の連続性をも
って、いくつかの異なるポテンシャルレベルを同時に用
いて、腐食測定を実施できるものを提供することであ
る。
本発明の特徴に関しては、請求の範囲の項を参照され
たい。
たい。
本発明の検体試験方法においては、電解質中に置かれ
た検体は所与のポテンシャルを運ぶようにされていて検
体の腐食特性を調べるようになっている。本発明によっ
て教唆されているように、その方法においては、異なる
ポテンシャルでの２つの検体が常に用いられていて、そ
れら検体の一方は副検体として用いられており、この検
体はそれ自身の休止ポテンシャルを運ぶよう制御されて
その検体から電流が流れないようになっている。検体の
残り、即ち、主検体は、ポテンシャルを確立するのに必
要とされる励磁電流が実質上存在することなく真の腐食
電流が主検体及び副検体間を通過するような態様で副検
体に対して適宜のポテンシャルを運ぶよう制御されてい
る。ここで、測定の正確さの範囲内で重要な唯一の電流
は厳密には腐食電流である。
た検体は所与のポテンシャルを運ぶようにされていて検
体の腐食特性を調べるようになっている。本発明によっ
て教唆されているように、その方法においては、異なる
ポテンシャルでの２つの検体が常に用いられていて、そ
れら検体の一方は副検体として用いられており、この検
体はそれ自身の休止ポテンシャルを運ぶよう制御されて
その検体から電流が流れないようになっている。検体の
残り、即ち、主検体は、ポテンシャルを確立するのに必
要とされる励磁電流が実質上存在することなく真の腐食
電流が主検体及び副検体間を通過するような態様で副検
体に対して適宜のポテンシャルを運ぶよう制御されてい
る。ここで、測定の正確さの範囲内で重要な唯一の電流
は厳密には腐食電流である。
本発明の好適実施例では、異なるポテンシャルを運ぶ
よう段階状にされた複数個の主検体、即ち、主検体群が
備えられていて、これら全ての検体の腐食電流が同時に
測定されるようになっている。異なるポテンシャルレベ
ルでの検体間を流れる電流は、各主検体及び副検体間の
電流に比較してごく僅かであり、それにより、測定の適
宜の正確さを維持するようになっている。
よう段階状にされた複数個の主検体、即ち、主検体群が
備えられていて、これら全ての検体の腐食電流が同時に
測定されるようになっている。異なるポテンシャルレベ
ルでの検体間を流れる電流は、各主検体及び副検体間の
電流に比較してごく僅かであり、それにより、測定の適
宜の正確さを維持するようになっている。
有利なことには、いくつかの主検体、即ち、主検体群
を用いる場合、これらのポテンシャルは別個のポテンシ
ャルレベル特定回路によって制御される。本発明の別の
実施例においては、異なる主検体のこれらポテンシャル
レベルは１つのそして同じ回路で制御され、この場合、
ポテンシャルレベルは適宜の抵抗を介して互いに接続さ
れている。このような抵抗に対しては、無段階状に可変
の抵抗を用いることが有利であり、その場合、ポテンシ
ャルレベルを互いに相対して無段階状に調節することが
できる。
を用いる場合、これらのポテンシャルは別個のポテンシ
ャルレベル特定回路によって制御される。本発明の別の
実施例においては、異なる主検体のこれらポテンシャル
レベルは１つのそして同じ回路で制御され、この場合、
ポテンシャルレベルは適宜の抵抗を介して互いに接続さ
れている。このような抵抗に対しては、無段階状に可変
の抵抗を用いることが有利であり、その場合、ポテンシ
ャルレベルを互いに相対して無段階状に調節することが
できる。
本発明のポテンシオスタットは、電解質中に沈められ
且つ電流源に接続された副検体と、第２の電流源に接続
された少なくとも１つの主検体とを有していて、副検体
に相対して所望のポテンシャルレベルを運ぶようその主
検体を制御している。有利なことには、副検体は前述し
た第１の電流源によって実質上それの休止ポテンシャル
に制御されており、それにより、事実上ポテンシオスタ
ットに流れる唯一の電流は主検体及び副検体間を流れる
真の腐食電流となる。
且つ電流源に接続された副検体と、第２の電流源に接続
された少なくとも１つの主検体とを有していて、副検体
に相対して所望のポテンシャルレベルを運ぶようその主
検体を制御している。有利なことには、副検体は前述し
た第１の電流源によって実質上それの休止ポテンシャル
に制御されており、それにより、事実上ポテンシオスタ
ットに流れる唯一の電流は主検体及び副検体間を流れる
真の腐食電流となる。
本発明の好適実施例においては、ポテンシオスタット
は複数個の異なるポテンシャルレベルを有しており、そ
れらポテンシャルレベルに主検体、即ち、複数群の主検
体が割り当てられている。その場合、本発明の実施例に
おいては、特定の、そして別個の電流源が各ポテンシャ
ルレベルに対応しており、ポテンシャルレベルをその電
流源によって制御することができるようになっている。
本発明の別の実施例においては、唯一の電流源が主検体
に対して備えられており、様々なポテンシャルレベル、
あるいは、主検体即ちそれらを運んでいる主検体群は抵
抗を介して互いに接続されている。この場合、前述した
抵抗は調節可能であるのが好ましく、ポテンシャルレベ
ルを互いに相対して無段階状に所望の態様で調節して、
検体に対して具体的に腐食電流を適切であるよう調節す
ることができる。
は複数個の異なるポテンシャルレベルを有しており、そ
れらポテンシャルレベルに主検体、即ち、複数群の主検
体が割り当てられている。その場合、本発明の実施例に
おいては、特定の、そして別個の電流源が各ポテンシャ
ルレベルに対応しており、ポテンシャルレベルをその電
流源によって制御することができるようになっている。
本発明の別の実施例においては、唯一の電流源が主検体
に対して備えられており、様々なポテンシャルレベル、
あるいは、主検体即ちそれらを運んでいる主検体群は抵
抗を介して互いに接続されている。この場合、前述した
抵抗は調節可能であるのが好ましく、ポテンシャルレベ
ルを互いに相対して無段階状に所望の態様で調節して、
検体に対して具体的に腐食電流を適切であるよう調節す
ることができる。
本発明によって得られる従来技術を越える利点は、所
与のポテンシャルを達成するために、即ち、検体のポテ
ンシャルを変えるのを外部システムを介してなすため
に、電解質を介して駆動するのに高い電流を必要としな
いことである。有害なＩ＊Ｒ低下降下を大きく除去する
のに本発明の方法で等しく可能である。その理由は、液
体を流れる電流が最小であるからである。同様に、外部
電流により、制御されるべき検体を、標準の方法では不
可能なポテンシャルにでも、水に対して非常に高いポテ
ンシャルに強制することができる。また、外部のポテン
シャル制御により、副ポテンシオスタットには高い電流
移送容量を必要としない点がある。
与のポテンシャルを達成するために、即ち、検体のポテ
ンシャルを変えるのを外部システムを介してなすため
に、電解質を介して駆動するのに高い電流を必要としな
いことである。有害なＩ＊Ｒ低下降下を大きく除去する
のに本発明の方法で等しく可能である。その理由は、液
体を流れる電流が最小であるからである。同様に、外部
電流により、制御されるべき検体を、標準の方法では不
可能なポテンシャルにでも、水に対して非常に高いポテ
ンシャルに強制することができる。また、外部のポテン
シャル制御により、副ポテンシオスタットには高い電流
移送容量を必要としない点がある。
主検体と副検体との間で測定される電流が、現存する
方法及び装置の場合のごとく、所与のポテンシャルを達
成するのに必要とされる励磁電流でなく、真の腐食電流
を現わしているのが更に別の利点である。更に、検体表
面に関する水化学は、従来技術を示すいかなる装置にお
けるものよりもかなり優れていることである。このこと
は高いポテンシャルで特に著しい。その理由は、ポテン
シャルの確立が高い電流を必要としていず、例えば、そ
の高い電流はいわゆる対電極検体の表面上の水を分解す
る。それらに加えられる利点は、必要な場合、本発明の
システムにおいては、真に著しい数の検体を接続して同
時に測定することができることである。
方法及び装置の場合のごとく、所与のポテンシャルを達
成するのに必要とされる励磁電流でなく、真の腐食電流
を現わしているのが更に別の利点である。更に、検体表
面に関する水化学は、従来技術を示すいかなる装置にお
けるものよりもかなり優れていることである。このこと
は高いポテンシャルで特に著しい。その理由は、ポテン
シャルの確立が高い電流を必要としていず、例えば、そ
の高い電流はいわゆる対電極検体の表面上の水を分解す
る。それらに加えられる利点は、必要な場合、本発明の
システムにおいては、真に著しい数の検体を接続して同
時に測定することができることである。
以下に、添付図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。その図面において、 第１図は従来技術によるポテンシオスタットを概略的
に示す図であり、 第２図は本発明によるポテンシオスタットを示す図で
あり、 第３図は本発明による別のポテンシオスタットを示す
図であり、そして 第４図は本発明による実験装置を概略的に示す図であ
る。
る。その図面において、 第１図は従来技術によるポテンシオスタットを概略的
に示す図であり、 第２図は本発明によるポテンシオスタットを示す図で
あり、 第３図は本発明による別のポテンシオスタットを示す
図であり、そして 第４図は本発明による実験装置を概略的に示す図であ
る。
第１図には従来技術によるポテンシオスタットが概略
的に示されており、このポテンシオスタットにおいて、
電解質の中に沈められているのは検体７、基準電極８及
び対電極９である。この場合、検体が所与のポテンシャ
ルを強制的に運ぶ際、特に、不十分な導電率の電解質の
中でそのポテンシャルを運ぶ際、比較的大きな干渉期間
が生成され、その干渉期間は、前述したポテンシャルを
達成するために必要とされる比較的高い電流から生じ
る。その結果、従来技術の実験装置で真の腐食電流を測
定することは困難である。
的に示されており、このポテンシオスタットにおいて、
電解質の中に沈められているのは検体７、基準電極８及
び対電極９である。この場合、検体が所与のポテンシャ
ルを強制的に運ぶ際、特に、不十分な導電率の電解質の
中でそのポテンシャルを運ぶ際、比較的大きな干渉期間
が生成され、その干渉期間は、前述したポテンシャルを
達成するために必要とされる比較的高い電流から生じ
る。その結果、従来技術の実験装置で真の腐食電流を測
定することは困難である。
第２図には本発明による検体試験方法の原理図が示さ
れている。本発明の装置は、それが常に少なくとも２つ
の別個の電流システムを有していることを特徴としてお
り、それら電流システムのうちの一方は参照番号６で示
されていて、副検体１に接続されている。また、他方の
電流システムは参照番号３で示されていて、主検体２に
接続されている。ここでは電流源６は副検体１をそれの
休止ポテンシャルに設定するべく用いられており、主検
体２は回路３によって制御されてその回路３が所望とし
ているポテンシャルを運ぶようになっており、それによ
り、検体間、即ち、副検体１と主検体２との間を流れる
実質上唯一の電流が真の腐食電流となり、こうして、そ
の真の腐食電流が正確に測定することができる。第２図
に破線で示されているように、このシステムに複数個の
別個の回路３を接続することができ、各回路はそれ自身
の主検体２に接続され、あるいは特定群の主検体に接続
され、腐食電流は主検体と副検体との間を常に流れてい
る。
れている。本発明の装置は、それが常に少なくとも２つ
の別個の電流システムを有していることを特徴としてお
り、それら電流システムのうちの一方は参照番号６で示
されていて、副検体１に接続されている。また、他方の
電流システムは参照番号３で示されていて、主検体２に
接続されている。ここでは電流源６は副検体１をそれの
休止ポテンシャルに設定するべく用いられており、主検
体２は回路３によって制御されてその回路３が所望とし
ているポテンシャルを運ぶようになっており、それによ
り、検体間、即ち、副検体１と主検体２との間を流れる
実質上唯一の電流が真の腐食電流となり、こうして、そ
の真の腐食電流が正確に測定することができる。第２図
に破線で示されているように、このシステムに複数個の
別個の回路３を接続することができ、各回路はそれ自身
の主検体２に接続され、あるいは特定群の主検体に接続
され、腐食電流は主検体と副検体との間を常に流れてい
る。
第３図には本発明の別の実施例が示されており、その
別の実施例も異なるポテンシャルレベルでの複数個の主
検体２を有しているが、これらのポテンシャルを確立す
るための回路４を１つのみ有している。異なるポテンシ
ャルレベル、即ち主検体２は抵抗５を介して互いに接続
されており、これら抵抗は無段階式に調節可能な加減抵
抗器であることが好ましく、それにより異なるポテンシ
ャルレベルでの主検体は、各場合に所望とされるかよう
な腐食特性を得るために、相対して所望の電圧レベル
に、そして主検体１に、無段階式に調節することができ
る。
別の実施例も異なるポテンシャルレベルでの複数個の主
検体２を有しているが、これらのポテンシャルを確立す
るための回路４を１つのみ有している。異なるポテンシ
ャルレベル、即ち主検体２は抵抗５を介して互いに接続
されており、これら抵抗は無段階式に調節可能な加減抵
抗器であることが好ましく、それにより異なるポテンシ
ャルレベルでの主検体は、各場合に所望とされるかよう
な腐食特性を得るために、相対して所望の電圧レベル
に、そして主検体１に、無段階式に調節することができ
る。
第４図には本発明による装置が示されており、その装
置は電解質に沈められるよう設計された支持構造体を有
しており、その支持構造体は互いに積層された３つのポ
テンシャルレベルa,b及びｃを有している。各ポテンシ
ャルレベルは伝導材料でなるフレーム11と、それの中に
備えられたホルダ12とからなり、被検査検体13をそのホ
ルダ内に置くことができるようになっている。フレーム
は抵抗線14を介して互いに接続されており、それによ
り、前述した抵抗線で生じる電圧低下により、別個のフ
レームは別個の電圧レベルとなり、その故、異なる腐食
電流を必要とする検体を同時に調べることができ、ある
いはそれぞれ同様の検体を異なる大きさの腐食電流で同
時に調べることができる。
置は電解質に沈められるよう設計された支持構造体を有
しており、その支持構造体は互いに積層された３つのポ
テンシャルレベルa,b及びｃを有している。各ポテンシ
ャルレベルは伝導材料でなるフレーム11と、それの中に
備えられたホルダ12とからなり、被検査検体13をそのホ
ルダ内に置くことができるようになっている。フレーム
は抵抗線14を介して互いに接続されており、それによ
り、前述した抵抗線で生じる電圧低下により、別個のフ
レームは別個の電圧レベルとなり、その故、異なる腐食
電流を必要とする検体を同時に調べることができ、ある
いはそれぞれ同様の検体を異なる大きさの腐食電流で同
時に調べることができる。
以上、いくつかの有利な実施例を参照して本発明を詳
細に述べたが、本発明はこれら実施例に限定されてべき
でなく、以下に述べる請求の範囲に記載された発明的思
想の範囲内でそれら実施例を変えることができるもので
ある。
細に述べたが、本発明はこれら実施例に限定されてべき
でなく、以下に述べる請求の範囲に記載された発明的思
想の範囲内でそれら実施例を変えることができるもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シレン ラルス フィンランド国 アエスアエフ 02150 エスポー ベーテーテー メタリラボ ラトリオ ケミスチンチエ ３ (72)発明者 ケコネン チモ フィンランド国 アエスアエフ 02150 エスポー ベーテーテー メタリラボ ラトリオ ケミスチンチエ ３ (56)参考文献 実開 昭52−159687（ＪＰ，Ｕ)
Claims (6)
- 【請求項１】電解質中の検体が所与のポテンシャルを運
んでその検体の腐食特性を調べるようになった検体試験
方法において、その方法に用いられているのは異なるポ
テンシャルでのいくつかの検体であり、それら検体のう
ちの１つは副検体（１）として用いられており、その副
検体はそれの休止ポテンシャルを運ぶよう制御されてお
り、異なるポテンシャルでのいくつかの主検体（２）、
即ち複数群の主検体を副検体に相対して制御して、真の
腐食電流が、前記ポテンシャルを確立するのに必要とさ
れるいかなる励磁電流の実質的存在なしに、主検体及び
副検体間に流れるようになっていることを特徴とする検
体試験方法。 - 【請求項２】異なるポテンシャルでの主検体（２）、即
ち複数群の主検体を各検体、即ち群に特定の回路（３）
でそれぞれ制御することを特徴とする請求の範囲第１項
記載の方法。 - 【請求項３】異なるポテンシャルでの主検体（２）、即
ち複数群の主検体を１つの回路（４）で制御し、主検
体、即ち複数群の主検体を抵抗（５）を介して互いに接
続することを特徴とする請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項４】電解質に沈められた検体の腐食特性を調べ
るためのポテンシオスタットにおいて、基準電極（８）
及び対電極（９）に接続された電流源（６）に休止ポテ
ンシャルを運ぶよう制御されて接続された副検体（１）
と、別の電流源（3,4）に接続された異なるポテンシャ
ルレベルでのいくつかの主検体、即ち複数の検体群とを
有していて、それら主検体を副検体に相対して所望のポ
テンシャルレベルに制御することを特徴とするポテンシ
オスタット。 - 【請求項５】使われている各ポテンシャルレベルのため
の別個の電流源（３）を有していることを特徴とする請
求の範囲第４項記載のポテンシオスタット。 - 【請求項６】主検体（５）に対して唯一の電流源（４）
を有しており、異なるポテンシャルでの主検体、即ち複
数群の主検体が抵抗（５）を介して互いに接続されてい
ることを特徴とする請求の範囲第４項記載のポテンシオ
スタット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI880709A FI82775C (fi) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | Provtestningsfoerfarande och motsvarande potentiostat. |
| FI880709 | 1988-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03503313A JPH03503313A (ja) | 1991-07-25 |
| JP2741086B2 true JP2741086B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=8525920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1502338A Expired - Fee Related JP2741086B2 (ja) | 1988-02-15 | 1989-02-14 | 検体の腐食特性を測定するための方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0401257B1 (ja) |
| JP (1) | JP2741086B2 (ja) |
| AT (1) | ATE128550T1 (ja) |
| DE (1) | DE68924419T2 (ja) |
| FI (1) | FI82775C (ja) |
| WO (1) | WO1989007755A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638415B1 (en) | 1995-11-16 | 2003-10-28 | Lifescan, Inc. | Antioxidant sensor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3763007A (en) * | 1968-03-18 | 1973-10-02 | Magna Corp | Systems for measuring corrosion rate |
| EP0247286A1 (en) * | 1982-07-23 | 1987-12-02 | Petrolite Corporation | Multielectrode probe and circuitry and process pertaining thereto |
| CA1193659A (en) * | 1983-12-22 | 1985-09-17 | George K. Schattschneider | Long term current demand control system |
-
1988
- 1988-02-15 FI FI880709A patent/FI82775C/fi not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-02-14 AT AT89902520T patent/ATE128550T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-02-14 JP JP1502338A patent/JP2741086B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-14 WO PCT/FI1989/000023 patent/WO1989007755A1/en active IP Right Grant
- 1989-02-14 DE DE68924419T patent/DE68924419T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-14 EP EP89902520A patent/EP0401257B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1989007755A1 (en) | 1989-08-24 |
| FI880709A0 (fi) | 1988-02-15 |
| EP0401257A1 (en) | 1990-12-12 |
| EP0401257B1 (en) | 1995-09-27 |
| DE68924419D1 (de) | 1995-11-02 |
| FI82775C (fi) | 1991-04-10 |
| DE68924419T2 (de) | 1996-05-02 |
| ATE128550T1 (de) | 1995-10-15 |
| FI82775B (fi) | 1990-12-31 |
| FI880709A (fi) | 1989-08-16 |
| JPH03503313A (ja) | 1991-07-25 |
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