JP2685003B2 - 電力合成器 - Google Patents
電力合成器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多数の高周波電力源か
らの電力を合成して負荷に供給する電力合成器に係わ
り、例えば高周波電力源側と負荷側との間でインピーダ
ンス不整合が発生したときに、これを検出して自動的に
インピーダンス整合を行うようにした電力合成器に関す
る。
らの電力を合成して負荷に供給する電力合成器に係わ
り、例えば高周波電力源側と負荷側との間でインピーダ
ンス不整合が発生したときに、これを検出して自動的に
インピーダンス整合を行うようにした電力合成器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波大電力を送信する送信
装置にあっては、多数の固体化増幅器を並列に動作させ
て、各増幅器からの出力電力を電力合成器により合成し
て負荷に供給することが行われている。
装置にあっては、多数の固体化増幅器を並列に動作させ
て、各増幅器からの出力電力を電力合成器により合成し
て負荷に供給することが行われている。
【０００３】この種の電力合成器としては、ウィルキン
ソン形電力合成器が広く知られている。また、大電力を
扱う場合には、アイソレーション抵抗を持たないλ／４
変成器形電力合成器も用いられている。このような従来
のλ／４変成器形電力合成器の構成を図３および図４に
示す。
ソン形電力合成器が広く知られている。また、大電力を
扱う場合には、アイソレーション抵抗を持たないλ／４
変成器形電力合成器も用いられている。このような従来
のλ／４変成器形電力合成器の構成を図３および図４に
示す。
【０００４】まず、図３に示す電力合成器について説明
すると、この図には二つのマイクロ波電力源の電力を合
成する電力合成器のブロック構成が示されている。
すると、この図には二つのマイクロ波電力源の電力を合
成する電力合成器のブロック構成が示されている。
【０００５】図３において、電力合成器１０１には、入
力端子Ｔ11、Ｔ12と出力端子Ｔ00とが設けられている。
電力合成器１０１の入力端子Ｔ11には例えば電力増幅器
等からなるマイクロ波電力源１０２1 が、その入力端子
Ｔ12にはマイクロ波電力源１０２2 が、それぞれ接続さ
れている。また、電力合成器１０１の出力端子Ｔ00には
負荷１０３が接続されている。負荷１０３は、負荷イン
ピーダンスＺL を有している。また、入力端子Ｔ11、Ｔ
12と出力端子Ｔ00との間にλ／４インピーダンス変成回
路１１１1 、１１１2 をそれぞれ接続することにより、
電力合成器１０１が構成されている。
力端子Ｔ11、Ｔ12と出力端子Ｔ00とが設けられている。
電力合成器１０１の入力端子Ｔ11には例えば電力増幅器
等からなるマイクロ波電力源１０２1 が、その入力端子
Ｔ12にはマイクロ波電力源１０２2 が、それぞれ接続さ
れている。また、電力合成器１０１の出力端子Ｔ00には
負荷１０３が接続されている。負荷１０３は、負荷イン
ピーダンスＺL を有している。また、入力端子Ｔ11、Ｔ
12と出力端子Ｔ00との間にλ／４インピーダンス変成回
路１１１1 、１１１2 をそれぞれ接続することにより、
電力合成器１０１が構成されている。
【０００６】次に、図４に示す電力合成器について説明
すると、この図にはＮ個（Ｎ＝１，２，３，…，Ｎ）の
マイクロ波電力源の電力を合成する電力合成器のブロッ
ク構成が示されている。
すると、この図にはＮ個（Ｎ＝１，２，３，…，Ｎ）の
マイクロ波電力源の電力を合成する電力合成器のブロッ
ク構成が示されている。
【０００７】図４の構成にあっては、電力合成器１０１
にＮ個の入力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、Ｔ1Nが設けら
れている点と、それら入力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、
Ｔ1Nにマイクロ波電力源１０２1 、１０２2 、１０
２3 、…、１０３N がそれぞれ接続されている点と、入
力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、Ｔ1Nと出力端子Ｔ00との
間にλ／４インピーダンス変成回路１１１1 、１１
１2 、、１１１3 、…、１１１ N とが設けられている点
とが、図３の電力合成器と異なるだけである。したがっ
て、図３の電力合成器についての説明をし、これを利用
することにより、図４に示す電力合成器については説明
を省略する。
にＮ個の入力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、Ｔ1Nが設けら
れている点と、それら入力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、
Ｔ1Nにマイクロ波電力源１０２1 、１０２2 、１０
２3 、…、１０３N がそれぞれ接続されている点と、入
力端子Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13、…、Ｔ1Nと出力端子Ｔ00との
間にλ／４インピーダンス変成回路１１１1 、１１
１2 、、１１１3 、…、１１１ N とが設けられている点
とが、図３の電力合成器と異なるだけである。したがっ
て、図３の電力合成器についての説明をし、これを利用
することにより、図４に示す電力合成器については説明
を省略する。
【０００８】図３において、電力合成器１０１は、入力
端子Ｔ11、Ｔ12に接続されているマイクロ波電力源１０
２1 、１０２2 の出力インピーダンスＺ0 と、出力端子
Ｔ0に接続されている負荷１０３の負荷インピーダンス
ＺL とを、λ／４インピーダンス変成回路１１１1 、１
１１2 により整合させている。すなわち、Ｚ0 ＝ＺLと
なるようにしている。ここで上記マイクロ波電力源１０
２1 、１０２2 の出力電力を各々Ｐ0 とすると、出力端
子Ｔ00には倍の電力２Ｐ0 が出力されることになる。
端子Ｔ11、Ｔ12に接続されているマイクロ波電力源１０
２1 、１０２2 の出力インピーダンスＺ0 と、出力端子
Ｔ0に接続されている負荷１０３の負荷インピーダンス
ＺL とを、λ／４インピーダンス変成回路１１１1 、１
１１2 により整合させている。すなわち、Ｚ0 ＝ＺLと
なるようにしている。ここで上記マイクロ波電力源１０
２1 、１０２2 の出力電力を各々Ｐ0 とすると、出力端
子Ｔ00には倍の電力２Ｐ0 が出力されることになる。
【０００９】しかしながら、例えば、入力端子Ｔ11に接
続されるマイクロ波電力源１０２1の出力インピーダン
スが変化した場合、λ／４インピーダンス変成回路１１
１1との間にインピーダンス不整合を起こし、入力端子
Ｔ11に反射電力を生じ、入力端子Ｔ11での定在波（ＶＳ
ＷＲ＝Voltage Standing Wave Ratio ）の悪化を招くと
いう不都合がある。このような場合に、マイクロ波電力
源１０２1 からの出力Ｐ0 が全て伝送されず、合成電力
の低下を招く。また、入力端子Ｔ11における反射電力の
ため、マイクロ波電力源１０２1 の破壊を招くことにな
る。
続されるマイクロ波電力源１０２1の出力インピーダン
スが変化した場合、λ／４インピーダンス変成回路１１
１1との間にインピーダンス不整合を起こし、入力端子
Ｔ11に反射電力を生じ、入力端子Ｔ11での定在波（ＶＳ
ＷＲ＝Voltage Standing Wave Ratio ）の悪化を招くと
いう不都合がある。このような場合に、マイクロ波電力
源１０２1 からの出力Ｐ0 が全て伝送されず、合成電力
の低下を招く。また、入力端子Ｔ11における反射電力の
ため、マイクロ波電力源１０２1 の破壊を招くことにな
る。
【００１０】このような不都合を解消する第１の従来装
置としては、例えば特願昭６３−１６４５１６号公報に
記載されているようなインピーダンス整合装置がある。
このインピーダンス整合装置は、マイクロ波電力源と負
荷との間に方向性結合器とインピーダンス整合器とを直
列接続したものを設け、かつ方向性結合器から得られた
進行波と反射波の各信号をオシロスコープで監視し、オ
シロスコープを見ながら反射波成分が少なくなるように
インピーダンス整合器を手動で調整するようにしたもの
である。これにより、電力増幅源と負荷との間のインピ
ーダンス不整合がなくなり、電力が負荷に伝達されるこ
とになる。
置としては、例えば特願昭６３−１６４５１６号公報に
記載されているようなインピーダンス整合装置がある。
このインピーダンス整合装置は、マイクロ波電力源と負
荷との間に方向性結合器とインピーダンス整合器とを直
列接続したものを設け、かつ方向性結合器から得られた
進行波と反射波の各信号をオシロスコープで監視し、オ
シロスコープを見ながら反射波成分が少なくなるように
インピーダンス整合器を手動で調整するようにしたもの
である。これにより、電力増幅源と負荷との間のインピ
ーダンス不整合がなくなり、電力が負荷に伝達されるこ
とになる。
【００１１】一方、上記不都合を解消する第２の従来装
置としては、例えば特開昭５７−１１８４１２号公報に
記載された高周波電力増幅器がある。この高周波電力増
幅器は、複数のマイクロ波電力源の出力端子と合成器と
の間にそれぞれ方向性結合器を設け、各方向性結合器で
得られる反射電力の内の最大のものが所定の基準値を超
えたときに、マイクロ波電力源の出力電力を制御して出
力段トランジスタが過負荷となるのを防止するようにし
たものである。
置としては、例えば特開昭５７−１１８４１２号公報に
記載された高周波電力増幅器がある。この高周波電力増
幅器は、複数のマイクロ波電力源の出力端子と合成器と
の間にそれぞれ方向性結合器を設け、各方向性結合器で
得られる反射電力の内の最大のものが所定の基準値を超
えたときに、マイクロ波電力源の出力電力を制御して出
力段トランジスタが過負荷となるのを防止するようにし
たものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来装置に
よれば、オシロスコープを見ながら手動でインピーダン
ス整合器を調整する必要があるため、常にオシロスコー
プを見ている必要があり、かつ調整に熟練を要するとい
う欠点があった。
よれば、オシロスコープを見ながら手動でインピーダン
ス整合器を調整する必要があるため、常にオシロスコー
プを見ている必要があり、かつ調整に熟練を要するとい
う欠点があった。
【００１３】一方、上記第２の従来装置によれば、反射
電力が大きくなったときに、マイクロ波電力を低下方向
に制御して出力段トランジスタの破壊を防止するだけで
あるので、全体として出力が低下してしまうという欠点
があった。
電力が大きくなったときに、マイクロ波電力を低下方向
に制御して出力段トランジスタの破壊を防止するだけで
あるので、全体として出力が低下してしまうという欠点
があった。
【００１４】本発明の目的は、インピーダンス不整合に
よる合成電力の低下および反射電力による電力増幅器の
破壊を防ぐことができる電力合成器を提供することにあ
る。
よる合成電力の低下および反射電力による電力増幅器の
破壊を防ぐことができる電力合成器を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、多数の高周波電力源からの電力を合成して負荷に供
給する電力合成器が、（イ）電力源から負荷側に供給さ
れる電力および負荷から電力源側に進行する反射電力と
で定在波比を求め、この定在波比が良好になるような制
御信号を形成する定在波検出回路と、（ロ）可変ダイオ
ードを含んだ集中定数回路で構成され、制御信号を可変
容量ダイオードに印加するようにしてこの制御信号で可
変容量ダイオードの静電容量が変化することにより電力
源と負荷との間でインピーダンス整合を行うインピーダ
ンス補正回路とを具備することを特徴とするものであ
る。
は、多数の高周波電力源からの電力を合成して負荷に供
給する電力合成器が、（イ）電力源から負荷側に供給さ
れる電力および負荷から電力源側に進行する反射電力と
で定在波比を求め、この定在波比が良好になるような制
御信号を形成する定在波検出回路と、（ロ）可変ダイオ
ードを含んだ集中定数回路で構成され、制御信号を可変
容量ダイオードに印加するようにしてこの制御信号で可
変容量ダイオードの静電容量が変化することにより電力
源と負荷との間でインピーダンス整合を行うインピーダ
ンス補正回路とを具備することを特徴とするものであ
る。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】本発明では、合成器内部のインピーダンス
不平衡による反射電力を双方向性結合器等の電力検出手
段で検出し、これらからＶＳＷＲ（定在波比）を検出
し、そのＶＳＷＲに応じたインピーダンス補正信号を形
成し、これによりインピーダンスを補正している。した
がって、電力源と負荷との不整合があっても自動的にイ
ンピーダンス整合がとれるので、負荷に各電力源からの
電力が供給されて、しかも電力源側の最終段トランジス
タ等の破壊がなくなる。
不平衡による反射電力を双方向性結合器等の電力検出手
段で検出し、これらからＶＳＷＲ（定在波比）を検出
し、そのＶＳＷＲに応じたインピーダンス補正信号を形
成し、これによりインピーダンスを補正している。した
がって、電力源と負荷との不整合があっても自動的にイ
ンピーダンス整合がとれるので、負荷に各電力源からの
電力が供給されて、しかも電力源側の最終段トランジス
タ等の破壊がなくなる。
【００２１】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明に係る電力合成器の一実施例
を示すブロック図である。この図で電力合成器１には、
入力端子Ｔ11、Ｔ12と、出力端子Ｔ00とが設けられてい
る。この入力端子Ｔ11には電力源である電力増幅器２1
の出力端子が接続されており、他の入力端子Ｔ12にも電
力源である電力増幅器２2 の出力端子が接続されてい
る。また、電力合成器１の出力端子Ｔ00には、負荷３が
接続されている。電力合成器１は、高周波電力増幅回路
２1 、２2 からの電力を合成して負荷３に供給するよう
になっている。
を示すブロック図である。この図で電力合成器１には、
入力端子Ｔ11、Ｔ12と、出力端子Ｔ00とが設けられてい
る。この入力端子Ｔ11には電力源である電力増幅器２1
の出力端子が接続されており、他の入力端子Ｔ12にも電
力源である電力増幅器２2 の出力端子が接続されてい
る。また、電力合成器１の出力端子Ｔ00には、負荷３が
接続されている。電力合成器１は、高周波電力増幅回路
２1 、２2 からの電力を合成して負荷３に供給するよう
になっている。
【００２３】電力合成器１には、二つの制御手段１
０1 、１０2 と、二つのインピーダンス補正手段１
１1 、１１2 とが設けられている。制御手段１０1 は、
電力増幅器２ 1 から負荷３側に供給される電力および負
荷３から電力増幅器２1 側に進行する反射電力とでＶＳ
ＷＲを求め、このＶＳＷＲに応じた制御信号を形成する
回路である。また、制御手段１０2 は、電力増幅器２2
から負荷３側に供給される電力および負荷３から電力増
幅器２2 側に進行する反射電力とでＶＳＷＲを求め、こ
のＶＳＷＲに応じた制御信号を形成する回路である。さ
らに、インピーダンス補正回路１１1 は、制御手段１０
1 からの制御信号に従ってインピーダンスを変化させて
電力増幅器２1 と負荷３側との間でインピーダンス整合
を行なうようにしたものである。同様に、インピーダン
ス補正回路１１2 は、制御手段１０2 からの制御信号に
従ってインピーダンスを変化させて電力増幅器２2 と負
荷３側との間でインピーダンス整合を行なうようにした
ものである。
０1 、１０2 と、二つのインピーダンス補正手段１
１1 、１１2 とが設けられている。制御手段１０1 は、
電力増幅器２ 1 から負荷３側に供給される電力および負
荷３から電力増幅器２1 側に進行する反射電力とでＶＳ
ＷＲを求め、このＶＳＷＲに応じた制御信号を形成する
回路である。また、制御手段１０2 は、電力増幅器２2
から負荷３側に供給される電力および負荷３から電力増
幅器２2 側に進行する反射電力とでＶＳＷＲを求め、こ
のＶＳＷＲに応じた制御信号を形成する回路である。さ
らに、インピーダンス補正回路１１1 は、制御手段１０
1 からの制御信号に従ってインピーダンスを変化させて
電力増幅器２1 と負荷３側との間でインピーダンス整合
を行なうようにしたものである。同様に、インピーダン
ス補正回路１１2 は、制御手段１０2 からの制御信号に
従ってインピーダンスを変化させて電力増幅器２2 と負
荷３側との間でインピーダンス整合を行なうようにした
ものである。
【００２４】制御手段１０1 は、電力検出器（方向性結
合器）１２1 と、補正信号形成手段（ＶＳＷＲ検出回
路）１３1 とからなる。同様に、制御手段１０2 は、電
力検出器（方向性結合器）１２2 と、補正信号形成手段
（ＶＳＷＲ検出回路）１３2 とからなる。
合器）１２1 と、補正信号形成手段（ＶＳＷＲ検出回
路）１３1 とからなる。同様に、制御手段１０2 は、電
力検出器（方向性結合器）１２2 と、補正信号形成手段
（ＶＳＷＲ検出回路）１３2 とからなる。
【００２５】また、双方向性結合器１２1 とインピーダ
ンス補正回路１１1 とは直列接続されて、入力端子Ｔ11
と出力端子Ｔ00との間に接続されている。また、双方向
性結合器１２1 の出力端子にはＶＳＷＲ検出回路１３1
が接続されている。ＶＳＷＲ検出回路１３1 は、電力増
幅器２1 から負荷３に供給される電力および負荷３から
電力増幅器２1 に進行する反射電力とを検出し、これら
電力で定在波比を求め、この定在波比に応じた制御信号
を形成するようになっており、この制御信号をインピー
ダンス補正回路１１2 に入力している。すなわち、この
制御信号は、例えばインピーダンス補正回路１１ 1 が容
量性を示すことで定在波比が形成されているようであれ
ば、可変容量ダイオードの静電容量が小さくなるような
電圧とする。あるいは、この制御信号は、例えばインピ
ーダンス補正回路１１ 1 が誘導性を示すことで定在波比
が形成されているようであれば、可変容量ダイオードの
静電容量が大きくなるような電圧とする。
ンス補正回路１１1 とは直列接続されて、入力端子Ｔ11
と出力端子Ｔ00との間に接続されている。また、双方向
性結合器１２1 の出力端子にはＶＳＷＲ検出回路１３1
が接続されている。ＶＳＷＲ検出回路１３1 は、電力増
幅器２1 から負荷３に供給される電力および負荷３から
電力増幅器２1 に進行する反射電力とを検出し、これら
電力で定在波比を求め、この定在波比に応じた制御信号
を形成するようになっており、この制御信号をインピー
ダンス補正回路１１2 に入力している。すなわち、この
制御信号は、例えばインピーダンス補正回路１１ 1 が容
量性を示すことで定在波比が形成されているようであれ
ば、可変容量ダイオードの静電容量が小さくなるような
電圧とする。あるいは、この制御信号は、例えばインピ
ーダンス補正回路１１ 1 が誘導性を示すことで定在波比
が形成されているようであれば、可変容量ダイオードの
静電容量が大きくなるような電圧とする。
【００２６】また、双方向性結合器１２2 とインピーダ
ンス補正回路１１2 とは直列接続されて、入力端子Ｔ12
と出力端子Ｔ00との間に接続されている。また、双方向
性結合器１２2 の出力端子にはＶＳＷＲ検出回路１３2
が接続されている。ＶＳＷＲ検出回路１３2 は、電力増
幅器２2 から負荷３に供給される電力および負荷３から
電力増幅器２2 に進行する反射電力とを検出し、これら
電力で定在波比を求め、この定在波比に応じた制御信号
を形成するようになっており、この制御信号をインピー
ダンス補正回路１１2 に入力するようになっている。す
なわち、この制御信号は、例えばインピーダンス補正回
路１１ 2 が容量性を示すことで定在波比が形成されてい
るようであれば、可変容量ダイオードの静電容量が小さ
くなるような電圧とする。あるいは、この制御信号は、
例えばインピーダンス補正回路１１ 2 が誘導性を示すこ
とで定在波比が形成されているようであれば、可変容量
ダイオードの静電容量が大きくなるような電圧とする。
ンス補正回路１１2 とは直列接続されて、入力端子Ｔ12
と出力端子Ｔ00との間に接続されている。また、双方向
性結合器１２2 の出力端子にはＶＳＷＲ検出回路１３2
が接続されている。ＶＳＷＲ検出回路１３2 は、電力増
幅器２2 から負荷３に供給される電力および負荷３から
電力増幅器２2 に進行する反射電力とを検出し、これら
電力で定在波比を求め、この定在波比に応じた制御信号
を形成するようになっており、この制御信号をインピー
ダンス補正回路１１2 に入力するようになっている。す
なわち、この制御信号は、例えばインピーダンス補正回
路１１ 2 が容量性を示すことで定在波比が形成されてい
るようであれば、可変容量ダイオードの静電容量が小さ
くなるような電圧とする。あるいは、この制御信号は、
例えばインピーダンス補正回路１１ 2 が誘導性を示すこ
とで定在波比が形成されているようであれば、可変容量
ダイオードの静電容量が大きくなるような電圧とする。
【００２７】なお、インピーダンス補正回路１１1 また
は１１2 は、例えば、可変容量ダイオードを含む集中定
数回路で構成され、制御信号を可変容量ダイオードに印
加するようにし、この制御信号で可変容量ダイオードの
静電容量が変化することによりインピーダンスを変化さ
せるようにすればよい。
は１１2 は、例えば、可変容量ダイオードを含む集中定
数回路で構成され、制御信号を可変容量ダイオードに印
加するようにし、この制御信号で可変容量ダイオードの
静電容量が変化することによりインピーダンスを変化さ
せるようにすればよい。
【００２８】通常、入力端子Ｔ11、Ｔ12に接続された電
力増幅器２1 、２2 から入力される電力Ｐ0 は、双方向
性結合１２1 、１２2 、インピーダンス補正回路１
１1 、１１2 を介して出力端子Ｔ00から負荷３に供給さ
れる。これにより、負荷３には、合成電力２Ｐ0 が供給
されることになる。
力増幅器２1 、２2 から入力される電力Ｐ0 は、双方向
性結合１２1 、１２2 、インピーダンス補正回路１
１1 、１１2 を介して出力端子Ｔ00から負荷３に供給さ
れる。これにより、負荷３には、合成電力２Ｐ0 が供給
されることになる。
【００２９】次に、一例として、入力端子Ｔ11に接続さ
れる電力増幅器２1 の出力インピーダンスが変化した場
合を考える。その場合、インピーダンス補正回路１１1
と電力増幅器２1 との間にインピーダンス不整合を招
き、双方向性結合器１２1 において入力電力および反射
電力を検出して、これらをＶＳＷＲ検出回路１３1 に供
給する。ＶＳＷＲ検出回路１３1 では、入力電力および
反射電力からＶＳＷＲの悪化を検出し、インピーダンス
補正回路１１1 に反射電力を低減させるような制御信号
を、インピーダンス補正回路１１1 を送出する。こうす
ることにより、入力端子Ｔ11に接続される電力増幅器２
1 の出力インピーダンスが変化しても、常に電力合成器
１の入力端子Ｔ11の点で整合させることができ、合成電
力の低下を防ぐとともに、反射電力の増大による電力増
幅器２1 の破壊を防ぐことが可能になる。
れる電力増幅器２1 の出力インピーダンスが変化した場
合を考える。その場合、インピーダンス補正回路１１1
と電力増幅器２1 との間にインピーダンス不整合を招
き、双方向性結合器１２1 において入力電力および反射
電力を検出して、これらをＶＳＷＲ検出回路１３1 に供
給する。ＶＳＷＲ検出回路１３1 では、入力電力および
反射電力からＶＳＷＲの悪化を検出し、インピーダンス
補正回路１１1 に反射電力を低減させるような制御信号
を、インピーダンス補正回路１１1 を送出する。こうす
ることにより、入力端子Ｔ11に接続される電力増幅器２
1 の出力インピーダンスが変化しても、常に電力合成器
１の入力端子Ｔ11の点で整合させることができ、合成電
力の低下を防ぐとともに、反射電力の増大による電力増
幅器２1 の破壊を防ぐことが可能になる。
【００３０】このように本実施例によれば、電力合成器
の入力端子に接続される電力増幅器の出力インピーダン
スが変化した場合であっても、双方向性結合器１２とＶ
ＳＷＲ検出回路１３によりＶＳＷＲの悪化を検出し、イ
ンピーダンス補正回路１１により入力端子Ｔに接続され
る電力増幅器２のインピーダンス整合をとるため、イン
ピーダンス不整合による電力合成器の内部のインピーダ
ンス不平衡を防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効果がある。
の入力端子に接続される電力増幅器の出力インピーダン
スが変化した場合であっても、双方向性結合器１２とＶ
ＳＷＲ検出回路１３によりＶＳＷＲの悪化を検出し、イ
ンピーダンス補正回路１１により入力端子Ｔに接続され
る電力増幅器２のインピーダンス整合をとるため、イン
ピーダンス不整合による電力合成器の内部のインピーダ
ンス不平衡を防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効果がある。
【００３１】また、本実施例では、入力端子Ｔのインピ
ーダンスを常にかつ自動的に整合させているため、電力
増幅器２への反射電力を防ぎ、反射電力による破壊を常
時かつ自動的に防ぐことができる。
ーダンスを常にかつ自動的に整合させているため、電力
増幅器２への反射電力を防ぎ、反射電力による破壊を常
時かつ自動的に防ぐことができる。
【００３２】次に、図２に、本発明の他の実施例を示
す。この実施例は、複数の電力増幅器２1 、２2 、…、
２N からの電力を電力合成器１ａで合成して負荷３に供
給するようにし、かつ各電力増幅器２1 、２2 、…、２
N の内で出力インピーダンスが変化した場合に自動的に
インピーダンス整合をとり、反射電力を発生させないよ
うにしたものである。要するに、この実施例は、図１の
各構成の要素が電力増幅器２1 、２2 、…、２N 分だけ
設けられたものである点が異なるだけである。したがっ
て、この電力合成器１ａでは、双方向性結合器１２1 と
インピーダンス補正回路１１1 とが直列接続されて入力
端子Ｔ11と出力端子Ｔ00との間に接続されており、双方
向性結合器１２2 とインピーダンス補正回路１１2 とが
直列接続されて入力端子Ｔ12と出力端子Ｔ00との間に接
続されており、双方向性結合器１２N とインピーダンス
補正回路１１N とが直列接続されて入力端子Ｔ1Nと出力
端子Ｔ00との間に接続されている。また、各双方向性結
合器１２1 、１２2 、…、１２N にはＶＳＷＲ検出回路
１３1 、１３2 、…、１３N が接続されている。すなわ
ち、図２の実施例も、第１の実施例と同様な制御手段１
０ 1 、１０ 2 、…、１０ N が設けられている。
す。この実施例は、複数の電力増幅器２1 、２2 、…、
２N からの電力を電力合成器１ａで合成して負荷３に供
給するようにし、かつ各電力増幅器２1 、２2 、…、２
N の内で出力インピーダンスが変化した場合に自動的に
インピーダンス整合をとり、反射電力を発生させないよ
うにしたものである。要するに、この実施例は、図１の
各構成の要素が電力増幅器２1 、２2 、…、２N 分だけ
設けられたものである点が異なるだけである。したがっ
て、この電力合成器１ａでは、双方向性結合器１２1 と
インピーダンス補正回路１１1 とが直列接続されて入力
端子Ｔ11と出力端子Ｔ00との間に接続されており、双方
向性結合器１２2 とインピーダンス補正回路１１2 とが
直列接続されて入力端子Ｔ12と出力端子Ｔ00との間に接
続されており、双方向性結合器１２N とインピーダンス
補正回路１１N とが直列接続されて入力端子Ｔ1Nと出力
端子Ｔ00との間に接続されている。また、各双方向性結
合器１２1 、１２2 、…、１２N にはＶＳＷＲ検出回路
１３1 、１３2 、…、１３N が接続されている。すなわ
ち、図２の実施例も、第１の実施例と同様な制御手段１
０ 1 、１０ 2 、…、１０ N が設けられている。
【００３３】このように構成されており、動作について
は、図１の実施例と全く同一である。この実施例では、
インピーダンス不整合による電力合成器内部のインピー
ダンス不平衡を自動的に防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効
果がある。またこの実施例では、入力端子でのインピー
ダンスを常に整合させるため、電力増幅器への反射電力
を防ぎ、反射電力による破壊の自動的にかつ瞬時に防ぐ
ことができる。
は、図１の実施例と全く同一である。この実施例では、
インピーダンス不整合による電力合成器内部のインピー
ダンス不平衡を自動的に防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効
果がある。またこの実施例では、入力端子でのインピー
ダンスを常に整合させるため、電力増幅器への反射電力
を防ぎ、反射電力による破壊の自動的にかつ瞬時に防ぐ
ことができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、進行電力および反射電力とで得られた定在
波比に応じてこの定在波比が良好になるような制御信号
を形成し、かつこの制御信号に従って可変容量ダイオー
ドの静電容量が変化させて電力源と負荷との間でインピ
ーダンス整合を行うようにしたので、インピーダンス不
整合による電力合成器内部のインピーダンス不平衡を自
動的に防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効果がある。また、
本発明によれば、インピーダンスを常に整合させるた
め、電力増幅器への反射電力を常に防止し、反射電力に
よる破壊を自動的にかつ瞬時に防ぐことができる。
明によれば、進行電力および反射電力とで得られた定在
波比に応じてこの定在波比が良好になるような制御信号
を形成し、かつこの制御信号に従って可変容量ダイオー
ドの静電容量が変化させて電力源と負荷との間でインピ
ーダンス整合を行うようにしたので、インピーダンス不
整合による電力合成器内部のインピーダンス不平衡を自
動的に防ぎ、合成電力の低下を防ぐ効果がある。また、
本発明によれば、インピーダンスを常に整合させるた
め、電力増幅器への反射電力を常に防止し、反射電力に
よる破壊を自動的にかつ瞬時に防ぐことができる。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】従来の電力合成器を示すブロック図である。
【図４】従来の他の電力合成器を示すブロック図であ
る。
る。
１、１ａ 電力合成器 ２1 、２2 、…、２N 電力増幅器 ３ 負荷 １０1 、１０2 、…、１０N 制御手段 １１1 、１１2 、…、１１N インピーダンス補正回路 １２1 、１２2 、…、１２N 双方向性結合器 １３1 、１３2 、…、１３N ＶＳＷＲ検出回路 Ｔ00 出力端子 Ｔ11、Ｔ12、…、Ｔ1N 入力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 多数の高周波電力源からの電力を合成し
て負荷に供給する電力合成器であって、前記電力源から
負荷側に供給される電力および負荷から電力源側に進行
する反射電力とで定在波比を求め、この定在波比が良好
になるような制御信号を形成する定在波検出回路と、可変ダイオードを含んだ集中定数回路で構成され、前記
制御信号を可変容量ダイオードに印加するようにしてこ
の制御信号で可変容量ダイオードの静電容量が変化する
ことにより前記電力源と負荷との間でインピーダンス整
合を行うインピーダンス補正回路 とを具備することを特
徴とする電力合成器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6285462A JP2685003B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 電力合成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6285462A JP2685003B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 電力合成器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148951A JPH08148951A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2685003B2 true JP2685003B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=17691832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6285462A Expired - Lifetime JP2685003B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 電力合成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685003B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE426266T1 (de) * | 2002-12-12 | 2009-04-15 | Nxp Bv | Linearitatskonservierung eines leistungsverstarkers ohne isolator durch dynamische anpassung von verstarkung und phase |
| DE60332867D1 (de) * | 2002-12-12 | 2010-07-15 | Nxp Bv | Erhaltung der linearität eines isolatorfreien leistungsverstärkers durch dynamisches umschalten aktiver bauelemente |
| US7138861B2 (en) * | 2004-12-29 | 2006-11-21 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Load mismatch adaptation in coupler-based amplifiers |
| US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
| JP5913029B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-04-27 | シャープ株式会社 | 無線回路および無線回路の制御方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123817A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-18 | Standard Kogyo Kk | Circuit for protecting final transistor of radio transmitter |
| JPS5428544A (en) * | 1977-08-05 | 1979-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | Device for automatically matching impedance |
| JPH0254628A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 送信共用器 |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6285462A patent/JP2685003B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08148951A (ja) | 1996-06-07 |
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