JP2672695B2 - Bonding equipment for integrated circuits - Google Patents

Bonding equipment for integrated circuits

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は集積回路用ボンディング装置、特に半導体ウ
エーハ上に形成された集積回路チップの品質に応じたボ
ンディングを行う装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an integrated circuit bonding apparatus, and more particularly to an apparatus for performing bonding according to the quality of an integrated circuit chip formed on a semiconductor wafer.

[従来の技術] 集積回路は1枚の半導体ウエーハ上に形成された多数
の集積回路チップを個々に分割した後、集積回路チップ
をパッケージに搭載し、外部接続用リードと集積回路チ
ップパッド間を結線し集積回路チップを封止することに
より組立てられる。
[Prior Art] In an integrated circuit, a large number of integrated circuit chips formed on one semiconductor wafer are individually divided, and then the integrated circuit chips are mounted on a package, and a lead for external connection and an integrated circuit chip pad are placed between them. It is assembled by connecting and sealing the integrated circuit chip.

一般に、この組み立ては以下の工程によって達成され
る。
Generally, this assembly is accomplished by the following steps.

(ア)1枚の半導体ウエーハ上に形成された集積回路チ
ップを個々に分割するダイシング。
(A) Dicing for individually dividing an integrated circuit chip formed on a single semiconductor wafer.

(イ)分割された個々の集積回路チップをパッケージに
搭載するダイボンディング。
(A) Die bonding for mounting the divided individual integrated circuit chips in a package.

(ウ)集積回路チップ上のパッドとパッケージ上の外部
リードとをAu線やAl線を用いて結線するワイヤボンディ
ング。
(C) Wire bonding for connecting pads on the integrated circuit chip and external leads on the package using Au wires or Al wires.

(エ)外周雰囲気からの汚染や破損から集積回路チップ
を保護する封止。
(D) Sealing that protects the integrated circuit chip from contamination and damage from the outer atmosphere.

そして、通常は前記ダイシング工程を行う前に半導体
ウエーハ状態で各集積回路チップのボンディングパッド
に探針を機械的に接触させて電気的特性を測定するウエ
ーハプロービング試験が行われる。そして、このウエー
ハプロービング試験で各集積回路チップの品質がランク
付けされ、所定のランクに達した集積回路チップのみが
良品として前述の組み立て工程に移行し、組み立てが完
了する。
Then, a wafer probing test is usually performed in which a probe is mechanically brought into contact with a bonding pad of each integrated circuit chip in a semiconductor wafer state before the dicing step to measure electrical characteristics. Then, the quality of each integrated circuit chip is ranked by this wafer probing test, and only the integrated circuit chips which have reached a predetermined rank are judged as non-defective products, and the assembly process is completed to complete the assembly.

[発明が解決しようとする課題] このように、従来においては組み立て工程に移行する
前に作成された集積回路チップの電気的特性を試験し、
この試験で一定水準以上の品質が得られた集積回路チッ
プのみをダイボンディング、更にはワイヤボンディング
を行って組み立てており、最終的な歩留まりを向上させ
ることは極めて困難であるという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the related art, the electrical characteristics of the integrated circuit chip produced before the assembly process is tested,
There is a problem that it is extremely difficult to improve the final yield because only the integrated circuit chips that have obtained a certain level of quality in this test are die-bonded and further wire-bonded.

すなわち、半導体ウエーハ上に形成される集積回路チ
ップは、露光工程、エッチング工程、電極配線工程、絶
縁工程と順次経ることにより製造されるが、各工程とも
ほぼ極限まで工程管理が行われており、各工程における
歩留まりを向上させるには、高度のブレークスルーが要
求されるのである。
That is, an integrated circuit chip formed on a semiconductor wafer is manufactured by sequentially undergoing an exposure step, an etching step, an electrode wiring step, and an insulating step, but each step is controlled to the utmost limit, A high degree of breakthrough is required to improve the yield in each process.

本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、組み立て工程前に行った品質試験結果
に応じてボンディングを行うことにより従来不良品とし
て組み立てを行わなかった集積回路チップをも一定の品
質水準が得られるようにボンディングを行うことにより
歩留まり向上を図ることが可能な集積回路用ボンディン
グ装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to provide an integrated circuit chip that has not been assembled as a conventional defective product by performing bonding according to a quality test result performed before the assembly process. Another object of the present invention is to provide a bonding apparatus for an integrated circuit, which can improve the yield by performing bonding so that a constant quality level can be obtained.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明に係る集積回路用
ボンディング装置は、ボンディングすべき半導体ウエー
ハに記録された識別番号を読み取るバーコードリーダ
と、このバーコードリーダで読み出された識別番号に基
づいて半導体ウエーハ上に形成された集積回路チップの
品質に関する情報が予め格納されたメモリから該当する
半導体ウエーハの集積回路チップの品質に関する情報を
検索し、パッケージに搭載された各集積回路チップの品
質評価を行うダイボンディングコントローラと、このダ
イボンディングコントローラで評価された品質に応じて
パッケージ搭載された各集積回路チップの結線を行うワ
イヤボンディングコントローラとを有することを特徴と
している。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a bonding apparatus for an integrated circuit according to the present invention is a bar code reader for reading an identification number recorded on a semiconductor wafer to be bonded, and this bar code reader. Based on the identification number read in, the information about the quality of the integrated circuit chip formed on the semiconductor wafer is retrieved from the memory in which the information about the quality of the integrated circuit chip of the corresponding semiconductor wafer is retrieved and mounted on the package. Characterized by having a die bonding controller that evaluates the quality of each integrated circuit chip and a wire bonding controller that connects the integrated circuit chips mounted in the package according to the quality evaluated by the die bonding controller. There is.

[作用] 本発明の集積回路用ボンディング装置はこのような構
成を有しており、バーコードリーダにてこれらからボン
ディングすべき半導体ウエーハの識別番号を読み取る。
そして、読み取られた識別番号は集積回路チップをパッ
ケージに搭載するダイボンディングコントローラに送ら
れる。
[Operation] The bonding apparatus for an integrated circuit of the present invention has such a configuration, and the bar code reader reads the identification number of the semiconductor wafer to be bonded from them.
Then, the read identification number is sent to the die bonding controller that mounts the integrated circuit chip on the package.

ダイボンディングコントローラでは、バーコードリー
ダから送られてきた識別番号に基づきダイボンディング
を行う集積回路チップを識別し、予めウエーハプロービ
ング試験により得られた集積回路チップの品質に関する
情報が格納されたメモリから該当する情報を検索する。
そして、ダイボンディングが行われた各集積回路チップ
に対応した品質評価を行い、ワイヤボンディングコント
ローラにその情報を送る。
The die bonding controller identifies the integrated circuit chip to be die-bonded based on the identification number sent from the bar code reader, and the corresponding information is stored in the memory in which the information about the quality of the integrated circuit chip obtained in advance by the wafer probing test is stored. Search for the information you want.
Then, quality evaluation corresponding to each integrated circuit chip that has been die-bonded is performed, and the information is sent to the wire bonding controller.

ワイヤボンディングコントローラではダイボンディン
グコントローラから送られてきたパッケージ搭載された
各集積回路チップの品質評価結果に応じて集積回路チッ
プ上のパッドとパッケージ上の外部リードとを結線し、
ウェハプロービング試験で一定の品質が得られなかった
集積回路チップに対しても所望の品質が得られるように
結線を行う。
In the wire bonding controller, the pads on the integrated circuit chip and the external leads on the package are connected according to the quality evaluation result of each integrated circuit chip mounted on the package sent from the die bonding controller,
Wiring is performed so that a desired quality can be obtained even for an integrated circuit chip for which a certain quality cannot be obtained in the wafer probing test.

このように、品質評価結果に応じてワイヤボンディン
グ方法を適宜変更することにより、従来不良品としてボ
ンディングが行われなかった集積回路チップをもボンデ
ィングを行うことにより、歩留まりを向上させることが
可能となる。
As described above, by appropriately changing the wire bonding method according to the quality evaluation result, it is possible to improve the yield by also bonding an integrated circuit chip that has not been bonded as a defective product in the past. .

[実施例] 以下、図面を用いながら本発明に係る集積回路用ボン
ディング装置の好適な実施例を説明する。
[Embodiment] A preferred embodiment of the bonding apparatus for an integrated circuit according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本実施例の構成ブロック図を示したものであ
る。半導体ウエーハ10は粘着フィルム12により金属リン
グ14に固定されており、ウエーハプロービング試験が行
われた後、本実施例の集積回路用ボンディング装置へ搬
入される。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of this embodiment. The semiconductor wafer 10 is fixed to the metal ring 14 by the adhesive film 12, and after the wafer probing test is performed, it is carried into the integrated circuit bonding apparatus of this embodiment.

半導体ウエーハ10が固定されている金属リング14には
この半導体ウエーハの識別番号が記録されたバーコード
16が貼付されており、このバーコード16は本実施例装置
のバーコードリーダ18により読み取られる。
A bar code in which the identification number of this semiconductor wafer is recorded on the metal ring 14 to which the semiconductor wafer 10 is fixed.
16 is attached, and this bar code 16 is read by the bar code reader 18 of the apparatus of this embodiment.

なお、この半導体ウエーハ10上の各集積回路チップの
ウエーハプロービング試験結果は半導体ウエーハ10の識
別番号と共にフロッピーディスク等のメモリ20に格納さ
れる。ウエーハプロービング試験結果としては、例えば
各集積回路チップの品質をランクA,ランクB,ランクCの
3段階に分け、各集積回路チップのアドレスと共に格納
すれば良い。
The wafer probing test result of each integrated circuit chip on the semiconductor wafer 10 is stored in the memory 20 such as a floppy disk together with the identification number of the semiconductor wafer 10. As the wafer probing test result, for example, the quality of each integrated circuit chip may be divided into three stages of rank A, rank B, and rank C and stored together with the address of each integrated circuit chip.

バーコードリーダ18にて読み取られた半導体ウエーハ
10の識別番号は半導体ウエーハ10上の集積回路チップを
セラミックパッケージやリードフレームのダイパッドの
位置に取付けるダイボンディングを行うダイボンディン
グコントローラ22に送られる。
Semiconductor wafer read by barcode reader 18
The identification number of 10 is sent to a die bonding controller 22 that performs die bonding to attach the integrated circuit chip on the semiconductor wafer 10 to the position of the die pad of the ceramic package or the lead frame.

ダイボンディングコントローラ22ではバーコードリー
ダ18から送られてきた半導体ウエーハ10の識別番号に基
づき、メモリ20にアクセスして該当する識別番号の集積
回路チップの品質に関する情報を検索する。
The die bonding controller 22 accesses the memory 20 based on the identification number of the semiconductor wafer 10 sent from the bar code reader 18 and retrieves information regarding the quality of the integrated circuit chip having the corresponding identification number.

前述したように、メモリ20は組み立て工程前に行った
ウエーハプロービング試験結果が格納されており、各半
導体ウエーハ上に形成された集積回路チップの個々につ
いてランクA〜ランクCのランク付けがなされている。
そして、ダンボンディングコントロー22は半導体ウエー
ハ10上に形成された個々の集積回路チップをパッケージ
に搭載するダイボンディングを行う際に、メモリ20から
検索した品質に関する情報を基にランクA〜ランクCの
品質評価を行う。
As described above, the memory 20 stores the results of the wafer probing test performed before the assembly process, and ranks A to C are assigned to the individual integrated circuit chips formed on each semiconductor wafer. .
When the die bonding controller 22 mounts the individual integrated circuit chips formed on the semiconductor wafer 10 in a package and performs die bonding, the quality of rank A to rank C is determined based on the quality information retrieved from the memory 20. Make an evaluation.

そして、ダイボンディングコントローラ22でパッケー
ジに搭載された集積回路チップやワイヤボンディングコ
ントローラ24に搬送され、集積回路チップ上のパッドと
パッケージ上の外部リードとをAu線やAl線を用いて結線
する。
Then, the die bonding controller 22 carries the integrated circuit chip mounted on the package or the wire bonding controller 24, and connects the pad on the integrated circuit chip and the external lead on the package by using an Au wire or an Al wire.

この時、本実施例においてい特徴的なことは、ダイボ
ンディングコントローラ22でダイボンディングされた集
積回路チップ個々についての品質評価に応じてワイヤボ
ンディングを行うことである。すなわち、品質評価の結
果、ランクAと評価されたダイボンディング済集積回路
チップのワイヤボンディングとランクCと評価されたダ
イボンディング済集積回路チップのワイヤボンディング
とは異なる結線が行われることである。
At this time, a characteristic feature of this embodiment is that wire bonding is performed according to the quality evaluation of each integrated circuit chip die-bonded by the die-bonding controller 22. That is, as a result of the quality evaluation, the wire bonding of the die-bonded integrated circuit chip evaluated as rank A and the wire bonding of the die-bonded integrated circuit chip evaluated as rank C are different from each other.

以下、第2図の回路図を用いて本実施例におけるワイ
ヤボンディング工程を説明する。
The wire bonding process in this embodiment will be described below with reference to the circuit diagram of FIG.

第2図は増幅器30、フィルタ回路32及び積分回路34か
らなる簡易な集積回路を示したものであり、入力パッド
IN、出力パッドOUT並びに電源パッドVcc、アースパッド
GNDの各パッドを有すると共にフィルタ回路32のフィル
タ周波数特性を段階的に変化させるための切り換えパッ
ド、、を有している。
FIG. 2 shows a simple integrated circuit including an amplifier 30, a filter circuit 32, and an integrating circuit 34.
IN, output pad OUT, power supply pad Vcc, ground pad
Each pad of GND and a switching pad for gradually changing the filter frequency characteristic of the filter circuit 32 are provided.

さて、このような回路構成を有する集積回路チップは
組み立て工程前のウエーハプロービング試験により品質
検査され、ダイボンディングコントローラ22でダイボン
ディングされる際にそのフィルタ周波数のバラツキの大
小、例えば標準の中心周波数38kHzに対してバラツキが2
kHz以下のものはランクA、それ以外のものはランク
B、Cとランク付けがなされるが、ランクAと品質評価
された場合には、ワイヤボンディングコントローラ24は
パッド選択を行いワイヤボンディングを行うパッド選択
ワイヤボンダ26に制御信号を送ってフィルタ回路32のパ
ッド〜の中からのパッドを選択し、パッケージの
外部リードと結線する。
Now, the integrated circuit chip having such a circuit configuration is quality-inspected by a wafer probing test before the assembly process, and when the die bonding is performed by the die bonding controller 22, the variation of the filter frequency is large or small, for example, the standard center frequency is 38 kHz. Variation is 2
If the frequency is less than kHz, it is ranked as rank A, and the others are ranked as ranks B and C. However, if the quality is evaluated as rank A, the wire bonding controller 24 selects a pad to perform wire bonding. A control signal is sent to the selection wire bonder 26 to select a pad from among the pads (1) to (3) of the filter circuit 32, and the pad is connected to the external lead of the package.

一方、ダイボンディングコントローラ22でダイボンデ
ィングされた集積回路チップがランクBと品質評価され
た場合には、ワイヤボンディングコントローラ24はパッ
ド選択ワイヤボンダ26に制御信号を送り、フィルタ回路
32のパッドのうち、パッドを選択して外部リードと結
線することにより所定の周波数バラツキ内となるように
変更する。
On the other hand, when the integrated circuit chip die-bonded by the die-bonding controller 22 is evaluated as rank B, the wire-bonding controller 24 sends a control signal to the pad selection wire bonder 26, and the filter circuit
By selecting a pad from among the 32 pads and connecting it to an external lead, it is changed to be within a predetermined frequency variation.

さらに、ダイボンディングコントローラ22でランクC
と品質評価された集積回路チップの場合には、フィルタ
回路32のパッドのうち、パッドを選択することによ
り、フィルタ周波数がランクA程度の周波数バラツキと
なるように結線する。
Furthermore, the die bonding controller 22 ranks C
In the case of an integrated circuit chip that has been evaluated as "quality", by selecting a pad from among the pads of the filter circuit 32, wiring is performed so that the filter frequency has a frequency variation of rank A or so.

このように、本実施例における集積回路用ボンディン
グ装置によれば、従来一定の品質水準に達せず不良品と
判定されていた集積回路チップをもその品質評価に応じ
たワイヤボンディングを行うことにより品質を維持し、
組み立てを行うものであり、1枚の半導体ウエーハから
無駄なく集積回路チップを作成することが可能となる。
As described above, according to the integrated circuit bonding apparatus of the present embodiment, the quality of the integrated circuit chip, which has hitherto been determined as a defective product that does not reach a certain quality level, is improved by performing wire bonding according to the quality evaluation. Maintain
Assembling is performed, and it becomes possible to produce an integrated circuit chip from one semiconductor wafer without waste.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明に係る集積回路用ボンデ
ィング装置によれば、半導体ウエーハ上に形成された個
々の集積回路チップの品質に応じてボンディングを行う
ことにより、歩留まりを著しく向上させることが可能と
なる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the integrated circuit bonding apparatus of the present invention, the yield is remarkably increased by performing the bonding depending on the quality of the individual integrated circuit chips formed on the semiconductor wafer. It is possible to improve.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係る集積回路用ボンディング装置の一
実施例の構成ブロック図、 第2図は同実施例における集積回路の回路図である。 10……半導体ウエーハ 16……バーコード 18……バーコードリーダ 20……メモリ 22……ダイボンディングコントローラ 24……ワイヤボンディングコントローラ 26……パッド選択ワイヤボンダ
FIG. 1 is a configuration block diagram of an embodiment of an integrated circuit bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of an integrated circuit in the same embodiment. 10 …… Semiconductor wafer 16 …… Bar code 18 …… Bar code reader 20 …… Memory 22 …… Die bonding controller 24 …… Wire bonding controller 26 …… Pad select wire bonder

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体ウエーハ上に形成された複数個の集
積回路チップを個々にパッケージに搭載し結線する集積
回路用ボンディング装置において、 ボンディングすべき半導体ウエーハに記録された識別番
号を読み取るバーコードリーダと、 このバーコードリーダで読み出された識別番号に基づい
て半導体ウエーハ上に形成された集積回路チップの品質
に関する情報が予め格納されたメモリから該当する半導
体ウエーハの集積回路チップの品質に関する情報を検索
し、パッケージに搭載された各集積回路チップの品質評
価を行うダイボンディングコントローラと、 このダイボンディングコントローラで評価された品質に
応じてパッケージ搭載された各集積回路チップの結線を
行うワイヤボンディングコントローラと、 を有し、品質に応じて集積回路チップのボンディングを
行うことを特徴とする集積回路用ボンディング装置。
1. A bar code reader for reading an identification number recorded on a semiconductor wafer to be bonded in a bonding apparatus for an integrated circuit in which a plurality of integrated circuit chips formed on a semiconductor wafer are individually mounted in a package and connected. And information on the quality of the integrated circuit chip of the semiconductor wafer corresponding to the quality of the integrated circuit chip formed on the semiconductor wafer based on the identification number read by the bar code reader. A die bonding controller that searches and evaluates the quality of each integrated circuit chip mounted in the package, and a wire bonding controller that connects the integrated circuit chips mounted in the package according to the quality evaluated by this die bonding controller. ,, according to quality, A bonding apparatus for an integrated circuit, which bonds a product circuit chip.
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