JP2670641B2 - 有機錫（４）ポリハライド精製法 - Google Patents
有機錫（４）ポリハライド精製法Info
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-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N47/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic compounds containing a carbon atom not being member of a ring and having no bond to a carbon or hydrogen atom, e.g. derivatives of carbonic acid
- A01N47/08—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic compounds containing a carbon atom not being member of a ring and having no bond to a carbon or hydrogen atom, e.g. derivatives of carbonic acid the carbon atom having one or more single bonds to nitrogen atoms
- A01N47/28—Ureas or thioureas containing the groups >N—CO—N< or >N—CS—N<
- A01N47/34—Ureas or thioureas containing the groups >N—CO—N< or >N—CS—N< containing the groups, e.g. biuret; Thio analogues thereof; Urea-aldehyde condensation products
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C275/00—Derivatives of urea, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atoms not being part of nitro or nitroso groups
- C07C275/46—Derivatives of urea, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atoms not being part of nitro or nitroso groups containing any of the groups, X being a hetero atom, Y being any atom, e.g. acylureas
- C07C275/48—Y being a hydrogen or a carbon atom
- C07C275/54—Y being a carbon atom of a six-membered aromatic ring, e.g. benzoylureas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
- C07F7/2208—Compounds having tin linked only to carbon, hydrogen and/or halogen
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- C07F7/2296—Purification, stabilisation, isolation
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、塩化ビニール用安定剤の原料、ポリウレタ
ン重合触媒、ガラス、セラミックス、金属などの表面に
酸化錫の皮膜を形成させる原料として使用されている有
機錫（IV）ポリハライドの精製法に関する。
ン重合触媒、ガラス、セラミックス、金属などの表面に
酸化錫の皮膜を形成させる原料として使用されている有
機錫（IV）ポリハライドの精製法に関する。
有機錫（IV）ポリハライドを工業的に合成する方法と
しては有機アルミニューム化合物を４塩化錫に作用させ
るアルキルアルミニューム法、グリニアール試薬を４塩
化錫に作用させるグリニアール法、ヨウ化アルキル化合
物を直接金属錫に作用させるう直接法があり、アルキル
アルミニューム法とグリニアール法で得られる中間物質
は塩化物の形で得られ、ヨウ化アルキルを用いる直接法
ではヨウ化物の形で得られる。
しては有機アルミニューム化合物を４塩化錫に作用させ
るアルキルアルミニューム法、グリニアール試薬を４塩
化錫に作用させるグリニアール法、ヨウ化アルキル化合
物を直接金属錫に作用させるう直接法があり、アルキル
アルミニューム法とグリニアール法で得られる中間物質
は塩化物の形で得られ、ヨウ化アルキルを用いる直接法
ではヨウ化物の形で得られる。
例えば、有機錫（IV）ポリハライドのうち、ジアルキ
ル錫（IV）ジハライドは、アルキルアルミニューム法で
もグリニアール法でも一旦テトラアルキル錫（IV）を中
間体として合成した後このテトラアルキル錫（IV）と４
塩化錫（IV）とを等モル用いて、不均化反応を行いジア
ルキル錫（IV）ジクロライドを合成する。また直接法で
はヨウ化アルキルと金属錫を触媒にマグネシュウムとア
ルコールを用いて反応を行いジアルキル錫（IV）ジアイ
オダイドを合成する。しかしこれらのいずれの方法にお
いても、ジアルキル錫（IV）ジハライドに必ず副成する
トリアルキル錫（IV）モノハライドとモノアルキル錫
（IV）トリハライドが数パーセント混在する。
ル錫（IV）ジハライドは、アルキルアルミニューム法で
もグリニアール法でも一旦テトラアルキル錫（IV）を中
間体として合成した後このテトラアルキル錫（IV）と４
塩化錫（IV）とを等モル用いて、不均化反応を行いジア
ルキル錫（IV）ジクロライドを合成する。また直接法で
はヨウ化アルキルと金属錫を触媒にマグネシュウムとア
ルコールを用いて反応を行いジアルキル錫（IV）ジアイ
オダイドを合成する。しかしこれらのいずれの方法にお
いても、ジアルキル錫（IV）ジハライドに必ず副成する
トリアルキル錫（IV）モノハライドとモノアルキル錫
（IV）トリハライドが数パーセント混在する。
有機錫（IV）モノハライドは一般に有機錫（IV）ポリ
ハライドに比較して毒性が高いことが知られており有機
錫（IV）モノハライドはできる限り除去することが望ま
れている。
ハライドに比較して毒性が高いことが知られており有機
錫（IV）モノハライドはできる限り除去することが望ま
れている。
有機錫（IV）ポリハライドに含まれている有機錫（I
V）モノハライドに、該モノハライド対応量以上の無水
塩化錫（IV）を加え触媒として塩化アルミニウムを使用
して加熱処理（不均化反応）することにより有機錫（I
V）モノハライドを減らすことが可能である。しかし、
この方法では反応が選択的に進まないばかりか実反応の
塩化錫（IV）と塩化アルミニウムが水酸化物の形で多量
に発生するためその処理に多大な費用と困難をともな
い、又、トリアルキル錫（IV）モノハライドとは沸点が
近いため蒸留で分離することも困難である。又、有機錫
（IV）ポリハライドのうち、モノアルキル錫（IV）トリ
ハライドもジアルキル錫（IV）ジハライドと略同様にし
て合成されるが、小量のトリハルキル錫（IV）モノハラ
イドを除去する経済的な方法は報告されていない。
V）モノハライドに、該モノハライド対応量以上の無水
塩化錫（IV）を加え触媒として塩化アルミニウムを使用
して加熱処理（不均化反応）することにより有機錫（I
V）モノハライドを減らすことが可能である。しかし、
この方法では反応が選択的に進まないばかりか実反応の
塩化錫（IV）と塩化アルミニウムが水酸化物の形で多量
に発生するためその処理に多大な費用と困難をともな
い、又、トリアルキル錫（IV）モノハライドとは沸点が
近いため蒸留で分離することも困難である。又、有機錫
（IV）ポリハライドのうち、モノアルキル錫（IV）トリ
ハライドもジアルキル錫（IV）ジハライドと略同様にし
て合成されるが、小量のトリハルキル錫（IV）モノハラ
イドを除去する経済的な方法は報告されていない。
また、有機錫（IV）モノハライドを塩酸又は塩素で有
機錫（IV）ポリハライドに分解する反応は従来より知ら
れていたが（Metal−Organic Compounds,208項或はChem
ical Review Vol.60,483項）、有機錫（IV）ポリハライ
ド中の有機錫（IV）モノハライドを除去するに用いられ
る例は知られていない。
機錫（IV）ポリハライドに分解する反応は従来より知ら
れていたが（Metal−Organic Compounds,208項或はChem
ical Review Vol.60,483項）、有機錫（IV）ポリハライ
ド中の有機錫（IV）モノハライドを除去するに用いられ
る例は知られていない。
本発明は有機錫（IV）モノハライドを含む有機錫（I
V）ポリハライドに塩酸、塩化水素又は塩素を100℃以上
で接触させることを特徴とする有機錫（IV）ポリハライ
ドの精製法であり、有機錫（IV）モノハライドを選択的
に分解し有機錫（IV）ポリハライドに変換するものであ
る。
V）ポリハライドに塩酸、塩化水素又は塩素を100℃以上
で接触させることを特徴とする有機錫（IV）ポリハライ
ドの精製法であり、有機錫（IV）モノハライドを選択的
に分解し有機錫（IV）ポリハライドに変換するものであ
る。
更に、小量のルイス酸を添加する事により、反応の効
果を大幅に高めることができる。
果を大幅に高めることができる。
本発明における有機錫（IV）モノハライドと塩酸、塩
化水素ガス又は塩素の反応を反応式で示すと次の通りで
ある。
化水素ガス又は塩素の反応を反応式で示すと次の通りで
ある。
１）R3SnX＋HCl→R2SnXCl＋RH ２）R3SnX＋Cl2→R2SnXCl＋RCl （Ｒ＝アルキル基、フェニル基、Ｘ＝塩素、臭素、ヨウ
素） 本発明の有機錫（IV）ポリハライドとしては、有機錫
（IV）ジハライド及び有機錫（IV）トリハライドがあ
る。
素） 本発明の有機錫（IV）ポリハライドとしては、有機錫
（IV）ジハライド及び有機錫（IV）トリハライドがあ
る。
有機錫（IV）ジハライドは、ジブチル錫（IV）ジクロ
ライド、ジブチル錫（IV）ジアイオダイド、ジブチル錫
（IV）ジブロマイド、ジオクチル錫（IV）ジクロライ
ド、ジオクチル錫（IV）ジアイオダイド、ジオクチル錫
（IV）ジブロマイド、ジフェニル錫（IV）ジクロライ
ド、ジフェニル錫（IV）ジアイオダドを例示することが
できる。
ライド、ジブチル錫（IV）ジアイオダイド、ジブチル錫
（IV）ジブロマイド、ジオクチル錫（IV）ジクロライ
ド、ジオクチル錫（IV）ジアイオダイド、ジオクチル錫
（IV）ジブロマイド、ジフェニル錫（IV）ジクロライ
ド、ジフェニル錫（IV）ジアイオダドを例示することが
できる。
又、有機錫（IV）トリハライドとしては、ブチル錫
（IV）トリクロライド、ブチル錫（IV）トリアイオダイ
ド、ブチル錫（IV）トリブロマイド、オクチル錫（IV）
トリクロライド、オクチル錫（IV）トリアイオダイドを
例示することができる。有機錫（IV）モノハライドとは
それらに対応したモノハライドあり、トリブチル錫（I
V）モノクロライド、トリブチル錫（IV）モノアイオダ
イド、トリブチル錫（IV）モノブロマイド、トリオクチ
ル錫（IV）モノクロライド、トリオクチル錫（IV）モノ
アイオダイド、トリオクチル錫（IV）モノブロマイド、
トリフェニル錫（IV）モノクロライド、トリフェニル錫
（IV）モノアイオダイドを例示することができる。
（IV）トリクロライド、ブチル錫（IV）トリアイオダイ
ド、ブチル錫（IV）トリブロマイド、オクチル錫（IV）
トリクロライド、オクチル錫（IV）トリアイオダイドを
例示することができる。有機錫（IV）モノハライドとは
それらに対応したモノハライドあり、トリブチル錫（I
V）モノクロライド、トリブチル錫（IV）モノアイオダ
イド、トリブチル錫（IV）モノブロマイド、トリオクチ
ル錫（IV）モノクロライド、トリオクチル錫（IV）モノ
アイオダイド、トリオクチル錫（IV）モノブロマイド、
トリフェニル錫（IV）モノクロライド、トリフェニル錫
（IV）モノアイオダイドを例示することができる。
接触処理に使用する塩酸は濃度20％以上であるが、35
％に近い濃度ものが望ましい。又、乾燥した或は湿った
ガス状の塩化水素、或は塩素が有利に使用できる。
％に近い濃度ものが望ましい。又、乾燥した或は湿った
ガス状の塩化水素、或は塩素が有利に使用できる。
接触処理温度は処理する有機錫（IV）ポリハライドに
より適正温度が異なるが、温度が高いほど効果が高く、
温度が250℃を過ぎると有機錫（IV）ジハライドが分解
し有機錫（IV）トリハライドになる様な目的以外の副反
応が発生するため、通常100℃〜200℃の間が有利に採用
できる。塩酸、塩化水素又は塩素ガスの使用量は処理す
る有機錫（IV）ポリハライドの種類によっても異なる
が、およそ含まれる有機錫（IV）モノハライドに対して
１〜100倍モルが適正量であり、望ましくは20〜50倍モ
ルであるが、反応で消費される量は僅かであり、殆どの
使用量を回収することができる。
より適正温度が異なるが、温度が高いほど効果が高く、
温度が250℃を過ぎると有機錫（IV）ジハライドが分解
し有機錫（IV）トリハライドになる様な目的以外の副反
応が発生するため、通常100℃〜200℃の間が有利に採用
できる。塩酸、塩化水素又は塩素ガスの使用量は処理す
る有機錫（IV）ポリハライドの種類によっても異なる
が、およそ含まれる有機錫（IV）モノハライドに対して
１〜100倍モルが適正量であり、望ましくは20〜50倍モ
ルであるが、反応で消費される量は僅かであり、殆どの
使用量を回収することができる。
有機錫（IV）ポリハライドに塩酸を作用させる方法と
しては、有機錫（IV）ポリハライドに予め塩酸を混合し
ておいて撹拌下徐々に加熱し、又は有機錫（IV）ポリハ
ライドを予め加熱しておいてそこに塩酸を滴下してもよ
い。これらの場合有機錫（IV）ポリハライドと塩酸との
接触効果の高い撹拌が望ましい。塩化水素又は塩素を使
用する場合は、処理する有機錫（IV）ポリハライドを予
め加熱しておいて、そこにガス状の塩化水素又は塩素を
導入する方法で処理できる。この場合でも有機錫（IV）
ポリハライドとこれらのガスはできるだけ接触のよい条
件が望ましく、塩酸もしくは塩素ガスを作用させる位置
は有機錫（IV）ポリハライドの液表面でも良いが液中に
吹き込んだほうが効果が高い。処理は、通常塩酸により
場合は約２乃至３時間、塩化水素による場合は１乃至２
時間が望ましく、又、塩素による場合は10分乃至１時間
が望ましく、これにより、有機錫（IV）モノハライドの
濃度は10ppm以下となる。
しては、有機錫（IV）ポリハライドに予め塩酸を混合し
ておいて撹拌下徐々に加熱し、又は有機錫（IV）ポリハ
ライドを予め加熱しておいてそこに塩酸を滴下してもよ
い。これらの場合有機錫（IV）ポリハライドと塩酸との
接触効果の高い撹拌が望ましい。塩化水素又は塩素を使
用する場合は、処理する有機錫（IV）ポリハライドを予
め加熱しておいて、そこにガス状の塩化水素又は塩素を
導入する方法で処理できる。この場合でも有機錫（IV）
ポリハライドとこれらのガスはできるだけ接触のよい条
件が望ましく、塩酸もしくは塩素ガスを作用させる位置
は有機錫（IV）ポリハライドの液表面でも良いが液中に
吹き込んだほうが効果が高い。処理は、通常塩酸により
場合は約２乃至３時間、塩化水素による場合は１乃至２
時間が望ましく、又、塩素による場合は10分乃至１時間
が望ましく、これにより、有機錫（IV）モノハライドの
濃度は10ppm以下となる。
この反応において触媒は必ずしも必要ではないが、小
量ルイス酸を添加することにより、反応をより効果的に
することが可能である。用いることのできるルイス酸と
しては一般的に知られているほとんどの物が有効である
が、その一例を上げれば、AlCl3AlBr3All3、GaBr3GaCl3
FeCl3SbCl5SnCl4Snl4、ZrCl4BCl3、BF3BCl3、ZnCl3等が
あげられる、特にAlCl3は安価でしかも効果的である。
量ルイス酸を添加することにより、反応をより効果的に
することが可能である。用いることのできるルイス酸と
しては一般的に知られているほとんどの物が有効である
が、その一例を上げれば、AlCl3AlBr3All3、GaBr3GaCl3
FeCl3SbCl5SnCl4Snl4、ZrCl4BCl3、BF3BCl3、ZnCl3等が
あげられる、特にAlCl3は安価でしかも効果的である。
また、本発明の精製処理を行った後、有機錫（IV）ポ
リハライドを加水分解して有機錫（IV）オキサイドを製
造することにより、有機錫（IV）オキサイド中に残存す
る有機錫（IV）モノハライドを更に除去することができ
る。加水分解は、例えば特開昭61−291592号公報に記載
されている方法などにより行う。
リハライドを加水分解して有機錫（IV）オキサイドを製
造することにより、有機錫（IV）オキサイド中に残存す
る有機錫（IV）モノハライドを更に除去することができ
る。加水分解は、例えば特開昭61−291592号公報に記載
されている方法などにより行う。
次に、実施例をあげ本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれによってなんら制限されるものではない。
発明はこれによってなんら制限されるものではない。
（参考例１）ジブチル錫ジアイオダイドの合成 撹拌装置、還流コンデサー、温度計を取り付けたマン
トルヒーターにセットされた300mlフラスコに錫箔41.5
g、ｎ−ヨウ化ブチル200g、ブタノール3g、マグネシュ
ーム箔0.15gを仕込、約２時間還流を続けると錫箔が反
応しある程度消費された後、撹拌下更に４時間反応を続
けると錫箔は完全に消失した。過剰のヨウ化ブチルを真
空蒸留にて回収し、残った蒸留残液を室温下塩酸液で十
分洗浄するとジブチル錫ジアイオダイドの微黄色透明液
体が168g得られた。これをガスクロマトグラフィー（以
後GCと称す）分析した結果、モノブチル錫（IV）トリア
イオダイド4.2％、ジブチル錫（IV）ジアイオダイドが9
2.4％、トリブチル錫（IV）モノアイオダイドが2.3％、
その他1.1％であった。
トルヒーターにセットされた300mlフラスコに錫箔41.5
g、ｎ−ヨウ化ブチル200g、ブタノール3g、マグネシュ
ーム箔0.15gを仕込、約２時間還流を続けると錫箔が反
応しある程度消費された後、撹拌下更に４時間反応を続
けると錫箔は完全に消失した。過剰のヨウ化ブチルを真
空蒸留にて回収し、残った蒸留残液を室温下塩酸液で十
分洗浄するとジブチル錫ジアイオダイドの微黄色透明液
体が168g得られた。これをガスクロマトグラフィー（以
後GCと称す）分析した結果、モノブチル錫（IV）トリア
イオダイド4.2％、ジブチル錫（IV）ジアイオダイドが9
2.4％、トリブチル錫（IV）モノアイオダイドが2.3％、
その他1.1％であった。
（実施例１） 参考例１と同様300mlフラスコに参照例１で得られた
ジブチル錫ジアイオダイド50gと35％塩酸10gを仕込み還
流温度（約120℃）まで徐々に加熱した。還流温度で滴
下ロートから30gの35％塩酸を30分で滴下しそのご水層
を除去し、還流温度に達した直後から還流コンデンサー
の上部より塩化水素の発生が見られ、これを回収した。
更に、30gの35％塩酸を30分で滴下しこの操作を５回繰
り返した。塩酸の総使用量は150gであった。反応終了後
室温まで冷却し水層を分液除去した。処理を行ったジブ
チル錫ジアイオダイドを特開昭61−291592の実施例１の
方法で加水分解した結果24.9gのジブチル錫オキサイド
粉末が得られた。この物に含まれるトリブチル錫化合物
を通常のGCを用いた分析方法で測定した結果、検出限界
以下であった。
ジブチル錫ジアイオダイド50gと35％塩酸10gを仕込み還
流温度（約120℃）まで徐々に加熱した。還流温度で滴
下ロートから30gの35％塩酸を30分で滴下しそのご水層
を除去し、還流温度に達した直後から還流コンデンサー
の上部より塩化水素の発生が見られ、これを回収した。
更に、30gの35％塩酸を30分で滴下しこの操作を５回繰
り返した。塩酸の総使用量は150gであった。反応終了後
室温まで冷却し水層を分液除去した。処理を行ったジブ
チル錫ジアイオダイドを特開昭61−291592の実施例１の
方法で加水分解した結果24.9gのジブチル錫オキサイド
粉末が得られた。この物に含まれるトリブチル錫化合物
を通常のGCを用いた分析方法で測定した結果、検出限界
以下であった。
（実施例２） 還流コンデンサーを留出コンデンサーに変更装着した
以外は、参考例１と同様の装置を用い、これに参考例１
で得られたジブチル錫（IV）ジアイオダイド50gを仕込
み150℃まで加熱昇温し、滴下ロートに35％塩酸を30g仕
込み150〜160℃で徐々に滴下した。塩酸が滴下されると
同時に反応が進行し直ちに蒸発し留出した。滴下終了後
室温まで冷却し、GCで組成分析を行った結果、モノブチ
ル錫（IV）トリアイオダイドが4.9％、ジブチル錫（I
V）ジアイオダイドが94.0％、トリブチル錫（IV）モノ
アイオダイドが0.6％、その他0.5％であった。
以外は、参考例１と同様の装置を用い、これに参考例１
で得られたジブチル錫（IV）ジアイオダイド50gを仕込
み150℃まで加熱昇温し、滴下ロートに35％塩酸を30g仕
込み150〜160℃で徐々に滴下した。塩酸が滴下されると
同時に反応が進行し直ちに蒸発し留出した。滴下終了後
室温まで冷却し、GCで組成分析を行った結果、モノブチ
ル錫（IV）トリアイオダイドが4.9％、ジブチル錫（I
V）ジアイオダイドが94.0％、トリブチル錫（IV）モノ
アイオダイドが0.6％、その他0.5％であった。
更に、ガス吹き込み管を取り付け、塩化水素を150℃
の温度で液中に60分間吹き込んだ。処理したジブチル錫
（IV）ジアイオダイドを実施例１と同様の方法で加水分
解し、得られたジブチル錫（IV）オキサイド中のトリブ
チル錫化合物をGCで測定した結果検出限界以下であっ
た。
の温度で液中に60分間吹き込んだ。処理したジブチル錫
（IV）ジアイオダイドを実施例１と同様の方法で加水分
解し、得られたジブチル錫（IV）オキサイド中のトリブ
チル錫化合物をGCで測定した結果検出限界以下であっ
た。
（実施例３） ガス吹き込み管を取り付けた参考例１と同様の装置
に、参考例１で得られたジブチル錫（IV）ジアイオダイ
ド50gを仕込んだ。撹拌下150℃まで昇温後、同温度を維
持しながら塩化水素を30ml/minの速度で液中に吹き込み
120分間反応を続けた。コンデンサー上部から未反応の
塩化水素ガスと共にブタンガスの発生が認められた。反
応終了後室温まで冷却し実施例１と同様に加水分解し得
られたジブチル錫（IV）オキサイド中のトリブチル錫
（IV）化合物を測定した結果、トリブチル錫（IV）化合
物は検出感度以下であった。
に、参考例１で得られたジブチル錫（IV）ジアイオダイ
ド50gを仕込んだ。撹拌下150℃まで昇温後、同温度を維
持しながら塩化水素を30ml/minの速度で液中に吹き込み
120分間反応を続けた。コンデンサー上部から未反応の
塩化水素ガスと共にブタンガスの発生が認められた。反
応終了後室温まで冷却し実施例１と同様に加水分解し得
られたジブチル錫（IV）オキサイド中のトリブチル錫
（IV）化合物を測定した結果、トリブチル錫（IV）化合
物は検出感度以下であった。
（参考例２）ジブチル錫（IV）ジクロライド 参考例１と同様の装置にテトラブチル錫（IV）67g、
無水塩化第２錫50g、無水塩化アルミ3gを仕込み140℃で
３時間反応させた。室温まで冷却した後1,1,1−トリク
ロルエタンを100ml加え更に５％塩酸50mlで２回洗浄し
分液後蒸留によってトリクロルエタンを留去すると、ジ
ブチル錫（IV）ジクロライドの微黄色液体が得られた。
GCに組成分析を行った結果、モノブチル錫（IV）トリク
ロライド2.1％、ジブチル錫（IV）ジクロライド94.2
％、トリブチル錫（IV）モクロライド3.4％、その他0.3
％であった。
無水塩化第２錫50g、無水塩化アルミ3gを仕込み140℃で
３時間反応させた。室温まで冷却した後1,1,1−トリク
ロルエタンを100ml加え更に５％塩酸50mlで２回洗浄し
分液後蒸留によってトリクロルエタンを留去すると、ジ
ブチル錫（IV）ジクロライドの微黄色液体が得られた。
GCに組成分析を行った結果、モノブチル錫（IV）トリク
ロライド2.1％、ジブチル錫（IV）ジクロライド94.2
％、トリブチル錫（IV）モクロライド3.4％、その他0.3
％であった。
（実施例４） 参考例１と同様の装置に参考例２で得られたジブチル
錫（IV）ジクロライド液50gと35％塩酸40gを仕込み、還
流温度まで加熱し30分間保ち、水層を分液して除去し、
更に35％塩酸40gを仕込み、同様の操作を５回繰り返し
た。反応終了後、室温まで冷却し水層を分離した。得ら
れた反応液を特開昭61−291592の実施例３の方法で加水
分解を行った結果、ジブチル錫（IV）オキサイドの粉末
が41.5g得られた。この物に含まれるトリブチル錫（I
V）化合物の量を同様に測定した結果、検出限界以下で
あった。
錫（IV）ジクロライド液50gと35％塩酸40gを仕込み、還
流温度まで加熱し30分間保ち、水層を分液して除去し、
更に35％塩酸40gを仕込み、同様の操作を５回繰り返し
た。反応終了後、室温まで冷却し水層を分離した。得ら
れた反応液を特開昭61−291592の実施例３の方法で加水
分解を行った結果、ジブチル錫（IV）オキサイドの粉末
が41.5g得られた。この物に含まれるトリブチル錫（I
V）化合物の量を同様に測定した結果、検出限界以下で
あった。
（実施例５） ガス吹き込み管を取り付けた参考例１と同様の装置
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50gを仕込み150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて塩化
水素ガスを30ml/minの速度で２時間吹き込だ。処理後室
温まで冷却し実施例４と同様の方法で加水分解、GC測定
を行った結果、得られたジブチル錫（IV）オキサイド中
のトリブチル錫（IV）化合物は検出感度以下であった。
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50gを仕込み150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて塩化
水素ガスを30ml/minの速度で２時間吹き込だ。処理後室
温まで冷却し実施例４と同様の方法で加水分解、GC測定
を行った結果、得られたジブチル錫（IV）オキサイド中
のトリブチル錫（IV）化合物は検出感度以下であった。
（実施例６） ガス吹き込み管を取り付けた参考例１と同様の装置
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50g、無水塩化アルミ1.5gを仕込み150℃まで加熱した。
撹拌下同温度にて塩化水素ガスを30ml/minの速度で１時
間吹き込んだ。処理後室温まで冷却し、GC測定を行った
結果、得られたジブチル錫（IV）ジクロライド中のトリ
ブチル錫（IV）化合物は検出感度（10ppm）以下であっ
た。
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50g、無水塩化アルミ1.5gを仕込み150℃まで加熱した。
撹拌下同温度にて塩化水素ガスを30ml/minの速度で１時
間吹き込んだ。処理後室温まで冷却し、GC測定を行った
結果、得られたジブチル錫（IV）ジクロライド中のトリ
ブチル錫（IV）化合物は検出感度（10ppm）以下であっ
た。
（実施例７） ガス吹き込み管を取り付けた参考例１と同様の装置
に、トリブチル錫（IV）モノクロライド5.4％、ジブチ
ル錫（IV）ジクロライド3.1％、モノブチル錫（IV）ト
リクロライド91.2％、その他0.3％の組成のモノブチル
錫（IV）トリクロライド50g、と無水塩化アルミニュウ
ム1.5gを仕込み150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて
塩化水素ガスを30ml/minの速度で20分間吹き込んだ。反
応終了後GCにより組成分析を行った結果。ジブチル錫
（IV）ジクロライド2.9％、モノブチル錫（IV）トリク
ロライド96.9％、その他0.5％でありトリブチル錫（I
V）モノクロライドは検出感度（10ppm）以下であった。
に、トリブチル錫（IV）モノクロライド5.4％、ジブチ
ル錫（IV）ジクロライド3.1％、モノブチル錫（IV）ト
リクロライド91.2％、その他0.3％の組成のモノブチル
錫（IV）トリクロライド50g、と無水塩化アルミニュウ
ム1.5gを仕込み150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて
塩化水素ガスを30ml/minの速度で20分間吹き込んだ。反
応終了後GCにより組成分析を行った結果。ジブチル錫
（IV）ジクロライド2.9％、モノブチル錫（IV）トリク
ロライド96.9％、その他0.5％でありトリブチル錫（I
V）モノクロライドは検出感度（10ppm）以下であった。
（実施例８） ガス吹き込み管を取り付けた参考例１と同様の装置
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50gを仕込み、150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて塩
素ガスを30ml/minの速度で１時間吹き込んだ。処理後室
温まで冷却し、GC測定を行った結果、得られたジブチル
錫（IV）ジクロライド中のトリブチル錫（IV）化合物は
検出感度（10ppm）以下であった。
に、参考例２で得られたジブチル錫（IV）ジクロライド
50gを仕込み、150℃まで加熱した。撹拌下同温度にて塩
素ガスを30ml/minの速度で１時間吹き込んだ。処理後室
温まで冷却し、GC測定を行った結果、得られたジブチル
錫（IV）ジクロライド中のトリブチル錫（IV）化合物は
検出感度（10ppm）以下であった。
従来、工業的方法によっては、有機錫（IV）ポリハラ
イド及びその誘導体である有機錫（IV）オキサイドには
有機錫（IV）モノハライドが残留するが、本発明によれ
ば通常のガスクロマトグラフィーの検出感度では検出不
可能なほど、有機錫（IV）モノハライドを除去すること
が可能となる。
イド及びその誘導体である有機錫（IV）オキサイドには
有機錫（IV）モノハライドが残留するが、本発明によれ
ば通常のガスクロマトグラフィーの検出感度では検出不
可能なほど、有機錫（IV）モノハライドを除去すること
が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 傳 達郎 福島県郡山市笹川１丁目176番 郡山化 成株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−106685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−106686（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】有機錫（IV）モノハライドを含む有機錫
（IV）ポリハライドに塩酸、塩化水素または塩素を100
℃以上で接触させることを特徴とする有機錫（IV）ポリ
ハライドの精製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3501366A JP2670641B2 (ja) | 1989-12-28 | 1990-12-25 | 有機錫（４）ポリハライド精製法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US287,267 | 1988-12-21 | ||
| JP34118889 | 1989-12-28 | ||
| JP1-341188 | 1989-12-28 | ||
| JP3501366A JP2670641B2 (ja) | 1989-12-28 | 1990-12-25 | 有機錫（４）ポリハライド精製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04502321A JPH04502321A (ja) | 1992-04-23 |
| JP2670641B2 true JP2670641B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=18344045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3501366A Expired - Fee Related JP2670641B2 (ja) | 1989-12-28 | 1990-12-25 | 有機錫（４）ポリハライド精製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200540A (ja) |
| EP (1) | EP0461266B1 (ja) |
| JP (1) | JP2670641B2 (ja) |
| DE (1) | DE69032067T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991009862A1 (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2417132A (en) * | 1943-02-01 | 1947-03-11 | John H Schreiber | Machine tool |
| US3557172A (en) * | 1968-07-31 | 1971-01-19 | Dow Chemical Co | Method for the preparation of cyclohexyltin trihalide |
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