JP2687464B2 - Semiconductor optical integrated device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は波長可変半導体レーザと、光変調器とを集積
化した半導体光集積素子に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor optical integrated device in which a wavelength tunable semiconductor laser and an optical modulator are integrated.
高密度に多重化した波長分割多重光通信や波長分割光
交換システムにおいては、送信光源として波長可変レー
ザを用いることが有効である。それは多数の光源の波長
間隔が密になった場合でも、容易に波長制御ができるか
らである。ただし、このようなシステムにおいてはレー
ザを直接強度変調した場合の波長チャーピングが、高密
度多重化の妨げとなるため、変調時にも波長チャーピン
グの少ない光変調器を併用する必要がある。このような
光変調器は種々のものが報告されているが、一般に結合
損失が大きいという欠点がある。そこでレーザと光変調
器とを1つの半導体基板上に集積化した光集積素子がい
くつか試作されている。波長可変レーザと光変調器とを
集積化した例はまだ見られないが、それに近い従来例と
して第3図に示したような分布帰還型レーザ(DFBレー
ザ)500と光変調器200を集積化した光集積素子が報告さ
れている。It is effective to use a wavelength tunable laser as a transmission light source in a wavelength division multiplexing optical communication and a wavelength division optical switching system that are densely multiplexed. This is because the wavelength can be easily controlled even when the wavelength intervals of many light sources are close. However, in such a system, since wavelength chirping in the case of directly intensity-modulating a laser hinders high-density multiplexing, it is necessary to use an optical modulator having a small wavelength chirping also during modulation. Although various types of such optical modulators have been reported, they generally have the drawback of large coupling loss. Therefore, several optical integrated devices in which a laser and an optical modulator are integrated on one semiconductor substrate have been manufactured. Although an example of integrating a wavelength tunable laser and an optical modulator has not yet been seen, a distributed feedback laser (DFB laser) 500 and an optical modulator 200 as shown in FIG. Optical integrated devices have been reported.
光集積素子は、DFBレーザ400と光変調器200とが同一
の層構造から成っているため製作が容易である。回折格
子のあるDFBレーザ500の光を、光変調器200への注入電
流を変化させることによって強度変調している。光変調
器200では注入電流がない時には吸収が大きく、注入電
流がある時には利得が生じるため大きな消光比が得られ
ている。この光集積素子について詳しくはエレクトロニ
クス・レターズ誌(M.Yamaguchi他、Electron.Lett.23
190(1987))などに報告されている。一方、波長可変
レーザそのものについてもいくつかの報告例があるが、
中でも電流注入による光ガイド層の屈折率変化を利用し
た波長可変分布ブラッグ反射型レーザ(DBRレーザ)は
広範囲の波長チューニングが可能であるため、最もすぐ
れた波長可変レーザの1つである。この波長可変DBRレ
ーザについて詳しくは本発明者らによってエレクトロニ
クス・レターズ(Electron Lett.23,403,(1987))誌
上ですでに報告されている。The integrated optical device is easy to manufacture because the DFB laser 400 and the optical modulator 200 have the same layer structure. The light of the DFB laser 500 having the diffraction grating is intensity-modulated by changing the injection current to the optical modulator 200. In the optical modulator 200, absorption is large when there is no injection current, and gain occurs when there is injection current, so that a large extinction ratio is obtained. For more information on this integrated optical device, see Electronics Letters (M. Yamaguchi et al., Electron. Lett. 23) .
190 (1987)). On the other hand, there are some reports on the wavelength tunable laser itself.
Among them, the wavelength tunable distributed Bragg reflection laser (DBR laser) that utilizes the change in the refractive index of the optical guide layer due to the current injection is one of the best wavelength tunable lasers because it allows wavelength tuning in a wide range. The details of this tunable DBR laser have already been reported by the present inventors in the magazine Electronic Letters (Electron Lett. 23 , 403, (1987)).
従来例に示したDFBレーザ500と光変調器200の光集積
素子には次のような問題点があった。それは光変調器20
0の端面の反射率を非常に小さく(0.1%以下)おさえる
必要がある点である。したがって、無反射コート膜300
に対する要求が非常に厳しくなり製作が難しかった。一
般にDFBレーザは端面位相のわずかな変化によって発振
波長が大きく変化する。第3図に示したような構造で
は、光変調器200の端面にわずかな反射があると、光変
調器200の電流を変調した時、DFBレーザ500の実効的な
端面位相が変化するため、発振波長が変化する。これは
レーザを直接変調した時の波長チャーピングと同様の影
響をひきおこし、光変調器を集積化した利点がなくなっ
てしまう。実際従来例では特別な変調条件の時にのみ波
長変動が低減されていた。The DFB laser 500 and the optical modulator 200 including the optical modulator 200 shown in the conventional example have the following problems. It is a light modulator 20
This is a point where the reflectance of the end face of 0 must be kept extremely small (0.1% or less). Therefore, the antireflection coating film 300
Was very difficult to manufacture. In general, the oscillation wavelength of a DFB laser changes greatly with a slight change in the end face phase. In the structure as shown in FIG. 3, if there is slight reflection on the end face of the optical modulator 200, the effective end face phase of the DFB laser 500 changes when the current of the optical modulator 200 is modulated. The oscillation wavelength changes. This causes the same effect as the wavelength chirping when the laser is directly modulated, and the advantage of integrating the optical modulator is lost. In fact, in the conventional example, the wavelength fluctuation is reduced only under the special modulation condition.
本発明の目的は波長可変レーザに光変調器を集積化す
るにあたって、変調時にも波長変動が小さくかつ構造が
簡単で製作容易なことを特徴とする半導体光集積素子を
提供することにある。It is an object of the present invention to provide a semiconductor optical integrated device characterized in that, when an optical modulator is integrated in a wavelength tunable laser, the wavelength variation is small even during modulation, and the structure is simple and easy to manufacture.
本発明の半導体光集積素子は、4種類あり、その1つ
は、波長可変半導体レーザと前記半導体レーザの出力光
を強度変調する光変調器とが、1つの半導体基板上に形
成された半導体光集積素子であって、前記半導体レーザ
は、利得を有する活性領域と回折格子を有する分布ブラ
ッグ反射器(DBR)領域とを少くとも含んでおり、前記D
BR領域の実効屈折率が電気的に制御可能であり、かつ前
記光変調器は前記DBR領域に隣接して設けられている構
成となっている。2つめは、上述の半導体光集積素子
で、前記光変調器が前記活性領域と同じ層構造を有し、
かつ電流注入によって強度変調が可能であることを特徴
とする構成になっている。3つめは、2つめと同様上述
の半導体光集積素子の前記DBR領域と前記光変調器とが
同一の光ガイド層を含み、かつ、前記光変調器の前記光
ガイド層に電圧を印加することによって強度変調が可能
であることを特徴とする構成である。そして4つめは、
3つめの前記光ガイド層が多重量子井戸構造から成るこ
とを特徴とする半導体光集積素子である。There are four types of semiconductor optical integrated devices of the present invention, one of which is a semiconductor optical device in which a wavelength tunable semiconductor laser and an optical modulator for intensity-modulating the output light of the semiconductor laser are formed on one semiconductor substrate. An integrated device, wherein the semiconductor laser includes at least an active region having a gain and a distributed Bragg reflector (DBR) region having a diffraction grating,
The effective refractive index of the BR region can be electrically controlled, and the optical modulator is provided adjacent to the DBR region. The second is the above-described semiconductor optical integrated device, wherein the optical modulator has the same layer structure as the active region,
In addition, the structure is characterized in that intensity modulation is possible by current injection. Thirdly, similar to the second one, the DBR region of the semiconductor optical integrated device and the optical modulator include the same optical guide layer, and a voltage is applied to the optical guide layer of the optical modulator. This is a configuration characterized in that intensity modulation is possible by. And the fourth is
The third optical guide layer is a semiconductor optical integrated device characterized by comprising a multiple quantum well structure.
次に図面により本発明の詳細を説明する。 Next, the details of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例を示す斜視図である。
光集積素子は波長可変DBRレーザ100と光変調器200とが
1つの基板111の上に集積化されている。この光集積素
子の特徴は、光変調器200がDBRレーザ100のDBR領域130
に隣接して形成されている点と、光変調器200の層構造
がDBRレーザ200の活性領域110の層構造と同一である点
である。DBRレーザ200の構造は基本的には従来例のとこ
ろで述べたものと同じで、活性領域110,位相制御領域12
0,DBR領域130の3つの領域から成っている。位相制御領
域120とDBR領域130に注入する電流によってレーザの発
振波長を制御できる。レーザ光は活性領域110とDBR領域
130のいずれの側からも出射されるが、ここでは活性領
域110の端面に反射率の高い膜(高反射コート膜)400を
つけることによって出力光の大部分をDBR領域130側から
出射して光変調器200に入射できるようにしてある。DBR
領域130はレーザ光に対して反射器として働くが、この
領域の長さと回折格子1116の深さを適当に調整すること
で光変調器200に入射する光の割合を調整できる。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
In the integrated optical device, a wavelength tunable DBR laser 100 and an optical modulator 200 are integrated on one substrate 111. The feature of this optical integrated device is that the optical modulator 200 has a DBR region 130 of the DBR laser 100.
The layer structure of the optical modulator 200 is the same as the layer structure of the active region 110 of the DBR laser 200. The structure of the DBR laser 200 is basically the same as that described in the conventional example, that is, the active region 110, the phase control region 12
0, DBR area 130 consists of three areas. The oscillation wavelength of the laser can be controlled by the current injected into the phase control region 120 and the DBR region 130. Laser light is active region 110 and DBR region
Although the light is emitted from either side of the 130, most of the output light is emitted from the DBR region 130 side by attaching a film 400 having high reflectance (high-reflection coating film) 400 to the end face of the active region 110 here. The light can be incident on the light modulator 200. DBR
The region 130 acts as a reflector for the laser light, but the ratio of the light incident on the optical modulator 200 can be adjusted by appropriately adjusting the length of this region and the depth of the diffraction grating 1116.
この光集積素子が従来例で述べたDFBレーザと光変調
器の光集積素子より優れているのは次の点による。まず
波長可変動作が可能であること。次に変調時の波長変動
が小さいことである。変調時の波長変動が小さい理由
は、DBRレーザでは発振波長が主としてDBR領域130の回
折格子116の周期で決まっているためである。このため
光変調器200への注入電流を変調して、レーザ光を強度
変調した時、無反射コート膜300の反射率が多少大きく
て1%程度でも、レーザに対してほとんど影響を与えな
い。従ってDFBレーザと光変調器の光集積素子に必要と
されるような厳密な無反射コートは必要ない。上述のよ
うに本実施例のもう一つの特徴は活性領域110と光変調
器200の層構造が同じであることで、これによって動作
が簡単になるという利点がある。以下に具体的な製作手
順と素子特性について述べる。This optical integrated device is superior to the optical integrated devices of the DFB laser and the optical modulator described in the conventional example because of the following points. First of all, the wavelength tunable operation is possible. Next, the wavelength fluctuation during modulation is small. The reason why the wavelength fluctuation during modulation is small is that the oscillation wavelength of the DBR laser is mainly determined by the period of the diffraction grating 116 in the DBR region 130. Therefore, when the injection current to the optical modulator 200 is modulated and the intensity of the laser light is modulated, even if the reflectance of the antireflection coating film 300 is slightly large to about 1%, it hardly affects the laser. Therefore, it is not necessary to have a strict antireflection coating as is required for the optical integrated device of the DFB laser and the optical modulator. As described above, another feature of the present embodiment is that the active region 110 and the optical modulator 200 have the same layer structure, which has the advantage of simplifying the operation. The specific manufacturing procedure and device characteristics will be described below.
まず、n形Inp基板111の上の一部に周期239nmの回折
格子116を形成する。次に液相エピタキシャル成長によ
って、InGaAsP光ガイド層(λg=1.3μm)112、InPエ
ッチストップ層113、InGaAsP活性層(λg=1.54μm)
114、P形InPクラッド層115を順次成長する。次に位相
制御領域120とDBR領域130のクラッド層115と活性層114
を選択的に除去した後、2回目の成長によって全体にP
形InPクラッド層115を形成する。次に、DCPBH形の埋め
込み構造とするためのメサエッチングを行い、3回目の
成長によって埋め込み構造とする。ここではDBRレーザ1
00と光変調器200のいずれも同じ埋め込み構造とした。
次に各領域に電極をつけ、活性領域110の端面にはSiO2/
α−Siの多層膜による反射率の高い膜(高反射コート
膜)400を、光変調器200の端面にはSiN膜による無反射
コート膜300を形成した。反射率はそれぞれ80%と1%
である。各領域の長さはそれぞれ活性領域110が300μ
m、位相制御領域120が100μm、DBR領域130が300μ
m、光変調器200が300μmである。各領域間には中央の
メサ付近を除いて幅20μmの溝を形成し、領域間の電気
的な分離を行った。もちろん光学的には各領域が共通の
光ガイド層112を通して結合している。First, the diffraction grating 116 having a period of 239 nm is formed on a part of the n-type Inp substrate 111. Next, by liquid phase epitaxial growth, an InGaAsP optical guide layer (λ g = 1.3 μm) 112, an InP etch stop layer 113, an InGaAsP active layer (λ g = 1.54 μm)
114 and a P-type InP clad layer 115 are sequentially grown. Next, the clad layer 115 and the active layer 114 of the phase control region 120 and the DBR region 130.
After the selective removal of P,
The InP clad layer 115 is formed. Next, mesa etching is performed to form a DCPBH type embedded structure, and the embedded structure is formed by the third growth. DBR laser here 1
Both 00 and the optical modulator 200 have the same embedded structure.
Next, an electrode is attached to each region, and SiO 2 /
A film (high-reflection coating film) 400 having a high reflectance made of an α-Si multilayer film was formed, and a non-reflection coating film 300 made of a SiN film was formed on the end face of the optical modulator 200. The reflectance is 80% and 1% respectively
It is. The length of each area is 300μ in the active area 110.
m, phase control region 120 is 100 μm, DBR region 130 is 300 μm
m, the optical modulator 200 is 300 μm. A groove having a width of 20 μm was formed between the respective regions except for the vicinity of the central mesa to electrically separate the regions. Of course, optically, the regions are coupled through a common light guide layer 112.
波長可変レーザとしての特性はしきい値が20mA、発振
波長1.55μm付近で制御電流によって4nmの連続波長チ
ューニングが可能であった。DBRレーザ100の各領域の電
流を一定、すなわち光出力と波長を一定としておき、光
変調器200の電流を変調して、変調特性を調べた。消光
比10dB以上で600Mb/Sまでの変調が可能であった。この
時変調による波長変動は、0.05nm以下におさえられてい
た。The characteristics of the tunable laser were that the threshold value was 20 mA, and continuous wavelength tuning of 4 nm was possible by the control current near the oscillation wavelength of 1.55 μm. The current of each region of the DBR laser 100 was kept constant, that is, the optical output and the wavelength were kept constant, and the current of the optical modulator 200 was modulated to examine the modulation characteristics. Modulation up to 600 Mb / S was possible with an extinction ratio of 10 dB or more. At this time, the wavelength variation due to the modulation was suppressed to 0.05 nm or less.
第2図は本発明の第2の実施例を示す光軸方向の断面
を簡略化した図である。DBRB領域130に隣接して光変調
器200がある点は第1の実施例と同じである。第1の実
施例との違いは主として光変調器200の層構造と電圧の
かけ方にある。ここでは光ガイド層112の組成を第1の
実施例と少し変えて禁制帯幅がレーザ光のエネルギーよ
りも若干大きな値(λg=1.45μm)とした。光変調器
200の活性層は除去されている。この組成では、光ガイ
ド層112はレーザ光に対してはほぼ透明であるため、位
相制御領域120やDBR領域130は第1の実施例と同じ働
き、つまり波長可変機能を有している。ここで光変調器
200に逆方向電圧を印加すると、この部分の光ガイド層1
12の吸収端が長波長側にずれるため(フランツ・ケルデ
ッシュ効果)レーザ光を吸収するようになる。したがっ
て、電圧を変調することによって光の強度変調が実現で
きる。ここでもDBRレーザ100の発振波長は光変調器200
から反射光の影響をうけにくいために、変調による波長
変動は非常に小さい。また光変調器200と位相制御領域1
20、DBR領域130が同じ層構造を有しているために製作が
容易である。FIG. 2 is a simplified view of the cross section in the optical axis direction showing the second embodiment of the present invention. The point that the optical modulator 200 is adjacent to the DBRB region 130 is the same as the first embodiment. The difference from the first embodiment is mainly in the layer structure of the optical modulator 200 and how to apply a voltage. Here, the composition of the light guide layer 112 is slightly changed from that of the first embodiment, and the band gap is set to a value slightly larger than the energy of the laser light (λ g = 1.45 μm). Light modulator
200 active layers have been removed. With this composition, since the light guide layer 112 is almost transparent to the laser light, the phase control region 120 and the DBR region 130 have the same function as in the first embodiment, that is, have a wavelength variable function. Where the light modulator
When reverse voltage is applied to 200, the light guide layer 1
Since the absorption edge of 12 shifts to the long wavelength side (Franz-Keldesh effect), it absorbs laser light. Therefore, the intensity modulation of light can be realized by modulating the voltage. Again, the oscillation wavelength of the DBR laser 100 is the optical modulator 200.
Therefore, the wavelength fluctuation due to the modulation is very small because it is hardly affected by the reflected light. Also, the optical modulator 200 and the phase control area 1
20. Since the DBR region 130 has the same layer structure, it is easy to manufacture.
第2の実施例の製作手順は第1の実施例とほぼ同じで
ある。2回目の成長の前に光変調器200の活性層も除去
している点が異なる。やはりDC−PBH形の埋め込み構造
を用いた。DBRレーザ100の特性は第1の実施例とほぼ同
じであった。光変調器200はここでは第1の実施例のよ
うに注入キャリアの寿命時間で変調帯域が制限されない
ため、2Gd/Sまでの変調が可能であった。この時の波長
変動は0.03nm以下であった。The manufacturing procedure of the second embodiment is almost the same as that of the first embodiment. The difference is that the active layer of the optical modulator 200 is also removed before the second growth. Again, a DC-PBH type embedded structure was used. The characteristics of the DBR laser 100 were almost the same as those of the first embodiment. The optical modulator 200 is capable of performing modulation up to 2 Gd / S because the modulation band is not limited by the lifetime of the injected carrier as in the first embodiment. The wavelength fluctuation at this time was 0.03 nm or less.
第3の実施例は図には示していないが、第2の実施例
の光ガイド層112を多重量子井戸構造としたものであ
る。他の構造は第2の実施例と同じである。よく知られ
ているように、多重量子(井戸構造に逆方向電圧を加え
ると、フランツ・ケルディッシュ効果と同様の吸収端の
変化が得られる。したがって第2の実施例と同じように
光変調器の電圧を変調することで光の強度変調ができ、
変調時の波長変動も小さい。ここでは多重量子井戸構造
としてInGaAs(層厚6nm)とInP(層厚10nm)の10層構造
を用いた。井戸層であるInGaAs層は層厚が薄いため、実
効的な吸収端は短波長側(ここでは1.47μm)にずれる
ため、電圧をかけない時には、レーザ光に対してほぼ透
明である。また位相制御領域120とDBR領域130の多重量
子井戸構造光ガイド層では電流注入によって第1および
第2の実効例と同様の波長制御が可能である。Although not shown in the drawing, the third embodiment uses the optical guide layer 112 of the second embodiment having a multiple quantum well structure. The other structure is the same as that of the second embodiment. As is well known, when a reverse voltage is applied to a multiple quantum (well structure, a change in absorption edge similar to the Franz-Keldysh effect is obtained. Therefore, as in the second embodiment, an optical modulator is obtained. The intensity of light can be modulated by modulating the voltage of
Wavelength fluctuation during modulation is also small. Here, a 10-layer structure of InGaAs (layer thickness 6 nm) and InP (layer thickness 10 nm) was used as the multiple quantum well structure. Since the InGaAs layer that is the well layer is thin, the effective absorption edge is shifted to the short wavelength side (here, 1.47 μm), so that it is almost transparent to laser light when no voltage is applied. Further, in the multiple quantum well structure optical guide layer of the phase control region 120 and the DBR region 130, the same wavelength control as in the first and second effective examples can be performed by current injection.
第3の実施例の制作手順は、第2の実施例とほぼ同じ
であるが、多重量子井戸構造の光ガイド層を成長するた
めに、1回目の成長はMOVPE法を用いた点が異ってい
る。特性としてはやはり2Gb/Sの変調で波長変動は0.03n
m以下であった。The manufacturing procedure of the third embodiment is almost the same as that of the second embodiment, except that the MOVPE method is used for the first growth in order to grow the optical guide layer having the multiple quantum well structure. ing. As a characteristic, the wavelength fluctuation is 0.03n with 2Gb / S modulation.
m or less.
以上述べてきた実施例では、DBRレーザの活性領域とD
BR領域の間に位相制御領域が設けられていたが、不連続
的な波長チューニングだけでよい場合には必ずしもなく
てもよい。横モード制御のためにここではすべてDCBPH
形の埋め込み構造を用いたが、例えばリッジガイド構造
等のような他の構造でもよい。またDBRレーザと光変調
器とが別の横モード制御構造であってもよい。成長方法
に関してはここでは主として液相エピタキシャル成長を
用いたが、他の気相成長などを用いても実現可能であ
る。また材料系もInP系だけでなくGaAs系など他の材料
系にも適用できる。In the embodiments described above, the active region of the DBR laser and the D
Although the phase control region is provided between the BR regions, it is not always necessary if only the wavelength tuning is discontinuous. All DCBPH here for lateral mode control
Although a buried structure having a shape is used, other structures such as a ridge guide structure may be used. The DBR laser and the optical modulator may have different transverse mode control structures. Regarding the growth method, liquid phase epitaxial growth was mainly used here, but it is also possible to use other vapor phase growth or the like. Further, the material system is not limited to the InP system and can be applied to other material systems such as GaAs system.
以上述べてきたように本発明によれば、波長可変レー
ザと光変調器とを集積化するにあたって、変調時にも波
長変動が小さく、かつ構造が簡単で製作容易な半導体光
集積素子が実現できる。実際、波長可変DBRレーザとレ
ーザの活性層と同じ層構造を有する光変調器とを集積化
したところ電流変調による600Mb/Sの変調時にも波長変
動は0.05nm以下であった。また他の実施例では、光変調
器を電圧印加型にすることで、2Gd/Sの変調が可能であ
り、波長変動も0.03nm以下であった。As described above, according to the present invention, when integrating a wavelength tunable laser and an optical modulator, it is possible to realize a semiconductor optical integrated device that has a small wavelength variation even during modulation, has a simple structure, and is easy to manufacture. In fact, when a tunable DBR laser and an optical modulator having the same layer structure as the active layer of the laser were integrated, the wavelength variation was 0.05 nm or less even when the current modulation was 600 Mb / S. In another example, the optical modulator was of a voltage-applied type, so that 2 Gd / S modulation was possible and the wavelength variation was 0.03 nm or less.
第1図は第1の実施例を示す斜視図、第2図は第2の実
施例を示す図、第3図は従来例を示す図である。 100……DBRレーザ、200……光変調器、300……無反射コ
ート膜、400……高反射コート膜、500……DFBレーザ、1
10……活性領域、120……位相制御領域、130……DBR領
域、111……基板、112……光ガイド層、113……エッチ
ストップ層、114……活性層、115……クラッド層、116
……回折格子。FIG. 1 is a perspective view showing the first embodiment, FIG. 2 is a view showing the second embodiment, and FIG. 3 is a view showing a conventional example. 100 …… DBR laser, 200 …… Optical modulator, 300 …… Non-reflective coating film, 400 …… High-reflective coating film, 500 …… DFB laser, 1
10 ... Active region, 120 ... Phase control region, 130 ... DBR region, 111 ... Substrate, 112 ... Optical guide layer, 113 ... Etch stop layer, 114 ... Active layer, 115 ... Clad layer, 116
……Diffraction grating.
Claims (1)
の出力光を強度変調する光変調器とが、1つの半導体基
板上に形成された半導体光集積素子であって、前記波長
可変半導体レーザは、利得を有する活性領域と、位相制
御領域と、回折格子を有するブラッグ反射器(DBR)領
域とを少なくとも含んでおり、前記位相制御領域と前記
DBR領域には活性層が存在せず、前記DBR領域の実効屈折
率が電気的に制御可能であり、かつ、前記光変調器は前
記活性領域と同じ層構造及び電流注入用電極を有し、前
記DBR領域に隣接して設けられていることを特徴とする
半導体光集積素子。1. A semiconductor optical integrated device in which a wavelength tunable semiconductor laser and an optical modulator for intensity-modulating the output light of the semiconductor laser are formed on one semiconductor substrate, and the wavelength tunable semiconductor laser comprises: The active region having a gain, the phase control region, and at least a Bragg reflector (DBR) region having a diffraction grating, the phase control region and the
There is no active layer in the DBR region, the effective refractive index of the DBR region can be electrically controlled, and the optical modulator has the same layer structure and the current injection electrode as the active region, A semiconductor optical integrated device, which is provided adjacent to the DBR region.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63193814A JP2687464B2 (en) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | Semiconductor optical integrated device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63193814A JP2687464B2 (en) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | Semiconductor optical integrated device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0242784A JPH0242784A (en) | 1990-02-13 |
JP2687464B2 true JP2687464B2 (en) | 1997-12-08 |
Family
ID=16314204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63193814A Expired - Lifetime JP2687464B2 (en) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | Semiconductor optical integrated device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2687464B2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606119B2 (en) * | 1976-09-30 | 1985-02-15 | 日本電気株式会社 | Composite semiconductor device |
JPS62189785A (en) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Semiconductor device with distributed bragg reflector |
JPS63148692A (en) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Nec Corp | Multiple wave length distribution bragg reflection type semiconductor laser array |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193814A patent/JP2687464B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0242784A (en) | 1990-02-13 |
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