JP2692707C

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Publication number: JP2692707C
Authority: JP
Original assignee: エアー．プロダクツ．アンド．ケミカルス．インコーポレーテッド
Publication date: 1999-11-02

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【発明の詳細な説明】【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、特に、プラズマに支援される化学気相成長反応器の反応室内の壁や
その他の表面及びその中の工具や装置から二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素を除
去する清掃作業のために、二酸化ケイ素、窒化ケイ素及びその他の物質をプラズ
マエッチ条件下でエッチングすることに関する。【０００２】【従来の技術】半導体産業では、材料をエッチングするためと半導体材料を処理する反応室を
清掃するために種々の化学物質が利用されている。これらのエッチング又は清掃
用化学物質は一般に二つの群に、すなわち湿式化学物質と乾式又はガス状化学物
質に分けられる。半導体産業では、汚染と取扱いの問題のため、湿式化学物質を
使用しなくなっている。半導体産業がエッチング作業と清掃作業のために乾式化
学物質又はガス状化学物質の利用へますます移行するにつれて、そのような物質
の使用後の処分が重要な問題になっている。【０００３】半導体装置を製作する物質をエッチングするためあるいは反応室の壁、工具及
び表面をエッチング及び清掃するためにガス状のエッチング用化学物質を使用す
る際には、必然的に、このガス状化学物質のうちの一部はエッチングあるいは除
去しようとする汚染物又は種と反応せず、そしてこれらの未反応の化学物質は清
掃又はエッチングする間に生成された種々の反応副生物とともに反応室からの排出物として抜き出される。このようなエッチング用及び／又は清掃用の化学物質
の排気はますます監視されるようになっている。例えば、エッチング及び清掃用
に使用される典型的なガス状化学物質には、四フッ化炭素、ヘキサフルオロエタ
ン、三フッ化窒素、そして六フッ化硫黄が含まれる。Ｍａｒｏｕｌｉｓらによる
論文“ＰＦＣｓａｎｄｔｈｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｄｕｓｔ
ｒｙ：ＡＣｌｏｓｅｒＬｏｏｋ”，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ｐｐ．１０７−１１０（１９９４年１１月）で報告され
ているように、可能性を持つこれらのガス状の化学的エッチング剤又は清浄剤の
全てに地球温暖化の可能性がある（すなわちそれらは地球大気の温度上昇を誘発
する）。各国政府や国際条約は、ますます、そのような地球温暖化の可能性のあ
る化学物質の排気を減らすことあるいはなくすことを要求している。【０００４】従って、半導体製造産業の内部に、エッチング及び清掃のために受け入れるこ
とが出来る性能を有するが、副生物又は未反応の化学物質が大気へ排気された場
合に有意の地球温暖化の潜在的源とならない適切なエッチング用及び清掃用の化
学物質の必要性が存在している。【０００５】現在、ガス状のエッチング及び清掃用化学物質についての未解決の問題を解決
する試みは四つのカテゴリーのうちの一つに入れられる。そのカテゴリーという
のは、（１）エッチング及び／又は清掃処理を大気へ放出される地球温暖化の可
能性のある化学物質がより少なくなるように最適化する試み、（２）エッチング
及び／又は清掃用化学物質を大気へ放出することなく適切に処分しあるいは再利
用することができるようにそれらを排気流から再循環する試み、（３）排気流中
のエッチング及び／又は清掃用化学物質を化学反応又は焼却燃焼ボックスにより
取り除き、そして未反応のエッチング及び／又は清掃用化学物質排出物を特に地
球温暖化の可能性に関して害にならないものにする試み、そして最後に、（４）
エッチング及び／又は清掃用途向けに様々な代替品のガス状化学物質を選択しあ
るいは開発するためになされている試みであるが、現時点において、許容できそ
うなものは見いだされていない。【０００６】ＩＢＭＪｏｕｒｎａｌｏｆＲｅｓｅａｒｃｈＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ
，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．１，ｐｐ．３３−４１（１９７９年１月）に見られるＣ
ｏｂｕｒｎらによる論文“ＳｏｍｅＣｈｅｍｉｃａｌＡｓｐｅｃｔｓｏｆ
ｔｈｅＦｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇｏｆ
ＳｉｌｉｃｏｎａｎｄＩｔｓＣｏｍｐｏｕｎｄｓ”において、様々なエッ
チング剤が活性ガス、例えば酸素、水素、窒素、水及びテトラフルオロエテンを
四フッ化炭素とともに使用してケイ素及び二酸化ケイ素をエッチングすることに
ついて研究された。この論文は更に、ケイ素をエッチングするため伝統的なガス
状エッチング化学物質に加えられた酸素ガスの適応性を示している。酸素は、炭
素スキャベンジャーとして認められるので、フッ素対炭素（Ｆ／Ｃ）比を上昇さ
せると報告された。この論文の結論は、高いＳｉＯ₂／Ｓｉエッチング比のため
にはＦ／Ｃ比が低いほうが望ましいということである。分子結合した（ｍｏｌｅ
ｃｕｌａｒｌｙｂｏｕｎｄ）酸素を含む化学物質でケイ素をエッチングするこ
とも、加えた酸素についての実験で研究されたが、酸素は分子結合した酸素を持
つ化学薬剤には加えられなかった。無水トリフルオロ酢酸が、分子結合した酸素
を持つ化学物質の例としてケイ素のプラズマエッチングで研究された。無水トリ
フルオロ酢酸は「中くらい」のケイ素エッチング速度を持つに過ぎないことが報
告された。この論文は、ケイ素及び二酸化ケイ素のエッチングの速度は似ていな
いと十分認められることを示している。【０００７】ＳｔａｎｌｅｙＷｏｌｆら，ＳＩＬＯＣＯＮＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧＦＯ
ＲＴＨＥＶＳＬＩＥＲＡ，ＬａｔｔｉｃｅＰｒｅｓｓ，Ｖｏｌ．１，Ｐ
ｒｏｃｅｓｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｐｐ．５４７−５５０にも、二酸化ケイ
素とケイ素は異なるエッチング特性を有し、そして好ましくは異なるエッチング
化学条件下でエッチングして、こうして報告されたＳｉＯ₂／Ｓｉエッチング比
により表される選択性を可能にすることが記載されている。【０００８】【発明が解決しようとする課題】有意の地球温暖化の可能性のあるエッチング化学物質についての上記の問題が
知られており、そして一般にエッチングするためそして特にケイ素をエッチング
するためにフルオロカーボンを使用すること、特にケイ素をエッチングするのに
無水トリフルオロ酢酸を使用することが知られているにもかかわらず、当該技術
では、半導体製作材料又はプラズマ反応室の壁や表面から二酸化ケイ素及び窒化
ケイ素を除去するのに有用であり、且つエッチング性能に関して有効である一方
で、同時に排出物として大気へ放出された場合に地球温暖化の可能性を低下させ
るガス状のエッチング及び／又は清浄用化学物質を確認するには至っていない。
本発明は、これらの従来技術の欠点を、下記に詳しく記載するように、驚くべき
反応性あるいはエッチング及び清浄性能を有する一方で、未反応の排出化学物質
あるいは反応副生物について地球温暖化の可能性が低くなる一群のエッチング及
び／又は清浄用化学物質を利用することにより克服するものである。【０００９】【課題を解決するための手段】本発明は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケ
イ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそれらの
混合物からなる群より選ばれた物質をエッチング用化学物質を用いてプラズマ反
応条件下でエッチングするための方法であって、トリフルオロ酢酸、無水トリフ
ルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸のトリフルオロメチルエステル、トリフルオロ酢
酸アミド及びそれらの混合物からなる群より選ばれたエッチング用化学物質を使
用することを特徴とするエッチング方法である。【００１０】好ましくは、エッチングはプラズマ反応室で行って反応室の表面から所望され
ない二酸化ケイ素及び／又は窒化ケイ素を除去する。【００１１】好ましくは、エッチング用化学物質はプラズマ反応室へ蒸気あるいはキャリヤ
ガスに同伴された蒸気として導入される。より好ましくは、キャリヤガスはアル
ゴン、ヘリウム、窒素及びそれらの混合物からなる群より選ばれる。【００１２】好ましくは、エッチング用化学物質は酸素と混合される。【００１３】好ましくは、酸素がおよそ０〜５０００スタンダード立方センチメートル／分
（ｓｃｃｍ）の流量で使用される。【００１４】好ましくは、エッチング用化学物質はアルゴン、ヘリウム及びそれらの混合物
からなる群より選ばれたプラズマ安定化ガスと混合される。【００１５】好ましくは、エッチング用化学物質はおよそ１〜５０００スタンダード立方セ
ンチメートル／分（ｓｃｃｍ）の流量で使用される。【００１６】好ましくは、およそ２０〜５０００ワットのプラズマパワーを使ってプラズマ
反応条件を維持する。【００１７】好ましくは、プラズマ反応条件にはおよそ２５〜５００℃の温度が含まれる。【００１８】好ましくは、プラズマ反応条件にはおよそ０．０５〜１０．０ｔｏｒｒ（６．
７〜１３３０Ｐａ）の圧力が含まれる。【００１９】最も好ましくは、エッチング用化学物質は無水トリフルオロ酢酸である。ある
いはまた、エッチング用化学物質はトリフルオロ酢酸である。あるいは更に、エ
ッチング用化学物質はトリフルオロ酢酸のトリフルオロメチルエステルである。【００２０】好ましくは、窒化ケイ素がエッチングされる。【００２１】より好ましくは、本発明は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガ
ラス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた物質を、およそ４００〜２００
０スタンダード立方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、およそ４
００〜２５００スタンダード立方センチメートル／分の酸素流量、およそ６００
〜３５００ワットのプラズマパワー、およそ０．７〜８．０ｔｏｒｒ（９３〜１
０７０Ｐａ）の圧力、そしておよそ３５０〜４２０℃の反応器温度のプラズマ反
応条件下で、無水トリフルオロ酢酸を使ってプラズマ反応室内でエッチングする
ための方法である。【００２２】あるいはまた、本発明は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラ
ス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステ
ン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた物質を、およそ１６００〜２００
０スタンダード立方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、およそ１
６００〜２５００スタンダード立方センチメートル／分の酸素流量、およそ２５
００〜３５００ワットのプラズマパワー、およそ０．７〜２．７ｔｏｒｒ（９３
〜３６０Ｐａ）の圧力、そしておよそ３８０〜４２０℃、好ましくはおよそ４０
０℃の反応器温度のプラズマ反応条件下で、エッチング用化学物質として無水ト
リフルオロ酢酸を使ってプラズマ反応室内でエッチングするための方法である。【００２３】あるいは更に、本発明は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラ
ス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステ
ン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた物質を、およそ４００〜１２００
スタンダード立方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、およそ４０
０〜１２００スタンダード立方センチメートル／分の酸素流量、およそ６００〜
１２００ワットのプラズマパワー、およそ１．５〜８ｔｏｒｒ（２００〜１０７
０Ｐａ）の圧力、そしておよそ３８０〜４２０℃、好ましくはおよそ４００℃の
反応器温度のプラズマ反応条件下で、エッチング用化学物質として無水トリフル
オロ酢酸を使ってプラズマ反応室内でエッチングするための方法である。【００２４】【発明の実施の形態】半導体産業では、半導体製作材料やウェーハ、例えば二酸化ケイ素、窒化ケイ
素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タング
ステン、ケイ化タングステン及びそれらの混合物の層といったようなもの、をエ
ッチングするのに、また、意図しない二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ
酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タ
ングステン汚染物が反応室の内表面やプラズマ反応室内のそのほかの表面、例え
ば工具類、ボート、及び支持具の表面といったものに付着するプラズマ反応室を
清浄にするのに、乾燥したガス状の又は気化したエッチング剤化学物質を使用す
ることが必要とされている。伝統的に、半導体製造産業では、そのようなエッチ
ング及び／又は清掃作業を行うのに四フッ化炭素及びヘキサフルオロエタンが使
用されてきた。つい最近では、エッチング及び／又は清掃用のフルオロカーボン
に取って代わるために三フッ化窒素が利用されている。【００２５】しかしながら、これらの既知のエッチング又は清掃用化学物質の全てには受け
入れることのできない地球温暖化の可能性が、すなわち政府当局や国際条約によ
り認められたように大気へ放出あるいは排出された場合に地球温暖化に対する有
意のあるいは受け入れることのできないレベルの可能性をもたらす可能性がある
。行政上の禁止を認識して、そのようなフルオロカーボン化学物質の一部の工業
的供給源はそのような化学物質の入手を制限しており、これは半導体製造産業に
支障をきたしている。【００２６】本発明の発明者らは、トリフルオロ酢酸、そして無水トリフルオロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸アミド及びトリフルオロ酢酸のトリフルオロメチルエステルを含め
てその種々の誘導体は、半導体製作材料、例えばウェーハといったもの、あるい
はプラズマ反応器の反応室の内表面、工具類及び器具類から、二酸化ケイ素、窒
化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、
タングステン、ケイ化タングステン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた
物質を除去するための受け入れることのできるエッチング及び／又は清掃速度を提供するのに著しく有用である一方で、半導体加工設備又は清掃作業の排気から
の未反応のトリフルオロ酢酸、その誘導体又は副生物が地球温暖化の可能性に有
意に寄与しないということを、思いもよらぬことに確認した。【００２７】トリフルオロ酢酸とその酸素含有誘導体には、分子内に化学的に結合した酸素
を含有しているという有益な性質がある。従って、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、
ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステ
ン、ケイ化タングステン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた物質をエッ
チング及び／又は清掃して、半導体製作材料及び／又はプラズマ反応室の内表面
から、またプラズマ反応室の工具類、支持材表面、架台、ボート等から除去する
ため、トリフルオロ酢酸とその酸素含有誘導体をエッチング及び／又は清掃用化
学物質として工業的に利用することができ、あるいはそれらを別の酸素供給源と
有利に組み合わせることができる。【００２８】トリフルオロ酢酸、そして無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸アミド及
びトリフルオロ酢酸のトリフルオロメチルエステルを含めたその種々の誘導体は
、１）プラズマにより誘発される遊離基を安定化するように働きかねない水素を
ほとんどあるいは少しも含有しないこと、そして２）それらに含有されている酸
素はプラズマ反応において遊離の炭素と反応（Ｆ／Ｃ比を上昇させる）して、所
望されないＣＦ₄、すなわち地球温暖化の可能性のあるガスを生成する遊離フッ
素（活性のエッチング／清掃種）との炭素（ＣＦ₃）の反応を回避することがで
きることとが一緒になるために、既知のエッチング及び清掃用薬剤よりも優れて
いる。【００２９】トリフルオロ酢酸、そして無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸アミド及
びトリフルオロ酢酸のトリフルオロメチルエステルを含めたその種々の誘導体は
、通常のスクラビング技術と化学装置を使用して水でスクラビングすることがで
きる。これは、エッチング又は清掃作業の排出物中のそれらを除去するのが容易
であることからそれらをエッチング及び清掃技術で使用するのを非常に楽にする。【００３０】トリフルオロ酢酸及びその誘導体又は言及された類似物を使ってエッチング及
び／又は清掃を行うために適切なプラズマ反応器の反応室条件を使用することが
できるとは言うものの、本発明の発明者らは、トリフルオロ酢酸及び／又はその
誘導体にとって好ましい流量はおよそ１〜５０００スタンダード立方センチメー
トル／分（ｓｃｃｍ）であり、潜在的に酸素の流量はおよそ０〜５０００スタン
ダード立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）である、ということを見いだした。
エッチング又は清掃のためのプラズマ条件を誘発するのに利用されるパワーは、
好ましくはおよそ２０〜５０００ワットの範囲内である。好ましい反応器の温度
範囲はおよそ２５〜５００℃である。反応器の圧力は好ましくはおよそ０．０５
〜１０．０ｔｏｒｒ（６．７〜１３３０Ｐａ）の範囲内である。温度は、典型的
に３５０〜４２０℃の温度範囲で運転される半導体炉のホットプレートのそれで
あり、一方、反応器の残りはもっと低い温度にあることができよう。無水トリフ
ルオロ酢酸又はその誘導体は同伴キャリヤガスを使用してあるいは使用せずに導
入することができる。無水トリフルオロ酢酸又はその誘導体をキャリヤガスとと
もに、例えばアルゴン、ヘリウム、窒素又はそれらの混合物の如きものとともに
、エッチング又は清掃帯域へ導入することが望ましい。更に、プロセスへ電離エ
ネルギーの高いガス、例えばアルゴン、ヘリウム又はそれらの混合物といったも
のを加えてエッチング又は清掃をする間プラズマ媒体を増強又は安定化すること
が更に望ましい。【００３１】無水トリフルオロ酢酸を使用する実験において、この無水物の流量１０〜４０
ｓｃｃｍ、酸素流量０〜１６０ｓｃｃｍ、およそ１００ワットのプラズマパワー
、そして２５℃の反応器温度で、製作材料を清掃又はエッチングするのに穏当な
エッチング速度が得られた。【００３２】上記の条件下で、ウェーハプレート上に配置した二酸化ケイ素のウェーハにつ
いて最高でおよそ１００オングストローム（１０ｎｍ）／分の二酸化ケイ素エッチング速度が観測された。プラズマ反応室の側壁がある所の近くに配置されたウ
ェーハ上の二酸化ケイ素について、やはり受け入れることのできるエッチング速
度が観測された。【００３３】半導体産業において現在使用されているように典型的なマルチウェーハプロセ
ス炉で本発明が好ましく使用されるプロセス条件には、次のものが含まれる。エッチング用化学物質１６００〜２０００ｓｃｃｍ酸素１６００〜２５００ｓｃｃｍ圧力０．７〜２．７ｔｏｒｒ（９３〜３６０Ｐａ）パワー２５００〜３５００Ｗ温度 ≒４００℃ 【００３４】半導体産業において現在使用されているように典型的な単一ウェーハプロセス
炉で本発明が好ましく使用されるプロセス条件には、次のものが含まれる。エッチング用化学物質４００〜１２００ｓｃｃｍ酸素４００〜１２００ｓｃｃｍ圧力１．５〜８．０ｔｏｒｒ（２００〜１０７０Ｐａ）パワー６００〜１２００Ｗ温度 ≒４００℃ 【００３５】トリフルオロ酢酸とその酸素含有誘導体は、半導体炉及び装置をエッチング及
び清掃するのに工業上標準的なＣ₂Ｆ₆を上回る有意の改良をもたらす。Ｃ₂Ｆ₆は
、利用の割合が小さくて、およそ２０％程度であり、その結果エッチング又は清
掃処理プロセスからおよそ８０％の未反応Ｃ₂Ｆ₆を排気することになる。排出流
中のＣ₂Ｆ₆を減少させることは、それが比較的不活性であることから困難である
。その上、Ｃ₂Ｆ₆はエッチング又は清掃処理を行う間にＣＦ₄を生じさせ、そし
てこれは最高の地球温暖化の可能性のうちの一つを持っている。Ｃ₂Ｆ₆と対照的
に、トリフルオロ酢酸とその酸素含有誘導体は、エッチング又は清掃処理プロセ
スにおいてほぼ完全に利用され、そしてそれらの副生物といずれの未反応物質も水でのスクラビングにより容易に排除される。トリフルオロ酢酸と
その酸素含有誘導体は、エッチング又は清掃処理の間に有意のレベルのＣＦ₄を
生成しないと信じられる。トリフルオロ酢酸又はその酸素含有誘導体とともに酸
素をエッチング又は清掃処理プロセスへ加える場合には、ＣＦ₄副生物が生成す
る可能性は更に一層低減する。【００３６】要約すれば、無水トリフルオロ酢酸がケイ素自体をエッチングする既知の能力
にかかわらず、適当なプラズマ反応条件下で、プラズマ反応室内の目標とするウ
ェーハ上の二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケイ
酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン又はケイ化タングステンをエッチング
するのに、あるいは、プラズマ反応室の内表面や種々の工具類及び器具類からそ
のような物質の汚染をなくしてきれいにするのに、トリフルオロ酢酸及びその誘
導体を有利に使用することができ、その結果受け入れることのできない地球温暖
化の可能性のある排出種が少なくなるということは、だれにも確認されていなか
った。二酸化ケイ素、窒素ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオロケイ酸塩
ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン又はケイ化タングステンについてのこの思
いも寄らないエッチングの効用は、半導体の製作におけるエッチングと清掃に対
して独自の解決策を提供する一方で、有意の地球温暖化の可能性を持つ化学物質
の排出についての制約を満たす高い自由度をもたらす。半導体の製作に立ちはだ
かる問題に対するこの解決策は、ケイ素と二酸化ケイ素がエッチングに対して異
なる感受性を持つことを認識していた当業者によって以前には認められていなか
ったものである。トリフルオロ酢酸とその誘導体は、好ましくは二酸化ケイ素又
は窒化ケイ素をエッチングし又は清浄にするのに酸素とともに使用される場合に
、受け入れることのできるエッチング又は清浄速度を提供するのに特に有効であ
る一方で、異議を唱えられる地球温暖化の可能性のある排出種の濃度を思いもよ
らぬことに低下させると信じられるが、これは、無水トリフルオロ酢酸との組み
合わせでの酸素の有用性を認識しておらずそして二酸化ケイ素をエッチングする
際にエッチング用化学物質とともに酸素を用いることとは程遠いことを教示して
いる、例えばＣｏｂｕｒｎらのような従来技術の教示と対比されるものである。プラズマ安定化用のガス、例えばヘリウム、アルゴン又はそれらの混合物の如き
ものを使用することも、本発明の利益である。【００３７】本発明を一つ以上の好ましい態様に関して説明してきたが、本発明の正式の範
囲は特許請求の範囲から確認されるべきである。

Claims

【特許請求の範囲】【請求項１】二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フルオ
ロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそれ
らの混合物からなる群より選ばれた物質をエッチング用化学物質を用いてプラズ
マ反応条件下でエッチングして反応室内の表面を清浄にするための方法であって
、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸のトリフルオロ
メチルエステル、トリフルオロ酢酸アミド及びそれらの混合物からなる群より選
ばれたエッチング用化学物質を使用することを特徴とするエッチング方法。【請求項２】前記エッチング用化学物質をプラズマ反応室へ蒸気又はキャリ
ヤガスに同伴された蒸気として導入する、請求項１記載の方法。【請求項３】前記キャリヤガスをアルゴン、ヘリウム、窒素及びそれらの混
合物からなる群より選ぶ、請求項２記載の方法。【請求項４】前記エッチング用化学物質を酸素と混合する、請求項１記載の
方法。【請求項５】前記エッチング用化学物質を０〜５０００スタンダード立方セ
ンチメートル／分（ｓｃｃｍ）の流量の酸素と混合する、請求項１記載の方法。【請求項６】前記エッチング用化学物質をアルゴン、ヘリウム及びそれらの
混合物からなる群より選ばれたプラズマ安定化用ガスと混合する、請求項１記載
の方法。【請求項７】前記エッチング用化学物質を１〜５０００スタンダード立方セ
ンチメートル／分（ｓｃｃｍ）の流量で使用する、請求項１記載の方法。【請求項８】２０〜５０００ワットのプラズマパワーを使って前記プラズマ
反応条件を維持する、請求項１記載の方法。【請求項９】前記プラズマ反応条件に２５〜５００℃の温度が含まれる、請
求項１記載の方法。【請求項１０】前記プラズマ反応条件に０．０５〜１０．０ｔｏｒｒ（６．
７〜１３３０Ｐａ）の圧力が含まれる、請求項１記載の方法。【請求項１１】前記エッチング用化学物質が無水トリフルオロ酢酸である、
請求項１記載の方法。【請求項１２】前記エッチング用化学物質がトリフルオロ酢酸である、請求
項１記載の方法。【請求項１３】前記エッチング用化学物質がトリフルオロ酢酸のトリフルオ
ロメチルエステルである、請求項１記載の方法。【請求項１４】窒化ケイ素がエッチングされる、請求項１記載の方法。【請求項１５】二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フル
オロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそ
れらの混合物からなる群より選ばれた物質を、４００〜２０００スタンダード立
方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、４００〜２５００スタンダ
ード立方センチメートル／分の酸素流量、６００〜３５００ワットのプラズマパ
ワー、０．７〜８．０ｔｏｒｒ（９３〜１０７０Ｐａ）の圧力、そして３５０〜
４２０℃の反応器温度のプラズマ反応条件下で、無水トリフルオロ酢酸を当該エ
ッチング用化学物質として使ってプラズマ反応室内でエッチングして反応室内の
表面を清浄にする方法。【請求項１６】二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フル
オロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそ
れらの混合物からなる群より選ばれた物質を、１６００〜２０００スタンダード
立方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、１６００〜２５００スタ
ンダード立方センチメートル／分の酸素流量、２５００〜３５００ワットのプラ
ズマパワー、０．７〜２．７ｔｏｒｒ（９３〜３６０Ｐａ）の圧力、そして３８
０〜４２０℃の反応器温度のプラズマ反応条件下で、当該エッチング用化学物質
として無水トリフルオロ酢酸を使ってプラズマ反応室内でエッチングして反応室
内の表面を清浄にする方法。【請求項１７】二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ホウリンケイ酸塩ガラス、フル
オロケイ酸塩ガラス、酸窒化ケイ素、タングステン、ケイ化タングステン及びそれらの混合物からなる群より選ばれた物質を、４００〜１２００スタンダード
立方センチメートル／分のエッチング用化学物質流量、４００〜１２００スタン
ダード立方センチメートル／分の酸素流量、６００〜１２００ワットのプラズマ
パワー、１．５〜８ｔｏｒｒ（２００〜１０７０Ｐａ）の圧力、そして３８０〜
４２０℃の反応器温度のプラズマ反応条件下で、当該エッチング用化学物質とし
て無水トリフルオロ酢酸を使ってプラズマ反応室内でエッチングして反応室内の
表面を清浄にする方法。