JP2668111B2 - 作物育成ハウス及び作物育成方法 - Google Patents
作物育成ハウス及び作物育成方法Info
- Publication number
- JP2668111B2 JP2668111B2 JP7144729A JP14472995A JP2668111B2 JP 2668111 B2 JP2668111 B2 JP 2668111B2 JP 7144729 A JP7144729 A JP 7144729A JP 14472995 A JP14472995 A JP 14472995A JP 2668111 B2 JP2668111 B2 JP 2668111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crop
- crop growing
- sheet
- house
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
- A01G9/00—Cultivation in receptacles, forcing-frames or greenhouses; Edging for beds, lawn or the like
- A01G9/14—Greenhouses
- A01G9/1438—Covering materials therefor; Materials for protective coverings used for soil and plants, e.g. films, canopies, tunnels or cloches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A40/00—Adaptation technologies in agriculture, forestry, livestock or agroalimentary production
- Y02A40/10—Adaptation technologies in agriculture, forestry, livestock or agroalimentary production in agriculture
- Y02A40/25—Greenhouse technology, e.g. cooling systems therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Soil Sciences (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Greenhouses (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
れる作物育成ハウス及びこの作物育成ハウスを使用した
作物育成方法に関する。
件によって変化する。例えば寒冷前線又は低気圧が通過
するとき、地表上には陽イオンが増加する。また反転
風,逆巻風が起きやすい場所でも陽イオン濃度が高い。
陽イオンが増加すると、植物の生育が劣勢になり、病虫
害による被害が増す。一方、地表面に直立する柱状物体
が存在すると、頂上より地表に対し円錐形をなす空間に
斜方向電位差が増大し、電位傾斜を構成する。この円錐
状の空間内は陰イオン濃度が高く、生育は優勢である。
他にもあるが、その1つに静電気がある。正の静電気雰
囲気では陽イオン濃度が高く、負の静電気雰囲気では陰
イオン濃度が高い。大気中に(+)0.2 〜0.3 kV程度の
静電気が存在する場合、この静電気を除去、又は負に転
じれば良好に作物を生育させることが可能である。特に
作物の育成にビニルハウスを使用した場合、外部を吹く
風によってビニルシートとの摩擦が生じ、内部空間の正
の静電気が増大する傾向がある。さらに換気手段,空調
設備を備える場合は、内部に風流が生じるので、この傾
向が顕著である。
ース線に接続して電荷を逃がす方法、アイソトープ,交
流コロナ放電を利用した除電器にて、発生した電荷に異
極性のイオンを供給し、これを中和する方法、空中放電
する方法等がある。
方法では、作物の育成に悪影響を及ぼす静電気を完全に
除去することは困難であり、ましてや正の静電気を負に
転じるには大掛かりな装置(例えば陰イオン発生装置
等)が必要であるという問題がある。本発明は、斯かる
事情に鑑みてなされたものであり、その材質を選択する
のみで、正の静電気を負に転じることが可能な作物育成
ハウス及び作物育成方法を提供することを目的とする。
ハウスは、作物育成のために光透過性材にて作物を被う
作物育成ハウスにおいて、光透過性材は、シート状又は
パネル状の基材の一面又は両面に、Si又はSiO
X (0<x<2)を主成分とする硅素層を有する構造を
なすことを特徴とする。
成のために光透過性材にて作物を被う作物育成ハウスに
おいて、光透過性材は、シート状又はパネル状の基材間
に、Si又はSiOX (0<x<2)を主成分とする硅
素層を有する構造をなすことを特徴とする。
は第2発明において、前記硅素層は、Si又はSiOX
(0<x<2)を蒸着して形成されていることを特徴と
する。
は第2発明において、前記硅素層は基材に貼付されてい
ることを特徴とする。
成のために光透過性材にて作物を被う作物育成ハウスに
おいて、光透過性材は、Si又はSiOX (0<x<
2)が混入された材料にて形成されていることを特徴と
する。
5発明のうちのいずれかに記載の作物育成ハウス内にて
作物を育成させることを特徴とする。
は、空気とシートとの摩擦によりハウス内に正の静電気
が発生することがある。正の静電気が生じたハウス内
は、陽イオン濃度が高く、作物の生育が劣勢となる。本
発明にあっては、この正の静電気を負に転じることが可
能であるので、作物周辺における陰イオンの量が増大す
る。これにより植物の生育が優勢になり、病虫害による
被害が減少する。SiOX の組成としては、x=1〜1.
95で良好な効果が得られ、x=1.5 で最も良好な効果が
得られる。
き具体的に説明する。図1は、本発明に係る作物育成ハ
ウスを示す斜視図である。図1(a) は、空調設備を備え
る作物育成ハウスを示し、図1(b) はブドウ等の作物に
使用される作物育成ハウスを示し、図1(c) は野菜等の
作物に使用される作物育成ハウスを示す。これら作物育
成ハウスは、所定形状の骨組みに光透過性シートが被せ
られている。
る光透過性シートを示す拡大断面図である。図2(a) に
示す光透過性シートは、従来から使用されている塩化ビ
ニル又はポリエチレン、若しくはPET(ポリエチレン
テレフタレート)等の材料からなる基材シート1(厚み
0.005 〜15mm)の一面に、Si又はSiOX (0<x<
2)を約100 〜6000Å蒸着させ、硅素蒸着膜2を形成し
たもの(硅素蒸着シート)である。このような構造を有
するものとして、例えば三菱化学(株)製のテックバリ
ア(商品名)があり、これは酸素及び水蒸気の透過性が
極めて低いので食品包装材として使用されている。硅素
蒸着シートを既存の光透過性シートに貼り付けて使用し
てもよい。
ニル,ポリエチレン,又はPET等の材料からなる基材
シート1(厚み0.005 〜15mm)の一面に、熱可塑性を有
する合成樹脂系の接着材3にて、Si又はSiOX (0
<x<2)からなる硅素シート4(厚み0.005 〜15mm)
を貼り合わせたものである。
ート1の両面に硅素蒸着膜2を形成したものである。な
お基材シート1の両面に硅素シート4を貼り付ける構成
としてもよい。図2(d) に示す光透過性シートは、基材
シート1間に硅素蒸着膜2を備える。基材シート1間に
硅素シート4を貼付してもよい。
はSiOX (0<x<2)を混入させた基材シート原料
にて形成された硅素混入シート5である。Si又はSi
OXの混合割合は、その用途に応じて所要の厚み,強
度,柔軟性,光透過性が得られるように、7〜92%の範
囲内で適宜選択すればよい。また硅素混入シート5は、
シリコーン樹脂にて形成することもできる。
型)を使用して静電気を測定した結果について説明す
る。図1(a) に示す空調設備を備えた作物育成ハウスの
場合、従来は(+)0.5 kVである内部が、本発明では
(−)0.5 kVになった。図1(b)及び図1(c) に示す作
物育成ハウスにおいても、内部空間は(−)0.2 〜0.3
kV程度の負の静電気に転じていた。内部空間が硅素蒸着
シートで完全に密封されている程、正の静電気は負に転
じられ易く、また開口部分があっても正の静電気を低減
又は除去する効果が得られることが種々の測定により判
った。
で生育させた作物は、従来よりも生長速度が速く、収穫
された作物の品質も良好であった。また陰イオン濃度が
高いことにより、害虫の駆除効果が向上し、抗菌作用も
得られる。従って病虫害による被害が少なく、収量が増
大した。本発明に係る作物育成ハウスは、シートの材質
が変更されるのみであるので、陰イオン発生装置等のよ
うな大掛かりな装置を使用する場合よりも、設置及び使
用が簡単であり、別途の設置場所を必要とすることもな
い。また電気も使用しないので、材料費,維持費を含む
コストも比較的安価とすることができる。
定されないことはいうまでもない。また基材シート,硅
素層(硅素蒸着膜,硅素シートを含む)の厚みは適宜選
択すればよい。さらに上述の実施例では、所謂ビニルハ
ウスに適用した例を示しているが、温室に適用すること
も可能である。この場合は、基材シートに代えてパネル
状のものを使用すればよい。
スは、正の静電気を負に転じることが可能であるので作
物が存在する作物育成ハウス内部の陰イオンの濃度を高
くすることが可能である。この効果は内部空間の密封度
が高い程、良好である。従ってこの作物育成ハウスを使
用して作物を育成すると、作物の生長速度が速く、収穫
された作物の品質も良好であり、病虫害による被害も少
なく、収量が増大する等、本発明は優れた効果を奏す
る。
る。
性シートの拡大断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 作物育成のために光透過性材にて作物を
被う作物育成ハウスにおいて、光透過性材は、シート状
又はパネル状の基材の一面又は両面に、Si又はSiO
X (0<x<2)を主成分とする硅素層を有する構造を
なすことを特徴とする作物育成ハウス。 - 【請求項2】 作物育成のために光透過性材にて作物を
被う作物育成ハウスにおいて、光透過性材は、シート状
又はパネル状の基材間に、Si又はSiOX(0<x<
2)を主成分とする硅素層を有する構造をなすことを特
徴とする作物育成ハウス。 - 【請求項3】 前記硅素層は、Si又はSiOX (0<
x<2)を蒸着して形成されていることを特徴とする請
求項1又は2記載の作物育成ハウス。 - 【請求項4】 前記硅素層は基材に貼付されていること
を特徴とする請求項1又は2記載の作物育成ハウス。 - 【請求項5】 作物育成のために光透過性材にて作物を
被う作物育成ハウスにおいて、光透過性材は、Si又は
SiOX (0<x<2)が混入された材料にて形成され
ていることを特徴とする作物育成ハウス。 - 【請求項6】 請求項1〜5のうちいずれかに記載の作
物育成ハウス内にて作物を育成させることを特徴とする
作物育成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7144729A JP2668111B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 作物育成ハウス及び作物育成方法 |
US09/378,301 US6203853B1 (en) | 1995-06-12 | 1999-08-20 | Material for inverting static electricity method for removing static electricity crop raising house and method for raising crop |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7144729A JP2668111B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 作物育成ハウス及び作物育成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08331984A JPH08331984A (ja) | 1996-12-17 |
JP2668111B2 true JP2668111B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=15368979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7144729A Expired - Lifetime JP2668111B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 作物育成ハウス及び作物育成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6203853B1 (ja) |
JP (1) | JP2668111B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001089842A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-03 | 邦明 ▲高▼松 | 静電気除去材及びその製造方法 |
US6641035B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Card made of fluorescent material and card reader for use with the card |
US6641034B1 (en) * | 2000-08-11 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Card reader with a light-emitting bezel |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6231741A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-10 | Aisin Warner Ltd | 多段自動変速制御装置 |
IT1270843B (it) * | 1990-12-24 | 1997-05-13 | Donegani Guido Ist | Procedimento per ricoprire la superficie di corpi formati in materialepolimerico con film inorganici. |
JP3183962B2 (ja) * | 1992-08-31 | 2001-07-09 | 三菱アルミニウム株式会社 | 電子部品包装用袋 |
US5404073A (en) * | 1993-11-12 | 1995-04-04 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Antiglare/antistatic coating for CRT |
EP0727094B1 (en) * | 1994-08-08 | 1998-07-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube comprising a display screen having an electroconductive coating |
JP3545131B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2004-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP7144729A patent/JP2668111B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-20 US US09/378,301 patent/US6203853B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08331984A (ja) | 1996-12-17 |
US6203853B1 (en) | 2001-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2668111B2 (ja) | 作物育成ハウス及び作物育成方法 | |
CN103228749B (zh) | 粘结片材 | |
CN104602907A (zh) | 用于覆盖充气温室的可分层的多层塑料膜 | |
AU2012236031B2 (en) | Glass yarn provided with a polymer coating, and screen containing said yarn | |
JP3763380B2 (ja) | 作物栽培用被覆フィルム及びその使用方法 | |
EP1541012A1 (en) | Heat insulation material for agricultural and horticultural facility | |
JPH0970227A (ja) | 植物活性材及び植物活性方法 | |
CN111789088A (zh) | 一种基于偏振光视觉的专性高效害虫诱捕装置 | |
JP2000287559A (ja) | 防曇持続性と耐久性に優れた農業用被覆資材 | |
JP2011245857A (ja) | 積層フィルムおよび植物栽培用構造物 | |
JP3121059B2 (ja) | 合成樹脂成形物 | |
JPS5710223A (en) | Semiconductor device | |
JP6952364B2 (ja) | 農業用フィルム | |
JP2000270677A (ja) | イネいもち病菌圃場接種法 | |
CN220875260U (zh) | 一种可防雾的棚膜 | |
Vosloo et al. | A comparison of glass cap and pin, silicone rubber and EPDM rubber insulators over a four day period at Koeberg Insulator Pollution Test Station | |
JPH0111461Y2 (ja) | ||
JPH0248934A (ja) | 積層体 | |
CN212242488U (zh) | 辐射制冷膜 | |
JP2005118032A (ja) | 農業用フィルム | |
JPH11155391A (ja) | 農業用合成樹脂製フィルム | |
MIZUTORI et al. | NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL ENVIRONMENT IN NAGOYA CITY AND ITS SUBURBS | |
JP4295150B2 (ja) | 植物栽培用構造物 | |
JPH0742289Y2 (ja) | ハウス構造 | |
JPS59164838A (ja) | 全天侯用パツケ−ジ型ル−バ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 16 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |