JP2696640B2 - Photomultiplier tube protection mechanism - Google Patents
Photomultiplier tube protection mechanismInfo
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ表面検査装置
における光電子増倍管の保護機構に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection mechanism for a photomultiplier tube in a wafer surface inspection apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体のICは、シリコンウエハに配線
パターンを形成して製作される。素材のウエハの表面に
凹凸や異物が存在すると、これが欠陥となってICの品
質が劣化するので、ウエハ表面検査装置により検査され
ている。ウエハ表面検査装置は、配線パターンの微細化
に伴って検出すべき欠陥の大きさが漸次に微小となり、
最近では0.1μm以下の微小欠陥を検査できる装置が
開発されている。2. Description of the Related Art A semiconductor IC is manufactured by forming a wiring pattern on a silicon wafer. If unevenness or foreign matter is present on the surface of the material wafer, it becomes a defect and the quality of the IC deteriorates. Therefore, the wafer is inspected by a wafer surface inspection apparatus. In the wafer surface inspection device, the size of the defect to be detected gradually becomes smaller with the miniaturization of the wiring pattern,
Recently, an apparatus capable of inspecting a minute defect of 0.1 μm or less has been developed.
【0003】図2は上記のウエハ表面検査装置(以下単
に検査装置という)の要部の基本構成を示す。図2(a)
において、検査装置は被検査のウエハ1を装着して回転
するスピンドル22と、これを駆動する駆動部21よりなる
回転機構2、および回転機構2をウエハ1の半径Rの方
向に移動する移動テーブル3を具備する。これに対し
て、レーザ光源41と投光レンズ42よりなる投光系4と、
それぞれ複数の集光レンズ51と光電子増倍管52よりなる
受光系5を設けて構成される。検査においては、予め、
レーザ光源41と各光電子増倍管52に対して所定の電圧を
加圧して、それぞれの動作を安定化する。回転機構2を
点線で示すウエハの着脱位置に停止し、スピンドル22に
ウエハ1を装着し、駆動部21によりウエハ1をθ回転す
る。移動テーブル3によりウエハ1を半径Rの方向に移
動しながら、レーザビームLT をウエハ1の表面に対し
て鉛直に投射する。θ回転とR移動によりウエハ1の表
面はレーザビームLT によりスパイラル状に走査され、
表面の欠陥による散乱光LR が受光系5の各集光レンズ
51により集光され、これが各光電子増倍管52に受光され
て欠陥検出信号が出力される。図2(b) は受光系5の構
成を示す平面図で、ウエハ1の表面欠陥による散乱光L
R は、欠陥の形状などによりその指向性が変動するの
で、できるかぎり多方向で受光することが必要であり、
図ではそれぞれ4個の集光レンズ51a,51b,51c,51d と、
光電子増倍管52a,52b,52c,52d を、レーザビームLT の
投射点に対して対称的に配置してある。この場合、各集
光レンズ51と光電子増倍管52の光軸の方向は、欠陥が良
好に検出できるように、ウエハ1の表面に対して適切な
角度に設定される。FIG. 2 shows a basic configuration of a main part of the above-mentioned wafer surface inspection apparatus (hereinafter simply referred to as an inspection apparatus). Fig. 2 (a)
In the inspection apparatus, a spindle 22 for mounting and rotating the wafer 1 to be inspected, a rotation mechanism 2 including a drive unit 21 for driving the spindle 1, and a moving table for moving the rotation mechanism 2 in the direction of the radius R of the wafer 1 3 is provided. On the other hand, a light projecting system 4 including a laser light source 41 and a light projecting lens 42,
Each is provided with a light receiving system 5 including a plurality of condenser lenses 51 and a photomultiplier tube 52. In the inspection,
A predetermined voltage is applied to the laser light source 41 and each photomultiplier tube 52 to stabilize each operation. The rotation mechanism 2 is stopped at the wafer mounting / detaching position indicated by the dotted line, the wafer 1 is mounted on the spindle 22, and the driving unit 21 rotates the wafer 1 by θ. While moving the wafer 1 in the direction of the radius R by moving table 3, projects vertically the laser beam L T to the surface of the wafer 1. the surface of the wafer 1 by the rotation and R moving θ is scanned spirally by the laser beam L T,
Scattered light L R is each focusing lens of the light receiving system 5 due to defects in the surface
The light is condensed by 51 and is received by each photomultiplier tube 52 to output a defect detection signal. FIG. 2B is a plan view showing the configuration of the light receiving system 5, wherein the scattered light L due to a surface defect of the wafer 1 is shown.
Since the directivity of R varies depending on the shape of the defect, it is necessary to receive light in as many directions as possible.
In the figure, four condenser lenses 51a, 51b, 51c, and 51d, respectively,
Photomultiplier tubes 52a, 52b, 52c, and 52 d, are symmetrically arranged with respect to the projection point of the laser beam L T. In this case, the directions of the optical axes of the condenser lenses 51 and the photomultiplier tubes 52 are set at appropriate angles with respect to the surface of the wafer 1 so that defects can be detected well.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】さて図3において、回
転機構2はウエハの着脱位置に停止しているとする。レ
ーザ光源41はつねに動作しているので、これより出力さ
れたレーザビームLT は、回転機構2が着脱位置に停止
中、移動テーブル3の表面に投射されて反射光Ls を反
射する。この反射光Ls は受光系5のいずれかの集光レ
ンズ51に、直接入力するか、または光学系を構成する他
の部品を経由して間接的に入力して集光され、光電子増
倍管52に入射する。元来、光電子増倍管52は電圧の加圧
または無加圧にかかわらず、入射光により性能が劣化す
るもので、従って劣化防止のためには検査時以外には極
力、無用な光の入射を避けることが是非とも必要とされ
ている。このために、移動テーブル3の表面を梨地など
の乱反射面に加工するとか、光拡散板を設けるとか、ま
たは黒色の無反射面に塗装するとかの種々の方法が実験
された。しかし、なにぶんにもレーザビームLT の強度
は非常に強いため、上記の各種の反射防止方法はいずれ
も不完全で、劣化防止効果が挙がらないことが判明し
た。そこで、移動テーブル3の手前で、受光系5に入射
しない方向にレーザビームLT を反射する方法が有効と
考えられる。ただし、ウエハの検査に支障しないことが
必要である。この発明は以上の考えにより、回転機構2
が検査位置にあるときはウエハ検査に支障せず、着脱位
置にあるとき、レーザビームLT を受光系5に入射しな
い方向に反射して、光電子増倍管52の無用な劣化を防止
する保護機構を提供することを目的とする。In FIG. 3, it is assumed that the rotating mechanism 2 is stopped at the wafer mounting / detaching position. Since the laser light source 41 is always operated, the laser beam L T output from this rotation mechanism 2 is stopped in the detachable position, reflecting the projected by reflected light L s to the surface of the moving table 3. To one of the condenser lens 51 of the reflected light L s is the light receiving system 5, type directly, or indirectly input through the other components of the optical system is focused, photomultiplier The light enters the tube 52. Originally, the performance of the photomultiplier tube 52 deteriorates due to incident light regardless of whether voltage is applied or not. Therefore, in order to prevent deterioration, the use of unnecessary light is minimized except during inspection. It is absolutely necessary to avoid. For this purpose, various methods have been tested, such as processing the surface of the moving table 3 into a diffusely reflecting surface such as satin finish, providing a light diffusing plate, or painting a black non-reflective surface. However, since very strong intensity of the laser beam L T is also how many minutes, the anti-reflection method above various Any incomplete, it was found that deterioration preventing effect is not rise. Therefore, in front of the moving table 3, a method for reflecting the laser beam L T in a direction not incident to the light receiving system 5 is considered valid. However, it is necessary not to hinder the inspection of the wafer. According to the present invention, the rotation mechanism 2
There does not interfere with the wafer inspection when in the test position, when in the mounting and dismounting position, the protection to reflect the laser beam L T in a direction not incident to the light receiving system 5, to prevent unnecessary deterioration of the photomultiplier tube 52 The purpose is to provide a mechanism.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成する光電子増倍管の保護機構であって、上記のウエ
ハ表面検査装置の回転機構が着脱位置にあるとき、投光
系よりのレーザビームを受光して、受光系に入射しない
水平方向に反射する反射器を、回転機構の駆動部に取り
付けたものである。According to the present invention, there is provided a protection mechanism for a photomultiplier tube which achieves the above-mentioned object. A reflector that receives a laser beam and reflects the laser beam in a horizontal direction that does not enter the light receiving system is attached to a drive unit of a rotating mechanism.
【0006】[0006]
【作用】上記の保護機構においては、回転機構の駆動部
に取り付けられた反射器は、回転機構がウエハの着脱位
置にあるとき、鉛直方向のレーザビームを受光して水平
方向に反射する。一方、受光系は上方にあるため、この
反射光は入射せず、光電子増倍管の劣化が防止される。
ウエハの検査においては、反射器は駆動部とともに移動
し、検査位置においてレーザビームがウエハに投射され
るので、反射器は検査に支障しない。In the above protection mechanism, the reflector attached to the drive unit of the rotation mechanism receives the laser beam in the vertical direction and reflects the laser beam in the horizontal direction when the rotation mechanism is at the wafer mounting / removing position. On the other hand, since the light receiving system is above, the reflected light does not enter and the deterioration of the photomultiplier is prevented.
In wafer inspection, the reflector moves together with the driving unit, and the laser beam is projected on the wafer at the inspection position, so that the reflector does not hinder the inspection.
【0007】[0007]
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す。(a) にお
けるウエハ表面検査装置は前記した図2と同一のものと
し、図3と同様にウエハ1の着脱位置にあるとする。な
お、図2と同一部品には同一番号を付与し、各部の動作
の再説明は省略する。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The wafer surface inspection apparatus in FIG. 3A is the same as that in FIG. 2 described above, and is assumed to be at the mounting / detaching position of the wafer 1 as in FIG. The same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description of the operation of each part is omitted.
【0008】図1(a) において、回転機構2の駆動部21
にブラケット23を設け、その先端付近のレーザビームL
T に対応する位置に反射器6を取り付ける。(b) は反射
器6の垂直断面図で、(イ) と(ロ) の二例を示す。二例と
も適当な金属の円筒を用い、その中心にレーザビームL
T が入射する入射孔61を穿孔する。(イ) の場合は、入射
孔61の下部に中心軸に対して45°の傾斜角を有する反
射平面62を形成し、レーザビームLT を水平方向に反射
する。(ロ) の場合は、球面などの反射曲面63とし、やは
り水平方向に反射する。これらの反射平面62、反射曲面
63には良好な反射率は必要ないが、しかし乱反射しない
ことが必要である。なぜなら、もし乱反射するときは、
その一部が上方に向かって受光系5に入射する危険があ
るからである。以上により回転機構2が着脱位置にある
とき、レーザビームLT は反射器6によりほとんどが水
平方向に反射され、一部が上方に向かっても入射孔61に
遮ぎられて光電子増倍管52に入射せず、その劣化が防止
される。ウエハ1の検査においては、回転機構2ととも
に反射器6は半径R方向(右方向)に移動するので検査
に支障しない。In FIG. 1A, a driving unit 21 of the rotating mechanism 2 is used.
Is provided with a bracket 23, and the laser beam L near its tip is provided.
The reflector 6 is mounted at a position corresponding to T. (b) is a vertical sectional view of the reflector 6, showing two examples (a) and (b). In both cases, an appropriate metal cylinder was used, and a laser beam L
The entrance hole 61 into which T enters is pierced. For (b), the reflection plane 62 having an inclination angle of 45 ° to the central axis in the lower part of the entrance aperture 61 is formed, for reflecting the laser beam L T in a horizontal direction. In the case of (b), a reflection curved surface 63 such as a spherical surface is used, and the light is also reflected in the horizontal direction. These reflection plane 62, reflection curved surface
63 does not need good reflectivity, but does not need to reflect diffusely. Because, if it is irregularly reflected,
This is because there is a danger that a part of the light will enter the light receiving system 5 upward. When the rotation mechanism 2 is in the mounting and dismounting position by more than, the laser beam L T is mostly reflected in the horizontal direction by the reflector 6, a part is Saegigi is the entrance aperture 61 upward photomultiplier 52 And the deterioration is prevented. In the inspection of the wafer 1, the reflector 6 moves in the radius R direction (right direction) together with the rotating mechanism 2, so that the inspection does not hinder the inspection.
【0009】[0009]
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による光
電子増倍管の保護機構においては、ウエハ表面検査装置
の回転機構の駆動部に反射器を取り付け、回転機構がウ
エハの着脱位置にあるとき、鉛直方向のレーザビームを
反射器が受光して水平方向に反射するので、無用の光が
受光系に入射せず、光電子増倍管の劣化が防止され、ま
た、ウエハの検査においては、反射器は回転機構ととも
に移動して検査に支障しないもので、検査装置の信頼性
の確保に寄与するところが大きい。As described above, in the photomultiplier tube protection mechanism according to the present invention, the reflector is attached to the drive unit of the rotation mechanism of the wafer surface inspection apparatus, and when the rotation mechanism is at the wafer mounting / removing position. Since the reflector receives the laser beam in the vertical direction and reflects it in the horizontal direction, unnecessary light does not enter the light receiving system, preventing deterioration of the photomultiplier tube. The instrument moves together with the rotating mechanism and does not hinder the inspection, and greatly contributes to ensuring the reliability of the inspection apparatus.
【図1】 この発明の一実施例を示し、(a) はウエハ表
面検査装置に対する反射器の取り付け図、(b) は反射器
の垂直断面図をそれぞれ示す。FIGS. 1A and 1B show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a view showing how a reflector is attached to a wafer surface inspection apparatus, and FIG. 1B is a vertical sectional view showing the reflector.
【図2】 ウエハ表面検査装置の基本構成を示し、(a)
は垂直断面図、(b)は受光系の平面図をそれぞれ示す。FIG. 2 shows a basic configuration of a wafer surface inspection apparatus, and (a)
Is a vertical sectional view, and (b) is a plan view of a light receiving system.
【図3】 レーザビームによる光電子増倍管の無用な劣
化の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of unnecessary deterioration of a photomultiplier tube caused by a laser beam.
1…ウエハ、2…回転機構、21…駆動部、22…スピンド
ル、23…ブラケット、3…移動テーブル、4…投光系、
41…レーザ光源、42…投光レンズ、5…受光系、51,51
a,51b,51c,51d…集光レンズ、52,52a,52b,52c,52d…光
電子増倍管、6…反射器、61…入射孔、62…反射平面、
63…反射曲面。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 2 ... Rotating mechanism, 21 ... Drive part, 22 ... Spindle, 23 ... Bracket, 3 ... Moving table, 4 ... Light emitting system,
41: Laser light source, 42: Projection lens, 5: Light receiving system, 51, 51
a, 51b, 51c, 51d: condenser lens, 52, 52a, 52b, 52c, 52d: photomultiplier tube, 6: reflector, 61: entrance hole, 62: reflection plane,
63… Reflection curved surface.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三友 健司 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 日立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 細野 秀利 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 日立電子エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−11135(JP,A) 特開 昭61−17050(JP,A) 特開 平4−151547(JP,A) 特開 平3−100446(JP,A) 特開 昭62−13547(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenji Mitomo 2-6-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hidetoshi Hosono 2-6-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. (56) References JP-A-62-11135 (JP, A) JP-A-61-17050 (JP, A) JP-A-4-151547 (JP, A) JP-A-3-153 100446 (JP, A) JP-A-62-13547 (JP, A)
Claims (1)
るスピンドルと、該スピンドルを回転する駆動部よりな
る回転機構、および該回転機構を該ウエハの着脱位置と
検査位置の間に移動する移動テーブルとを具備し、該着
脱位置で該スピンドルに装着され、該検査位置に移動し
た前記ウエハの表面に対して、レーザビームを鉛直に投
光する投光系と、該表面に存在する異物などの散乱光
を、複数の方向でそれぞれ受光する複数の光電子増倍管
を有する受光系とにより構成されたウエハ表面検査装置
において、前記回転機構の駆動部に取り付けられ、前記
回転機構が前記着脱位置にあるとき、前記投光系よりの
レーザビームを受光して、前記受光系に入射しない水平
方向に反射する反射器を設けたことを特徴とする、光電
子増倍管の保護機構。1. A spindle for horizontally mounting and rotating a wafer to be inspected, a rotation mechanism including a drive unit for rotating the spindle, and moving the rotation mechanism between a mounting / detaching position of the wafer and an inspection position. A light projection system, comprising: a moving table, mounted on the spindle at the attachment / detachment position, and vertically projecting a laser beam onto the surface of the wafer moved to the inspection position; and a foreign substance present on the surface. And a light receiving system having a plurality of photomultiplier tubes that respectively receive scattered light in a plurality of directions. A protection mechanism for a photomultiplier tube, comprising: a reflector that receives a laser beam from the light projecting system when in a position, and reflects the laser beam in a horizontal direction that does not enter the light receiving system.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17381592A JP2696640B2 (en) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Photomultiplier tube protection mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17381592A JP2696640B2 (en) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Photomultiplier tube protection mechanism |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05340886A JPH05340886A (en) | 1993-12-24 |
JP2696640B2 true JP2696640B2 (en) | 1998-01-14 |
Family
ID=15967672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17381592A Expired - Lifetime JP2696640B2 (en) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Photomultiplier tube protection mechanism |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2696640B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4857174B2 (en) * | 2007-04-25 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
JP5604402B2 (en) * | 2011-10-26 | 2014-10-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP17381592A patent/JP2696640B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH05340886A (en) | 1993-12-24 |
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