JP2700979B2 - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JP2700979B2 JP2700979B2 JP4280647A JP28064792A JP2700979B2 JP 2700979 B2 JP2700979 B2 JP 2700979B2 JP 4280647 A JP4280647 A JP 4280647A JP 28064792 A JP28064792 A JP 28064792A JP 2700979 B2 JP2700979 B2 JP 2700979B2
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- heating
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- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は排ガス処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】焼却炉等から排出される排ガス中にはダ
イオキシンナ等の有害なガスが含まれている。このよう
な有害ガスの多くは、約１３００℃の高温で加熱するこ
とにより無害化できることが知られている。
イオキシンナ等の有害なガスが含まれている。このよう
な有害ガスの多くは、約１３００℃の高温で加熱するこ
とにより無害化できることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
はこのような高温まで排ガスを加熱することは難しく、
そのため有効な排ガス対策が採れない問題があった。本
発明は上記した従来技術の問題点を解決することを目的
とする。
はこのような高温まで排ガスを加熱することは難しく、
そのため有効な排ガス対策が採れない問題があった。本
発明は上記した従来技術の問題点を解決することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の排ガス処理装置は、排ガスを導入する円筒形
状の加熱炉と、該加熱炉の内部に所定の隙間を空けてほ
ぼ同心に設けられた上部開放の円筒体と、加熱炉の底部
に設けられ、加熱炉の断面円形の接線方向にほぼ平行に
前記隙間に排ガスを導入して、排ガスが前記隙間におい
て回転上昇運動するように設けられた排ガス導入口と、
該加熱炉内部と該円筒体とを加熱する加熱装置であっ
て、加熱炉の底部に前記排ガス導入口のほぼ反対側に設
けられ、加熱炉の断面円形の接線方向にほぼ平行に前記
隙間に加熱ガスを噴出する加熱バーナと、前記円筒体の
開放上部から円筒体内部にその下端側が所定の隙間を空
けて所定長さ嵌入する上下端開放の円筒体である導出路
と、該導出路に連通し、加熱炉内の高温ガスを冷却して
排気する冷却排出部とを備え、前記加熱炉底部の排ガス
導入路から導入された排ガスが、前記円筒体の周囲を回
りながら上昇し、円筒体の開放上部から円筒体内部を導
入路の周囲を回りながら下降し、更に導入路下端開口か
ら導入路内を上昇し、排ガスが上記上昇、下降、上昇を
繰返す間に燃焼される、ことを特徴とする。
に本発明の排ガス処理装置は、排ガスを導入する円筒形
状の加熱炉と、該加熱炉の内部に所定の隙間を空けてほ
ぼ同心に設けられた上部開放の円筒体と、加熱炉の底部
に設けられ、加熱炉の断面円形の接線方向にほぼ平行に
前記隙間に排ガスを導入して、排ガスが前記隙間におい
て回転上昇運動するように設けられた排ガス導入口と、
該加熱炉内部と該円筒体とを加熱する加熱装置であっ
て、加熱炉の底部に前記排ガス導入口のほぼ反対側に設
けられ、加熱炉の断面円形の接線方向にほぼ平行に前記
隙間に加熱ガスを噴出する加熱バーナと、前記円筒体の
開放上部から円筒体内部にその下端側が所定の隙間を空
けて所定長さ嵌入する上下端開放の円筒体である導出路
と、該導出路に連通し、加熱炉内の高温ガスを冷却して
排気する冷却排出部とを備え、前記加熱炉底部の排ガス
導入路から導入された排ガスが、前記円筒体の周囲を回
りながら上昇し、円筒体の開放上部から円筒体内部を導
入路の周囲を回りながら下降し、更に導入路下端開口か
ら導入路内を上昇し、排ガスが上記上昇、下降、上昇を
繰返す間に燃焼される、ことを特徴とする。
【０００５】
【作用】加熱炉内に導入された排ガスは排ガス導入口と
加熱バーナの方向及び位置関係により円筒体の周囲を効
果的にかつ円滑に回りながら上昇し、円筒体の開放上部
からその内部に入り下降し、導出路へと移動して上昇す
る。その間に該排ガスは所定温度まで加熱され、含有す
る有害ガスが無害化される。排ガスは導出路から冷却排
出部へと移動し、ここから系外へ排出される。
加熱バーナの方向及び位置関係により円筒体の周囲を効
果的にかつ円滑に回りながら上昇し、円筒体の開放上部
からその内部に入り下降し、導出路へと移動して上昇す
る。その間に該排ガスは所定温度まで加熱され、含有す
る有害ガスが無害化される。排ガスは導出路から冷却排
出部へと移動し、ここから系外へ排出される。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１において、円筒形の加熱炉１の内部に円筒体２
が設置されている。加熱炉１は耐火煉瓦等から構成さ
れ、円筒体２はステンレス鋼又は耐火物から構成されて
いる。円筒体２は加熱炉１とほぼ同心に設置され、加熱
炉１の間に所定の隙間を空けて加熱空間Ｘを形成するよ
うになっている。加熱炉１の上端は開口しており、該加
熱空間Ｘに連通する加熱空間Ｙを形成するようになって
いる。
る。図１において、円筒形の加熱炉１の内部に円筒体２
が設置されている。加熱炉１は耐火煉瓦等から構成さ
れ、円筒体２はステンレス鋼又は耐火物から構成されて
いる。円筒体２は加熱炉１とほぼ同心に設置され、加熱
炉１の間に所定の隙間を空けて加熱空間Ｘを形成するよ
うになっている。加熱炉１の上端は開口しており、該加
熱空間Ｘに連通する加熱空間Ｙを形成するようになって
いる。
【０００７】加熱炉１の下端部には図２に示すように排
ガス入口１０が設けられており、焼却炉等からの排ガス
が導入されるようになっている。排ガス入口１０は図示
するように円形断面の接線方向に形成されており、導入
された排ガスが円筒体２の回りを回転して上昇するよう
に構成されている。
ガス入口１０が設けられており、焼却炉等からの排ガス
が導入されるようになっている。排ガス入口１０は図示
するように円形断面の接線方向に形成されており、導入
された排ガスが円筒体２の回りを回転して上昇するよう
に構成されている。
【０００８】加熱炉１の下端部にはまたＬＰＧバーナ３
が設けられており、その加熱バーナ口３０が加熱空間Ｘ
に開口している。このＬＰＧバーナ３により加熱空間Ｘ
が加熱されると同時に円筒体２も加熱される。加熱温度
は所望の温度によるが、この実施例では１３００℃以上
に加熱して、導入された排ガスを１３００℃以上に加熱
できるように構成されている。ＬＰＧバーナ３の加熱バ
ーナ口３０も同様に接線方向に形成され、排ガスの回転
運動を促進するようになっている。また加熱バーナ口３
０は排ガス入口１０と対称の位置に設けることにより回
転運動を円滑にしている。
が設けられており、その加熱バーナ口３０が加熱空間Ｘ
に開口している。このＬＰＧバーナ３により加熱空間Ｘ
が加熱されると同時に円筒体２も加熱される。加熱温度
は所望の温度によるが、この実施例では１３００℃以上
に加熱して、導入された排ガスを１３００℃以上に加熱
できるように構成されている。ＬＰＧバーナ３の加熱バ
ーナ口３０も同様に接線方向に形成され、排ガスの回転
運動を促進するようになっている。また加熱バーナ口３
０は排ガス入口１０と対称の位置に設けることにより回
転運動を円滑にしている。
【０００９】加熱炉１の上端部には冷却排出部５が設け
られており、この冷却排出部５と加熱炉１の内部を連通
する導出路４が設けられている。該導出路４の下端部は
円筒体２の開放上端から円筒体２の内部に所定長さ嵌入
している。導出路４は上下とも開口する円筒体であり、
円筒体２より径小となっており、円筒体２との間に隙間
を形成するようになっている。加熱空間Ｘを上昇した排
ガスは円筒体２の上端開口から加熱空間Ｙ内部に入り、
導出路４の下端部から導出路４の内部を上昇し、冷却排
出部５へと導かれるようになっている。該導出路４の内
部には加熱格子６が設けられており、ここでカーボンな
どを燃焼させて黒煙の発生を防止するようになってい
る。
られており、この冷却排出部５と加熱炉１の内部を連通
する導出路４が設けられている。該導出路４の下端部は
円筒体２の開放上端から円筒体２の内部に所定長さ嵌入
している。導出路４は上下とも開口する円筒体であり、
円筒体２より径小となっており、円筒体２との間に隙間
を形成するようになっている。加熱空間Ｘを上昇した排
ガスは円筒体２の上端開口から加熱空間Ｙ内部に入り、
導出路４の下端部から導出路４の内部を上昇し、冷却排
出部５へと導かれるようになっている。該導出路４の内
部には加熱格子６が設けられており、ここでカーボンな
どを燃焼させて黒煙の発生を防止するようになってい
る。
【００１０】冷却排出部５は導出路４よりも径大の円筒
体から形成され、その下端部の周囲に複数の冷却エアー
入口５０を形成してある。該冷却エアー入口５０の位置
は導出路４の上端開口より所定距離だけ低い位置になっ
ている。そして、その上端部には排出口５１が設けられ
ており、ここからガスを排出するようになっている。導
出路４から冷却排出部５に入る高温のガスは冷却エアー
入口５０からの冷却エアーにより冷却され、排出口５１
から排出されるように構成されている。
体から形成され、その下端部の周囲に複数の冷却エアー
入口５０を形成してある。該冷却エアー入口５０の位置
は導出路４の上端開口より所定距離だけ低い位置になっ
ている。そして、その上端部には排出口５１が設けられ
ており、ここからガスを排出するようになっている。導
出路４から冷却排出部５に入る高温のガスは冷却エアー
入口５０からの冷却エアーにより冷却され、排出口５１
から排出されるように構成されている。
【００１１】以上の構成において、排ガス入口１０から
導入された排ガスは円筒体２の周囲を回りつつ上昇し、
この間に加熱バーナ口３０からの燃焼ガス、加熱空間Ｘ
内の高温雰囲気及び加熱された円筒体２自体により加熱
され、この実施例では１３００℃以上の高温となる。そ
して、円筒体２の開口から加熱空間Ｙ内に入り導出路４
の下端開口に入る。その間にダイオキシン等の有害物質
は無害化される。
導入された排ガスは円筒体２の周囲を回りつつ上昇し、
この間に加熱バーナ口３０からの燃焼ガス、加熱空間Ｘ
内の高温雰囲気及び加熱された円筒体２自体により加熱
され、この実施例では１３００℃以上の高温となる。そ
して、円筒体２の開口から加熱空間Ｙ内に入り導出路４
の下端開口に入る。その間にダイオキシン等の有害物質
は無害化される。
【００１２】導出路４の内部では加熱格子６によりカー
ボンなどが燃焼し、導出路４を上昇して冷却排出部５に
入る。ここで冷却エアー入口５０からの冷却エアーによ
り冷却され、排出口５１から系外に排出される。
ボンなどが燃焼し、導出路４を上昇して冷却排出部５に
入る。ここで冷却エアー入口５０からの冷却エアーによ
り冷却され、排出口５１から系外に排出される。
【００１３】図３に他の実施例を示す。この実施例では
円筒体２の周囲に螺旋状のスパイラルフィン２０を設け
て、排ガスの回転上昇運動を円滑に行わせるようになっ
ている。また導出路４の下端部を延出し、しかもその内
部に加熱格子６を複数段設けてカーボンの燃焼を促進す
るように構成されている。また更に導出路４の周囲に下
向きのスパイラルフィン４０を設けて、回転下降運動を
促進するようにしても良い。
円筒体２の周囲に螺旋状のスパイラルフィン２０を設け
て、排ガスの回転上昇運動を円滑に行わせるようになっ
ている。また導出路４の下端部を延出し、しかもその内
部に加熱格子６を複数段設けてカーボンの燃焼を促進す
るように構成されている。また更に導出路４の周囲に下
向きのスパイラルフィン４０を設けて、回転下降運動を
促進するようにしても良い。
【００１４】以上説明した構成によれば、排ガス入口１
０から導入された排ガスは円筒体２の周囲を回りながら
上昇し、円筒体２の内部に入り、回転しながら下降する
間に高温に加熱される。そのため、従来不可能であった
１３００℃以上の高温に加熱することができ、ダイオキ
シン等の有害物質を無害化する事が可能になる。また、
加熱格子６によりカーボンの燃焼も促進されるから、黒
煙の発生も少ない等の効果がある。
０から導入された排ガスは円筒体２の周囲を回りながら
上昇し、円筒体２の内部に入り、回転しながら下降する
間に高温に加熱される。そのため、従来不可能であった
１３００℃以上の高温に加熱することができ、ダイオキ
シン等の有害物質を無害化する事が可能になる。また、
加熱格子６によりカーボンの燃焼も促進されるから、黒
煙の発生も少ない等の効果がある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の排ガス処理
装置は、排ガスを導入する円筒形状の加熱炉と、該加熱
炉の内部に所定の隙間を空けてほぼ同心に設けられた上
部開放の円筒体と、加熱炉の底部に設けられ、加熱炉の
断面円形の接線方向にほぼ平行に前記隙間に排ガスを導
入して、排ガスが前記隙間において回転上昇運動するよ
うに設けられた排ガス導入口と、該加熱炉内部と該円筒
体とを加熱する加熱装置であって、加熱炉の底部に前記
排ガス導入口のほぼ反対側に設けられ、加熱炉の断面円
形の接線方向にほぼ平行に前記隙間に加熱ガスを噴出す
る加熱バーナと、前記円筒体の開放上部から円筒体内部
にその下端側が所定の隙間を空けて所定長さ嵌入する上
下端開放の円筒体である導出路と、該導出路に連通し、
加熱炉内の高温ガスを冷却して排気する冷却排出部とを
備え、前記加熱炉底部の排ガス導入路から導入された排
ガスが、前記円筒体の周囲を回りながら上昇し、円筒体
の開放上部から円筒体内部を導入路の周囲を回りながら
下降し、更に導入路下端開口から導入路内を上昇し、排
ガスが上記上昇、下降、上昇を繰返す間に燃焼される、
ことを特徴とするため、排ガスを高温加熱することが出
来、有害物質を効果的に処理できる。
装置は、排ガスを導入する円筒形状の加熱炉と、該加熱
炉の内部に所定の隙間を空けてほぼ同心に設けられた上
部開放の円筒体と、加熱炉の底部に設けられ、加熱炉の
断面円形の接線方向にほぼ平行に前記隙間に排ガスを導
入して、排ガスが前記隙間において回転上昇運動するよ
うに設けられた排ガス導入口と、該加熱炉内部と該円筒
体とを加熱する加熱装置であって、加熱炉の底部に前記
排ガス導入口のほぼ反対側に設けられ、加熱炉の断面円
形の接線方向にほぼ平行に前記隙間に加熱ガスを噴出す
る加熱バーナと、前記円筒体の開放上部から円筒体内部
にその下端側が所定の隙間を空けて所定長さ嵌入する上
下端開放の円筒体である導出路と、該導出路に連通し、
加熱炉内の高温ガスを冷却して排気する冷却排出部とを
備え、前記加熱炉底部の排ガス導入路から導入された排
ガスが、前記円筒体の周囲を回りながら上昇し、円筒体
の開放上部から円筒体内部を導入路の周囲を回りながら
下降し、更に導入路下端開口から導入路内を上昇し、排
ガスが上記上昇、下降、上昇を繰返す間に燃焼される、
ことを特徴とするため、排ガスを高温加熱することが出
来、有害物質を効果的に処理できる。
【図１】本発明の一実施例を示す正断面図。
【図２】本発明の一実施例を示す平断面図。
【図３】本発明の他の実施例を示す正断面図。
１：加熱炉、２：円筒体、３：ＬＰＧバーナ、４：導出
路、５：冷却排出部、６：加熱格子、１０：排ガス入
口、２０：スパイラルフィン２０、３０：加熱バーナ
口、５０：冷却エアー入口、５１：排出口。
路、５：冷却排出部、６：加熱格子、１０：排ガス入
口、２０：スパイラルフィン２０、３０：加熱バーナ
口、５０：冷却エアー入口、５１：排出口。
Claims (3)
- 【請求項１】 排ガスを導入する円筒形状の加熱炉と、 該加熱炉の内部に所定の隙間を空けてほぼ同心に設けら
れた上部開放の円筒体と、 加熱炉の底部に設けられ、加熱炉の断面円形の接線方向
にほぼ平行に前記隙間に排ガスを導入して、排ガスが前
記隙間において回転上昇運動するように設けられた排ガ
ス導入口と、 該加熱炉内部と該円筒体とを加熱する加熱装置であっ
て、加熱炉の底部に前記排ガス導入口のほぼ反対側に設
けられ、加熱炉の断面円形の接線方向にほぼ平行に前記
隙間に加熱ガスを噴出する加熱バーナと、 前記円筒体の開放上部から円筒体内部にその下端側が所
定の隙間を空けて所定長さ嵌入する上下端開放の円筒体
である導出路と、 該導出路に連通し、加熱炉内の高温ガスを冷却して排気
する冷却排出部と、を備え； 前記加熱炉底部の排ガス導入路から導入された排ガス
が、前記円筒体の周囲を回りながら上昇し、円筒体の開
放上部から円筒体内部を導入路の周囲を回りながら下降
し、更に導入路下端開口から導入路内を上昇し、排ガス
が上記上昇、下降、上昇を繰返す間に燃焼される、 こ とを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】前記冷却排出部が、前記導出路よりも径大
の筒体であり、該導出路は冷却排出部に所定距離貫入
し、該冷却排出部の下端部から空気を導入して、導出路
からの高温ガスを冷却しつつ、冷却排出部上部からガス
を排出する、 請求項１に記載の排ガス処理装置。 - 【請求項３】前記円筒体の外周囲に螺旋状のスパイラル
フィンを設け、前記排ガスの回転上昇運動を円滑に行わ
せる、 請求項１に記載の排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280647A JP2700979B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280647A JP2700979B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 排ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109224A JPH06109224A (ja) | 1994-04-19 |
| JP2700979B2 true JP2700979B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=17627974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4280647A Expired - Fee Related JP2700979B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2700979B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101282045B1 (ko) | 2011-11-09 | 2013-07-04 | 김일상 | 배기가스 완전연소 정화장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395411B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2003-08-27 | 김선미 | 고주파 유도 가열을 이용한 고열로 |
| JP6409026B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2018-10-17 | 合同会社信越バイオエナジー | サイクロン燃焼装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4725434U (ja) * | 1971-04-13 | 1972-11-22 | ||
| JPS544581U (ja) * | 1977-06-14 | 1979-01-12 | ||
| JPS582520A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-08 | Daido Steel Co Ltd | 廃ガス焼却炉 |
| JPH0261410A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-03-01 | Ryoji Yamada | 二次燃焼装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4280647A patent/JP2700979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101282045B1 (ko) | 2011-11-09 | 2013-07-04 | 김일상 | 배기가스 완전연소 정화장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06109224A (ja) | 1994-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |