JP2701550B2 - Glass sealed IC package - Google Patents
Glass sealed IC packageInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はガラス封止型ＩＣ用パッ
ケージに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass-sealed IC package.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージは
図７に示すように、中央部に凹部を設けたセラミック基
板１３の凹部底面にメタライズ層１２を設け、凹部上段
水平面にガラスフリット２７をスクリーン印刷により形
成して焼成した後ガラスフリット２７の上にリードフレ
ーム１５を加熱圧着して接合しケースを形成する。一
方、セラミックのキャップ１６の封着面にガラスフリッ
ト２７と同じ流動性を有するガラスフリット２７ａをス
クリーン印刷し焼成して形成し、ガラス封止型ＩＣパッ
ケージを構成する。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 7, a conventional glass-sealed IC package is provided with a metallized layer 12 on a bottom surface of a concave portion of a ceramic substrate 13 having a concave portion in a central portion, and a glass frit 27 on a horizontal plane above the concave portion. After being formed by screen printing and firing, the lead frame 15 is heated and pressed onto the glass frit 27 and joined to form a case. On the other hand, a glass frit 27a having the same fluidity as the glass frit 27 is screen-printed and fired on the sealing surface of the ceramic cap 16 to form a glass-sealed IC package.
【０００３】図８は従来のガラス封止型パッケージの使
用例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an example of use of a conventional glass-sealed package.
【０００４】図８に示すように、ケースのメタライズ層
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により接続し、ケースの上面にキャップ１６
のガラスフリット２７ａを合わせて載置し、４２０〜４
８０℃の温度で加熱しガラスフリット２７，２７ａを熔
融させ気密封止する。As shown in FIG. 8, an IC chip 11 is mounted on a metallized layer 12 of a case, and the IC chip 1 is mounted.
The first electrode and the internal lead of the lead frame 15 are connected by a thin metal wire 14, and a cap 16
The glass frit 27a of FIG.
The glass frit 27, 27a is melted by heating at a temperature of 80 ° C. and hermetically sealed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この従来のガラス封止
型ＩＣ用パッケージは、気密封止のための封止温度を４
２０〜４８０℃の高温に設定する必要があった。This conventional glass-sealed IC package requires a sealing temperature of 4 for hermetic sealing.
It was necessary to set a high temperature of 20 to 480 ° C.
【０００６】これは、ガラスフリットの熱膨張率をセラ
ミック基板やリードフレームに合わせるため、各種のフ
ィラーを添加しており、そのフィラーの影響で高温でな
ければ良好なガラス流動性が得られないからである。し
かし、最近、半導体素子の拡散プロセスが低温化してき
ており、アルミニウム配線も４２０℃以下でアロイ処理
が行われているため、パッケージを高温度で封止した場
合にはアロイ温度以上にＩＣチップがさらされて不純物
の拡散領域が拡大し、能動素子の特性がばらつき回路特
性の変動を生ずるという問題点がある。This is because various fillers are added to match the coefficient of thermal expansion of the glass frit to the ceramic substrate or lead frame, and good glass fluidity cannot be obtained unless the temperature is high due to the influence of the fillers. It is. However, recently, the diffusion process of semiconductor devices has been lowered in temperature, and alloy processing has been performed on aluminum wiring at a temperature of 420 ° C. or less. Therefore, when the package is sealed at a high temperature, the IC chip is heated to a temperature higher than the alloy temperature. As a result, the diffusion region of the impurity is enlarged, and the characteristics of the active element are varied, which causes a problem that the circuit characteristics fluctuate.
【０００７】また、アロイ温度以上になると、ＩＣチッ
プ表面の絶縁層からＨ2 などのガスが発生し、これがア
ルミニウム配線を侵食して断線を発生させる等の問題点
がある。Further, when the temperature is higher than the alloy temperature, a gas such as H 2 is generated from the insulating layer on the surface of the IC chip, which erodes the aluminum wiring and causes disconnection.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は、
中央部に素子搭載用の凹部を設けたセラミック基板の前
記凹部外縁上の接合面に低流動性の第１のガラスフリッ
トを設けこの第１のガラスフリット上に接合したリード
フレームを有するケースと、前記セラミック基板の外縁
部に対応する接合面に低流動性の第２のガラスフリット
を設けたキャップとを備えたガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージにおいて、前記ケースの前記リードフレーム又は前
記キャップの第２のガラスフリットのいずれかの上にパ
ッケージを気密封止するための高流動性の第３のガラス
フリットを設けたことを特徴とする。A first configuration of the present invention, in order to solve the problems],
A case having a lead frame formed by joining the low fluidity of the first glass frit bonding surface on the concave outer edge of the ceramic substrate having a recess for device mounting provided on the first glass frit on the central portion, in low flow of the second glass-sealed IC package with a cap having a glass frit bonding surface corresponding to the outer edge of the ceramic substrate, the lead frame or front of the case
Characterized in that a high flow of the third glass frit for hermetically sealing the path <br/> Kkeji on any of the second glass frit serial cap.
【０００９】本発明の第２のガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージの構成は、中央部に素子搭載用の凹部を設けたセラ
ミック基板の前記凹部外縁上の接合面に低流動性の第１
のガラスフリットと高流動性の第３のガラスフリットと
を積層し、この第３のガラスフリット上に接合してリー
ドフレームを設けたケースと、前記セラミック基板の外
縁部に対応する接合面に低流動性の第２のガラスフリッ
トと高流動性の第３のガラスフリットとを積層して設け
たキャップとを有することを特徴とする。A second glass-sealed IC package according to the present invention comprises a ceramic substrate having a concave portion for mounting an element in a central portion, a first surface having low flowability on a bonding surface on an outer edge of the concave portion.
And the third glass frit with high fluidity
And a case in which a lead frame is provided by bonding on the third glass frit, a second glass frit having low fluidity and a second glass frit having high fluidity are provided on a bonding surface corresponding to an outer edge of the ceramic substrate. provided 3 of a glass frit are laminated
Characterized in that it closed the cap was.
【００１０】[0010]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【００１２】図１に示すように、中央部に凹部を設けた
セラミック基板１３の凹部底面に素子搭載用のメタライ
ズ層１２を設け、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系硝子の母材に硅化
ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ4 ）やウィレマイト（Ｚｎ2
ＳｉＯ4 ）等のフィラーを混在させた日本電気硝子製の
ＬＳ−３００１（商品コード番号）等の低流動性のガラ
スフリット１７をスクリーン印刷により塗布して焼成す
る。次に、ガラスフリット１７上にリードフレーム１５
を加熱圧着して接合しケースを形成する。[0012] As shown in FIG. 1, the metallization layer 12 of the element mounted on a bottom surface of the recess of the ceramic substrate 13 having a recess in the central portion is provided, silicide zirconium (ZrSiO the base material of the PbO-B 2 O 3 -based glass 4 ) and Willemite (Zn 2
A low-fluid glass frit 17 such as LS-3001 (product code number) manufactured by NEC Corporation and having a filler such as SiO 4 mixed therein is applied by screen printing and fired. Next, the lead frame 15 is placed on the glass frit 17.
Are bonded by heating and pressing to form a case.
【００１３】一方、セラミックのキャップ１６の封着面
にガラスフリット１７と同じ材質のガラスフリット１７
ａをスクリーン印刷により塗布して焼成した後ガラスフ
リット１７ａの上にＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系硝子ＬＳ−３０
０１のフィラーを２５〜３５％減少させた高流動性のガ
ラスフリット１８をスクリーン印刷して焼成し２層構造
のガラスフリットを形成し、ガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージを構成する。On the other hand, a glass frit 17 of the same material as the glass frit 17 is provided on the sealing surface of the ceramic cap 16.
PbO-B 2 O 3 -based glass LS-30 on a glass frit 17a after firing was applied by screen printing to a
The glass frit 18 having a two-layer structure is formed by screen-printing and firing a high-fluidity glass frit 18 in which the filler No. 01 is reduced by 25 to 35% to form a glass-sealed IC package.
【００１４】図２は本発明のガラス封止型ＩＣ用パッケ
ージの使用例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of use of the glass-sealed IC package of the present invention.
【００１５】図２に示すように、ケースのメタライズ層
１２の上にＩＣチップ１１をマウントし、ＩＣチップ１
１の電極とリードフレーム１５の内部リードとの間を金
属細線１４により電気的に接続する。次に、ケースの上
面にキャップ１６のガラスフリット１８を合わせて載置
し、３８５〜３９０℃の温度に加熱してガラスフリット
１８を熔融させ気密封止する。As shown in FIG. 2, the IC chip 11 is mounted on the metallized layer 12 of the case, and the IC chip 1 is mounted.
One electrode and the internal lead of the lead frame 15 are electrically connected by the thin metal wire 14. Next, the glass frit 18 of the cap 16 is placed on the upper surface of the case together with the glass frit 18 and heated to a temperature of 385 to 390 ° C. to melt the glass frit 18 and hermetically seal it.
【００１６】ここで、ガラスフリット１８はガラスフリ
ット１７，１７ａが４２０℃のときの流動性と同等の流
動性を３９０℃で得られるため、３８５〜３９０℃の封
止が可能となり、アルミニウム配線のアロイ温度４００
〜４２０℃のＩＣチップを搭載した場合にも特性変動や
アルミニウム配線の消失等の不良の発生を抑制すること
ができるという利点がある。Here, since the glass frit 18 can obtain fluidity at 390 ° C. which is equivalent to the fluidity when the glass frit 17, 17a is at 420 ° C., sealing at 385-390 ° C. is possible, and aluminum wiring can be sealed. Alloy temperature 400
Even when an IC chip of up to 420 ° C. is mounted, there is an advantage that occurrence of defects such as characteristic fluctuation and loss of aluminum wiring can be suppressed.
【００１７】図３は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【００１８】図３に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の表面に高流動性のガラスフリット
１８をスクリーン印刷し焼成してケースを形成し、キャ
ップ１６の封着面には低流動性のガラスフリット１７ａ
のみを設けた以外は第１の実施例と同様の構成を有して
おり、３８５〜３９０℃で封止可能である。As shown in FIG. 3, a high-flow glass frit 18 is screen-printed on the surface of the glass frit 17 including the lead frame 15 provided on the low-flow glass frit 17 and fired. Is formed on the sealing surface of the cap 16 with a glass frit 17a having low fluidity.
It has the same configuration as that of the first embodiment except that only this is provided, and can be sealed at 385 to 390 ° C.
【００１９】図４は本発明の第３の実施例を示す断面図
である。FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
【００２０】図４に示すように、セラミック基板１３の
凹部上段の水平面に設けた低流動性のガラスフリット１
７の上に高流動性のガラスフリット１８ａをスクリーン
印刷し、焼成して形成し、ガラスフリット１８ａ上にリ
ードフレーム１５を加熱圧着して接合した以外は第１の
実施例と同様の構成を有している。As shown in FIG. 4, a low-flow glass frit 1 provided on a horizontal surface above a concave portion of a ceramic substrate 13.
7 has a configuration similar to that of the first embodiment, except that a high-fluid glass frit 18a is screen-printed, fired and formed, and the lead frame 15 is bonded on the glass frit 18a by thermocompression bonding. doing.
【００２１】図５は本発明の第４の実施例を示す断面図
である。FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.
【００２２】図５に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷して焼成し、更にガラスフリット
１７ｂの上に高流動性のガラスフリット１８をスクリー
ン印刷し焼成して設けた以外は第２の実施例と同様の構
成を有している。As shown in FIG. 5, a low-flow glass frit 1 is placed on a glass frit 17 including a lead frame 15 provided on the low-flow glass frit 17.
7b is screen-printed and fired, and a high-fluid glass frit 18 is screen-printed and fired on the glass frit 17b.
【００２３】ここで、ガラスフリット１８はリードフレ
ームと直接接していないためガラスフリット１８の導電
率が高い場合でも半導体装置のリード間のリーク電流を
増加させることがないという利点がある。Here, since the glass frit 18 is not in direct contact with the lead frame, there is an advantage that the leakage current between the leads of the semiconductor device does not increase even when the conductivity of the glass frit 18 is high.
【００２４】図６は本発明の第５の実施例を示す断面図
である。FIG. 6 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.
【００２５】図６に示すように、低流動性のガラスフリ
ット１７上に接合して設けたリードフレーム１５を含む
ガラスフリット１７の上に低流動性のガラスフリット１
７ｂをスクリーン印刷し、焼成してケースを形成した以
外は第１の実施例と同様の構成を有しており、第４の実
施例と同様に低流動性のガラスフリット１８がリードフ
レーム１５に直接接することが無い。As shown in FIG. 6, the low-flow glass frit 1 is placed on the glass frit 17 including the lead frame 15 provided on the low-flow glass frit 17.
7b has the same configuration as that of the first embodiment except that a case is formed by screen printing and baking, and a low-fluid glass frit 18 is attached to the lead frame 15 similarly to the fourth embodiment. There is no direct contact.
【００２６】なお、ガラスフリット１８の代りに例えば
日本電気硝子製のＬＳ１４０１（商品コード）等のＰｂ
Ｆ2 系硝子のガラスフリットを使用して良く、３５５〜
３６０℃の低い温度の封止が可能である。Instead of the glass frit 18, for example, Pb such as LS1401 (product code) manufactured by NEC Corporation
Often using a glass frit F 2 based glass, 355～
Sealing at a low temperature of 360 ° C. is possible.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ケースに
設けたリードフレームを含む低流動性の第１のガラスフ
リットの上又はキャップに設けた低流動性の第２のガラ
スフリットの上のいずれかに高流動性の第３のガラスフ
リットを設けることにより、搭載するＩＣチップのアロ
イ温度以下の低温封止を可能とし、半導体チップの特性
変動やアルミニウム配線の断線等の発生を防止し、半導
体装置の信頼性を向上させるという効果を有する。As described above, the present invention can be applied to a low-flow first glass frit including a lead frame provided in a case or a low-flow second glass frit provided to a cap. By providing a third glass frit having high fluidity in any of them, it is possible to seal the IC chip to be mounted at a low temperature equal to or lower than the alloy temperature, to prevent fluctuations in characteristics of the semiconductor chip and disconnection of the aluminum wiring, etc. This has the effect of improving the reliability of the semiconductor device.
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明のガラス封止型ＩＣ用パッケージの使用
例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of use of the glass-sealed IC package of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第５の実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.
【図７】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージの一例を
示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing an example of a conventional glass-sealed IC package.
【図８】従来のガラス封止型ＩＣ用パッケージの使用例
を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an example of use of a conventional glass-sealed IC package.
１１ ＩＣチップ １２ メタライズ層 １３ セラミック基板 １４ 金属細線 １５ リードフレーム １６ キャップ １７，１７ａ，１７ｂ，１８，１８ａ，２７，２７ａ
ガラスフリットDESCRIPTION OF SYMBOLS 11 IC chip 12 Metallized layer 13 Ceramic substrate 14 Fine metal wire 15 Lead frame 16 Cap 17, 17a, 17b, 18, 18a, 27, 27a
Glass frit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 盆子原 學 東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−89347（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−90550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−168247（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor: Manabu Bonshihara 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Inside NEC Corporation (56) References JP-A-64-89347 (JP, A) JP-A Hei 2-90550 (JP, A) JP-A-61-168247 (JP, A)
Claims (5)
ミック基板の前記凹部外縁上の接合面に低流動性の第１
のガラスフリットを設けこの第１のガラスフリット上に
接合したリードフレームを有するケースと、前記セラミ
ック基板の外縁部に対応する接合面に低流動性の第２の
ガラスフリットを設けたキャップとを備えたガラス封止
型ＩＣ用パッケージにおいて、前記ケースの前記リード
フレーム又は前記キャップの第２のガラスフリットのい
ずれかの上にパッケージを気密封止するための高流動性
の第３のガラスフリットを設けたことを特徴とするガラ
ス封止型ＩＣ用パッケージ。1. A low-fluidity first surface on a bonding surface on an outer edge of a concave portion of a ceramic substrate provided with a concave portion for mounting an element in a central portion.
Comprising of a casing having a lead frame glass frit provided was bonded to the first glass frit on, and a cap having a second glass frit of low fluidity in the bonding surface corresponding to the outer edge of the ceramic substrate and the glass-sealed type package IC, and the lead frame or the second high fluidity of the third glass frit for hermetically sealing the package on either of the glass frit of the cap of the case A package for a glass-sealed IC, wherein the package is provided.
ドフレーム上にこの第１のガラスフリットと同じガラス
フリットを設けた請求項１記載のガラス封止型ＩＣ用パ
ッケージ。2. The glass-sealed IC package according to claim 1 , wherein the same glass frit as the first glass frit is provided on a lead frame on the first glass frit of the case.
ミック基板の前記凹部外縁上の接合面に低流動性の第１
のガラスフリットと高流動性の第３のガラスフリットと
を積層し、この第３のガラスフリット上に接合してリー
ドフレームを設けたケースと、前記セラミック基板の外
縁部に対応する接合面に低流動性の第２のガラスフリッ
トと高流動性の第３のガラスフリットとを積層して設け
たキャップとを有することを特徴とするガラス封止型Ｉ
Ｃ用パッケージ。3. A low- fluidity first surface having a low flowability on a bonding surface on an outer edge of the concave portion of a ceramic substrate provided with a concave portion for mounting an element in a central portion.
And the third glass frit with high fluidity
It was laminated, the third and the case was only set a rie <br/> lead frame bonded on a glass frit, low fluidity of the second glass frit bonding surface corresponding to the outer edge of the ceramic substrate And a third glass frit having high fluidity are laminated and provided.
Glass-sealed I characterized by having a cap
Package for C.
2 Ｏ3 系硝子である請求項１，２又は３記載のガラス封
止型ＩＣ用パッケージ。4. The base material glass of the glass frit is PbO-B
The glass-sealed IC package according to claim 1, wherein the package is a 2 O 3 glass.
ｂＦ2 系硝子である請求項１，２又は３記載のガラス封
止型ＩＣ用パッケージ。5. The base glass of high fluidity glass frit is P
4. The glass-sealed IC package according to claim 1, wherein the package is a bF 2 glass.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014634A JP2701550B2 (en) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | Glass sealed IC package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014634A JP2701550B2 (en) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | Glass sealed IC package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254356A JPH04254356A (en) | 1992-09-09 |
| JP2701550B2 true JP2701550B2 (en) | 1998-01-21 |
Family
ID=11866632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014634A Expired - Lifetime JP2701550B2 (en) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | Glass sealed IC package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701550B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168247A (en) * | 1985-01-19 | 1986-07-29 | Nec Kansai Ltd | Ceramic package |
| JPS6489347A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JP2646700B2 (en) * | 1988-09-27 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | Semiconductor device package |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3014634A patent/JP2701550B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04254356A (en) | 1992-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |