JP2727935B2 - 外部高調波発生レーザ発振器 - Google Patents
外部高調波発生レーザ発振器Info
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Description
発振器に関し、特に、非線形光学結晶を用いた外部高調
波発生方式による外部高調波発生レーザ発振器に関す
る。
波発生方式による外部高調波発生レーザ発振器として
は、波長１．０６４μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ光に対し
て波長５３２ｎｍの第２高調波光（ＳＨＧ光）を発生す
るもの、および、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの内部共振器型Ｓ
ＨＧ発振器の第３高調波光（ＴＨＧ光）または第４高調
波光（ＦＨＧ光）を発生するものがある。なお、このよ
うな外部高調波発生レーザ発振器は、可視光や紫外光に
対する波長変換を共振器外部で行い、しかも、発生した
高調波光を安定させるとともに、光パルスの立ち上り時
間の短い高速スイッチング動作を必要とする場合に用い
られる。
る場合は、高調波光を発生させる非線形光学結晶に基本
波であるレーザ光を入射させる際に、このレーザ光自体
をオン／オフすることで高調波光のオン／オフをさせて
いた。
た従来の外部高調波発生レーザ発振器では、非線形光学
結晶に入射させるレーザ光をスイッチングしたりあるい
は変調周波数を変えているため、非線形光学結晶に入射
させるレーザ光の入力平均パワーも変わる。非線形光学
結晶による高調波光の発生の原理として、入射光と変換
光（高調波光・混合波光）の位相速度を合わせる（位相
整合）というのは、言い換えれば入射光と変換光の屈折
率整合をとることである。結晶の屈折率は結晶の温度に
よって変わるものであるから、位相整合（屈折率整合）
を温度整合で実現する場合はいうに及ばず、角度整合す
る際にも、結晶の温度が変わると、位相整合条件がずれ
て変換効率が変化することになる。
ＢＯ結晶を用い、Ｎｄ：ＹＡＧの第２高調波光（波長５
３２ｎｍ）をβ−ＢＢＯ結晶に入射して第４高調波光
（波長２６６ｎｍ）に変換するときの変換効率と結晶温
度との関係を求めた一シュミレーション結果を図３に示
す。同図において、縦軸は、変換効率ηm を示し、横軸
は、位相整合状態の結晶温度からの結晶温度変化分ｄＴ
を示している。このシュミレーション結果より、結晶温
度が位相整合状態の結晶温度から約４．６℃変化しただ
けで、変換効率ηm が半分にまで減少することがわか
る。
吸収があるので、非線形光学結晶に入射されるレーザ光
の平均パワーが変わると、非線形光学結晶自身の温度も
変わり、非線形光学結晶の位相整合条件が変化する。図
３のシュミレーション結果より非線形光学結晶の温度が
瞬間的に５℃程度上昇することを防ぐために、非線形光
学結晶に対して恒温化制御することが考えられるが、通
常は熱伝達時間が大きいため、このような恒温化制御は
困難である。特に、非線形光学結晶に入射されるレーザ
光のパワーが１Ｗ程度になると、非線形光学結晶の温度
変化の影響が大きくなり、入射されるレーザ光を断続さ
せる場合には、変換される高調波光の立ち上がり特性
（スイッチング特性）が極端に悪くなるという問題が発
生する。
ーザの第２高調波光をβ−ＢＢＯ結晶に照射させて第４
高調波光を発生させる場合には、数秒程度の時間第２高
調波光を一旦オフするだけで、第４高調波光の０％から
１００％への立ち上り時間として秒単位の立ち上り時間
が必要となる。その結果、レーザ加工機に使用する場合
には、レーザ光のオン／オフは頻繁に必要であるため、
秒単位の立ち上り時間が必要であることは、実用上の大
きな障害となっていた。
チングを行うものとしては、たとえば、Ｑスイッチ時刻
後からのポッケルスセルへの印加電圧の変化を、レーザ
ロッドの励起エネルギの大きさに依存する巨大パルスの
発生時刻と関係づけて制御するポッケルスセル制御回路
を備えることにより、上記励起エネルギの変動に対して
レーザ出力を安定化するパルスレーザ装置（特開昭６１
−１６８９７９号公報）などが提案されているが、外部
高調波発生レーザ発振器の立ち上り時間の高速化の観点
からポッケルスセルを用いる従来例はない。
よび出力安定度の向上が図れる外部高調波発生レーザ発
振器を提供することにある。
レーザ発振器は、所定の偏光方向を有するレーザ光を、
非線形光学結晶を用いて該レーザ光の高調波光に変換し
て出力する外部高調波発生レーザ発振器において、前記
高調波光の出力パワーを微調整するための回転機構を備
え、入射される前記レーザ光の偏光面を所定の角度だけ
回転させる１／２波長板と、前記１／２波長板と前記非
線形光学結晶との間に設けられた、印加電圧に応じて入
射光の偏光面を回転させることができる電気光学素子
と、を有することを特徴とする。
ルであってもよい。
を、非線形光学結晶を用いて該レーザ光の高調波光に変
換して出力する外部高調波発生レーザ発振器において、
前記高調波光の出力パワーを微調整するための回転機構
を備え、入射される前記レーザ光の偏光面を所定の角度
だけ回転させる１／２波長板と、前記１／２波長板と前
記非線形光学結晶との間に設けられた、印加磁界に応じ
て入射光の偏光面を回転させることができる磁気光学素
子と、を有することを特徴とする。
ルであってもよい。
線形光学結晶に入射される基本波レーザ光または高調波
レーザ光は、電気光学素子または磁気光学素子を透過し
たのち、一定出力にて連続で発振された状態で非線形光
学結晶に入射されるため、非線形光学結晶の中心部での
温度が変わることがない。また、非線形光学結晶での位
相整合は温度整合や角度整合のいずれにおいても非線形
光学結晶の主軸に対する偏光方向によって変換効率が調
整できるので、非線形光学結晶に入射させる基本波レー
ザ光または高調波レーザ光の偏光面を変えることによっ
て、基本波レーザ光または高調波レーザ光の強度を一定
としたままで、高調波発生の強度を可変させることがで
きる。
して説明する。
振器の第１の実施例を示す概略構成図である。
−ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波光（波長
５３２ｎｍ）をβ−ＢＢＯ結晶１５に入射させて第４高
調波光（波長２６６ｎｍ）を発生させるためのものであ
るとともに、ポッケルスセル１３を用いた第２高調波光
の偏光度制御によって第４高調波光のスイッチングを行
うものである。
５３２ｎｍの第２高調波光を出射する内部共振器型の第
２高調波光発振器１１と、第２高調波光発振器１１から
出射された第２高調波光が入射される回転機構付きλ／
２板１２と、回転機構付きλ／２板１２を透過した第２
高調波光が入射されるポッケルスセル１３と、ポッケル
スセル１３を透過した第２高調波光が入射される集光レ
ンズ１４と、集光レンズ１４で集光された第２高調波光
を第４高調波光に変換するためのβ−ＢＢＯ結晶１５
と、β−ＢＢＯ結晶１５の出射側に設けられた、波長５
３２ｎｍの第２高調波光を透過するとともに波長２６６
ｎｍの第４高調波光を全反射するようにコーティングさ
れた第１のダイクロイックミラー１６と、第１のダイク
ロイックミラー１６を透過した第２高調波光（すなわ
ち、β−ＢＢＯ結晶１５で第４高調波光に変換されなか
った第２高調波光）を吸収するためのダンパー１７と、
第１のダイクロイックミラー１６で全反射された第４高
調波光が入射される、波長５３２ｎｍの第２高調波光を
透過するとともに波長２６６ｎｍの第４高調波光を全反
射するようにコーティングされた第２のダイクロイック
ミラー１８と、第２のダイクロイックミラー１８を透過
してくる第２高調波光を遮断するカットフィルタ１９
と、カットフィルタ１９の出射側に設けられた、第４高
調波光を減衰させるアッテネータ２０と、アッテネータ
２０の出射側に設けられた、波長２６６ｎｍ用フォトダ
イオードを用いた内部パワーモニター２１と、ポッケル
スセル１３に印加電圧ＶS を印加するためのドライバー
２２（高電圧発生回路）と、ドライバー２２からポッケ
ルスセル１３への印加電圧ＶS の出力をオン／オフさせ
るためのフォトカプラー２３および外部制御機器２４と
を備えている。
用の非線形光学結晶に入射させる場合には、λ／２板
（１／２波長板）を非線形光学結晶の入射側に設けて、
λ／２板の結晶軸に対してθ°回転させた直線偏光を入
射させることにより、λ／２板を通ったレーザ光の偏光
を２θ°回転させることができるため、λ／２板を手動
的に回転させて高調波の強度を調整することができる。
しかしながら、このようにλ／２板を手動的に回転させ
る方法では、レーザ光を高速にオン／オフしたりレーザ
光に変調をかけたりすることはできない。
では、高速に偏光面を回転させることができる電気光学
素子であるポッケルスセル１３を回転機構付きλ／２板
１２とβ−ＢＢＯ結晶１５（非線形光学結晶）との間に
配置する。いま、ポッケルスセル１３における位相差α
とドライバ２２からポッケルスセル１３への印加電圧Ｖ
S （変調信号）との関係は、 α＝Ｋ・ＶS （１） ここで、Ｋは定数 で表わされるため、印加電圧ＶS を連続的に変化させる
ことにより位相差αを連続的に変化させることができ
る。
となる半波長電圧値ｖa に印加電圧ＶS の電圧値を設定
することにより、集光レンズ１４を介してβ−ＢＢＯ結
晶１５に入射する第２高調波光の偏光方向を９０°だけ
回転させることができるので、β−ＢＢＯ結晶１５にお
ける第２高調波光から第４高調波光への変換効率を約０
％または約１００％に制御することができる。また、印
加電圧ＶS の電圧値を半波長電圧値ｖa よりも小さくす
ると、ポッケルスセル１３を透過した第２高調波光は楕
円偏光に変換される。この楕円偏光をβ−ＢＢＯ結晶１
５に入射させた場合は、楕円偏光を分解した偏光（電
界）成分のうちの一方の高調波発生に寄与する成分に見
合う大きさの変換光強度が得られるため、印加電圧ＶS
を制御して楕円偏光の互いに直交する電界成分の位相を
連続的に変えることによって、β−ＢＢＯ結晶１５にお
いて変換される第４高調波光の強度を０％〜１００％の
間で自由にコントロールすることもできる。なお、ポッ
ケルスセル１３の応答時間は、ナノ秒（１０-9秒）オー
ダかあるいはそれ以下であるため、レーザ加工機の光源
として問題ない高速スイッチングが可能となる。
１」と呼ばれているものであり、角度マッチングまたは
温度マッチングにより位相整合がとれるようにカットさ
れている。この位相整合を完全にするためには、β−Ｂ
ＢＯ結晶１５へ入射させる第２高調波光の偏光方向をβ
−ＢＢＯ結晶１５の光学軸に対して所定の角度に一意的
に合わせることが必要である。しかし、β−ＢＢＯ結晶
１５へ入射してくる第２高調波光の偏光方向は、第２高
調波光発振器１１を構成する偏光板およびブルュースタ
ー板（ともに不図示）などによって規定されているた
め、第２高調波光の偏光方向を自由に回転させることは
困難である。したがって、β−ＢＢＯ結晶１５自体を回
転させて微調することが必要となるが、β−ＢＢＯ結晶
１５は角度調整機構や結晶の恒温化ユニットが取り付け
られているため、この部分に微調回転機構を設けること
は困難である。そこで、外部高調波発生レーザ発振器１
０では、ポッケルスセル１３にドライバ２２から印加電
圧ＶS をかけない状態で、または、印加電圧ＶS の電圧
値を半波長電圧値ｖa とした状態で、第４高調波光の出
力が最大または最小となるように、内部パワーモニター
２１を見ながら回転機構付きλ／２板１２を回転させて
調整する。
振器の第２の実施例を示す概略構成図である。
−ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波光（波長
５３２ｎｍ）をβ−ＢＢＯ結晶５５に入射させて第４高
調波光（波長２６６ｎｍ）を発生させるためのものであ
るとともに、ファラデーセル５３を用いた第２高調波光
の偏光度制御によって第４高調波光のスイッチングを行
うものである。
に示す点で、図１に示した第１の実施例の外部高調波発
生レーザ発振器１０と異なる。 （１）回転機構付きλ／２板５２と集光レンズ５４との
間に、図１に示したポッケルスセル１３の代わりに、印
加磁界Ｈに応じて偏光面を回転させることができる磁気
光学素子であるファラデーセル５３を含む。 （２）ドライバー６２は、ファラデーセル５３に電流Ｉ
を供給して、ファラデーセル５３に印加磁界Ｈを印加す
るためのものである。
角β（ファラデー回転角）は、ファラデーセル５３の長
さＬおよび印加磁界Ｈに対して、 β＝ＫV ・Ｌ・Ｈ （２） ここで、ＫV はベルデ定数 で与えられる。したがって、印加磁界Ｈは電流Ｉによっ
て自由に制御できるので、電流Ｉを変化させることによ
り、回転角βを０°〜９０°の間で変化させることがで
きる。その結果、ポッケルスセル１３を用いた場合と同
様にして、高速スイッチングが可能となる。
波光に変換したが、本発明の外部高調波発生レーザ発振
器はこれに限らず、たとえば基本波レーザ光を任意の高
調波光に変換する場合にも有効である。
ので、次の効果を奏する。
ができる電気光学素子または印加磁界に応じて偏光面を
回転させることができる磁気光学素子を含むことによ
り、高速スイッチングが可能となるため、高出力な外部
高調波発生レーザ発振器におけるレーザのオン／オフ特
性（立ち上がり時間応答性）を秒オーダまたは分オーダ
からナノ秒オーダに改善することができる。その結果、
たとえば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザのＣＷ−Ｑスイッチパル
スレーザの第４高調波光（波長２６６ｎｍ）を用いて、
Ｑスイッチパルス１ショット単位でドットを制御するレ
ーザマーキングする装置の光源にも、本発明の外部高調
波発生レーザ発振器を適用することができる。また、レ
ーザビームの高速スイッチングの必要なレーザトリミン
グ装置やレーザスクライバー装置などにも、本発明の外
部高調波発生レーザ発振器を使用することができる。さ
らに、高速スイッチングが必要な用途のみでなく、高調
波光のオン／オフの頻度がランダムになったりまたは途
中で変わるときでも、安定度を大きく改善させることが
できる。
実施例を示す概略構成図である。
実施例を示す概略構成図である。
非線形光学結晶としてβ−ＢＢＯ結晶を用い、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧの第２高調波光（波長５３２ｎｍ）をβ−ＢＢＯ結
晶に入射して第４高調波光（波長２６６ｎｍ）に変換す
るときの変換効率と結晶温度との関係を求めた一シュミ
レーション結果を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の偏光方向を有するレーザ光を、非
線形光学結晶を用いて該レーザ光の高調波光に変換して
出力する外部高調波発生レーザ発振器において、 前記高調波光の出力パワーを微調整するための回転機構
を備え、入射される前記レーザ光の偏光面を所定の角度
だけ回転させる１／２波長板と、 前記１／２波長板と前記非線形光学結晶との間に設けら
れた、印加電圧に応じて入射光の偏光面を回転させるこ
とができる電気光学素子と、 を有する ことを特徴とする外部高調波発生レーザ発振
器。 - 【請求項２】 前記電気光学素子がポッケルスセルであ
ることを特徴とする請求項１記載の外部高調波発生レー
ザ発振器。 - 【請求項３】 所定の偏光方向を有するレーザ光を、非
線形光学結晶を用いて該レーザ光の高調波光に変換して
出力する外部高調波発生レーザ発振器において、 前記高調波光の出力パワーを微調整するための回転機構
を備え、入射される前記レーザ光の偏光面を所定の角度
だけ回転させる１／２波長板と、 前記１／２波長板と前記非線形光学結晶との間に設けら
れた、印加磁界に応じて入射光の偏光面を回転させるこ
とができる磁気光学素子と、 を有する ことを特徴とする外部高調波発生レーザ発振
器。 - 【請求項４】 前記磁気光学素子がファラデーセルであ
ることを特徴とする請求項３記載の外部高調波発生レー
ザ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284709A JP2727935B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 外部高調波発生レーザ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5284709A JP2727935B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 外部高調波発生レーザ発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142802A JPH07142802A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2727935B2 true JP2727935B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17681970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5284709A Expired - Lifetime JP2727935B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 外部高調波発生レーザ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727935B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100356209C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-12-19 | 福州福特科光电有限公司 | 深紫外、可见、近红外偏振器 |
| JP4654424B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-23 | レーザーテック株式会社 | 光源装置 |
| JP5353798B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2013-11-27 | 三菱電機株式会社 | 波長変換装置及びこれを用いた波長変換レーザ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04125526A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-27 | Toshiba Corp | 高調波発生装置 |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5284709A patent/JP2727935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142802A (ja) | 1995-06-02 |
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