JP2679990B2 - Semiconductor laser optical device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体レーザ光学装置に関し、一層詳細に
は、半導体レーザから得られるレーザ光の射出位置にお
ける非点隔差を前記レーザ光の光軸上に配設した光学素
子を傾斜させることで生じる非点収差特性を用いて補正
することを可能とした半導体レーザ光学装置に関する。
[発明の背景]
近年、レーザ技術の向上に伴い安定した高出力レーザ
光を得ることの出来る半導体レーザが開発され、種々の
システムに適用されている。例えば、印刷、製版の分野
では、原稿に担持された画像情報を電気的に処理し、そ
の電気信号を前記半導体レーザによって光信号に変換
し、走査光学系を介して記録担体上に再生する画像走査
読取記録システムが広汎に用いられている。
ところで、半導体レーザから得られるレーザ光は発散
光であるため、この半導体レーザを用いて画像情報等の
記録を行うには集光光学系が必要である。そこで、例え
ば、第1図aおよびbに示すように、半導体レーザであ
るレーザダイオード2から射出されたレーザ光Lはコリ
メータレンズ4により一旦平行光束とされた後、集光レ
ンズ6によって光軸8上に集光される。ここで、前記レ
ーザダイオード2はP−N接合面10を有し、レーザ光L
はこの接合面10から矢印Z方向に射出される。この場
合、接合面10から射出されるレーザ光Lは接合面10に平
行な方向(X−Z平面)と接合面10に垂直な方向(Y−
Z平面)とで射出点SおよびMの位置が異なっており、
所謂、非点隔差δを有している。従って、射出点Sの位
置をコリメータレンズ4の焦点位置に設定した場合、レ
ーザ光LXはコリメータレンズ4および集光レンズ6によ
って光軸8上のa点に集光する。一方、射出点Mから射
出されたレーザ光LYはa点よりもレーザダイオード2か
ら離間したb点に集光する。この結果、例えば、a点に
記録担体を配置した場合、レーザ光LYは前記記録担体上
に正確に集光されず、従って、高精度な画像が得られな
くなるという不都合が指摘されている。
そこで、このような不都合を解消するために、例え
ば、集光レンズ6とb点との間にY方向にのみ集光特性
を持つシリンドリカルレンズを介装させれば、レーザダ
イオード2の射出点Mから射出されたレーザ光LYをレー
ザ光LXと同じa点に集光させることが可能となる。然し
ながら、この場合、光学系を構成する素子数が増加し高
価になると共に、前記シリンドリカルレンズ等の位置調
整作業が必要となる欠点が生じる。
一方、光学系の素子数を増大させることなくレーザダ
イオード2の非点隔差δを補正し得るものとして、特開
昭第59−58414号に開示された技術的思想がある。この
従来技術では、第1図cに示すように、レーザダイオー
ド2をコリメータレンズ4の光軸8に対してY−Z平面
内で角度θだけ回動させている。この場合、レーザダイ
オード2の射出点Mから射出されたレーザ光LYはコリメ
ータレンズ4の非点収差特性により矢印Z方向に対して
レーザ光LXと等しいc点に集光されることになる。
然しながら、この場合、第1図cに示すように、傾斜
部の光線が集光レンズ6で受け入れられなく、所謂、ケ
ラレが生じる。このケラレの量はレーザダイオード2の
回動角θや光学系の長さ、例えば、コリメータレンズ4
や集光レンズ6の距離に従って大きくなる。この結果、
c点の集束光の光量が低下したり、ビーム径が増加する
といった不都合が指摘されている。
[発明の目的]
本発明は前記の不都合を克服するためになされたもの
であって、半導体レーザから得られるレーザ光の光軸上
に配設した光学系を前記光軸に対して所定角度傾斜させ
ることにより、前記半導体レーザにおけるレーザ光の射
出位置に起因する非点隔差を極めて簡単な構成で正確に
補正することが出来、しかも、前記レーザ光を所望の地
点に効率的に集光することの出来る半導体レーザ光学装
置を提供することを目的とする。
[目的を達成するための手段]
前記の目的を達成するために、本発明は、非点隔差を
有する半導体レーザから出力されるレーザ光を集光する
集光光学系と、前記集光光学系により集光された前記レ
ーザ光を被走査体に導いて走査する走査光学系とを有す
る半導体レーザ光学装置において、
前記集光光学系を構成するレンズを前記レーザ光の光
軸に交差する回動軸を中心として回動可能とするレンズ
回動機構を備え、前記レンズ回動機構により前記レンズ
を前記光軸に対して所定角度傾斜させて設定することに
より、前記レーザ光を前記走査光学系の光軸上で集光さ
せることを特徴とする。
[実施態様]
次に、本発明に係る半導体レーザ光学装置について好
適な実施態様を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳
細に説明する。
第2図において、参照符号20は本発明に係る半導体レ
ーザ光学装置が適用されるレーザプリンタの走査光学系
を示す。この走査光学系20はレーザ光Lを出力するレー
ザダイオード2を有し、前記レーザ光Lの光軸上にはコ
リメータレンズ22、ビームエキスパンドレンズ24、26、
ガルバノメータミラー28およびfθレンズ30からなる光
学系が配列される。そして、前記fθレンズ30の焦点位
置にはドラム32が配設される。
レーザ光Lを射出するレーザダイオード2の接合面10
はX−Z平面に対して平行に設定される。この場合、第
3図aおよびbに示すように、レーザ光Lは射出点Sか
ら射出するレーザ光LXと射出点Mから射出するレーザ光
LYとからなり、射出点Sがコリメータレンズ22の焦点位
置に設定される。
コリメータレンズ22はレーザ光Lを平行光束とするも
のであり、第2図および第3図に示す機構によって保持
される。すなわち、取付台34の上面部には一対の支持部
材36a、36bが植設され、また、コリメータレンズ22の外
周部には保持リング38が装着される。そして、前記支持
部材36a、36bの上端部と保持リング38とは支軸40a、40b
によって連結される。この場合、コリメータレンズ22は
前記支軸40a、40bを介してX軸の回りに回動可能な状態
で枢支される。
一方、コリメータレンズ22によって平行光束とされた
レーザ光Lはビームエキスパンドレンズ24および26によ
ってビーム径が調整されガルバノメータミラー28に入射
する。ガルバノメータミラー28は矢印A方向に高速揺動
するよう構成されており、このガルバノメータミラー28
によって反射されたレーザ光Lは走査レンズであるfθ
レンズ30を介してドラム32上に照射される。この場合、
前記レーザ光Lは矢印B方向に回動するドラム32上をガ
ルバノメータミラー28の揺動動作により矢印C方向に副
走査する。
本実施態様に係る半導体レーザ光学装置は基本的には
以上のように構成されるものであり、次にその作用並び
に効果について説明する。
先ず、レーザダイオード2の射出点Sから射出された
レーザ光LXはX軸の回りに角度ωだけ回動して設定され
たコリメータレンズ22によって平行光束とされた後、ビ
ームエキスパンドレンズ24により光軸21上のd点に集光
される(第3図a参照)。この場合、コリメータレンズ
22の傾斜による光軸21上におけるd点の移動量δZXはコ
リメータレンズ22の回動角度ωに対して第4図の破線SX
で示すサジタル像面湾曲特性になり、
δZX=α・SX …(1)
で表される。ここで、αは光学系の縦倍率であり、コリ
メータレンズ22の焦点距離fCOLLとビームエキスパンド
レンズ24の焦点距離fexにより、
α=(fex/fCOLL)2 …(2)
で定義される。
一方、レーザダイオード2の射出点Mから射出された
レーザ光LYはコリメータレンズ22によって平行光束とさ
れた後、ビームエキスパンドレンズ24により光軸21上の
e点に集光される(第3図b参照)。この場合、コリメ
ータレンズ22の傾斜によるe点の光軸21上における移動
量δZYはコリメータレンズ22の回動角度ωに対して第4
図の実線MYで示すメリジオナル像画湾曲特性により、
δZY=α・MY …(3)
で表される。そこで、d点の移動量δZXとe点の移動量
δZYとの差がレーザダイオード2の非点隔差δに対応す
るビームエキスパンドレンズ24の焦点面上の非点収差α
・δに等しくなるように、すなわち、
α・δ=δZX−δZY …(4)
が成立するようにコリメータレンズ22の回動角度ωを設
定すれば、レーザ光LXおよびLYの集光点であるdおよび
eを一致させることが出来る。ここで、(4)式は簡単
に
δ=SX−MY …(5)
と表せ、ωの値はコリメータレンズ22の非点収差の関係
(第4図)より簡単に求めることが出来る。なお、レー
ザ光LXおよびLYは夫々光軸21上に集光されるため、第1
図cに示す従来技術のように、光学系によるケラレが生
じることがなく、従って、レーザ光Lの集光点における
光量が低下することや、また、集光点のビーム径が増大
することもない。
ここで、光学素子の非点収差特性が第5図に示すよう
にSXとMYが逆になる場合、光学素子の回動方向を半導体
レーザの接合面の方向に一致させればよい。すなわち、
第3図において、Y軸を中心にコリメータレンズ22を回
動させればレーザダイオード2の非点隔差δを補正する
ことが出来る。
次に、前記ビームエキスパンドレンズ26によって所定
のビーム径に調整されたレーザ光Lは矢印A方向に高速
揺動するガルバノメータミラー28によって反射され、f
θレンズ30を介してドラム32に巻装された記録材料を矢
印C方向に主走査する。この場合、ドラム32は矢印B方
向に一定速度で回動しており、従って、前記記録材料上
に画像情報が記録される。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、半導体レーザから得ら
れるレーザ光を前記レーザ光の光軸上に配設した光学系
を用いて集光する際、前記光学系の光軸を半導体レーザ
におけるレーザ光の射出位置に起因する非点隔差に応じ
て傾斜させて設定している。そのため、前記レーザ光を
極めて簡単な構成により正確に集光させることが出来
る。この場合、レーザ光の主光線と光学系の光軸とが一
致してレーザ光はその光軸上に集光されるため、光学系
の周縁部によるレーザ光のケラレの生じることがなく、
レーザ光の伝達効率を何ら低下させることのない半導体
レーザ光学装置を提供することが可能となる。
以上、本発明について好適な実施態様を挙げて説明し
たが、本発明はこの実施態様に限定されるものではな
く、例えば、非点隔差を補正する光学素子としてビーム
エキスパンドレンズを回動してもよい等、本発明の要旨
を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の変更
が可能なことは勿論である。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser optical device, and more specifically, to an astigmatic difference at the emission position of laser light obtained from a semiconductor laser on the optical axis of the laser light. The present invention relates to a semiconductor laser optical device that can be corrected by using the astigmatism characteristic generated by tilting the optical element disposed in the. [Background of the Invention] In recent years, with the improvement of laser technology, a semiconductor laser capable of obtaining stable high-power laser light has been developed and applied to various systems. For example, in the fields of printing and plate making, the image information carried on the document is electrically processed, the electrical signal is converted into an optical signal by the semiconductor laser, and the image is reproduced on the record carrier through the scanning optical system. Scanning and recording systems are widely used. By the way, since laser light obtained from a semiconductor laser is divergent light, a condensing optical system is required to record image information and the like using this semiconductor laser. Therefore, for example, as shown in FIGS. 1A and 1B, the laser light L emitted from the laser diode 2 which is a semiconductor laser is once converted into a parallel light flux by the collimator lens 4, and then the optical axis 8 by the condenser lens 6. Focused on top. Here, the laser diode 2 has a PN junction surface 10, and the laser light L
Is ejected from this joint surface 10 in the direction of arrow Z. In this case, the laser light L emitted from the joint surface 10 is parallel to the joint surface 10 (X-Z plane) and perpendicular to the joint surface 10 (Y-).
The positions of the injection points S and M are different from the Z plane),
It has a so-called astigmatic difference δ. Therefore, when the position of the emission point S is set to the focal position of the collimator lens 4, the laser light L X is condensed by the collimator lens 4 and the condenser lens 6 at point a on the optical axis 8. On the other hand, the laser light L Y emitted from the emission point M is focused on the point b which is farther from the laser diode 2 than the point a. As a result, for example, when placing the record carrier a point, the laser beam L Y is not exactly focused on the record carrier, therefore, it has been pointed out a disadvantage that high-precision image can not be obtained. Therefore, in order to eliminate such an inconvenience, for example, if a cylindrical lens having a condensing characteristic only in the Y direction is interposed between the condensing lens 6 and the point b, the emission point M of the laser diode 2 can be obtained. It is possible to focus the laser beam L Y emitted from the laser beam at the same point a as the laser beam L X. However, in this case, the number of elements constituting the optical system increases and the cost becomes high, and the position adjustment work of the cylindrical lens or the like is required, which is a drawback. On the other hand, there is a technical idea disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-58414 that can correct the astigmatic difference δ of the laser diode 2 without increasing the number of elements of the optical system. In this prior art, as shown in FIG. 1c, the laser diode 2 is rotated by an angle θ in the YZ plane with respect to the optical axis 8 of the collimator lens 4. In this case, the laser light L Y emitted from the emission point M of the laser diode 2 is focused on the point c equal to the laser light L X in the arrow Z direction due to the astigmatism characteristic of the collimator lens 4. . However, in this case, as shown in FIG. 1C, the rays of the inclined portion are not accepted by the condenser lens 6, and so-called vignetting occurs. The amount of vignetting depends on the rotation angle θ of the laser diode 2 and the length of the optical system, for example, the collimator lens 4
And increases with the distance of the condenser lens 6. As a result,
It has been pointed out that disadvantages such as a decrease in the quantity of focused light at point c and an increase in the beam diameter. [Object of the Invention] The present invention has been made in order to overcome the above-mentioned inconvenience, and an optical system arranged on the optical axis of laser light obtained from a semiconductor laser is tilted at a predetermined angle with respect to the optical axis. By doing so, it is possible to accurately correct the astigmatic difference due to the emission position of the laser light in the semiconductor laser with an extremely simple configuration, and moreover, to efficiently focus the laser light at a desired point. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser optical device capable of performing the above. [Means for Achieving the Object] In order to achieve the above object, the present invention provides a condensing optical system for condensing a laser beam output from a semiconductor laser having an astigmatic difference, and the condensing optical system. In a semiconductor laser optical device having a scanning optical system for guiding and scanning the laser beam condensed by a scanning object, a lens constituting the condensing optical system is rotated so as to intersect the optical axis of the laser beam. A lens rotation mechanism that is rotatable about an axis is provided, and the lens rotation mechanism tilts the lens at a predetermined angle with respect to the optical axis to set the laser light of the scanning optical system. The feature is that the light is condensed on the optical axis. Embodiments Next, preferred embodiments of the semiconductor laser optical device according to the present invention will be given and described in detail below with reference to the accompanying drawings. In FIG. 2, reference numeral 20 indicates a scanning optical system of a laser printer to which the semiconductor laser optical device according to the present invention is applied. The scanning optical system 20 has a laser diode 2 which outputs a laser beam L, and a collimator lens 22, beam expanding lenses 24 and 26, on the optical axis of the laser beam L.
An optical system including a galvanometer mirror 28 and an fθ lens 30 is arranged. A drum 32 is arranged at the focal position of the fθ lens 30. Bonding surface 10 of laser diode 2 for emitting laser light L
Are set parallel to the XZ plane. In this case, as shown in FIGS. 3A and 3B, the laser light L is the laser light L X emitted from the emission point S and the laser light L emitted from the emission point M.
L Y and the exit point S is set at the focal position of the collimator lens 22. The collimator lens 22 collimates the laser light L and is held by the mechanism shown in FIGS. 2 and 3. That is, a pair of support members 36a and 36b are planted on the upper surface of the mount 34, and a holding ring 38 is mounted on the outer peripheral portion of the collimator lens 22. The upper ends of the support members 36a and 36b and the retaining ring 38 are supported by the support shafts 40a and 40b.
Connected by. In this case, the collimator lens 22 is pivotally supported about the X axis via the support shafts 40a and 40b. On the other hand, the laser light L made into a parallel light flux by the collimator lens 22 has its beam diameter adjusted by the beam expanding lenses 24 and 26 and enters the galvanometer mirror 28. The galvanometer mirror 28 is configured to swing at high speed in the direction of arrow A.
The laser beam L reflected by the laser beam f is a scanning lens.
It is irradiated onto the drum 32 via the lens 30. in this case,
The laser beam L is sub-scanned in the direction of arrow C on the drum 32 which rotates in the direction of arrow B by the swinging operation of the galvanometer mirror 28. The semiconductor laser optical device according to the present embodiment is basically configured as described above, and its operation and effect will be described next. First, the laser light L X emitted from the emission point S of the laser diode 2 is turned by the angle ω around the X axis to be a parallel light flux by the set collimator lens 22, and then the light is expanded by the beam expander lens 24. It is focused on the point d on the axis 21 (see FIG. 3a). In this case, the collimator lens
The movement amount δ ZX of the point d on the optical axis 21 due to the inclination of 22 is the broken line S X of FIG. 4 with respect to the rotation angle ω of the collimator lens 22.
The sagittal curvature of field characteristic is represented by δ ZX = α · S X (1) Here, α is the vertical magnification of the optical system, and is defined by α = (f ex / f COLL ) 2 (2) by the focal length f COLL of the collimator lens 22 and the focal length f ex of the beam expanding lens 24. It On the other hand, after the laser beam L Y emitted from the emission point M of the laser diode 2 is converged into a parallel light flux by the collimator lens 22, it is focused on the point e on the optical axis 21 by the beam expanding lens 24 (FIG. 3 b)). In this case, the movement amount δ ZY of the point e on the optical axis 21 due to the inclination of the collimator lens 22 is the fourth with respect to the rotation angle ω of the collimator lens 22.
Due to the meridional image curvature characteristic shown by the solid line M Y in the figure, it is expressed by δ ZY = α · M Y (3) Therefore, the astigmatism α on the focal plane of the beam expanding lens 24 is such that the difference between the movement amount δ ZX of the point d and the movement amount δ ZY of the point e corresponds to the astigmatic difference δ of the laser diode 2.
If the turning angle ω of the collimator lens 22 is set so as to be equal to δ, that is, α · δ = δ ZX −δ ZY (4), the laser beams L X and L Y are collected. The light spots d and e can be matched. Here, (4) is easy to [delta] = represented S X -M Y ... (5), the value of ω relationship astigmatism of the collimator lens 22 (FIG. 4) than simply finding it is possible. Since the laser lights L X and L Y are focused on the optical axis 21, respectively,
Vignetting does not occur due to the optical system as in the prior art shown in FIG. C. Therefore, the amount of light at the condensing point of the laser light L may decrease, and the beam diameter at the condensing point may increase. Absent. Here, when the astigmatism characteristic of the optical element is opposite to S X and M Y as shown in FIG. 5, the turning direction of the optical element may be matched with the direction of the bonding surface of the semiconductor laser. That is,
In FIG. 3, by rotating the collimator lens 22 around the Y axis, the astigmatic difference δ of the laser diode 2 can be corrected. Next, the laser beam L adjusted to have a predetermined beam diameter by the beam expanding lens 26 is reflected by the galvanometer mirror 28 that rapidly oscillates in the direction of arrow A, and f
The recording material wound around the drum 32 is main-scanned in the direction of arrow C via the θ lens 30. In this case, the drum 32 is rotating at a constant speed in the direction of arrow B, so that image information is recorded on the recording material. As described above, according to the present invention, when the laser light obtained from the semiconductor laser is condensed using the optical system arranged on the optical axis of the laser light, the optical axis of the optical system is Is tilted according to the astigmatic difference caused by the laser beam emission position in the semiconductor laser. Therefore, the laser light can be accurately focused with an extremely simple configuration. In this case, since the principal ray of the laser light and the optical axis of the optical system coincide with each other and the laser light is condensed on the optical axis, vignetting of the laser light by the peripheral portion of the optical system does not occur,
It is possible to provide a semiconductor laser optical device that does not reduce the transmission efficiency of laser light at all. Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiment, the present invention is not limited to this embodiment. For example, even if a beam expanding lens is rotated as an optical element for correcting astigmatic difference. Needless to say, various improvements and design changes can be made without departing from the scope of the present invention.
【図面の簡単な説明】
第1図aおよびbは半導体レーザの特性説明図、
第1図cは従来技術に係る非点隔差補正方法の説明図、
第2図は本発明に係る半導体レーザ光学装置が適用され
る走査光学系の概略構成斜視図、
第3図aおよびbは本発明に係る半導体レーザ光学装置
の要部構成説明図、
第4図および第5図はコリメータレンズの非点収差特性
図である。
2……レーザダイオード、20……走査光学系
22……コリメータレンズ
24、26……ビームエキスパンドレンズ
28……ガルバノメータミラー
30……fθレンズ、32……ドラム
L……レーザ光BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1A and 1B are characteristic explanatory views of a semiconductor laser, FIG. 1C is an explanatory view of a conventional astigmatic difference correction method, and FIG. 2 is a semiconductor laser optical system according to the present invention. 3 is a schematic perspective view of a scanning optical system to which the apparatus is applied. FIGS. 3A and 3B are configuration explanatory views of a main part of a semiconductor laser optical apparatus according to the present invention. FIGS. It is a characteristic diagram. 2 ... Laser diode, 20 ... Scanning optical system 22 ... Collimator lens 24, 26 ... Beam expanding lens 28 ... Galvanometer mirror 30 ... f.theta. Lens, 32 ... Drum L ... Laser light
Claims (1)
ザ光を集光する集光光学系と、前記集光光学系により集
光された前記レーザ光を被走査体に導いて走査する走査
光学系とを有する半導体レーザ光学装置において、 前記集光光学系を構成するレンズを前記レーザ光の光軸
に交差する回動軸を中心として回動可能とするレンズ回
動機構を備え、前記レンズ回動機構により前記レンズを
前記光軸に対して所定角度傾斜させて設定することによ
り、前記レーザ光を前記走査光学系の光軸上で集光させ
ることを特徴とする半導体レーザ光学装置。 2.特許請求の範囲第1項記載の装置において、 レンズの傾斜方向は、レーザ光の光軸を含み半導体レー
ザの接合面に直交する面内に設定されることを特徴とす
る半導体レーザ光学装置。 3.特許請求の範囲第2項記載の装置において、 レンズは、半導体レーザの接合面に平行となる方向に射
出されるレーザ光の射出点と、前記接合面に直交する方
向に射出されるレーザ光の射出点との間の距離に対応し
た角度だけ傾斜して設定されることを特徴とする半導体
レーザ光学装置。(57) [Claims] A condensing optical system that condenses a laser beam output from a semiconductor laser having an astigmatic difference, and a scanning optical system that guides the laser beam condensed by the condensing optical system to a scanned object to perform scanning. In the semiconductor laser optical device having, a lens rotation mechanism is provided that allows a lens forming the condensing optical system to rotate about a rotation axis that intersects the optical axis of the laser light, A semiconductor laser optical device, wherein the laser light is condensed on the optical axis of the scanning optical system by setting the lens so as to be inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis. 2. The device according to claim 1, wherein the tilt direction of the lens is set within a plane that includes the optical axis of the laser light and is orthogonal to the bonding surface of the semiconductor laser. 3. In the device according to claim 2, the lens is configured such that an emission point of a laser beam emitted in a direction parallel to a joint surface of a semiconductor laser and a laser beam emitted in a direction orthogonal to the joint surface. A semiconductor laser optical device, wherein the semiconductor laser optical device is set to be inclined by an angle corresponding to the distance from the emission point.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62153739A JP2679990B2 (en) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Semiconductor laser optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62153739A JP2679990B2 (en) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Semiconductor laser optical device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63316822A JPS63316822A (en) | 1988-12-26 |
JP2679990B2 true JP2679990B2 (en) | 1997-11-19 |
Family
ID=15569044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62153739A Expired - Fee Related JP2679990B2 (en) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | Semiconductor laser optical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2679990B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0578499B1 (en) * | 1992-07-10 | 1999-12-01 | Fujitsu Limited | Laser diode module |
JP2944062B2 (en) * | 1992-07-10 | 1999-08-30 | 富士通株式会社 | Laser diode module |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5958414A (en) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser optical system |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62153739A patent/JP2679990B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63316822A (en) | 1988-12-26 |
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