JP2698181B2 - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents

Method for manufacturing thin-film magnetic head

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JP2698181B2 JP18990889A JP18990889A JP2698181B2 JP 2698181 B2 JP2698181 B2 JP 2698181B2 JP 18990889 A JP18990889 A JP 18990889A JP 18990889 A JP18990889 A JP 18990889A JP 2698181 B2 JP2698181 B2 JP 2698181B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、ウエハ
ーから切断して得られたバー状のヘッド集合体に対し、
両切断面を同時に研磨する研磨工程を施すことにより、
エア・ベアリング・サーフェース(以下ABS面と称す
る)の平面度及びギャップ深さのバラツキの小さい薄膜
磁気ヘッドが得られるようにしたものである。
The present invention relates to a method for manufacturing a thin-film magnetic head, and relates to a bar-shaped head aggregate obtained by cutting from a wafer.
By performing the polishing process of polishing both cut surfaces simultaneously,
It is intended to obtain a thin-film magnetic head having small variations in flatness and gap depth of an air bearing surface (hereinafter, referred to as an ABS surface).

<従来の技術> 第6図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示してい
る。まず、第6図(a)に示すように、1面側に多数の
薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを格子状に整列したウエハー
1を製造する。ウエハー1は、例えばAl2O3・TiC等のセ
ラミック構造体で構成されていて、薄膜磁気ヘッド要素
Q1〜Qnは、Al2O3等の絶縁膜を介して、ウエハー1の1
面側に形成されている。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、
周知のように、フォトリソグラフィを主体とした高精度
パターン形成技術によって形成される。第7図に薄膜磁
気ヘッド要素Q1〜Qnの拡大断面図を示す。第7図におい
て、ウエハー1はAl2O3・TiCでなる基体1aの表面にAl2O
3でなる絶縁膜1bを被着させ、この絶縁膜1bの上に、薄
膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを形成してある。薄膜磁気ヘッ
ド要素Q1〜Qnは、下部磁性膜2、ギャップ膜3、上部磁
性膜4、導体コイル膜5及び層間絶縁膜6の薄膜積層構
造を有し、全体をAl2O3等の保護膜7によって被覆した
構造となっている。
<Prior Art> FIG. 6 shows a manufacturing process of a conventional thin film magnetic head. First, as shown in FIG. 6 (a), a number of thin-film magnetic head elements Q 1 to Q n to produce a wafer 1 aligned in a grid pattern on one surface side. The wafer 1 is made of a ceramic structure such as Al 2 O 3 .TiC, for example.
Q 1 to Q n are connected to one of the wafers 1 via an insulating film such as Al 2 O 3.
It is formed on the surface side. The thin-film magnetic head elements Q 1 to Q n are:
As is well known, it is formed by a high-precision pattern forming technique mainly using photolithography. Shows an enlarged cross-sectional view of a thin film magnetic head elements Q 1 to Q n in Figure 7. The In Figure 7, the surface Al 2 O substrates 1a wafer 1 is made of Al 2 O 3 · TiC
The insulating film 1b made of 3 is deposited, on the insulating film 1b, it is formed a thin film magnetic head elements Q 1 to Q n. Thin-film magnetic head elements Q 1 to Q n are, the lower magnetic film 2, the gap film 3, the upper magnetic layer 4 has a thin film stack of the conductive coil film 5 and the interlayer insulating film 6, the entire Al 2 O 3 or the like The structure is covered with the protective film 7.

次に、再び第6図を参照して説明すると、ウエハー1
を切断位置(X0−X0)〜(Xm−Xm)で列単位で切断し
て、第6図(b)に示すように、複数の薄膜磁気ヘッド
要素Qr1〜Qrqを含むバー状のヘッド集合体Hを取り出
す。ウエハー1は、前述したようなセラミック構造体で
あって、難加工性であることから、その切断に当っては
回転砥石を使用する。
Next, referring again to FIG.
The cutting position (X 0 -X 0) is cut by columns at ~ (X m -X m), as shown in FIG. 6 (b), it includes a plurality of thin-film magnetic head element Q r1 to Q rq The bar-shaped head assembly H is taken out. Since the wafer 1 is a ceramic structure as described above and is difficult to process, a rotating grindstone is used for cutting the wafer.

次に、第6図(c)に示すように、取出されたヘッド
集合体Hの両切断面C1、C2のうち、切断面C2側を治具に
接着し、ABS面となる切断面C1に研削加工を施して、△P
1だけ研削する。
Next, as shown in FIG. 6 (c), of the two cut surfaces C 1 and C 2 of the head assembly H taken out, the cut surface C 2 side is adhered to a jig, and cut into an ABS surface. Grinding the surface C 1
Grind only one .

次に第6図(d)に示すように、薄膜磁気ヘッド要素
Qr1〜Qrqの切断面C1に凹溝101〜104を加工形成する。こ
れにより、ABS面側に、エア.ベアリングとなる2つの
レール部105、106が形成される。
Next, as shown in FIG.
The grooves 101 to 104 is processed and formed on the cut surface C 1 of the Q r1 to Q rq. As a result, the air. Two rail portions 105 and 106 serving as bearings are formed.

次に、第6図(e)に示すように、レール部105、106
の表面105a、106aに、研磨量△P2の表面研磨を施し、要
求される表面性、平面度及びギャップ深さを有するABS
面を形成する。
Next, as shown in FIG.
Surface 105a, the 106a, subjected to surface polishing amount of polishing △ P 2, the required surface properties, ABS with flatness and gap depth of
Form a surface.

次に、テーパー部分を形成する研磨加工を施したの
ち、第6図(f)に示すように、薄膜磁気ヘッド要素Q
r1〜Qrqの各境界部分である切断位置(Y0〜Y0)〜(Yq
〜Yq)で切断して、薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqの各々
を分離する。
Next, after a polishing process for forming a tapered portion is performed, as shown in FIG.
r1 to Q cutting position is the boundary of rq (Y 0 ~Y 0) ~ (Y q
YY q ) to separate each of the thin-film magnetic head elements Q r1 to Q rq .

<発明が解決しようとする課題> しかしながら、上述した従来の製造方法には、次のよ
うな問題点がある。
<Problem to be Solved by the Invention> However, the above-described conventional manufacturing method has the following problems.

(イ)ABS面となる切断面C1と対向している切断面C
2は、切断したままの状態で最終ヘッド形状となる。例
えば、Al2O3・TiC等の難加工性セラミックの回転砥石に
よる切断は、切断の不均一さにより、バー状のヘッド集
合体Hに板厚バラツキと、反り状態(第8図)を発生さ
せる。また、その切断面の表層に不均一な加工変質層を
残す。それに対して、ABS面となる切断面C1は、その後
の研削加工、研磨加工により均一な、加工変質層のない
面を形成する。これらの両面側における加工変質層のア
ンバランス等が原因となって、最終ヘッド形状でのABS
面の平面度は、バラツキが大きく、逆クラウン傾向のも
のとなる。
(B) cutting plane C that is cut surface C 1 opposed to the ABS face
2 is the final head shape as it is cut. For example, cutting of difficult-to-process ceramics such as Al 2 O 3 .TiC with a rotary grindstone causes unevenness in the thickness and warp state (FIG. 8) of the bar-shaped head assembly H due to uneven cutting. Let it. Further, a non-uniform work-affected layer is left on the surface layer of the cut surface. In contrast, the cut surface C 1 of the ABS surface, subsequent grinding, uniform by polishing, to form the free surface affected layer. Due to the unbalance of the deteriorated layer on both sides, ABS in the final head shape
The flatness of the surface varies greatly and tends to be an inverted crown.

(ロ)切断加工後のヘッド集合体Hにおける反り量Pv値
は、0〜5μm程度であり、このヘッド集合体Hの切断
面C2が治具に接着歪のないように接着され、その後の加
工が行なわれると、薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqの各ギ
ャップ深さTh(第7図参照)が不均一になり、最終的に
得られる薄膜磁気ヘッドの磁気特性にバラツキを生じ
る。例えば、第8図に示すように、ヘッド集合体Hに、
ABS面側が凸となる反りを発生していた場合を考える
と、研磨位置Z1に対して、研磨量が中央寄りの薄膜磁気
ヘッド要素で大きくなり、両側で小さくなる。このた
め、薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqの各ギャップ深さTh
(第7図参照)が不均一になってしまうのである。
(B) the warp amount Pv value in the head assembly H after cutting is about 0~5Myuemu, cut surface C 2 of the head assembly H is bonded so as not to adhere strain jig, followed by When machining is performed, it becomes the gap depth Th (7 see figure) uneven thin film magnetic head element Q r1 to Q rq, resulting in variation in magnetic properties of the finally obtained thin-film magnetic head. For example, as shown in FIG.
Considering the case where the ABS side had warped to be convex with respect to the polishing position Z 1, becomes polishing amount is large in the thin film magnetic head element near the center, smaller at both sides. Therefore, the thin film magnetic head element Q r1 to Q each gap rq depth Th
(See FIG. 7) becomes non-uniform.

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解
決し、ABS面の平面度及びギャップ深さのバラツキの小
さい薄膜磁気ヘッドを製造し得る方法を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a method capable of manufacturing a thin-film magnetic head having small variations in the flatness of an ABS surface and the gap depth.

<課題を解決するための手段> 上述する課題解決のため、本発明は、一面側に多数の
薄膜磁気ヘッド要素を整列して形成したウエハーを、前
記薄膜磁気ヘッド要素の列毎に切断して、バー状のヘッ
ド集合体を得る工程と、 前記ヘッド重合体の切断面を研磨する研磨工程と を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記研磨工程は、前記ヘッド集合体の相対する両切断
面を同時に研磨する工程であること を特徴とする。
<Means for Solving the Problems> In order to solve the problems described above, the present invention provides a method in which a wafer formed by aligning a large number of thin film magnetic head elements on one surface side is cut for each row of the thin film magnetic head elements. A step of obtaining a bar-shaped head aggregate; and a polishing step of polishing a cut surface of the head polymer, wherein the polishing step comprises: The process is characterized in that the cut surfaces are simultaneously polished.

<作用> ヘッド集合体の切断面を研磨する研磨工程は、ヘッド
集合体の相対する両切断面を同時に研磨する工程である
ので、板厚バラツキ、反り量、及び両切断面の加工変質
層が同時に減少するように研磨される。このため、ABS
面となる切断面と対向している切断面の加工変質層とAB
S面となる切断面の加工変質層のアンバンランスに起因
するABS面の平面度が小さくなり、バラツキも小さくな
り、正クラウン傾向となる。また、ヘッド集合体の反り
量PV値は、0〜2μm以下に低下させることができた。
<Operation> Since the polishing step of polishing the cut surface of the head assembly is a step of simultaneously polishing both cut surfaces of the head assembly, the thickness variation, the amount of warpage, and the work-affected layer of both cut surfaces are reduced. It is polished to decrease at the same time. For this reason, ABS
AB and AB on the cut surface facing the cut surface
The flatness of the ABS surface due to the unbalance of the work-affected layer on the cut surface serving as the S surface is reduced, the variation is reduced, and the surface tends to have a positive crown. Also, the warpage PV value of the head assembly could be reduced to 0 to 2 μm or less.

これにより、ヘッド集合体の反りが小さくなるので、
同一のバー状のヘッド集合体に含まれる薄膜磁気ヘッド
要素のギャップ深さも均一化される。
This reduces the warpage of the head assembly,
The gap depth of the thin-film magnetic head elements included in the same bar-shaped head assembly is also made uniform.

両切断面の研磨の方法として、特開昭63−113818号公
報では同時研磨ではなく、まず、片面を研削、研磨した
後に裏返して他面を研削、研磨する方法を開示している
が、片面研削、研磨終了後に、研削、研磨された面と、
未だ研削されていない他面との間に加工変質層のアンバ
ランスが発生し、従来と同様の問題を生じる。同時研磨
の場合は、このような問題を生じる余地がない。
As a method of polishing both cut surfaces, JP-A-63-113818 discloses a method in which, instead of simultaneous polishing, first, one side is ground and polished, and then the other side is ground and polished. After finishing grinding and polishing, the ground and polished surface,
An unbalance of the work-affected layer occurs between the other surface that has not been ground yet, and the same problem as in the related art occurs. In the case of simultaneous polishing, there is no room for such a problem.

<実施例> 第1図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す図である。
<Example> FIG. 1 is a view showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention.

まず、第1図(a)に示すように、1面側に多数の薄
膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを格子状に整列したウエハー1
を製造する。
First, as shown in FIG. 1 (a), the wafer 1 a number of thin-film magnetic head elements Q 1 to Q n on one surface side aligned in a lattice form
To manufacture.

次に第1図(b)に示すように、切断位置(X0−X0
〜(Xm−Xm)に沿って、浅溝107を形成しておく。これ
を浅溝工程とする。浅溝107は、第2図に拡大して示す
ように、保護膜7及びウエハー1を構成する絶縁膜1bを
通り、基体1aに達するように形成する。このような浅溝
107があると、次工程のヘッド集合体Hを切出すための
切断工程において、保護膜7にチッピングが入るのを防
止できる。また、両面研磨工程においても保護膜7にチ
ッピングが入るのを防止できる。
Next, as shown in FIG. 1 (b), the cutting position (X 0 -X 0 )
~ Along the (X m -X m), previously formed a shallow groove 107. This is a shallow groove process. The shallow groove 107 is formed so as to reach the base 1a through the protective film 7 and the insulating film 1b constituting the wafer 1 as shown in an enlarged manner in FIG. Such a shallow groove
With 107, it is possible to prevent chipping from entering the protective film 7 in a cutting process for cutting out the head assembly H in the next process. Also, it is possible to prevent chipping from entering the protective film 7 in the double-side polishing step.

次に、ウエハー1を切断位置(X0−X0)〜(Xm−Xm
で列単位で切断して、第1図(c)に示すように、複数
の薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqを含むバー状のヘッド集
合体Hを取り出す。切断位置(X0−X0)〜(Xm−Xm)に
沿って、浅溝107があるので、保護膜7にチッピングが
入るのを防止できる。
Next, the cutting position wafer 1 (X 0 -X 0) ~ (X m -X m)
In cut by columns, as shown in FIG. 1 (c), take out the bar-like head assembly H including a plurality of thin-film magnetic head element Q r1 to Q rq. Along the cutting position (X 0 -X 0) ~ ( X m -X m), there is a shallow groove 107, thereby preventing the chipping from entering the protective film 7.

次に、第1図(d)に示すように、取出されたヘッド
集合体Hの両切断面C1、C2を同時に研磨加工して、△
P3、△P4だけ研磨する。これにより、両切断面C1、C2
表面層に現われている加工変質層、ヘッド集合体Hの板
厚バラツキや反りが同時に減少される。両面研磨に当っ
ては、ヘッド集合体Hの切断面C1、C2の両面に、面回転
する上定盤及び下定盤を所定の圧力で面接触させ、ヘッ
ド集合体を自転させながら、スラリー状の研磨材を供給
して行なう。第3図及び第4図は両面研磨装置の一例を
示している。図において、8は下定盤、9は上定盤、10
は回転軸歯車、11は案内歯車、12はキャリアである。下
定盤8及び上定盤9は互いに逆の方向a、bに軸回転さ
せる。回転軸歯車10は定盤8、9の回転軸O1、O2上にあ
って、上定盤9の回転軸91に結合されている。案内歯車
11は内周面に歯車111が形成してあって、回転軸歯車10
との間に環状間隔を有し、同軸状に配置されている。キ
ャリア12は、外周面に歯車121が設けてあり、また、ヘ
ッド集合体Hを挿入位置決めする孔122が形成されてい
る。キャリア12は外周面に設けた歯車121が回転軸歯車1
0及び案内歯車11に噛み合っている。下定盤8及び上定
盤9が矢印a、bの方向に回転すると、回転軸歯車10が
上定盤9と同方向である矢印b方向に回転し、キャリア
12は案内歯車11によって案内されながら、矢印c方向に
自転すると共に、回転軸歯車10の回りを矢印a方向に公
転する。この自転及び公転運動により、キャリア12の孔
内122内に位置決めされているヘッド集合体Hの両切断
面C1、C2が下定盤8及び上定盤9によって研磨され、第
1図(e)に示すヘッド集合体Hが得られる。この第1
図(e)に示すように、研磨加工は、浅溝107が残るよ
うに形成する。
Next, as shown in FIG. 1 (d), both cut surfaces C 1 and C 2 of the taken out head assembly H are polished at the same time.
Polish only P 3 and ΔP 4 . Thereby, the thickness variation and warpage of the work-affected layer and the head assembly H appearing on the surface layers of both cut surfaces C 1 and C 2 are simultaneously reduced. In the double-side polishing, the upper and lower platens rotating in plane contact with both surfaces of the cut surfaces C 1 and C 2 of the head assembly H at a predetermined pressure, and the slurry is rotated while rotating the head assembly. This is performed by supplying an abrasive in the shape of a circle. 3 and 4 show an example of a double-side polishing apparatus. In the figure, 8 is the lower platen, 9 is the upper platen, 10
Is a rotary shaft gear, 11 is a guide gear, and 12 is a carrier. The lower platen 8 and the upper platen 9 are rotated in directions a and b opposite to each other. The rotating shaft gear 10 is on the rotating shafts O 1 and O 2 of the bases 8 and 9 and is connected to the rotating shaft 91 of the upper base 9. Guide gear
11 has a gear 111 formed on the inner peripheral surface, and a rotating shaft gear 10
, And are coaxially arranged. The carrier 12 is provided with a gear 121 on the outer peripheral surface, and is formed with a hole 122 for inserting and positioning the head assembly H. The carrier 121 has a gear 121 provided on the outer peripheral surface and a rotating shaft gear 1.
0 and the guide gear 11. When the lower platen 8 and the upper platen 9 rotate in the directions of arrows a and b, the rotating shaft gear 10 rotates in the direction of arrow b, which is the same direction as the upper platen 9, and the carrier
While being guided by the guide gear 11, the wheel 12 rotates in the direction of arrow c and revolves around the rotary shaft gear 10 in the direction of arrow a. Due to the rotation and the revolving motion, both cut surfaces C 1 and C 2 of the head assembly H positioned in the hole 122 of the carrier 12 are polished by the lower platen 8 and the upper platen 9, and FIG. ) Is obtained. This first
As shown in FIG. 5E, the polishing process is performed so that the shallow groove 107 remains.

この後、反り量の減少したヘッド集合体Hの切断面C2
を治具に接着し、ABS面側の切断面C1を研削加工する。
次いで、従来と同様に、薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrq
切断面C1に凹溝101〜104を加工形成して、2つのレール
部105、106を形成(第1図(f))した後、レール部10
5、106の表面105a、106aに研磨量△P6の表面研磨(第1
図(g))を施して、要求される表面性、平面度、ギャ
ップ深さを有するABS面を形成し、次に、第1図(h)
に示すように、薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqの各境界部
分である切断位置(Y0〜Y0)〜(Yq〜Yq)で切断して、
薄膜磁気ヘッド要素Qr1〜Qrqの各々を分離する。
Thereafter, the cut surface C 2 of the head assembly H with the reduced amount of warpage
It was adhered to the jig, grinding the cut surface C 1 of the ABS side.
Then, as in the prior art, a groove 101 to 104 on the cut surface C 1 of the thin-film magnetic head element Q r1 to Q rq processed form, forming two rail portions 105, 106 (FIG. 1 (f)) After that, rail part 10
Surface polishing of the polishing amount △ P 6 on the surfaces 105a, 106a of the 5, 106 (first
(G) to form an ABS surface having the required surface properties, flatness and gap depth, and then to FIG. 1 (h)
As shown in, the cutting position is the boundary portion of the thin film magnetic head element Q r1 ~Q rq (Y 0 ~Y 0) was cleaved with ~ (Y q ~Y q),
Separating each of the thin film magnetic head element Q r1 to Q rq.

本発明の効果について、具体的実施例を上げて説明す
る。まず、本発明に係る製造工程において、研磨工程の
条件を次のように設定した。研磨材スラリーとしては、
1〜3μmの粒径を有すダイヤモンド粒子と、ポリエチ
レングリコールと、水とを混合したものを使用した。下
定盤8及び上定盤9は、Cu定盤を使用した。更に、ヘッ
ド集合体Hに対する加工圧は、100〜200g/cm2に設定し
た。
The effects of the present invention will be described with reference to specific examples. First, in the manufacturing process according to the present invention, the conditions of the polishing process were set as follows. As an abrasive slurry,
A mixture of diamond particles having a particle size of 1 to 3 μm, polyethylene glycol, and water was used. The lower surface plate 8 and the upper surface plate 9 used a Cu surface plate. Further, the processing pressure for the head assembly H was set to 100 to 200 g / cm 2 .

上記の研磨条件で、浅溝工程、両面研磨工程を導入し
て薄膜磁気ヘッドを形成し、ABS面平面度PV値を測定し
たところ、次の結果が得られた。
Under the above polishing conditions, a shallow groove process and a double-side polishing process were introduced to form a thin-film magnetic head, and the ABS plane flatness PV value was measured. The following results were obtained.

n=70pcs ABS面平面度PV値の平均値;22.0nm 同標準偏差値;3.46nm ABS面逆クラウン発生率;13% これに対して、従来の製造方法において、薄膜磁気ヘ
ッドを形成したところ、次の結果が得られた。
n = 70pcs Average value of the ABS plane flatness PV value; 22.0nm Same standard deviation value; 3.46nm ABS surface reverse crown occurrence rate; 13% In contrast, when the thin film magnetic head was formed by the conventional manufacturing method, The following results were obtained.

n=115pcs 反り量PV値の平均値;34.5nm 同標準偏差値;8.11nm ABS面逆クラウン発生率;58% 上述のデータから明らかなように、本発明によれば、
ABS面の平面度のバラツキの小さい薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。
n = 115pcs Average value of warpage amount PV value; 34.5 nm Same standard deviation value; 8.11 nm ABS face reverse crown occurrence rate; 58% As is clear from the above data, according to the present invention,
It is possible to manufacture a thin-film magnetic head having a small variation in the flatness of the ABS surface.

第5図はヘッド集合体間のギャップ深さThの変動特性
を示すグラフである。図において、横軸にヘッド集合体
の番号をとり、縦軸にヘッド集合体におけるボール高Th
の標準偏差をとってある。L1は本発明に係る製造方法に
よって得られたヘッド集合体のデータ、L2は従来の製造
方法によって得られたヘッド集合体のデータである。
FIG. 5 is a graph showing a variation characteristic of the gap depth Th between the head aggregates. In the figure, the horizontal axis represents the number of the head assembly, and the vertical axis represents the ball height Th in the head assembly.
The standard deviation of L 1 is data of the head assembly obtained by the manufacturing method according to the present invention, L 2 is the data of the head assembly obtained by a conventional manufacturing method.

第5図から明らかなように、本発明によれば、ヘッド
集合体間のギャップ深さThのバラツキが小さくなってい
ることが分る。
As is apparent from FIG. 5, according to the present invention, the variation in the gap depth Th between the head aggregates is reduced.

<発明の効果> 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、ヘッド集合体の切断面を研磨する研磨工程
が、ヘッド集合体の相対する両切断面を同時に研磨する
工程となっているから、ABS面の平面度及びギャップ深
さのバラツキの小さい薄膜磁気ヘッドを製造できる。
<Effects of the Invention> As described above, in the method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, the polishing step of polishing the cut surface of the head aggregate includes the step of simultaneously polishing both opposed cut surfaces of the head aggregate. Therefore, it is possible to manufacture a thin-film magnetic head having small variations in the flatness of the ABS surface and the gap depth.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a)〜(h)は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す図、第2図は切断線上に形成される浅溝
の状態を示す拡大図、第3図は本発明に係る製造方法の
実施に使用される研磨装置の1例を示す部分断面図、第
4図は同じく平面断面図、第5図はヘッド集合体間のギ
ャップ深さThの変動特性を示すグラフ、第6図(a)〜
(f)は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図、第
7図は薄膜磁気ヘッド要素の拡大断面図、第8図は従来
の製造方法における問題点を示す図である。 1……ウエハー Q1〜Qn……薄膜磁気ヘッド要素 H……ヘッド集合体 C1、C2……切断面
1 (a) to 1 (h) are views showing a method for manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged view showing a state of a shallow groove formed on a cutting line, and FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example of a polishing apparatus used for carrying out the manufacturing method according to the present invention, FIG. 4 is a plan cross-sectional view thereof, FIG. 5 is a graph showing fluctuation characteristics of a gap depth Th between head assemblies, Fig. 6 (a)-
FIG. 7F is a view showing a conventional method of manufacturing a thin-film magnetic head, FIG. 7 is an enlarged sectional view of a thin-film magnetic head element, and FIG. 8 is a view showing problems in the conventional manufacturing method. 1 Wafers Q 1 to Q n Thin-film magnetic head elements H Head aggregates C 1 , C 2 Cut plane

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片瀬 駿一 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 山下 俊朗 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−113818(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Shunichi Katase 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation (72) Inventor Toshiro Yamashita 1-13-1 Nihombashi, Chuo-ku, Tokyo Inside IDK Corporation (56) References JP-A-63-113818 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】一面側に多数の薄膜磁気ヘッド要素を整列
して形成したウエハーを、前記薄膜磁気ヘッド要素の列
毎に切断して、バー状のヘッド集合体を得る工程と、 前記ヘッド集合体の切断面を研磨する研磨工程と を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記研磨工程は、前記ヘッド集合体の相対する両切断面
を同時に研磨する工程であること を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
A step of cutting a wafer having a plurality of thin-film magnetic head elements arranged on one side thereof in rows for each of the thin-film magnetic head elements to obtain a bar-shaped head assembly; A polishing step of polishing a cut surface of the body, wherein the polishing step is a step of simultaneously polishing both opposing cut surfaces of the head aggregate. A method for manufacturing a magnetic head.
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