JP2678059B2 - Electron beam equipment - Google Patents
Electron beam equipmentInfo
- Publication number
- JP2678059B2 JP2678059B2 JP1096993A JP9699389A JP2678059B2 JP 2678059 B2 JP2678059 B2 JP 2678059B2 JP 1096993 A JP1096993 A JP 1096993A JP 9699389 A JP9699389 A JP 9699389A JP 2678059 B2 JP2678059 B2 JP 2678059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- energy
- sample
- analysis
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 電子ビームを半導体集積回路の内部配線に照射し、照
射点から放出される2次電子のエネルギーを分析して内
部配線の電圧を測定する電子ビーム装置に関し、 測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうことを目
的とし、 電子ビームを対物レンズで収束して試料に照射し、該
試料から放出される2次電子のエネルギーを該対物レン
ズ内に設けられたエネルギー分析器で分析した後2次電
子検出器で検出して該試料各部の電圧を測定する電子ビ
ーム装置において、 該エネルギー分析器と2次電子検出器との間に該エネル
ギー分析器の分析グリッドと対向させて配置され、2次
電子を増倍して出力するアノードの無いマイクロチャン
ネルプレートを有し、該マイクロチャンネルプレートで
増倍された2次電子をシンチレータ及びフォトマルより
なる2次電子検出器で検出するよう構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] An electron beam apparatus for irradiating an internal wiring of a semiconductor integrated circuit with an electron beam and analyzing the energy of secondary electrons emitted from an irradiation point to measure the voltage of the internal wiring, For the purpose of improving the measurement accuracy and performing the measurement at high speed, the electron beam is converged by the objective lens to irradiate the sample, and the energy of secondary electrons emitted from the sample is provided in the objective lens. In the electron beam apparatus for measuring the voltage of each part of the sample by detecting with the secondary electron detector after the analysis with the secondary energy detector, the analysis of the energy analyzer is provided between the energy analyzer and the secondary electron detector. It has an anode-free microchannel plate which is arranged so as to face the grid and outputs secondary electrons by multiplying the secondary electrons multiplied by the microchannel plate. Nchireta and configured to detect the secondary electron detector formed of photo-multiplier.
本発明は電子ビーム装置に関し、更に詳しくは電子ビ
ームを半導体集積回路の内部配線に照射し、照射点から
放出される2次電子のエネルギーを分析して内部配線の
電圧を測定する電子ビーム装置に関する。The present invention relates to an electron beam apparatus, and more particularly to an electron beam apparatus that irradiates an internal beam of a semiconductor integrated circuit with an electron beam and analyzes the energy of secondary electrons emitted from the irradiation point to measure the voltage of the internal line. .
近年、LSI診断などの分野で電子ビームによる電圧波
形測定技術が広く利用されるに至っている。その電圧測
定の原理は、2次電子を放出する試料の電位の変化によ
り、そのエネルギーがリニアに変化するという物理現象
を利用したものであり、2次電子のエネルギー分布を測
定し、そのエネルギーシフト量を求め、電圧に換算する
というものである。In recent years, voltage waveform measurement technology using electron beams has been widely used in fields such as LSI diagnosis. The principle of the voltage measurement is to use the physical phenomenon that the energy changes linearly with the change of the potential of the sample that emits the secondary electrons. The energy distribution of the secondary electrons is measured and the energy shift is measured. The amount is calculated and converted into voltage.
したがって、その測定精度はエネルギー分析精度に依
存しており、特に試料が半導体集積回路(LSI)などの
ように微細で複雑な構造をもっている場合その優劣が顕
著に現れる。エネルギー分析器の精度を左右する要素の
ひとつとして、分析器を通過した電子(すなわち、分析
グリッドを通過した電子)の検出効率がある。理想的な
分析器として必要な特性は、この検出効率ができるかぎ
り大きく、かつ常に一定であること、つまり試料の電圧
や分析電圧によって変らないことである。Therefore, the measurement accuracy depends on the energy analysis accuracy, and especially when the sample has a fine and complicated structure such as a semiconductor integrated circuit (LSI), the superiority or inferiority becomes remarkable. One of the factors that influence the accuracy of the energy analyzer is the detection efficiency of electrons that have passed through the analyzer (that is, electrons that have passed through the analysis grid). The characteristics required for an ideal analyzer are that the detection efficiency is as large as possible and always constant, that is, it does not change depending on the sample voltage or the analysis voltage.
第5図,第6図は従来装置の各例の構造図を示す。 FIG. 5 and FIG. 6 are structural views of each example of the conventional device.
第5図において、電子ビームは磁界型の対物レンズ10
により収束されてLSI等の試料11に照射される。試料11
から放出される2次電子は対物レンズ10内に設けられた
エネルギー分析器を構成する引出しグリッド12の引出し
電圧VEにより対物レンズ10に向かって加速され、バッフ
ァグリッド13のバッファ電圧VBにより分析グリッド14に
略垂直に入射するよう軌道を制御される。分析グリッド
14の分析電圧VRを越える2次電子だけが分析グリッド14
を通過し、リフレクタ20及びコレクタ15によりシンチレ
ータ16に集められて入射される。シンチレータ16に2次
電子が衝突するとシンチレータ16により光信号に変換さ
れ、この光信号はライトガイド17によってフォトマル
(光電子倍増管)18に導かれ、ここで電流信号として増
幅される。この電流信号は端子19より次段のプリアンプ
に供給される。In FIG. 5, the electron beam is a magnetic field type objective lens 10.
Are converged by and are irradiated onto the sample 11 such as an LSI. Sample 11
The secondary electrons emitted from are accelerated toward the objective lens 10 by the extraction voltage V E of the extraction grid 12 which constitutes the energy analyzer provided in the objective lens 10 and analyzed by the buffer voltage V B of the buffer grid 13. The orbit is controlled so that the light enters the grid 14 substantially vertically. Analysis grid
Only the secondary electrons that exceed the analysis voltage V R of 14 are the analysis grid 14
After passing through, the light is collected and incident on the scintillator 16 by the reflector 20 and the collector 15. When secondary electrons collide with the scintillator 16, it is converted into an optical signal by the scintillator 16, and this optical signal is guided by a light guide 17 to a photomultiplier (photomultiplier tube) 18, where it is amplified as a current signal. This current signal is supplied from the terminal 19 to the preamplifier at the next stage.
第6図中、第5図と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。第6図中、分析グリッド14を通過し
た2次電子はアノード25を持つマイクロチャンネルプレ
ート26に入射され、ここで電子が増倍される。マイクロ
チャンネルプレート26から出力される増倍された電子は
アノード25に入射され、この電子の量に応じて電流がア
ノード25に流れ、電流信号として端子27より次段のプリ
アンプに供給される。6, those parts which are the same as those corresponding parts in FIG. 5 are designated by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. In FIG. 6, the secondary electrons that have passed through the analysis grid 14 are incident on the microchannel plate 26 having the anode 25, where the electrons are multiplied. The multiplied electrons output from the microchannel plate 26 enter the anode 25, and a current flows in the anode 25 according to the amount of the electrons, and is supplied as a current signal from the terminal 27 to the preamplifier in the next stage.
なお、第5図,第6図中、ハッチング部分は金属材
料,梨地部分はセラミック等の絶縁材料であることを示
す。In FIGS. 5 and 6, the hatched portion is a metallic material, and the matte portion is an insulating material such as ceramic.
第5図の装置では電圧Vsの試料11からエネルギーVSE
O〔eV〕で放出された2次電子は引出しグリッド12を通
過するときVSEO+VE−Vs〔eV〕のエネルギーを持ち、
バッファグリッド13を通過するときVSEO+VB−Vs〔e
V〕のエネルギーを持ち、VSEO+VB−Vs〔eV〕持つこと
となり、エネルギー分析器内で第7図に模式的に示す如
き2次電子軌道をとる。In the apparatus shown in FIG. 5, the energy VSE from the sample 11 of voltage Vs
The secondary electron emitted at O [eV] has energy of VSEO + V E −Vs [eV] when passing through the extraction grid 12,
When passing through the buffer grid 13, VSEO + V B −Vs [e
It has energy of V] and has VSEO + V B −Vs [eV], and takes a secondary electron orbit as schematically shown in FIG. 7 in the energy analyzer.
つまり分析グリッド14を通過する位置Rにおける2次
電子のエネルギーは試料電圧Vs及び分析電圧VRに従って
変化することになる。そのため、測定を行なうため分析
電圧VRを可変すると2次電圧の軌道が変化しシンチレー
タ16まで2次電子が到達しない場合も生じ検出効率が変
動する。That is, the energy of the secondary electrons at the position R passing through the analysis grid 14 changes according to the sample voltage Vs and the analysis voltage V R. Therefore, if the analysis voltage V R is changed to perform measurement, the trajectory of the secondary voltage changes, and the secondary electrons do not reach the scintillator 16, which also changes the detection efficiency.
このため、試料電圧0V,5V夫々で分析電圧VRを可変し
たときの検出信号SEのレベル即ち分析カーブは第8図の
実線I a,I bの如く、分析電圧軸に沿って平行移動した
関係であることが理想的であるにも拘らず、実際には破
線II a,II bの如く試料電圧Vsの変化に対して分析電圧
軸に沿う移動とともにその形を大きく変えてしまう。従
って、正確に分析カーブの移動量を求めることができな
くなり、電圧測定誤差を生じるという問題があった。Therefore, the level of the detection signal SE when the analysis voltage V R is varied with the sample voltages of 0 V and 5 V, that is, the analysis curve, is moved in parallel along the analysis voltage axis as shown by the solid lines I a and I b in FIG. Although the relationship is ideal, in reality, the shape greatly changes with the movement along the analysis voltage axis with respect to the change in the sample voltage Vs as indicated by the broken lines IIa and IIb. Therefore, there is a problem in that the amount of movement of the analysis curve cannot be accurately obtained, and a voltage measurement error occurs.
なお第6図の装置において、マイクロチャンネルプレ
ート26を分析グリッド14に接近させることにより、検出
効率の改善を図れるが、第6図の装置ではアノード25が
大きいため、対入,出力電極間等との静電容量も大き
く、次段のプリアンプの高速化が困難であり、また端子
27における電流信号が数100Vの高電圧にバイアスされる
ため、この高電圧と信号電流とのアイソレーションをす
る回路が必要となり、この点からも高速化が困難である
という問題があった。In the device of FIG. 6, the detection efficiency can be improved by bringing the microchannel plate 26 close to the analysis grid 14. However, in the device of FIG. Has a large capacitance, making it difficult to speed up the preamplifier in the next stage.
Since the current signal at 27 is biased to a high voltage of several 100V, a circuit for isolating the high voltage from the signal current is required, and from this point as well, there is a problem that it is difficult to increase the speed.
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、測定精度が
向上し、かつ測定を高速に行なう電子ビーム装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an electron beam apparatus that improves measurement accuracy and performs measurement at high speed.
本発明の電子ビーム装置は、電子ビームを対物レンズ
で収束して試料に照射し、試料から放出される2次電子
のエネルギーを対物レンズ内に設けられたエネルギー分
析器で分析した後2次電子検出器で検出して試料各部の
電圧を測定する電子ビーム装置において、 エネルギー分析器と2次電子検出器との間にエネルギ
ー分析器の分析グリッドと対向させて配置され、2次電
子を増倍して出力するアノードの無いマイクロチャンネ
ルプレートを有し、 マイクロチャンネルプレートで増倍された2次電子を
シンチレータ及びフォトマルよりなる2次電子検出器で
検出する。In the electron beam apparatus of the present invention, the electron beam is converged by the objective lens to irradiate the sample, the energy of the secondary electrons emitted from the sample is analyzed by an energy analyzer provided in the objective lens, and then the secondary electron is emitted. In an electron beam device that detects the voltage of each part of the sample by detecting with a detector, it is placed between the energy analyzer and the secondary electron detector so as to face the analysis grid of the energy analyzer and multiply the secondary electrons. The secondary electron multiplied by the microchannel plate is detected by a secondary electron detector including a scintillator and a photomultiplier.
〔作用〕 本発明においては、アノード無しマイクロチャンネル
プレートにより分析グリッドを通過した2次電子を増倍
し、かつ一定エネルギーとして出力し、増倍された2次
電子をシンチレータ及びフォトマルよりなる2次電子検
出器で検出する。このため、増倍された2次電子の軌道
が試料電圧や分析電圧の影響を受けず、検出効率が一定
となり、測定精度が向上し、また2次電子検出器の静電
容量が小さく出力電流信号の高速の測定が可能となる。[Operation] In the present invention, the secondary electrons passing through the analysis grid are multiplied by the anode-free microchannel plate and output as constant energy, and the multiplied secondary electrons are formed by the scintillator and the photomultiplier. Detect with electronic detector. Therefore, the orbits of the multiplied secondary electrons are not affected by the sample voltage and the analysis voltage, the detection efficiency is constant, the measurement accuracy is improved, and the capacitance of the secondary electron detector is small and the output current is small. It enables high speed measurement of signals.
第1図は本発明装置の一実施例の構造図を示す。同図
中、第5図と同一部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。また第1図中、ハッチング部分は金属材料、
梨地部分はセラミック材料等の絶縁材料である。FIG. 1 shows a structural diagram of an embodiment of the device of the present invention. 5, the same parts as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Further, in FIG. 1, the hatched portion is a metallic material,
The satin portion is an insulating material such as a ceramic material.
第1図において、対物レンズ10内に電子ビーム軸に沿
って試料11側から順に引出しグリッド12,バッファグリ
ッド13,分析グリッド14,アノード無しマイクロチャンネ
ルプレート30が設けられている。In FIG. 1, an extraction grid 12, a buffer grid 13, an analysis grid 14, and an anode-free microchannel plate 30 are provided in the objective lens 10 in order from the sample 11 side along the electron beam axis.
アノード無しマイクロチャンネルプレート30は第2図
に示す如く、照射される電子ビームの通過孔30aに略沿
った無数の微細貫通孔(チャネル)30bを設けた板材
(例えばガラス)30cの両面に例えばFe−Crを蒸着で形
成した入力電極30dと出力電極30eを設けており、各微細
貫通孔30bの内周面には電子が入射すると2次電子を放
出して電子増倍を行なう物質が塗布されている。入力電
極30dには+50〜100V程度の電圧(例えば+100V)が印
加され、出力電極30eには+500〜1000V程度の電圧(例
えば+500V)が印加されている。As shown in FIG. 2, the anode-free microchannel plate 30 has, for example, Fe on both sides of a plate material (for example, glass) 30c provided with innumerable minute through holes (channels) 30b substantially along the passage holes 30a for the electron beam to be irradiated. It is provided with an input electrode 30d and an output electrode 30e formed by vapor deposition of -Cr, and is coated with a substance that emits secondary electrons and causes electron multiplication when electrons enter the inner peripheral surface of each fine through hole 30b. ing. A voltage of about +50 to 100V (for example, + 100V) is applied to the input electrode 30d, and a voltage of about +500 to 1000V (for example, + 500V) is applied to the output electrode 30e.
入力電極30dは分析グリッド14を通過した被検出電子
を加速して微細貫通孔30bの入口附近の内壁に衝突させ
るための加速電極である。このため貫通孔30bは被検出
電子の入射方向に対して傾けて配置されている。The input electrode 30d is an accelerating electrode for accelerating the electrons to be detected that have passed through the analysis grid 14 to collide with the inner wall near the entrance of the fine through hole 30b. Therefore, the through hole 30b is arranged so as to be inclined with respect to the incident direction of the detected electrons.
出力電極30eは貫通孔30bの内壁から放出された二次電
子を更に加速し、次の衝突時に高い二次電子放出効率が
得られるようにするため、貫通孔30b内の孔に沿った加
速電界を発生させるための電極である。The output electrode 30e further accelerates the secondary electrons emitted from the inner wall of the through hole 30b, and in order to obtain a high secondary electron emission efficiency at the next collision, an acceleration electric field along the hole in the through hole 30b is obtained. It is an electrode for generating.
第1図に戻って説明するに、電子ビームを照射された
試料11から放出される2次電子は引出しグリッド12,バ
ッファグリッド13を通って分析グリッド14に入射され、
ここを通過した2次電子はアノード無しマイクロチャン
ネルプレート30で電子増倍される。アノード無しマイク
ロチャンネルプレート30で増倍され出力された電子はリ
フレクタ20及びコレクタ15によってシンチレータ16に集
められて入射され、端子19から電流信号が出力される。Returning to FIG. 1, the secondary electrons emitted from the sample 11 irradiated with the electron beam pass through the extraction grid 12 and the buffer grid 13 and enter the analysis grid 14,
The secondary electrons that have passed through this are electron-multiplied by the anode-free microchannel plate 30. The electrons multiplied by the anode-free microchannel plate 30 and output are collected by the reflector 20 and the collector 15 and incident on the scintillator 16, and a current signal is output from the terminal 19.
ここで、電圧Vsの試料11からエネルギーVSEO〔eV〕
で放出された2次電子は引出しグリッド12を通過すると
きVSEO+VE−Vs〔eV〕のエネルギーを持ち、バッファ
グリッド13を通過するときVSEO+VB−Vs〔eV〕のエネ
ルギーを持ち、分析グリッド14を通過するときVSEO+V
R−Vs〔eV〕のエネルギーを持ち、試料電圧Vs及び分析
電圧VRにより2次電子のエネルギーは変動する。Here, the energy VSEO [eV] from the sample 11 of the voltage Vs
The secondary electrons emitted at have energy of VSEO + V E −Vs [eV] when passing through the extraction grid 12, have energy of V SEO + V B −Vs [eV] when passing through the buffer grid 13, and pass through the analysis grid 14. VSEO + V when passing
It has an energy of R- Vs [eV], and the energy of the secondary electrons varies depending on the sample voltage Vs and the analysis voltage VR.
しかし、分析グリッド14から数mmの位置にアノード無
しマイクロチャンネルプレート30が設けられているた
め、アノード無しマイクロチャンネルプレート30の位置
における2次電子のエネルギー変動による軌道の変化は
小さくほとんど無視できる。そしてアノード無しマイク
ロチャンネルプレート30の出力電極30eから出力される
増倍された電子のエネルギーは、マイクロチャンネルプ
レート内部の材料からの2次電子であるから常に数10ev
と一定で、かつ出力電極の電圧は500Vで一定である。こ
のため増倍された電子の軌道はリフレクタ20及びコレク
タ15等の電界分布で決まり、試料電圧Vs及び分析電圧VR
の影響を受けない。つまり検出効率も一定となり、第4
図に示す如く理想的な分析カーブが得られる。精度の高
い電圧測定が可能となる。同図中、実線III a,III bは
夫々試料電圧0V,5Vでの分析カーブを示す。However, since the anode-free microchannel plate 30 is provided at a position several mm from the analysis grid 14, the change in the orbit due to the energy fluctuation of the secondary electrons at the position of the anode-free microchannel plate 30 is small and can be almost ignored. And the energy of the multiplied electrons output from the output electrode 30e of the microchannel plate 30 without an anode is always several tens of ev because it is a secondary electron from the material inside the microchannel plate.
And the voltage of the output electrode is constant at 500V. Therefore, the orbits of the multiplied electrons are determined by the electric field distribution of the reflector 20, the collector 15, etc., and the sample voltage Vs and the analysis voltage V R
Not affected by. That is, the detection efficiency is also constant, and the fourth
An ideal analysis curve is obtained as shown in the figure. Highly accurate voltage measurement is possible. In the figure, solid lines IIIa and IIIb show analysis curves at sample voltages of 0V and 5V, respectively.
また、シンチレータ16,ライトガイド17,フォトマル18
で構成した電子検出器を使用するため、アノードを持つ
マイクロチャンネルプレートによる検出器に比して端子
19における静電容量が小さく、かつ電流信号が高電圧に
バイアスされないために、次段のプリアンプの高速化が
なされ、測定を高速に行なうことができる。In addition, scintillator 16, light guide 17, photomaru 18
Since the electron detector configured in is used, the terminal is
Since the capacitance in 19 is small and the current signal is not biased to a high voltage, the preamplifier in the next stage is sped up and the measurement can be performed at high speed.
上述の如く、本発明の電子ビーム装置によれば、試料
電圧の測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうこと
ができ実用上きわめて有用である。As described above, according to the electron beam apparatus of the present invention, the measurement accuracy of the sample voltage can be improved and the measurement can be performed at high speed, which is extremely useful in practice.
第1図は本発明装置の一実施例の構造図、 第2図はアノード無しマイクロチャンネルプレートの一
実施例の構成図、 第3図は本発明装置の電子軌道を模式的に示す図、 第4図は本発明装置の分析カーブを示す図、 第5図,第6図は従来装置の各例の構造図、 第7図は従来装置の電子軌道を模式的に示す図、 第8図は従来装置の分析カーブを示す図である。 図において、 11は試料、 12は引出しグリッド、 13はバッファグリッド、 14は分析グリッド、 16はシンチレータ、 17はライトガイド、 18はフォトマル、 30はアノード無しマイクロチャンネルプレートを示す。FIG. 1 is a structural diagram of an embodiment of the device of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of an embodiment of a microchannel plate without an anode, and FIG. 3 is a diagram schematically showing electron trajectories of the device of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing an analysis curve of the device of the present invention, FIGS. 5 and 6 are structural diagrams of each example of the conventional device, FIG. 7 is a diagram schematically showing electron trajectories of the conventional device, and FIG. It is a figure which shows the analysis curve of a conventional apparatus. In the figure, 11 is a sample, 12 is a drawing grid, 13 is a buffer grid, 14 is an analytical grid, 16 is a scintillator, 17 is a light guide, 18 is a photomul, and 30 is a microchannel plate without an anode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 濱 壮一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 安部 貴之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−231855(JP,A) 特開 昭63−293847(JP,A) 特開 昭61−97575(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Soichi Hama 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Takayuki Abe 1015, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited ( 56) References JP-A-63-231855 (JP, A) JP-A-63-293847 (JP, A) JP-A-61-97575 (JP, A)
Claims (1)
試料(11)に照射し、該試料(10)から放出される2次
電子のエネルギーを該対物レンズ(10)内に設けられた
エネルギー分析器で分析した後2次電子検出器で検出し
て該試料(10)各部の電圧を測定する電子ビーム装置に
おいて、 該エネルギー分析器と2次電子検出器との間に該エネル
ギー分析器の分析グリッド(14)と対向させて配置さ
れ、2次電子を増倍して出力するアノードの無いマイク
ロチャンネルプレート(30)を有し、 該マイクロチャンネルプレート(30)で増倍された2次
電子をシンチレータ(16)及びフォトマル(18)よりな
る2次電子検出器で検出するよう構成したことを特徴と
する電子ビーム装置。1. An electron beam is converged by an objective lens (10) to irradiate a sample (11), and energy of secondary electrons emitted from the sample (10) is provided in the objective lens (10). In the electron beam apparatus for measuring the voltage of each part of the sample (10) after being analyzed by the energy analyzer and detected by the secondary electron detector, the energy analysis is performed between the energy analyzer and the secondary electron detector. And an anode-free microchannel plate (30) for multiplying and outputting secondary electrons, the microchannel plate (30) being arranged so as to face the analysis grid (14) of the vessel and being multiplied by the microchannel plate (30). An electron beam device characterized by being configured to detect a secondary electron by a secondary electron detector composed of a scintillator (16) and a photomultiplier (18).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096993A JP2678059B2 (en) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | Electron beam equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096993A JP2678059B2 (en) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | Electron beam equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02275368A JPH02275368A (en) | 1990-11-09 |
JP2678059B2 true JP2678059B2 (en) | 1997-11-17 |
Family
ID=14179723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1096993A Expired - Fee Related JP2678059B2 (en) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | Electron beam equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2678059B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106777A (en) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Hamamatsu Photonics Kk | Electron multiplier for use with electron microscope |
WO1998020518A1 (en) | 1996-11-06 | 1998-05-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier |
US5990483A (en) * | 1997-10-06 | 1999-11-23 | El-Mul Technologies Ltd. | Particle detection and particle detector devices |
JP3661633B2 (en) | 2001-08-27 | 2005-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | Electron beam test system and electron beam test method |
US7531812B2 (en) | 2003-10-27 | 2009-05-12 | Politechnika Wroclawska | Method and system for the directional detection of electrons in a scanning electron microscope |
PL210038B1 (en) * | 2004-01-21 | 2011-11-30 | Politechnika Wroclawska | The method and the system designed for directional detection of electrons in the scanning electron microscope |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1096993A patent/JP2678059B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02275368A (en) | 1990-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107407595B (en) | Light quantity detection device, immunoassay apparatus and charge particle bundle device using it | |
US20130126727A1 (en) | Time-of-Flight Electron Energy Analyzer | |
JPS6369135A (en) | Electronic detector | |
JP2020520069A (en) | Mass spectrometer detector and system and method using same | |
JP2678059B2 (en) | Electron beam equipment | |
US3670172A (en) | Charged particle generating and utilizing | |
US4514682A (en) | Secondary electron spectrometer for measuring voltages on a sample utilizing an electron probe | |
JPS63231858A (en) | Electron beam device | |
CN212111821U (en) | X-ray time evolution process measuring device | |
US4748407A (en) | Method and apparatus for measuring time dependent signals with a particle probe | |
US3873839A (en) | High speed linac-beam analyzer | |
US11133166B2 (en) | Momentum-resolving photoelectron spectrometer and method for momentum-resolved photoelectron spectroscopy | |
US20060065831A1 (en) | Spectrum analyzer and method of spectrum analysis | |
JP4368698B2 (en) | Sample analyzer and method thereof | |
JP2590417B2 (en) | Auger electron spectrometer | |
JPH0637564Y2 (en) | Neutral particle scattering analyzer | |
JPS61220259A (en) | Electron beam apparatus | |
JP3002221B2 (en) | Scanning probe microscope | |
JPH0341402Y2 (en) | ||
JPS62150642A (en) | Potential measuring device applying charged beam | |
JPH04317350A (en) | Noncontact potential measuring apparatus | |
Olivier et al. | An investigation into the possible use of the nuclear microprobe for the examination of surface topography | |
JP2628348B2 (en) | Electron beam equipment | |
JPS63293847A (en) | Semiconductor inspection apparatus | |
CN111221029A (en) | X-ray time evolution process measuring device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |