JP2706180B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JP2706180B2 JP2706180B2 JP3024061A JP2406191A JP2706180B2 JP 2706180 B2 JP2706180 B2 JP 2706180B2 JP 3024061 A JP3024061 A JP 3024061A JP 2406191 A JP2406191 A JP 2406191A JP 2706180 B2 JP2706180 B2 JP 2706180B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光電変換装置（以下光
入力装置ともいう。）に関し、特に光信号を検出して電
気信号に変換する受光素子及び受光素子内蔵の集積装置
に関するものである。
入力装置ともいう。）に関し、特に光信号を検出して電
気信号に変換する受光素子及び受光素子内蔵の集積装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の光入力装置を示す断面図
であり、図において、１はｐ+ 型基板、２は基板１上に
エピタキシャル成長により形成されたｎ型エピタキシャ
ル層（以下ｎエピ層という。）、３は該ｎエピ層２の表
面にＰ型不純物を添加して形成されたベース領域であ
り、４はベース領域３以外の部分への光入射を防ぐ遮光
用金属層である。そしてこの光入力装置ではｎエピ層２
中にｐ型拡散層からなる分離領域５を形成することによ
りｎ型の島，つまり所定の素子領域を構成し、他素子領
域と分離している。
であり、図において、１はｐ+ 型基板、２は基板１上に
エピタキシャル成長により形成されたｎ型エピタキシャ
ル層（以下ｎエピ層という。）、３は該ｎエピ層２の表
面にＰ型不純物を添加して形成されたベース領域であ
り、４はベース領域３以外の部分への光入射を防ぐ遮光
用金属層である。そしてこの光入力装置ではｎエピ層２
中にｐ型拡散層からなる分離領域５を形成することによ
りｎ型の島，つまり所定の素子領域を構成し、他素子領
域と分離している。
【０００３】次に動作について説明する。ベース領域３
とｎエピ層２はＰＮ接合を形成し、この接合面には空乏
層が生じる。このＰＮ接合に光が入射すると光の強度に
応じた量の電子−正孔対が生成し、これらはそれぞれ空
乏層内の内部電界により加速され、電子はｎ層であるｎ
エピ層２へ、正孔はｐ層であるベース領域３へと移動す
る。この電荷の移動を光電流として外部回路に取り出す
ことにより光検出を実現している。
とｎエピ層２はＰＮ接合を形成し、この接合面には空乏
層が生じる。このＰＮ接合に光が入射すると光の強度に
応じた量の電子−正孔対が生成し、これらはそれぞれ空
乏層内の内部電界により加速され、電子はｎ層であるｎ
エピ層２へ、正孔はｐ層であるベース領域３へと移動す
る。この電荷の移動を光電流として外部回路に取り出す
ことにより光検出を実現している。
【０００４】このベース領域３とｎエピ層２によって形
成されたＰＮ接合ダイオード（以下ベース−エピダイオ
ードとも言う。）に、そのエネルギーを一定に保ったま
まで波長を変えた光を入射すると、その短絡電流は図４
に示すようないわゆる分光感度特性になる。すなわち波
長の短い光は表面近くで吸収され、ｐ型のベース領域３
内で電子を発生するが、このあたりで発生した電子は空
乏層から遠く、内部電界（拡散電位）による加速が得ら
れず、再結合により消滅する確率が高くなるため、分光
感度特性では短波長側の感度低下が見られる。一方波長
が長い光は、拡散長が長くなるため、今度はｐ層のベー
ス領域３に吸収されずにこれを通過し、ｎ層のｎエピ層
２で吸収され、正孔が発生するが、この場合ベース−ｎ
エピダイオードによる空乏層から遠くなると、ｐ層での
電子の場合と同様、正孔の再結合により消滅する確率が
高くなり、分光感度特性における感度低下が生じる。
成されたＰＮ接合ダイオード（以下ベース−エピダイオ
ードとも言う。）に、そのエネルギーを一定に保ったま
まで波長を変えた光を入射すると、その短絡電流は図４
に示すようないわゆる分光感度特性になる。すなわち波
長の短い光は表面近くで吸収され、ｐ型のベース領域３
内で電子を発生するが、このあたりで発生した電子は空
乏層から遠く、内部電界（拡散電位）による加速が得ら
れず、再結合により消滅する確率が高くなるため、分光
感度特性では短波長側の感度低下が見られる。一方波長
が長い光は、拡散長が長くなるため、今度はｐ層のベー
ス領域３に吸収されずにこれを通過し、ｎ層のｎエピ層
２で吸収され、正孔が発生するが、この場合ベース−ｎ
エピダイオードによる空乏層から遠くなると、ｐ層での
電子の場合と同様、正孔の再結合により消滅する確率が
高くなり、分光感度特性における感度低下が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光入力装置は以
上のような構造となっていたので、分光感度特性を制御
するためには表面からのＰＮ接合の深さを制御しなけれ
ばならなかった。そのためＰ+ 拡散領域であるベース領
域３の不純物濃度や熱処理等のプロセスパラメータを制
御することが必要であったが、これらを制御して期待す
る分光感度特性を有する光入力装置を得ることは非常に
難しいという問題があり、またプロセスパタメータの変
更はこの受光素子と同時に形成する他素子への影響も考
慮しなければならないなどの問題があった。
上のような構造となっていたので、分光感度特性を制御
するためには表面からのＰＮ接合の深さを制御しなけれ
ばならなかった。そのためＰ+ 拡散領域であるベース領
域３の不純物濃度や熱処理等のプロセスパラメータを制
御することが必要であったが、これらを制御して期待す
る分光感度特性を有する光入力装置を得ることは非常に
難しいという問題があり、またプロセスパタメータの変
更はこの受光素子と同時に形成する他素子への影響も考
慮しなければならないなどの問題があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体基板中に形成される半導
体領域のパターンの変更のみで分光感度特性を制御でき
る光電変換装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体基板中に形成される半導
体領域のパターンの変更のみで分光感度特性を制御でき
る光電変換装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光電変換装
置は、第１導電型半導体基板上に形成された第２導電型
半導体層と、該第２導電型半導体層の表面に形成された
第１導電型半導体領域とを有し、上記第２導電型半導体
層と第１導電型半導体領域とのＰＮ接合部を受光領域と
する光電変換装置において、上記第１導電型半導体基板
と第２導電型半導体領域との間に選択的に形成された高
濃度の第２導電型半導体埋込層を備えており、上記第２
導電型半導体層と上記第１導電型半導体領域とのＰＮ接
合部からなる受光領域は、その下側に位置するＰＮ接合
部が第１導電型半導体基板と高濃度の第２導電型半導体
埋込層とにより形成される第１の受光領域と、その下側
に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と上記第
２導電型半導体層とにより形成される第２の受光領域と
を有するものとしたものである。
置は、第１導電型半導体基板上に形成された第２導電型
半導体層と、該第２導電型半導体層の表面に形成された
第１導電型半導体領域とを有し、上記第２導電型半導体
層と第１導電型半導体領域とのＰＮ接合部を受光領域と
する光電変換装置において、上記第１導電型半導体基板
と第２導電型半導体領域との間に選択的に形成された高
濃度の第２導電型半導体埋込層を備えており、上記第２
導電型半導体層と上記第１導電型半導体領域とのＰＮ接
合部からなる受光領域は、その下側に位置するＰＮ接合
部が第１導電型半導体基板と高濃度の第２導電型半導体
埋込層とにより形成される第１の受光領域と、その下側
に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と上記第
２導電型半導体層とにより形成される第２の受光領域と
を有するものとしたものである。
【０００８】この発明は、上記光電変換装置において、
上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第２導
電型半導体層を分離領域により分割した１つの素子領域
内に配設したものである。
上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第２導
電型半導体層を分離領域により分割した１つの素子領域
内に配設したものである。
【０００９】 この発明は、上記光電変換装置におい
て、上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第
２導電型半導体層を分離領域により分割した別々の素子
領域に配設し、各領域内の第１導電型半導体領域及び第
２導電型半導体埋込層を、各々電気的に接続したもので
ある。
て、上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第
２導電型半導体層を分離領域により分割した別々の素子
領域に配設し、各領域内の第１導電型半導体領域及び第
２導電型半導体埋込層を、各々電気的に接続したもので
ある。
【００１０】
【作用】この発明においては、受光領域を、その下側の
位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と高濃度の
第２導電型埋込層により形成される第１の受光領域と、
その下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板
と低濃度の第２導電型半導体層とにより形成される第２
の受光領域とを有するものとしたから、受光領域は分光
感度特性の異なる領域を持つこととなる。従って、上記
第１，第２の受光領域の面積比、つまり上記高濃度の第
２導電型埋込層のパターンの変更のみで受光領域全体と
しての分光感度特性を制御することができる。
位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と高濃度の
第２導電型埋込層により形成される第１の受光領域と、
その下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板
と低濃度の第２導電型半導体層とにより形成される第２
の受光領域とを有するものとしたから、受光領域は分光
感度特性の異なる領域を持つこととなる。従って、上記
第１，第２の受光領域の面積比、つまり上記高濃度の第
２導電型埋込層のパターンの変更のみで受光領域全体と
しての分光感度特性を制御することができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例による光電変換装置
の断面構造を示し、図において、１はＰ+ 基板（第１導
電型半導体基板）で、その表面領域の一部には高濃度の
ｎ+ 埋込層（高濃度の第２導電型半導体埋込層）６が形
成してある。また上記Ｐ+ 基板１上には全面にエピタキ
シャル成長によりｎ層であるｎエピ層（第２導電型半導
体層）２を形成し、該ｎエピ層２の表面には上記ｎ+ 埋
込層６の領域と部分的に重なるよう、Ｐ型不純物添加に
よりＰ層としてベース領域（第１導電型半導体領域）３
を形成している。なお、４は遮光用金属層、５は素子分
離領域で、これらは従来装置と同一のものである。
の断面構造を示し、図において、１はＰ+ 基板（第１導
電型半導体基板）で、その表面領域の一部には高濃度の
ｎ+ 埋込層（高濃度の第２導電型半導体埋込層）６が形
成してある。また上記Ｐ+ 基板１上には全面にエピタキ
シャル成長によりｎ層であるｎエピ層（第２導電型半導
体層）２を形成し、該ｎエピ層２の表面には上記ｎ+ 埋
込層６の領域と部分的に重なるよう、Ｐ型不純物添加に
よりＰ層としてベース領域（第１導電型半導体領域）３
を形成している。なお、４は遮光用金属層、５は素子分
離領域で、これらは従来装置と同一のものである。
【００１２】次に動作について説明する。図７と対比し
て図１をみると、ベース領域３下側の、ｎエピ層２とＰ
+ 基板１との間のＰＮ接合部の一部分にｎ+ 埋込層６が
形成されていることがわかる。
て図１をみると、ベース領域３下側の、ｎエピ層２とＰ
+ 基板１との間のＰＮ接合部の一部分にｎ+ 埋込層６が
形成されていることがわかる。
【００１３】一般的なパイポーラ型トランジスタでは、
コレクタ領域内に設けた低抵抗のｎ+ 埋込層の機能は、
コレクタ電流が狭いコレクタ領域を横方向に流れて電圧
降下が生ずるのを防ぐ働きと、トランジスタが飽和状態
になったとき過剰となったコレクタ領域の少数キャリア
がＰ型のベース層や基板等のＰ型領域に流れ込んで、Ｐ
+ 基板がＰｎＰトランジスタのコレクタのように動作し
てしまう寄生トランジスタ効果を、コレクタの少数キャ
リアを全て吸収することにより防ぐ働きである。これに
対して、本実施例の受光素子では、上記ｎ+ 埋込層６の
機能は、ｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間のＰＮ接合により生
じる空乏層がｎエピ層２側へ拡がることを抑制する働き
である。
コレクタ領域内に設けた低抵抗のｎ+ 埋込層の機能は、
コレクタ電流が狭いコレクタ領域を横方向に流れて電圧
降下が生ずるのを防ぐ働きと、トランジスタが飽和状態
になったとき過剰となったコレクタ領域の少数キャリア
がＰ型のベース層や基板等のＰ型領域に流れ込んで、Ｐ
+ 基板がＰｎＰトランジスタのコレクタのように動作し
てしまう寄生トランジスタ効果を、コレクタの少数キャ
リアを全て吸収することにより防ぐ働きである。これに
対して、本実施例の受光素子では、上記ｎ+ 埋込層６の
機能は、ｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間のＰＮ接合により生
じる空乏層がｎエピ層２側へ拡がることを抑制する働き
である。
【００１４】 図２及び図３はそれぞれこの動作を説明
するための図であり、図２は本実施例の光入力装置の受
光素子部分におけるベース領域３及びｎ+ 埋込層６の配
置を示し、図３は上記受光素子部分での各半導体領域の
電子のエネルギー準位を示している。上記図２では、Ａ
は、受光領域のうちベース領域３とｎ+ 埋込層６とが重
なっていない部分、Ｂはこれらが重なっている部分であ
り、図３(a) 及び図３(b) はそれぞれ、上記受光部分
Ａ，Ｂでの縦方向のエネルギー準位の変化を示してい
る。
するための図であり、図２は本実施例の光入力装置の受
光素子部分におけるベース領域３及びｎ+ 埋込層６の配
置を示し、図３は上記受光素子部分での各半導体領域の
電子のエネルギー準位を示している。上記図２では、Ａ
は、受光領域のうちベース領域３とｎ+ 埋込層６とが重
なっていない部分、Ｂはこれらが重なっている部分であ
り、図３(a) 及び図３(b) はそれぞれ、上記受光部分
Ａ，Ｂでの縦方向のエネルギー準位の変化を示してい
る。
【００１５】ところでＰＮ接合を形成するｎ型領域では
電子が、Ｐ型領域では正孔が過剰なので、各々相手領域
へキャリアが拡散していく。この拡散によりｎ型領域は
正に、Ｐ型領域は負に帯電して境界付近に局部的に電位
差（内部電位）を生じ、これによる電界のため拡散が止
まり平衡状態になる。相手領域に拡散していったキャリ
ア（少数キャリア）は、相手領域の多数キャリアと結合
しあい、境界付近には自由キャリアがなくなり、この領
域をいわゆる空乏層というわけである。
電子が、Ｐ型領域では正孔が過剰なので、各々相手領域
へキャリアが拡散していく。この拡散によりｎ型領域は
正に、Ｐ型領域は負に帯電して境界付近に局部的に電位
差（内部電位）を生じ、これによる電界のため拡散が止
まり平衡状態になる。相手領域に拡散していったキャリ
ア（少数キャリア）は、相手領域の多数キャリアと結合
しあい、境界付近には自由キャリアがなくなり、この領
域をいわゆる空乏層というわけである。
【００１６】図３(a) において空乏層はベース３−ｎエ
ピ層２間及びｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間のＰＮ接合部に
それぞれ存在し、受光素子として使用する場合は普通ベ
ース３−ｎエピ層２間の空乏層を流れる光電流を検出し
ているが、ｎエピ層２にまで達した入射光により発生し
た光電荷は、ｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間の空乏層にも流
れこんでしまう。従って図２の受光部分Ａによる分光感
度特性は、図４に示すように可視長波長領域（６００ｎ
ｍ〜９００ｎｍ）で感度の低下がみられる。
ピ層２間及びｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間のＰＮ接合部に
それぞれ存在し、受光素子として使用する場合は普通ベ
ース３−ｎエピ層２間の空乏層を流れる光電流を検出し
ているが、ｎエピ層２にまで達した入射光により発生し
た光電荷は、ｎエピ層２−Ｐ+ 基板１間の空乏層にも流
れこんでしまう。従って図２の受光部分Ａによる分光感
度特性は、図４に示すように可視長波長領域（６００ｎ
ｍ〜９００ｎｍ）で感度の低下がみられる。
【００１７】一方受光部分Ｂでは、ｎエピ層２とＰ+ 基
板１との間にｎ+ 埋込層６が形成してあるため、ｎエピ
層２側に高濃度のｎ+ 不純物が存在することになる。従
ってＰ+ 基板１側から拡散する少数キャリアに対し、受
光部分Ａに比べてＰＮ接合面から近い領域で再結合が行
われるため、図３(b) に示すようにｎエピ層２−Ｐ+基
板１間の空乏層領域が狭くなり、ｎエピ層２に達する可
視長波長領域の光入射により発生する光電荷は、ベース
３−ｎエピ層２間の空乏層へ流れ込む量が、ｎ+ 埋込層
を形成していない受光部分Ａにおける場合よりも多くな
る。
板１との間にｎ+ 埋込層６が形成してあるため、ｎエピ
層２側に高濃度のｎ+ 不純物が存在することになる。従
ってＰ+ 基板１側から拡散する少数キャリアに対し、受
光部分Ａに比べてＰＮ接合面から近い領域で再結合が行
われるため、図３(b) に示すようにｎエピ層２−Ｐ+基
板１間の空乏層領域が狭くなり、ｎエピ層２に達する可
視長波長領域の光入射により発生する光電荷は、ベース
３−ｎエピ層２間の空乏層へ流れ込む量が、ｎ+ 埋込層
を形成していない受光部分Ａにおける場合よりも多くな
る。
【００１８】そのため、図２の受光部分Ｂにおける分光
感度特性は第５図に示すように可視長波長領域において
感度が向上し、図４の特性に比べて長波長側へシフトし
た分光感度特性が得られることになる。
感度特性は第５図に示すように可視長波長領域において
感度が向上し、図４の特性に比べて長波長側へシフトし
た分光感度特性が得られることになる。
【００１９】従って、本実施例のように受光領域におい
て、ｎ+ 埋込層６を形成した受光部分Ｂとこれを形成し
ない受光部分Ａとから検出される光電流を合成すること
により、分光感度特性も図６に示すように図４及び図５
の各特性曲線７，８を合成した特性曲線９が得られるこ
とになる。言い換えれば、図２の受光部分Ａ及びＢの面
積を調整することにより、分光感度を制御できる光入力
装置を実現できる。
て、ｎ+ 埋込層６を形成した受光部分Ｂとこれを形成し
ない受光部分Ａとから検出される光電流を合成すること
により、分光感度特性も図６に示すように図４及び図５
の各特性曲線７，８を合成した特性曲線９が得られるこ
とになる。言い換えれば、図２の受光部分Ａ及びＢの面
積を調整することにより、分光感度を制御できる光入力
装置を実現できる。
【００２０】このように本実施例では、受光領域を、そ
の下側にｎ+ 埋込層を形成した部分Ａとこれを形成しな
い部分Ｂとから構成したので、受光領域全体に対してｎ
+ 埋込層６を有する部分Ｂの占める割合を調節するだけ
で、受光領域の分光感度特性を制御でき、マスク枚数及
びプロセスパラメータを変更することなく、期待する分
光感度特性を有する受光素子を容易に形成することがで
きる。
の下側にｎ+ 埋込層を形成した部分Ａとこれを形成しな
い部分Ｂとから構成したので、受光領域全体に対してｎ
+ 埋込層６を有する部分Ｂの占める割合を調節するだけ
で、受光領域の分光感度特性を制御でき、マスク枚数及
びプロセスパラメータを変更することなく、期待する分
光感度特性を有する受光素子を容易に形成することがで
きる。
【００２１】また上記受光部分Ａと受光部分Ｂとを同一
の素子領域内に形成しているため、基板上で受光領域全
体の占める面積を節約することができる。
の素子領域内に形成しているため、基板上で受光領域全
体の占める面積を節約することができる。
【００２２】なお、上記実施例ではｎ+ 埋込層を形成し
た受光部分Ｂとこれを形成しない受光部分Ａとを同一エ
ピ層，つまり素子領域内に設けて基板上での面積を節約
しているが、上記各受光領域は、分離領域で分離した別
々のエピ層（素子領域）内にそれぞれ形成し、各素子領
域のベース領域３を電気的に接続して、各素子領域の受
光領域での光電流を合成するようにしてもよい。
た受光部分Ｂとこれを形成しない受光部分Ａとを同一エ
ピ層，つまり素子領域内に設けて基板上での面積を節約
しているが、上記各受光領域は、分離領域で分離した別
々のエピ層（素子領域）内にそれぞれ形成し、各素子領
域のベース領域３を電気的に接続して、各素子領域の受
光領域での光電流を合成するようにしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る光電変換装
置によれば、第１導電型半導体基板上に形成された第２
導電型半導体層と、該第２導電型半導体層の表面に形成
された第１導電型半導体領域とを有し、上記第２導電型
半導体層と第１導電型半導体領域とのＰＮ接合部を受光
領域とする光電変換装置において、上記第１導電型半導
体基板と第２導電型半導体領域との間に選択的に形成さ
れた高濃度の第２導電型半導体埋込層を備えており、上
記第２導電型半導体層と上記第１導電型半導体領域との
ＰＮ接合部からなる受光領域は、その下側に位置するＰ
Ｎ接合部が第１導電型半導体基板と高濃度の第２導電型
半導体埋込層とにより形成される第１の受光領域と、そ
の下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と
低濃度の上記第２導電型半導体層とにより形成される第
２の受光領域とを有するものとしたので、上記第１，第
２の受光領域の面積比、つまり上記高濃度の第２導電型
半導体埋込層のパターンの変更のみで受光領域全体とし
ての分光感度特性を制御することができる効果がある。
置によれば、第１導電型半導体基板上に形成された第２
導電型半導体層と、該第２導電型半導体層の表面に形成
された第１導電型半導体領域とを有し、上記第２導電型
半導体層と第１導電型半導体領域とのＰＮ接合部を受光
領域とする光電変換装置において、上記第１導電型半導
体基板と第２導電型半導体領域との間に選択的に形成さ
れた高濃度の第２導電型半導体埋込層を備えており、上
記第２導電型半導体層と上記第１導電型半導体領域との
ＰＮ接合部からなる受光領域は、その下側に位置するＰ
Ｎ接合部が第１導電型半導体基板と高濃度の第２導電型
半導体埋込層とにより形成される第１の受光領域と、そ
の下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板と
低濃度の上記第２導電型半導体層とにより形成される第
２の受光領域とを有するものとしたので、上記第１，第
２の受光領域の面積比、つまり上記高濃度の第２導電型
半導体埋込層のパターンの変更のみで受光領域全体とし
ての分光感度特性を制御することができる効果がある。
【００２４】またこの発明は、上記光電変換装置におい
て、上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第
２導電型半導体層を分離領域により分割した１つの素子
領域内に配設したので、基板上で受光領域の占める面積
を節約することができる。
て、上記第１の受光領域と第２の受光領域とを、上記第
２導電型半導体層を分離領域により分割した１つの素子
領域内に配設したので、基板上で受光領域の占める面積
を節約することができる。
【図１】本発明の一実施例による光電変換装置を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図２】上記光電変換装置の受光領域及びその下側に形
成した埋込層の配置を示す平面図である。
成した埋込層の配置を示す平面図である。
【図３】上記光電変換装置の受光領域でのエネルギー準
位の変化を示す図である。
位の変化を示す図である。
【図４】本発明及び従来の光電変換装置の受光部の分光
感度特性を示す図である。
感度特性を示す図である。
【図５】本発明の光電変換装置の受光部の一部の分光感
度特性を示す図である。
度特性を示す図である。
【図６】本発明の光電変換装置の受光部全体としての分
光感度特性を示す図である。
光感度特性を示す図である。
【図７】従来の光入力装置の断面構造を示す図である。
１ Ｐ+ 型基板（第１導電型半導体基板） ２ ｎ型エピタキシャル層（第２導電型半導体層） ３ ベース領域（第１導電型半導体領域） ４ 遮光用金属層 ５ 分離領域 ６ ｎ+ 埋込層（第２導電型半導体埋込層） Ａ 受光部分（第１の受光領域） Ｂ 受光部分（第２の受光領域）
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板上に形成された第
２導電型半導体層と、該第２導電型半導体層の表面に形
成された第１導電型半導体領域とを有し、上記第２導電
型半導体層と第１導電型半導体領域とのＰＮ接合部を受
光領域とする光電変換装置において、 上記第１導電型半導体基板と第２導電型半導体領域との
間に選択的に形成された高濃度の第２導電型半導体埋込
層を備えており、 上記第２導電型半導体層と上記第１導電型半導体領域と
のＰＮ接合部からなる受光領域は、 その下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板
と高濃度の第２導電型半導体埋込層とにより形成される
第１の受光領域と、 その下側に位置するＰＮ接合部が第１導電型半導体基板
と上記第２導電型半導体層とにより形成される第２の受
光領域とを有していることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 上記第２導電型半導体層は素子分離領域
により複数の素子領域に分割されており、上記第１の受
光領域と第２の受光領域とはそれぞれ同一の素子領域内
に配設していることを特徴とする請求項１記載の光電変
換装置。 - 【請求項３】 上記第２導電型半導体層は素子分離領域
により複数の素子領域に分割されており、上記第１の受
光領域と第２の受光領域とはそれぞれ異なる素子領域内
に配設し、各素子領域内の第１導電型半導体領域及び第
２導電型半導体埋込層を、各々電気的に接続しているこ
とを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024061A JP2706180B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024061A JP2706180B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239779A JPH04239779A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2706180B2 true JP2706180B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=12127933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024061A Expired - Lifetime JP2706180B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706180B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341323A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Canon Inc | 光検出方法および半導体光センサーｉｃ |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3024061A patent/JP2706180B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239779A (ja) | 1992-08-27 |
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