JP2684752B2 - Extended storage control method - Google Patents
Extended storage control methodInfo
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- JP2684752B2 JP2684752B2 JP1053634A JP5363489A JP2684752B2 JP 2684752 B2 JP2684752 B2 JP 2684752B2 JP 1053634 A JP1053634 A JP 1053634A JP 5363489 A JP5363489 A JP 5363489A JP 2684752 B2 JP2684752 B2 JP 2684752B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は拡張記憶装置と接続されるメモリアクセス制
御装置の拡張記憶制御方式に関するものである。The present invention relates to an extended storage control system of a memory access control device connected to an extended storage device.
[従来の技術] 従来、主記憶装置と拡張記憶装置とに接続されたメモ
リアクセス制御装置においては、要求元からのリクエス
トが拡張記憶装置と主記憶装置間の転送(例えば、ペー
ジ単位など)であった時、各々次の二つの処理に別けて
行うのが一般的であった。[Prior Art] Conventionally, in a memory access control device connected to a main storage device and an extension storage device, a request from a request source is transferred (for example, in page units) between the extension storage device and the main storage device. At that time, it was general to perform the following two processes separately.
拡張記憶装置から主記憶装置への転送リクエストのケ
ースでは、 (1−a)拡張記憶装置からの読み出し処理 (1−b)主記憶装置への書き込み処理 主記憶装置から拡張記憶装置への転送リクエストのケ
ースでは、 (2−a)主記憶装置からの読み出し処理 (2−b)拡張記憶装置への書き込み処理 上記の場合、拡張記憶装置への読み出し、書き込み処
理は、主記憶装置としか接続されていないメモリアクセ
ス制御装置と比べて、当然、拡張記憶装置とのインタフ
ェース並びに専用の制御回路を用いて行われる。また、
上記(1−b)並びに(2−a)の処理においては、一
般的には転送単位は、主記憶装置のアクセス単位に比較
して大きい。そのため、複数の主記憶装置に対するリー
ドリクエスト,ライトリクエストに分解して行い、その
処理を行う専用のポートを持つ必要が発生した。そのた
め、リクエスト受付ポート数が増え、即ちHW(ハードウ
ェア)量が増え、なおかつ、ポート数が増えたことによ
り、制御が複雑となり、主記憶装置のビジーチェックの
ディレイタイムも厳しくなった。In the case of a transfer request from the expanded storage device to the main storage device, (1-a) read processing from the expanded storage device (1-b) write processing to the main storage device A transfer request from the main storage device to the expanded storage device In the above case, (2-a) read processing from the main storage device (2-b) write processing to the extended storage device In the above case, the read / write processing to the extended storage device is connected only to the main storage device. As compared with a memory access control device that does not have a memory access control device, it is naturally performed using an interface with an extended storage device and a dedicated control circuit. Also,
In the above processes (1-b) and (2-a), the transfer unit is generally larger than the access unit of the main storage device. For this reason, it is necessary to have a dedicated port for performing the processing by decomposing into read requests and write requests for a plurality of main storage devices. Therefore, the number of request receiving ports has increased, that is, the amount of HW (hardware) has increased, and since the number of ports has increased, the control becomes complicated and the delay time of the busy check of the main storage device becomes severe.
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来の拡張記憶制御方式は、拡張記憶装置処
理用のポートを専用でもつことにより、HW量が増え、制
御が複雑となり、主記憶装置のビジーチェックのディレ
イタイムも厳しくなるという欠点がある。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described conventional extended storage control method, by having a dedicated port for extended storage processing, the amount of HW increases, control becomes complicated, and a busy check of the main storage is performed. There is a drawback that the delay time becomes severe.
[課題を解決するための手段] 本発明による拡張記憶制御方式は、複数の要求元と、
主記憶装置と、拡散記憶装置とに接続され、前記要求元
からの前記主記憶装置へのアクセス要求、前記主記憶装
置から前記拡張記憶装置への第1のデータ転送要求、及
び前記拡張記憶装置から前記主記憶装置への第2のデー
タ転送要求を含む要求に対する処理を行うと共に、診断
要求に応答して前記主記憶装置を診断するメモリアクセ
ス制御装置に於いて、 前記要求元からの複数の要求を受付け、1つの要求を
選択し、選択された要求を出力する選択手段と、 前記選択された要求が、前記アクセス要求であるか、
前記診断要求であるか、前記第1のデータ転送要求であ
るか、或いは前記第2のデータ転送要求であるかの判定
を行う判定回路と、 前記アクセス要求及び前記診断要求を受け、それぞれ
について前記主記憶装置に対する第1の読出し要求及び
第1の書込み要求を生成し、該生成された第1の読出し
要求及び第1の書込み要求を第1の要求アドレスととも
に前記主記憶装置に出力する主記憶アクセス制御部と、 該主記憶アクセス制御部と前記選択手段と前記判定回
路とに接続されたメモリスキャン回路と、 前記拡張記憶装置と前記選択手段と前記判定回路とに
接続された拡張記憶アクセス・アドレス生成部と、 前記メモリスキャン回路と前記拡張記憶アクセス・ア
ドレス生成部とに接続された第1の格納バッファと、 前記拡張記憶装置と前記メモリスキャン回路とに接続
された第2の格納バッファとを有し、 前記メモリスキャン回路は、前記診断要求及び第2の
要求アドレス、ストアデータを受け、前記主記憶アクセ
ス制御部に対して前記第2の要求アドレスを複数回更新
し、更新後のアドレスとともに上記ストアデータの第2
の書込み要求を出力し、その後に、前記主記憶アクセス
制御部に対して上記第2の書込み要求出力時と同一のア
ドレスに対して第2の読出し要求を出力し、それに対す
る前記主記憶装置からの第1のリプライデータを上記ス
トアデータと比較し、その一致、不一致から前記主記憶
装置の診断を行うメモリスキャン機能と、前記判定回路
により前記選択された要求が前記第1のデータ転送要求
と判定された場合に、該選択された要求から前記主記憶
装置への第3の読出し要求、アドレスを生成し、該生成
された第3の読出し要求、アドレスを前記主記憶アクセ
ス制御部へ出力して、前記第3の読出し要求、アドレス
に対する前記主記憶装置からの第2のリプライデータを
前記第1の格納バッファに格納する機能とを有し、 前記拡張記憶アクセス・アドレス生成部は、前記第1
の格納バッファに格納された前記第2のリプライデータ
とともに前記拡張記憶装置に対し第3の書込み要求と第
3の要求アドレスを出力する機能と、前記判定回路によ
り前記選択された要求が前記第2のデータ転送要求と判
定された場合に、該選択された要求から前記拡張記憶装
置への第4の読出し要求、アドレスを生成し、該生成さ
れた第4の読出し要求、アドレスを前記拡張記憶装置へ
出力して、前記第4の読出し要求、アドレスに対する前
記拡張記憶装置からの第3のリプライデータを前記第2
の格納バッファに格納する機能とを有し、 前記メモリスキャン回路は、前記第2の格納バッファ
に格納された前記第3のリプライデータとともに前記主
記憶アクセス制御部に対し、第4の書込み要求及び第4
の要求アドレスを出力する機能を有し、 前記拡張記憶装置と前記主記憶装置間のデータ転送に
おける前記主記憶装置への読出し、書込み処理を前記メ
モリスキャン回路と共用化して行うことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The extended storage control method according to the present invention includes a plurality of request sources,
An access request to the main storage device from the request source, a first data transfer request from the main storage device to the extension storage device, and an extension storage device connected to a main storage device and a diffusion storage device. In a memory access control device for performing a process for a request including a second data transfer request from the request source to the main memory device, and diagnosing the main memory device in response to a diagnosis request. Selecting means for receiving a request, selecting one request, and outputting the selected request; and whether the selected request is the access request,
A determination circuit that determines whether the request is the diagnosis request, the first data transfer request, or the second data transfer request; and the access request and the diagnostic request, A main memory that generates a first read request and a first write request to the main memory device, and outputs the generated first read request and first write request together with a first request address to the main memory device. An access control unit, a main memory access control unit, a memory scan circuit connected to the selection unit and the determination circuit, and an extended storage access unit connected to the extended storage device, the selection unit and the determination circuit. An address generator, a first storage buffer connected to the memory scan circuit, and the extended storage access / address generator; A second storage buffer connected to the memory scan circuit, wherein the memory scan circuit receives the diagnosis request, the second request address, and the store data, and receives the diagnosis data from the main memory access control unit. The request address of No. 2 is updated multiple times, and the second address of the store data is updated together with the updated address.
Write request is output to the main memory access control unit, and then a second read request is output to the main memory access control unit at the same address as when the second write request is output. Memory scan function for comparing the first reply data with the above-mentioned store data and diagnosing the main memory device based on the match or non-match, and the request selected by the determination circuit is the first data transfer request. If determined, generate a third read request and address to the main storage device from the selected request, and output the generated third read request and address to the main storage access control unit. And a function of storing the second read data from the main storage device for the third read request and the address in the first storage buffer. -The address generator is the first
And a function of outputting a third write request and a third request address to the extended storage device together with the second reply data stored in the storage buffer, and the request selected by the determination circuit is the second request. If it is determined that the request is for data transfer, the fourth read request and address to the extension storage device are generated from the selected request, and the generated fourth read request and address are generated to the extension storage device. To the second read request and the third reply data from the extended storage device for the address.
And a fourth write request to the main memory access control unit together with the third reply data stored in the second storage buffer. Fourth
And a read / write process to the main memory device in the data transfer between the extended memory device and the main memory device is performed in common with the memory scan circuit. .
[実施例] 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図を参照すると、本発明の一実施例による拡張記
憶制御方式が適用されるメモリアクセス制御装置は、演
算処理装置や入出力処理装置などの要求元,主記憶装
置,及び拡張記憶装置に接続されている。本実施例で
は、要求元として、装置A,装置B,及び装置Cの3つの装
置を有する。メモリアクセス制御装置は、リクエストの
受付ポート部10と、リクエスト処理部75と、その他の拡
張記憶制御関係のHWから構成される。Referring to FIG. 1, a memory access control device to which an extended storage control system according to an embodiment of the present invention is applied is a request source such as an arithmetic processing unit or an input / output processing unit, a main storage unit, and an extended storage unit. It is connected. In this embodiment, there are three devices, device A, device B, and device C, as request sources. The memory access control device includes a request reception port unit 10, a request processing unit 75, and other HWs related to extended storage control.
リクエスト受付ポート部10は、装置Aからのリクエス
トを受け付ける装置Aリクエスト受付バッファ20、装置
Bからのリクエストを受け付ける装置Bリクエスト受付
バッファ30、及び装置Cからのリクエストを受け付ける
装置Cリクエスト受付バッファ40を有する。ここで、要
求元からのリクエストは、リクエストアドレス,書き込
み,読み出しなどの動作指示を示すリクエストコード,
ストアデータなどをさす。The request reception port unit 10 includes a device A request reception buffer 20 that receives a request from the device A, a device B request reception buffer 30 that receives a request from the device B, and a device C request reception buffer 40 that receives a request from the device C. Have. Here, the request from the request source is a request address, a request code indicating operation instructions such as writing and reading,
Store data etc.
50,60,70は、上記バッファ出力を受ける装置A,B,Cバ
ッファ読み出しレジスタである。80は選択回路で、装置
A,B,Cのリクエストの主記憶に対するビジーチェックを
行い、ビジーチェックにパスしたものだけを選択する。
ビジーチェックにパスしたリクエストが複数の場合は、
各々の優先度がとられ、1つのリクエストのみを選択
し、この選択されたリクエストは、主記憶アクセス制御
部90並びに拡張記憶アクセス判定回路140に出力され
る。50, 60, 70 are device A, B, C buffer read registers which receive the buffer output. 80 is a selection circuit, device
Perform a busy check on the main memory of A, B, and C requests, and select only those that pass the busy check.
If there are multiple requests that pass the busy check,
Each priority is taken, and only one request is selected, and the selected request is output to the main memory access control unit 90 and the extended memory access determination circuit 140.
一般的に主記憶装置は、XNのインタリーブ構成をとっ
ている。本実施例でも同じくXNのインタリーブ構成をと
っている。即ち、主記憶装置100は、Nバンクから構成
され、それぞれのバンクに対してビジーF/Fが存在し、
要求元からのアクセスバンクと前記ビジーF/Fのチェッ
クを行っている。Generally, the main memory has an XN interleaved structure. Also in this embodiment, the XN interleaved configuration is also adopted. That is, the main memory 100 is composed of N banks, and busy F / F exists for each bank.
The access bank from the request source and the busy F / F are checked.
主記憶アクセス制御部90は選択回路80の出力を受け、
その出力がないときに限り、メモリスキャン回路150の
出力を受ける。選択回路80及びメモリスキャン回路150
の出力は、要求元からのリクエストアドレス、リクエス
トコード(リード/ライトなどの動作指定)、ストアデ
ータである。これらの情報を元に、主記憶アクセス制御
部90は主記憶装置100に対してアクセス要求を作成出力
する。そして、主記憶アクセス制御部90は、それに対す
る主記憶装置100からのリブライデータを受け、それ
を、選択回路80の出力を受けた場合には要求元のリプラ
イレジスタ110,120,130に、メモリスキャン回路150の出
力を受けた場合にはメモリスキャン回路150に出力す
る。The main memory access control unit 90 receives the output of the selection circuit 80,
Only when there is no output, the memory scan circuit 150 receives the output. Selection circuit 80 and memory scan circuit 150
The output of is a request address from a request source, a request code (operation designation such as read / write), and store data. Based on these pieces of information, the main memory access control unit 90 creates and outputs an access request to the main memory device 100. Then, the main memory access control unit 90 receives the relieve data from the main memory device 100 for it, and when receiving the output of the selection circuit 80, the main memory access control unit 90 causes the reply register 110, 120, 130 of the request source to send the memory scan circuit 150. When the output of is received, it is output to the memory scan circuit 150.
主記憶装置100は、主記憶アクセス制御部90からのア
クセス要求に対しリプライを返す。装置Aリプライレジ
スタ110は装置Aへの主記憶装置100からのリプライデー
タを格納するレジスタで、装置Aに対してリプライデー
タを出力する。装置Bリプライレジスタ120は、装置B
へのリプライデータを格納するレジスタで、装置Bに対
してリプライデータを出力する。装置Cリプライレジス
タ130は、装置Cへのリプライデータを格納するレジス
タで、装置Cに対してリプライデータを出力する。The main memory device 100 returns a reply to the access request from the main memory access control unit 90. The device A reply register 110 is a register for storing reply data from the main storage device 100 to the device A, and outputs reply data to the device A. The device B reply register 120 is the device B
The reply data is output to the device B by a register for storing reply data to the device B. The device C reply register 130 is a register for storing reply data to the device C, and outputs reply data to the device C.
本実施例でのアクセスの単位は、主記憶装置100,拡張
記憶装置190とも8B(バイト)とする。主記憶装置100に
対するアクセスでは、以上のHWだけで動作する。The unit of access in this embodiment is 8B (bytes) for both the main storage device 100 and the extended storage device 190. When accessing the main storage device 100, only the above HW operates.
拡張記憶アクセス判定回路140は、選択回路80の出力
が主記憶100から拡張記憶装置190への転送アクセス、あ
るいは、拡張記憶装置190から主記憶装置100への転送ア
クセスであることを検出する。そして、拡張記憶アクセ
ス判定回路140は、その信号をメモリスキャン回路150と
拡張記憶アクセス・アドレス生成部160に出力する。当
然、拡張記憶アクセス時には、主記憶アクセス制御部90
は、何ら主記憶装置100に対しアクセスを発生しない。The extended storage access determination circuit 140 detects that the output of the selection circuit 80 is a transfer access from the main storage 100 to the extended storage 190 or a transfer access from the extended storage 190 to the main storage 100. Then, the extended memory access determination circuit 140 outputs the signal to the memory scan circuit 150 and the extended memory access / address generation unit 160. Naturally, at the time of extended memory access, the main memory access control unit 90
Does not access the main storage device 100 at all.
拡張記憶装置190と主記憶装置100との間の転送単位
は、ページ単位(IBM社などではそうしている)が一般
的に多く、本実施例でも4 kB(1ページ単位)とする。
また、リクエストアドレスには、拡張記憶アドレス並び
に主記憶アドレスを含んでいるものとする。A transfer unit between the extended storage device 190 and the main storage device 100 is generally a page unit (as is the case with IBM Corporation), and is 4 kB (one page unit) in this embodiment as well.
Further, the request address includes the extended storage address and the main storage address.
上記のインタフェースを減らすには、予めメモリアク
セス制御装置内にどちらかのアドレスを設定した後、も
う一方のアドレスとともにアクセス要求を発行する等の
方法が考えられる。In order to reduce the number of interfaces, it is conceivable to set either address in the memory access control device in advance and then issue an access request together with the other address.
メモリスキャン回路150は、選択回路80の出力、拡張
記憶アクセス判定回路140の出力、拡張記憶リプライデ
ータ格納バッファ180の出力、及び主記憶アクセス制御
部90のリプライデータを入力する。この部分の動作とし
ては、次に述べるメモリスキャンと主記憶装置−拡張記
憶装置間転送とがある。The memory scan circuit 150 inputs the output of the selection circuit 80, the output of the extended memory access determination circuit 140, the output of the extended memory reply data storage buffer 180, and the reply data of the main memory access control unit 90. The operation of this part includes the memory scan and the transfer between the main memory device and the extended memory device described below.
(1)メモリスキャン動作時 選択回路80の出力からライトアドレスおよびストアデ
ータを入力し、主記憶装置100に対する書き込みリクエ
ストを生成する。上記ライトアドレスを複数回更新し、
更新後のアドレスとともに上記ストアデータおよび書き
込み要求を主記憶アクセス制御部90に出力することによ
り、主記憶装置100の連続アドレスに上記ストアデータ
を書き込む。その後、上記書き込みリクエスト出力で指
定したアドレスと同一のアドレスに対するリードリクエ
ストを主記憶アクセス制御部90に出力し、それに対する
主記憶装置100からのリプライデータを主記憶アクセス
制御部90から受け取り、それを上記ストアデータと比較
する。主記憶装置100からのリプライデータと上記スト
アデータが一致しない場合には、主記憶装置100に障害
のあることが検出される。(1) During memory scan operation The write address and store data are input from the output of the selection circuit 80, and a write request to the main storage device 100 is generated. Update the write address multiple times,
By outputting the store data and the write request together with the updated address to the main memory access control unit 90, the store data is written to consecutive addresses of the main memory device 100. After that, a read request for the same address as the address specified in the write request output is output to the main memory access control unit 90, reply data from the main memory device 100 for the read request is received from the main memory access control unit 90, and it is received. Compare with the above store data. When the reply data from the main storage device 100 and the above-mentioned store data do not match, it is detected that the main storage device 100 has a failure.
(2)主記憶装置−拡張記憶装置間転送時 (a)主記憶装置→拡張記憶装置間転送時 選択回路80の出力から主記憶装置100のリクエストア
ドレスを入力し、同時に主記憶装置100に対する読み出
しリクエストを生成する。上記アドレスを8Bずつ更新し
ながら、4 kB/8B=512回、読み出しリクエストを主記憶
アクセス制御部90に出力する。そして、主記憶アクセス
制御部90からのリプライデータを受け取り、その受け取
ったリプライデータを主記憶リプライデータ格納バッフ
ァ170に出力する。(2) During transfer between main memory and extended memory (a) During transfer between main memory and extended memory The request address of the main memory 100 is input from the output of the selection circuit 80, and at the same time read to the main memory 100 Generate a request. A read request is output to the main memory access control unit 90 4 kB / 8B = 512 times while updating the address by 8B each. Then, the reply data from the main memory access control unit 90 is received, and the received reply data is output to the main memory reply data storage buffer 170.
(b)拡張記憶装置→主記憶装置転送時 拡張記憶装置190からのリプライデータを有する拡張
記憶リプライデータ格納バッファ180の出力を受け、同
時に主記憶装置100に対する書き込みリクエストを生成
する。主記憶アドレスを8Bずつ更新しながら4 kB/8B=5
12回、主記憶アクセス制御部90に前記リプライデータと
ともに書き込みリクエストを出力する。(B) Transfer from extended storage device to main storage device The output of the extended storage reply data storage buffer 180 having reply data from the extended storage device 190 is received, and at the same time, a write request to the main storage device 100 is generated. 4 kB / 8B = 5 while updating the main memory address by 8B each
The write request is output to the main memory access control unit 90 12 times together with the reply data.
拡張記憶アクセス・アドレス生成部160は、選択回路8
0の出力、拡張記憶アクセス判定回路140の出力、および
主記憶リプライデータ格納バッファ170の出力を入力す
る。この部分の動作としては、次に述べる主記憶装置→
拡張記憶装置転送と拡張記憶装置→主記憶転送装置とが
ある。The extended memory access / address generator 160 includes a selection circuit 8
The output of 0, the output of the extended memory access determination circuit 140, and the output of the main memory reply data storage buffer 170 are input. The operation of this part is as follows:
There are extended storage transfer and extended storage → main storage transfer.
(a)主記憶装置→拡張記憶装置転送時 拡張記憶アドレスを、選択回路80の出力から受け、拡
張記憶装置190に転送するデータを、主記憶装置100から
のリプライデータを格納する主記憶リプライデータ格納
バッファ170から受ける。同時に、拡張記憶装置190に対
する書き込みリクエストを生成する。拡張記憶アドレス
を8Bずつ更新しながら4 kB/8B=512回、主記憶リプライ
データ格納バッファ170の出力とともに読み出しリクエ
ストを拡張記憶装置190に出力する。(A) Main memory-> extended storage device transfer Main memory reply data that stores reply data from the main storage device 100 for receiving the extended storage address from the output of the selection circuit 80 and transferring it to the expansion storage device 190 Received from the storage buffer 170. At the same time, a write request to the extended storage device 190 is generated. While updating the extended storage address by 8B, the read request is output to the extended storage device 190 together with the output of the main storage reply data storage buffer 170 4kB / 8B = 512 times.
(b)拡張記憶装置→主記憶装置転送時 選択回路80の出力から拡張記憶装置190のリクエスト
アドレスを受け、同時に拡張記憶装置190に対する読み
出しリクエストを生成する。上記アドレスを8Bずつ更新
しながら、4 kB/8B=512回、読み出しリクエストを拡張
記憶装置190に出力する。(B) Transfer from extended storage device to main storage device The request address of the extended storage device 190 is received from the output of the selection circuit 80, and at the same time, a read request to the extended storage device 190 is generated. While updating the address by 8B, the read request is output to the extended storage device 190 4 kB / 8B = 512 times.
以上述べたように、本実施例では拡張記憶装置190と
のデータ転送を8B単位で行っているが、例えば、128B単
位で行っても良い。128B単位で行った場合は、拡張記憶
装置190に対するアクセスは、4 kB/128B=32回となる。As described above, in the present embodiment, data transfer with the extended storage device 190 is performed in 8B units, but it may be performed in 128B units, for example. In the case of the 128B unit, the access to the extended storage device 190 is 4 kB / 128B = 32 times.
また、主記憶リプライデータ格納バッファ170ならび
に拡張記憶リプライデータ格納バッファ180の容量は、
拡張記憶装置190との1回のアクセスに対する転送量な
どによって制御しやすいように決められる。Further, the capacities of the main memory reply data storage buffer 170 and the extended memory reply data storage buffer 180 are
It is determined to be easy to control by the transfer amount for one access with the extended storage device 190.
主記憶リプライデータ格納バッファ170は、主記憶装
置100からのリプライデータを格納する。このバッファ1
70に格納されるのは、主記憶装置→拡張記憶装置転送の
ため、メモリスキャン回路150が主記憶アクセス制御部9
0に主記憶読み出しリクエストを出力し、そのリクエス
トに対する主記憶装置100からのリプライが返ってきた
ときである。主記憶リプライデータ格納バッファ170の
出力は、拡張記憶アクセス・アドレス生成部160に入力
され、このデータが拡張記憶装置190に対する書き込み
データとなる。The main memory reply data storage buffer 170 stores reply data from the main memory device 100. This buffer 1
The memory scan circuit 150 stores the data in the main memory access control unit 9 because the main memory is transferred to the extended memory.
This is when the main memory read request is output to 0 and the reply from the main memory device 100 for the request is returned. The output of the main memory reply data storage buffer 170 is input to the extended storage access / address generation unit 160, and this data becomes write data for the extended storage device 190.
拡張記憶リプライデータ格納バッファ180は、拡張記
憶装置190への読み出し要求に対する拡張記憶装置190か
らのリプライデータを格納する。拡張記憶リプライデー
タ格納バッファ180の出力は、メモリスキャン回路150に
入力され、このデータが主記憶装置100への書き込みデ
ータとなる。The extended storage reply data storage buffer 180 stores reply data from the extended storage device 190 in response to a read request to the extended storage device 190. The output of the extended storage reply data storage buffer 180 is input to the memory scan circuit 150, and this data becomes write data to the main storage device 100.
拡張記憶装置190は、一般的には、主記憶装置100の記
憶容量に比較して、数倍以上の容量を有することが多
い。本実施例では、8B単位のアクセスとなっているが、
ブロック単位(例えば128B)で行うことも可能である。
拡張記憶装置190の動作としては、拡張記憶アクセス・
アドレス生成部160からの読み出し要求、書き込み要求
に対し、リプライデータを拡張記憶リプライデータ格納
バッファ180に返す(当然、書き込み要求時には、リプ
ライデータはない)。The expanded storage device 190 generally has a capacity that is several times or more the storage capacity of the main storage device 100. In this embodiment, access is made in 8B units,
It is also possible to carry out in block units (for example, 128B).
The operation of the expanded storage device 190 is as follows.
In response to the read request and the write request from the address generation unit 160, the reply data is returned to the extended storage reply data storage buffer 180 (naturally, when the write request is made, there is no reply data).
主記憶装置100と拡張記憶装置150間の転送の動作を要
約すると、次のようになる。The operation of transfer between the main storage device 100 and the extended storage device 150 is summarized as follows.
(1)主記憶装置→拡張記憶装置転送時 要求元からの拡張記憶アクセスが拡張記憶アクセス判
定回路140で判定されると、そのリクエストのリクエス
トコード、アドレスが選択回路80からメモリスキャン回
路150に入力される。次に、メモリスキャン回路150は、
リクエストアドレスを更新しながら4 kB/8B=512回、読
み出し要求とともに主記憶アクセス制御部90に出力す
る。主記憶アクセス制御部90は、選択回路80からの出力
がないときに限り、メモリスキャン回路150からのリク
エストを受け付け、主記憶装置100に対する読み出しを
実行する。メモリスキャン回路150は、主記憶アクセス
制御部90からのリプライデータが返ると、そのリプライ
データを主記憶リプライデータ格納バッファ170に格納
する。次に、主記憶リプライデータ格納バッファ170の
出力は、拡張記憶アクセス・アドレス生成部160に入力
される。拡張記憶アクセス、アドレス生成部160は、拡
張記憶装置190に対する書き込み要求を生成し、拡張記
憶装置190への書き込みアドレスを4 kB/8B=512回更新
しながら主記憶リプライデータ格納バッファ170の出力
のリプライデータとともに拡張記憶装置190に出力す
る。これにより、主記憶装置100のデータを拡張記憶装
置190に転送する。(1) When transferring from the main memory device to the expanded memory device When the expanded memory access from the request source is judged by the expanded memory access judgment circuit 140, the request code and address of the request are inputted from the selection circuit 80 to the memory scan circuit 150. To be done. Next, the memory scan circuit 150
While updating the request address, it outputs to the main memory access control unit 90 together with the read request 4 kB / 8B = 512 times. The main memory access control unit 90 accepts the request from the memory scan circuit 150 and executes the reading from the main memory device 100 only when there is no output from the selection circuit 80. When the reply data from the main memory access control unit 90 is returned, the memory scan circuit 150 stores the reply data in the main memory reply data storage buffer 170. Next, the output of the main memory reply data storage buffer 170 is input to the extended memory access / address generation unit 160. The extended storage access / address generation unit 160 generates a write request to the extended storage device 190, updates the write address to the extended storage device 190 4 kB / 8B = 512 times, and outputs the output of the main storage reply data storage buffer 170. The reply data is output to the extended storage device 190. As a result, the data in the main storage device 100 is transferred to the expansion storage device 190.
(2)拡張記憶装置→主記憶装置転送時 要求元からの拡張記憶アクセスが拡張記憶アクセス判
定回路140で判定されると、そのリクエストのリクエス
トコード、アドレスが選択回路80から拡張記憶アクセス
・アドレス生成部160に入力される。次に、拡張記憶ア
クセス・アドレス生成部160は、リクエストアドレスを
更新しながら4 kB/8B=512回読み出し要求とともに拡張
記憶装置190に出力する。拡散記憶装置190からのリプラ
イデータは、拡散記憶リプライデータ格納バッファ180
に出力される。次に、拡散記憶リプライデータ格納バッ
ファ180の出力は、メモリスキャン回路150に入力され
る。メモリスキャン回路150は、主記憶100に対する書き
込み要求を生成し、書き込みアドレスを4 kB/8B=512回
更新しながら拡散記憶リプライデータ格納バッファ180
出力のリプライデータとともに主記憶アクセス制御部90
に出力する。主記憶アクセス制御部90は、選択回路80の
出力がないときに限り、メモリスキャン回路150の出力
を受け付け、主記憶装置100に対して書き込み要求を発
生し、拡張記憶装置190のデータを主記憶装置100に転送
する。(2) At the time of transfer from the expanded memory device to the main memory device When the expanded memory access from the request source is judged by the expanded memory access judgment circuit 140, the request code and address of the request are generated from the selected circuit 80 by the expanded memory access address. It is input to the section 160. Next, the extended storage access / address generating unit 160 outputs the request address to the extended storage device 190 together with the read request while updating the request address 4 kB / 8B = 512 times. The reply data from the diffusion storage device 190 is stored in the diffusion storage reply data storage buffer 180.
Is output to Next, the output of the diffusion storage reply data storage buffer 180 is input to the memory scan circuit 150. The memory scan circuit 150 generates a write request to the main memory 100, updates the write address 4 kB / 8B = 512 times, and diffuses the memory reply data storage buffer 180.
Main memory access control unit 90 together with output reply data
Output to The main memory access control unit 90 accepts the output of the memory scan circuit 150, issues a write request to the main memory 100, and stores the data of the extended memory 190 in the main memory only when the selection circuit 80 does not output. Transfer to device 100.
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、主記憶装置,拡張記憶
装置間の転送処理において、主記憶装置に対する処理部
分を既存のメモリスキャン回路と共用化することによ
り、制御が簡略化され、さらにHW量が削減できるという
効果がある。As described above, according to the present invention, in the transfer process between the main memory device and the extended memory device, the processing part for the main memory device is shared with the existing memory scan circuit, so that the control is simplified. This has the effect of further reducing the amount of HW.
第1図は本発明の一実施例による拡張記憶制御方式が適
用されるメモリアクセス制御装置の構成を示すブロック
図である。 10……リクエスト受付ポート部、20……装置Aリクエス
ト受付バッファ、30……装置Bリクエスト受付バッフ
ァ、40……装置Cリクエスト受付バッファ、50……装置
Aバッファ読出しレジスタ、60……装置Bバッファ読出
しレジスタ、70……装置Cバッファ読出しレジスタ、75
……リクエスト処理部、80……選択回路、90……主記憶
アクセス制御部、100……主記憶装置、110……装置Aリ
プライレジスタ、120……装置Bリプライレジスタ、130
……装置Cリプライレジスタ、140……拡張記憶アクセ
ス判定回路、150……メモリスキャン回路、160……拡散
記憶アクセス・アドレス生成部、170……主記憶リプラ
イデータ格納バッファ、180……拡張記憶リプライデー
タ格納バッファ、190……拡張記憶装置。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a memory access control device to which an extended storage control system according to an embodiment of the present invention is applied. 10: Request reception port section, 20: Device A request reception buffer, 30: Device B request reception buffer, 40: Device C request reception buffer, 50: Device A buffer read register, 60: Device B buffer Read register, 70 ... Device C buffer read register, 75
...... Request processing unit, 80 …… Selection circuit, 90 …… Main memory access control unit, 100 …… Main memory device, 110 …… Device A reply register, 120 …… Device B reply register, 130
...... Device C reply register, 140 ...... extended memory access determination circuit, 150 ...... memory scan circuit, 160 ・ ・ ・ diffused memory access / address generator, 170 …… main memory reply data storage buffer, 180 …… extended memory reply Data storage buffer, 190 ... Extended storage device.
Claims (1)
装置とに接続され、前記要求元からの前記主記憶装置へ
のアクセス要求、前記主記憶装置から前記拡張記憶装置
への第1のデータ転送要求、及び前記拡張記憶装置から
前記主記憶装置への第2のデータ転送要求を含む要求に
対する処理を行うと共に、診断要求に応答して前記主記
憶装置を診断するメモリアクセス制御装置に於いて、 前記要求元からの複数の要求を受付け、1つの要求を選
択し、選択された要求を出力する選択手段と、 前記選択された要求が、前記アクセス要求であるか、前
記診断要求であるか、前記第1のデータ転送要求である
か、或いは前記第2のデータ転送要求であるかの判定を
行う判定回路と、 前記アクセス要求及び前記診断要求を受け、それぞれに
ついて前記主記憶装置に対する第1の読出し要求及び第
1の書込み要求を生成し、該生成された第1の読出し要
求及び第1の書込み要求を第1の要求アドレスとともに
前記主記憶装置に出力する主記憶アクセス制御部と、 該主記憶アクセス制御部と前記選択手段と前記判定回路
とに接続されたメモリスキャン回路と、 前記拡張記憶装置と前記選択手段と前記判定回路とに接
続された拡張記憶アクセス・アドレス生成部と、 前記メモリスキャン回路と前記拡張記憶アクセス・アド
レス生成部とに接続された第1の格納バッファと、 前記拡張記憶装置と前記メモリスキャン回路とに接続さ
れた第2の格納バッファとを有し、 前記メモリスキャン回路は、前記診断要求及び第2の要
求アドレス、ストアデータを受け、前記主記憶アクセス
制御部に対して前記第2の要求アドレスを複数回更新
し、更新後のアドレスとともに上記ストアデータの第2
の書込み要求を出力し、その後に、前記主記憶アクセス
制御部に対して上記第2の書込み要求出力時と同一のア
ドレスに対して第2の読出し要求を出力し、それに対す
る前記主記憶装置からの第1のリプライデータを上記ス
トアデータと比較し、その一致、不一致から前記主記憶
装置の診断を行うメモリスキャン機能と、前記判定回路
により前記選択された要求が前記第1のデータ転送要求
と判定された場合に、該選択された要求から前記主記憶
装置への第3の読出し要求、アドレスを生成し、該生成
された第3の読出し要求、アドレスを前記主記憶アクセ
ス制御部へ出力して、前記第3の読出し要求、アドレス
に対する前記主記憶装置からの第2のリプライデータを
前記第1の格納バッファに格納する機能とを有し、 前記拡張記憶アクセス・アドレス生成部は、前記第1の
格納バッファに格納された前記第2のリプライデータと
ともに前記拡張記憶装置に対し第3の書込み要求と第3
の要求アドレスを出力する機能と、前記判定回路により
前記選択された要求が前記第2のデータ転送要求と判定
された場合に、該選択された要求から前記拡張記憶装置
への第4の読出し要求、アドレスを生成し、該生成され
た第4の読出し要求、アドレスを前記拡張記憶装置へ出
力して、前記第4の読出し要求、アドレスに対する前記
拡張記憶装置からの第3のリプライデータを前記第2の
格納バッファに格納する機能とを有し、 前記メモリスキャン回路は、前記第2の格納バッファに
格納された前記第3のリプライデータとともに前記主記
憶アクセス制御部に対し、第4の書込み要求及び第4の
要求アドレスを出力する機能を有し、 前記拡張記憶装置と前記主記憶装置間のデータ転送にお
ける前記主記憶装置への読出し、書込み処理を前記メモ
リスキャン回路と共用化して行うことを特徴とする拡張
記憶制御方式。1. A plurality of request sources, a main storage device, and an extended storage device, which are connected to an access request to the main storage device from the request source, and a first access from the main storage device to the extended storage device. A memory access control device that performs processing for a data transfer request of No. 1 and a request including a second data transfer request from the extended storage device to the main storage device, and diagnoses the main storage device in response to the diagnosis request. In the above, a selection unit that receives a plurality of requests from the request source, selects one request, and outputs the selected request; and whether the selected request is the access request or the diagnostic request And the first data transfer request or the second data transfer request, and a determination circuit that receives the access request and the diagnostic request, A main memory that generates a first read request and a first write request to the main memory device, and outputs the generated first read request and first write request together with a first request address to the main memory device. An access control unit, a main memory access control unit, a memory scan circuit connected to the selection unit and the determination circuit, and an extended storage access unit connected to the extended storage device, the selection unit and the determination circuit. An address generator, a first storage buffer connected to the memory scan circuit and the extended memory access / address generator, and a second storage buffer connected to the extended memory device and the memory scan circuit. The memory scan circuit receives the diagnosis request, the second request address, and store data, and sends the diagnosis data to the main memory access control unit. The second request address is updated a plurality of times and the second address of the store data is updated together with the updated address.
Write request is output to the main memory access control unit, and then a second read request is output to the main memory access control unit at the same address as when the second write request is output. Memory scan function for comparing the first reply data with the above-mentioned store data and diagnosing the main memory device based on the match or non-match, and the request selected by the determination circuit is the first data transfer request. If determined, generate a third read request and address to the main storage device from the selected request, and output the generated third read request and address to the main storage access control unit. And a function of storing the second read data from the main storage device for the third read request and the address in the first storage buffer. The address generator, together with the second reply data stored in the first storage buffer, makes a third write request and a third write request to the extended storage device.
And a fourth read request from the selected request to the expansion storage device when the selected request is determined to be the second data transfer request by the determination circuit. , An address is generated, the generated fourth read request and address are output to the extended storage device, and the third read data from the extended storage device for the fourth read request and address is output as the third reply data. And a second write request to the main memory access control unit together with the third reply data stored in the second storage buffer. And a function of outputting a fourth request address, and before read / write processing to / from the main storage device in data transfer between the extension storage device and the main storage device. Extended storage control method which is characterized in that by sharing the memory scan circuit.
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US08/134,874 US5432923A (en) | 1989-03-08 | 1993-10-12 | Memory access control device capable of carrying out data transfer between main memory and expanded memory with simple control |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPS5528501A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-29 | Nec Corp | Test system for memory device |
JPS5713562A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Control system of external memory |
JPS5818647A (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Method and device for electrophotography |
JPS6398052A (en) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Fujitsu Ltd | Memory device |
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