JP2667239B2 - Flexible wiring board - Google Patents

Flexible wiring board

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JP2667239B2
JP2667239B2 JP4137289A JP4137289A JP2667239B2 JP 2667239 B2 JP2667239 B2 JP 2667239B2 JP 4137289 A JP4137289 A JP 4137289A JP 4137289 A JP4137289 A JP 4137289A JP 2667239 B2 JP2667239 B2 JP 2667239B2
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裕紀 松浦
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、接着性の優れたフレキシブル配線基板に関
するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a flexible wiring board having excellent adhesiveness.

〔従来の技術と課題〕[Conventional technology and issues]

フレキシブル配線基板は、電子回路のフレキシブル
性、小型軽量性、簡略性等を可能にした電子機器に多用
されている。このフレキシブル配線基板は、金属箔とポ
リイミドフィルムを接着剤を用いてラミネートしたもの
である。
2. Description of the Related Art Flexible wiring boards are widely used in electronic devices that enable flexibility, small size, light weight, simplicity, and the like of electronic circuits. This flexible wiring board is obtained by laminating a metal foil and a polyimide film using an adhesive.

しかしながら、接着剤層の耐熱性がポリイミドの耐熱
性と較べ大きく劣るため、この手法によるフレキシブル
配線基板では、ポリイミド特有の耐熱性が活かされず耐
熱性に乏しいという問題がある。そこで上記問題に対
し、金属箔上にポリアミック酸溶液あるいは予め脱水硬
化したポリイミド溶液を直接塗布し加熱処理することに
よりポリイミド樹脂層を形成しフレキシブル配線基板を
製造する方法が検討されている。しかしながら、前記手
法で用いられるポリイミド樹脂層は、ポリイミド樹脂層
を内側にしてフレキシブル配線基板がそるカールという
現象をおさえるため、ポリイミド樹脂層の熱膨張率が金
属箔並に小さくなっておりTgが高く接着時に樹脂が流動
しにくく濡れにくいため、金属箔との接着力が劣ってい
た。従ってポリイミド樹脂層と金属箔との接着性が不十
分となり、エッチング後ポリイミド樹脂上の金属箔が剥
離しやすいという問題点があった。
However, since the heat resistance of the adhesive layer is significantly inferior to the heat resistance of polyimide, there is a problem that the heat resistance peculiar to polyimide is not utilized in the flexible wiring board by this method, and the heat resistance is poor. In order to solve the above problem, a method of manufacturing a flexible wiring board by forming a polyimide resin layer by directly applying a polyamic acid solution or a polyimide solution previously dehydrated and cured on a metal foil and performing heat treatment has been studied. However, the polyimide resin layer used in the above method has a high coefficient of thermal expansion of the polyimide resin layer as small as the metal foil to suppress the curling phenomenon of the flexible wiring board with the polyimide resin layer on the inside. Since the resin did not easily flow during the bonding and was hardly wet, the adhesion to the metal foil was poor. Therefore, there has been a problem that the adhesiveness between the polyimide resin layer and the metal foil is insufficient, and the metal foil on the polyimide resin is easily peeled off after etching.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明者らは、上記課題を解決するため、金属箔と強
固に接着する材料をポリイミド樹脂と金属箔との間に形
成することに着目し、鋭意検討を重ねた本発明に至っ
た。
The present inventors have focused on forming a material that firmly adheres to a metal foil between a polyimide resin and a metal foil in order to solve the above-described problems, and have arrived at the present invention that has been earnestly studied.

すなわち、本発明は金属箔に構造式が (R1はテトラカルボン酸残基 R2 から選ばれる)であるポリイミド樹脂層Aを形成し、さ
らに、ジアミノベンズアニリドを20%以上含み残りが他
の芳香族第1級ジアミンから成るジアミン成分と、ピロ
メリット酸=無水物またはその誘導体からなるポリイミ
ド樹脂層Bを形成し得られるフレキシブル配線基板であ
る。
That is, in the present invention, the structural formula is (R 1 is a tetracarboxylic acid residue R 2 is And a diamine component comprising at least 20% of diaminobenzanilide and the remainder of another aromatic primary diamine, and pyromellitic acid = anhydride or a derivative thereof. Is a flexible wiring board obtained by forming a polyimide resin layer B.

この発明によれば、金属箔とポリイミド樹脂層が強固
に接着したフレキシブル配線基板が得られる。
According to the present invention, a flexible wiring board in which the metal foil and the polyimide resin layer are firmly bonded can be obtained.

このようなフレキシブル配線基板が得られるのは、金
属箔と強固に接着するポリイミド樹脂層Aをポリイミド
ア樹脂層Bと金属箔との間に形成したためである。
Such a flexible wiring board is obtained because the polyimide resin layer A that firmly adheres to the metal foil is formed between the polyimide resin layer B and the metal foil.

この発明で得られるフレキシブル配線基板は、上記の
ようにポリイミド樹脂層と金属箔との接着性に優れるた
め、エッチング後ポリイミド樹脂上の金属箔が剥離しに
くいという利点を有している。
The flexible wiring board obtained by the present invention has an advantage that the metal foil on the polyimide resin is hardly peeled off after etching because of excellent adhesion between the polyimide resin layer and the metal foil as described above.

本発明で用いられるポリイミド樹脂Aは酸無水物とジ
アミンとから成っており、従来より知られている方法で
得ることができる。ジアミンとしては、3.3′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、3.3′−
ジアミノベンゾフェノン、3.4′−ジアミノベンゾフェ
ノン、4.4′−ジアミノベンゾフェノン、3.3′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、3.4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4.4′−ジアミノジフェニルスルホン、3.3′−
ジアミノジフェニルメタン、3.4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、4.4′−ジアミノジフェニルメタンが挙げら
れ、これらのジアミンを単独あるいは併せて使用するこ
とがでいる。本発明の性質をそこなわない範囲におい
て、前記ジアミン以外として、P−フェニレンジアミ
ン、m−フェニレンジアミン、4.4′−ジアミノジフェ
ニルプロパン、4.4′−ジアミノジフェニルヘキサフル
オロプロパン、ベンジジン、3.3−ジクロルベンジジ
ン、3.3−ジメチルベンジジン、3.3−ジエチルベンジジ
ン、3.3−ジメトキシベンジジン、4.4′−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ビフェニル、4.4′−ビス〔(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、4.4′−ビス
〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、4.4′
−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕フルホ
ン、4.4′−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン、4.4′−ビス〔(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパンなどを使用する
ことができる。
The polyimide resin A used in the present invention comprises an acid anhydride and a diamine, and can be obtained by a conventionally known method. As the diamine, 3.3'-diaminodiphenyl ether, 3.4'-diaminodiphenyl ether, 4.4'-diaminodiphenyl ether, 3.3'-
Diaminobenzophenone, 3.4'-diaminobenzophenone, 4.4'-diaminobenzophenone, 3.3'-diaminodiphenylsulfone, 3.4'-diaminodiphenylsulfone, 4.4'-diaminodiphenylsulfone, 3.3'-
Examples thereof include diaminodiphenylmethane, 3.4'-diaminodiphenylmethane and 4.4'-diaminodiphenylmethane, and these diamines can be used alone or in combination. In a range not impairing the properties of the present invention, other than the diamine, P-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4.4'-diaminodiphenylpropane, 4.4'-diaminodiphenylhexafluoropropane, benzidine, 3.3-dichlorobenzidine, 3.3-dimethylbenzidine, 3.3-diethylbenzidine, 3.3-dimethoxybenzidine, 4.4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] ether, 4.4'-bis [(4- Aminophenoxy) phenyl] methane, 4.4 '
-Bis [(4-aminophenoxy) phenyl] flufone, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane and the like can be used. it can.

本発明で用いられるポリイミド樹脂Aの原料である酸
無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3.3′,4.
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3.
3′,4.4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3.
3′,4.4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無
水物、3.3′,4.4′−ジフェニルメタンテトラカルボン
酸二無水物、3.3′,4.4′−ジフェニルプロパンテトラ
カルボン酸二無水物、3.3′,4.4′−ジフェニルヘキサ
フルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物、1.2.3.4
−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、2.3.5.7−ナフ
タリンテトラカルボン酸二無水物、1.2.5.6−ナフタリ
ンテトラカルボン酸二無水物、あるいは、これらの誘導
体などが挙げられるが、ポリアミド樹脂層Aと金属箔と
の接着性の面から、ピロメリット酸二無水物、3.3′,4.
4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3.3′,4.
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3.
3′,4.4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸=無
水物、が好ましい。
As the acid anhydride which is a raw material of the polyimide resin A used in the present invention, pyromellitic dianhydride, 3.3 ′, 4.
4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3.
3 ', 4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3.
3 ', 4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4'-diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 3.3 ', 4.4'-diphenylpropanetetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4'- Diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic dianhydride, 1.2.3.4
-Benzenetetracarboxylic dianhydride, 2.3.5.7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1.2.5.6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, or derivatives thereof, and the like. Pyromellitic dianhydride, 3.3 ', 4.
4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3.3 ', 4.
4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3.
3 ', 4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid = anhydride is preferred.

本発明に用いられるポリイミド樹脂層Bも、酸無水物
とジアミンと成っており、従来より知られている方法で
得ることができる。
The polyimide resin layer B used in the present invention also comprises an acid anhydride and a diamine, and can be obtained by a conventionally known method.

ポリイミド樹脂層Bで用いられるジアミノベンズアニ
リドとしては、3.3′−ジアミノベンズアニリド、3.4′
−ジアミノベンズアニリド、4.4′−ジアミノベンズア
ニリドが挙げられる。ジアミノベンズアニリド以外のジ
アミンとしては、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミ
ノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンが好
ましく、特に4.4′−ジアミノジフェニルエーテルが耐
熱性の面から最も好ましい。
As the diaminobenzanilide used in the polyimide resin layer B, 3.3'-diaminobenzanilide, 3.4 '
-Diaminobenzanilide, 4.4'-diaminobenzanilide. As the diamine other than diaminobenzanilide, diaminodiphenyl ether, diaminodiphenylmethane, and diaminodiphenylsulfone are preferable, and 4.4'-diaminodiphenylether is most preferable in terms of heat resistance.

本発明において、ポリイミド樹脂層Bの原料であるジ
アミンの20%以上をジアミノベンズアニリドにすること
が好ましい。これは、ジアミノベンズアニリドを20%以
上にすると、エッチング後あるいはオーバーレイ後に基
板が収縮する寸法変化という現象が非常に小さくなり、
寸法安定性に優れるためである。
In the present invention, it is preferable that 20% or more of the diamine, which is the raw material of the polyimide resin layer B, be diaminobenzanilide. This is because when the diaminobenzanilide is set to 20% or more, the phenomenon of dimensional change in which the substrate shrinks after etching or after overlay is extremely small,
This is because the dimensional stability is excellent.

本発明の性質をそこなわない範囲において、上記ジア
ミン成分以外として、P−フェニレンジアミン、m−フ
ェニレンジアミン、4.4′−ジアミノジフェニルフィ
ド、3.4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4.4′−ジ
アミノベンゾフェノン、3.4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、4.4′−ジアミノジフェニルプロパン、4.4′−ジア
ミノジフェニルヘキサフルオロプロパンベンジジン、3.
3−ジクロルベンジジン、3.3−ジメチルベンジジン、3.
3−ジエチルベンジジン、3.3−ジメトキシベンジジン、
4.4′−ビス(チアミノフェノキシ)ビフェニル、4.4′
−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテ
ル、4.4′−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕メタン、4.4′−ビス〔(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン、4.4′−ビス〔(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、4.4′−ビス〔(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
などを合わせて使用することができる。
As long as the properties of the present invention are not impaired, P-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4.4'-diaminodiphenyl sulfide, 3.4'-diaminodiphenyl sulfide, 4.4'-diaminobenzophenone, 3.4'- Diaminobenzophenone, 4.4'-diaminodiphenylpropane, 4.4'-diaminodiphenylhexafluoropropanebenzidine, 3.
3-dichlorobenzidine, 3.3-dimethylbenzidine, 3.
3-diethylbenzidine, 3.3-dimethoxybenzidine,
4.4'-bis (thiaminophenoxy) biphenyl, 4.4 '
-Bis [(4-aminophenoxy) phenyl] ether, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] methane, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy)
Phenyl] sulfone, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4.4'-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane,
Etc. can be used together.

本発明において、ポリイミド樹脂層Bの原料である酸
無水物としては、ピロメリット酸二無水物あるいは、そ
の誘導体が好ましい。本発明の性質をそこなわない程度
において、ピロメリット酸二無水物あるいは、その誘導
体を主成分として、他の酸無水物を加えることができ
る。
In the present invention, pyromellitic dianhydride or a derivative thereof is preferable as the acid anhydride as a raw material of the polyimide resin layer B. To the extent that the properties of the present invention are not impaired, pyromellitic dianhydride or a derivative thereof may be used as a main component, and another acid anhydride may be added.

例えば、3.3′,4.4′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3.3′,4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3′,4.4′−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物、3.3′,4.4′−ジフェニルメタ
ンテトラカルボン酸二無水物、3.3′,4.4′−ジフェニ
ルプロパンテトラカルボン酸二無水物、3.3′,4.4′−
ジフェニルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二
無水物、1.2.3.4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物、2.3.5.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
1.2.5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、など
で変性することも可能である。
For example, 3.3 ', 4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3.3 ', 4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4 ' -Diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 3.3 ', 4.4'-diphenylpropanetetracarboxylic dianhydride, 3.3', 4.4'-
Diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic dianhydride, 1.2.3.4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 2.3.5.7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride,
It is also possible to modify with 1.2.5.6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride.

本発明におけるポリイミド樹脂層A,Bは、ポリイミド
前駆体溶液あるいは予め脱水閉環したポリイミド溶液を
塗布流延、加熱処理することにより得られ、いずれの溶
液を用いてもかまわない。
The polyimide resin layers A and B in the present invention are obtained by coating and casting a polyimide precursor solution or a polyimide solution that has been previously dehydrated and closed, and heat-treated, and any of these solutions may be used.

上記ポリイミド前駆体溶液、ポリイミド溶液の製造法
は特に限定なく、例えばポリイミド前駆体使用する場合
には略化学量論量のテトラカルボン酸成分とジアミン成
分とを有機極性溶剤中で0〜60℃の温度範囲で1〜24時
間反応させポリイミド前駆体溶液とすることにより行な
われる。
The method for producing the polyimide precursor solution and the polyimide solution is not particularly limited.For example, when a polyimide precursor is used, a substantially stoichiometric amount of a tetracarboxylic acid component and a diamine component is used at 0 to 60 ° C. in an organic polar solvent. The reaction is performed in a temperature range for 1 to 24 hours to obtain a polyimide precursor solution.

前記有機極性溶剤としては、N−メチル−2−ピロリ
ドン、N,N′−ジメチルホルムアミド、N,N′−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキサイド、ハロゲン化フ
ェノール、1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンなど
が挙げられ、これらを単独あるいは混合して使用するこ
とができる。
Examples of the organic polar solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N'-dimethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, halogenated phenol, 1.3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like. These can be used alone or as a mixture.

ポリイミド溶液を使用する場合には、同様に略化学量
論量のテトラカルボン酸成分とジアミン成分とをハロゲ
ン化フェノール系溶剤中で80〜180℃の温度範囲で1〜2
4時間反応させポリイミド溶液とすることにより行なわ
れる。
When a polyimide solution is used, a substantially stoichiometric amount of a tetracarboxylic acid component and a diamine component are similarly mixed in a halogenated phenol-based solvent at a temperature of 80 to 180 ° C. for 1 to 2 times.
The reaction is carried out for 4 hours to make a polyimide solution.

前記ハロゲン化フェノール系溶剤としては、3−クロ
ルフェノール、4−クロルフェノール、3−プロムフェ
ノール、4−プロムフェノール、2−クロル−4−ヒド
ロキシトルエンなどが挙げられ、これらを単独あるいは
混合して使用することができる。
Examples of the halogenated phenol-based solvent include 3-chlorophenol, 4-chlorophenol, 3-bromophenol, 4-bromophenol, 2-chloro-4-hydroxytoluene, and the like. These may be used alone or as a mixture. can do.

以上のようにして得られたポリイミド樹脂Aを形成す
るポリイミド前駆体Aあるいはポリイミド溶液Aを金属
箔上に塗布流延し加熱処理を行いポリイミド樹脂Aから
成る第一層を形成する。その際、加熱処理は、120℃〜2
00℃の加熱でポリイミド樹脂Aが粘着しない程度でも良
いし、200℃〜400℃の加熱で硬化まで行ってもかまわな
い。
The polyimide precursor A or the polyimide solution A for forming the polyimide resin A obtained as described above is applied and cast on a metal foil and subjected to a heat treatment to form a first layer made of the polyimide resin A. At that time, heat treatment, 120 ℃ ~ 2
Heating at 00C may be such that the polyimide resin A does not stick, or heating at 200C to 400C to cure.

さらに、ポリイミド樹脂Aから成る第一層の上にポリ
イミド樹脂Bを形成する。ポリイミド前駆体溶液Bある
いはポリイミド溶液Bを塗布流延し加熱処理を行いポリ
イミド樹脂層Bから成る第2層を形成しフレキシブル配
線基板を製造する。その時、ポリイミド樹脂Aの膜厚が
ポリイミド樹脂Aとポリイミド樹脂Bとの全膜厚に対し
て50%以下であることが好ましい。ポリイミド樹脂Aの
膜厚が全膜厚に対して50%以上になるとポリイミド樹脂
Aのフィルム特性が支配的になり、カールが発生し、基
板寸法変化が大きくなり、フレキシブル配線基板として
実用に価しない。
Further, a polyimide resin B is formed on the first layer made of the polyimide resin A. The polyimide precursor solution B or the polyimide solution B is applied and cast, and a heat treatment is performed to form a second layer composed of the polyimide resin layer B, thereby manufacturing a flexible wiring board. At this time, the thickness of the polyimide resin A is preferably 50% or less of the total thickness of the polyimide resin A and the polyimide resin B. When the film thickness of the polyimide resin A is 50% or more with respect to the total film thickness, the film characteristics of the polyimide resin A become dominant, curling occurs, the substrate dimensional change becomes large, and it is not practical for a flexible wiring board. .

前記金属箔としては、銅、アルミニウム、鉄、金、
銀、Pd,Ni,Cr,Moや、これらの合金が挙げられる。銅箔
を用いる場合は電解銅箔、圧延銅箔あるいはこれらを表
面処理したものを用いるとポリイミド樹脂Aと金属箔と
の接着をより強くするため好ましい。
As the metal foil, copper, aluminum, iron, gold,
Silver, Pd, Ni, Cr, Mo and alloys thereof are exemplified. In the case of using a copper foil, it is preferable to use an electrolytic copper foil, a rolled copper foil, or a surface-treated copper foil for further strengthening the adhesion between the polyimide resin A and the metal foil.

塗布手段としては、ロールコーター、ナイフコータ
ー、デイップコーター、フローコーターなどの公知の手
段を利用することができる。
Known means such as a roll coater, a knife coater, a dip coater, and a flow coater can be used as the applying means.

以下、実施例に基づき本発明をより詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.

〔実施例1〕 <ポリイミド前駆体溶液Aの合成> 温度計、塩化カルシウム管、撹拌器、N2吹込み口を取
りつけたフラスコに毎分150mlのN2を流しながらピロメ
リット酸二無水物(104.3g)(以下PMDAと略記する)と
N−メチル−2−ピロリドン800g入れ撹拌する。液温を
60℃以下に保ちながら4.4′−ジアミノジフェニルエー
テル(95.7g)(以下DDEと略記する)を加え60℃以下で
5時間撹拌を行い、ポリイミド樹脂層Aを形成する濃度
20%のポリイミド前駆体溶液Aを得た。
Example 1 <Synthesis of Polyimide Precursor Solution A> Pyromellitic dianhydride (150 ml / min) was flowed into a flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stirrer, and an N 2 blow-in port while flowing N 2 at a rate of 150 ml / min. 104.3 g) (hereinafter abbreviated as PMDA) and 800 g of N-methyl-2-pyrrolidone are added and stirred. Liquid temperature
While maintaining the temperature below 60 ° C, 4.4'-diaminodiphenyl ether (95.7g) (hereinafter abbreviated as DDE) was added, and the mixture was stirred at 60 ° C or less for 5 hours to form a polyimide resin layer A concentration.
A 20% polyimide precursor solution A was obtained.

<ポリイミド前駆体溶液Bの合成> 温度計、塩化カルシウム管、撹拌器、N2吹込み口を取
りつけたフラスコに毎分150mlのN2を流しながら、PMDA
(101.0g)とN−メチル−2−ピロリドン800gを入れ撹
拌する。液温を60℃以下に保ちながら4.4′−ジアミノ
ベンズアニリド(52.6g)(以下DABANと略記する)を加
えた後、DDE(46.4g)を加える。その後、60℃以下で5
時間撹拌を行いポリイミド樹脂層Bを形成する濃度20%
のポリイミド前駆体溶液Bを得た。
<Synthesis of Polyimide Precursor Solution B> While flowing 150 ml of N 2 per minute into a flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stirrer, and an N 2 blowing port, PMDA
(101.0 g) and 800 g of N-methyl-2-pyrrolidone are added and stirred. 4.4'-Diaminobenzanilide (52.6 g) (hereinafter abbreviated as DABAN) was added while maintaining the liquid temperature at 60 ° C or lower, and then DDE (46.4 g) was added. Then, at 60 ° C or less, 5
20% concentration to form polyimide resin layer B after stirring for hours
The polyimide precursor solution B was obtained.

つぎに、前記ポリイミド前駆体溶液Aを厚さ35μmの
電解銅箔上にドクターナイフを用いて流延塗布し、100
℃で15分、180℃で10分加熱し、厚さ3μmのポリミイ
ド樹脂層Aを形成した。さらに前記ポリイミド前駆体溶
液Bを同様にドクターナイフを用いて流延塗布し、100
℃で30分、200℃で30分、300℃で60分加熱し、厚さ22μ
mのポリイミド樹脂を持つフレキシブル配線基板を得
た。
Next, the polyimide precursor solution A was cast-coated on a 35 μm-thick electrolytic copper foil using a doctor knife,
Heating was performed at 15 ° C. for 15 minutes and at 180 ° C. for 10 minutes to form a 3 μm-thick polyimide resin layer A. Further, the polyimide precursor solution B was similarly cast and applied using a doctor knife, and 100
Heat at 30 ° C for 30 minutes, 200 ° C for 30 minutes, 300 ° C for 60 minutes, thickness 22μ
Thus, a flexible wiring board having a polyimide resin of m was obtained.

〔実施例2〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたDD
Eを4.4′−ジアミノベンゾフェノン(以下DBPと略記す
る)に変え実施例1と同様にしフレキシブル配線基板を
得た。
[Example 2] DD used for synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that E was changed to 4.4'-diaminobenzophenone (hereinafter abbreviated as DBP).

〔実施例3〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたDD
Eを4.4′−ジアミノジフェニルスルホン(以下DDSと略
記する)に変え実施例1と同様にしフレキシブル配線基
板を得た。
[Example 3] DD used for synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that E was changed to 4.4'-diaminodiphenyl sulfone (hereinafter abbreviated as DDS).

〔実施例4〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたDD
Eを4.4′−ジアミノジフェニルメタン(以下DDMを略記
する)に変え実施例1と同様にしフレキシブル配線基板
を得た。
Example 4 DD used for synthesis of polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that E was changed to 4.4'-diaminodiphenylmethane (hereinafter abbreviated as DDM).

〔実施例5〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物(以下BTDAと略記する)に変え実施例1と同様に
しフレキシブル配線基板を得た。
[Example 5] PM used for the synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as BTDA).

〔実施例6〕 実施例2のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物(以下BTDAと略記する)に変え実施例1と同様に
しフレキシブル配線基板を得た。
[Example 6] PM used for the synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 2
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as BTDA).

〔実施例7〕 実施例1のポリミイド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物(以下S−BPDAと略記する)に変え実施例1と同様に
しフレキシブル配線基板を得た。
[Example 7] PM used for the synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as S-BPDA).

〔実施例8〕 実施例2のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物(以下S−BPDAと略記する)に変え実施例1と同様に
しフレキシブル配線基板を得た。
[Example 8] PM used for the synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 2
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as S-BPDA).

〔実施例9〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン
酸二無水物(以下DSDAと略記する)に変え実施例1と同
様にしフレキシブル配線基板を得た。
[Example 9] PM used for synthesizing the polyimide precursor solution A of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as DSDA).

〔実施例10〕 実施例2のポリイミド前駆体溶液Aの合成に用いたPM
DAを3.3′,4.4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン
酸二無水物(以下DSDAと略記する)に変え実施例1と同
様にしフレキシブル配線基板を得た。
[Example 10] PM used for the synthesis of the polyimide precursor solution A of Example 2
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that DA was changed to 3.3 ', 4.4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as DSDA).

〔比較例1〕 実施例1で合成したポリイミド前駆体溶液Bを直接、
厚さ35μmの電解銅箔上にドクターナイフで流延塗布
し、100℃で30分、200℃で30分、300℃で60分加熱し、
厚さ25μmのポリイミド樹脂層Bをもつフレキシブル配
線基板を得た。
[Comparative Example 1] The polyimide precursor solution B synthesized in Example 1 was directly
It is cast and applied on a 35μm thick electrolytic copper foil with a doctor knife and heated at 100 ° C for 30 minutes, 200 ° C for 30 minutes, and 300 ° C for 60 minutes,
A flexible wiring board having a polyimide resin layer B having a thickness of 25 μm was obtained.

〔実施例11〕 実施例1のポリイミド樹脂層Aとポリイミド樹脂層B
の膜厚比を5/20に変え実施例1と同様にしてフレキシブ
ル配線基板を得た。
Example 11 Polyimide resin layer A and polyimide resin layer B of Example 1
Was changed to 5/20 to obtain a flexible wiring board in the same manner as in Example 1.

〔実施例12〕 実施例1のポリイミド樹脂層Aとポリイミド樹脂層B
の膜厚比を10/15に変え実施例1と同様にしてフレキシ
ブル配線基板を得た。
[Example 12] Polyimide resin layer A and polyimide resin layer B of Example 1
Was changed to 10/15 to obtain a flexible wiring board in the same manner as in Example 1.

〔比較例2〕 実施例1のポリイミド樹脂層Aとポリイミド樹脂層B
の膜厚比を15/10に変え実施例1と同様にしてフレキシ
ブル配線基板を得た。
[Comparative Example 2] Polyimide resin layer A and polyimide resin layer B of Example 1
Was changed to 15/10, and a flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

〔比較例3〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Bの合成に用いたDA
BAN/DDEのモル比1/9に変え実施例1と同様にしてフレキ
シブル配線基板を得た。
[Comparative Example 3] DA used for synthesis of polyimide precursor solution B of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the molar ratio of BAN / DDE was changed to 1/9.

〔実施例13〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Bの合成に用いたDA
BAN/DDEのモル比を2/8に変え実施例1と同様にしてフレ
キシブル配線基板を得た。
[Example 13] DA used for synthesis of polyimide precursor solution B of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the molar ratio of BAN / DDE was changed to 2/8.

〔実施例14〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Bの合成に用いたDA
BAN/DDEのモル比7/3に変え実施例1と同様にしてフレキ
シブル配線基板を得た。
[Example 14] DA used for synthesis of the polyimide precursor solution B of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the molar ratio of BAN / DDE was changed to 7/3.

〔実施例15〕 実施例1のポリイミド前駆体溶液Bの合成に用いたDA
BAN/DDEのモル比を10/0に変え実施例1と同様にしてフ
レキシブル配線基板を得た。
[Example 15] DA used for synthesis of the polyimide precursor solution B of Example 1
A flexible wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the molar ratio of BAN / DDE was changed to 10/0.

以上の実施例及び比較例から得られたフレキシブル配
線基板について、以下の測定方法により特性評価を行っ
た結果を表1に示す。
Table 1 shows the results of evaluating the characteristics of the flexible wiring boards obtained from the above Examples and Comparative Examples by the following measurement methods.

銅箔との接着力:JIS C−6481に準拠し、幅10mmの試料
を180度剥離させオートグラフに引張り速度50cm分の条
件で測定した。
Adhesive force with copper foil: A 10 mm wide sample was peeled 180 degrees according to JIS C-6481 and measured on an autograph under the condition of a pulling speed of 50 cm.

曲率半径:縦、横5cmのフレキシブル基板を図1に示す
ようにポリイミド樹脂層がガラス側となるようにガラス
板上静置した後、ひずみ量δ(cm)、a(cm)を測定
し、次式より曲率半径P(cm)を求め、カールの程度を
評価した。
Curvature radius: After a flexible substrate having a length of 5 cm and a width of 5 cm is allowed to stand on a glass plate such that the polyimide resin layer is on the glass side as shown in FIG. 1, the strain amount δ (cm) and a (cm) are measured. The curvature radius P (cm) was obtained from the following equation, and the degree of curl was evaluated.

伸び率:幅5mm、チャック間20mmの試料を作成し、オー
トグラフにて引張り速度50mm/分の条件で測定した。
Elongation: A sample having a width of 5 mm and a gap between chucks of 20 mm was prepared, and was measured by an autograph at a tension speed of 50 mm / min.

寸法変化:得られたフレキシブル配線基板に10cm×10cm
の四点を印し、正確に四点間の距離を測長器で測定す
る。エッチングにより銅を全部除去しフィルムのみと
し、同様に四点間を測長し寸法変化を測定した。
Dimensional change: 10cm x 10cm on the obtained flexible wiring board
Are marked, and the distance between the four points is accurately measured with a length measuring instrument. All the copper was removed by etching to obtain only a film, and the dimensional change was measured by measuring the length between four points in the same manner.

熱老化性:恒温槽にて200℃×240時間放置した後、銅箔
との接着力を測定した。
Thermal aging property: After leaving in a constant temperature bath at 200 ° C. for 240 hours, the adhesive strength to the copper foil was measured.

フレキシブル配線基板の特性値として初期接着力1.0k
g/cm以上、曲率半径10cm以上、フィルム伸び率15%以
上、寸法変化率−0.10以下、熱老化性初期接着力の50%
以上、かつ0.36kg/cm以上ならば実用上問題は生じな
い。
Initial bond strength of 1.0k as characteristic value of flexible wiring board
g / cm or more, radius of curvature 10cm or more, film elongation 15% or more, dimensional change rate -0.10 or less, heat aging 50% of initial adhesive strength
If it is more than 0.36 kg / cm, there is no practical problem.

表1の実施例1〜10と比較例1から本特許請求の範囲
に示すポリイミド樹脂層Aを銅箔とポリイミド樹脂層B
との間に形成することにより初期接着力が大きく向上す
ることが明らかである。
The polyimide resin layer A shown in the claims of Examples 1 to 10 and Comparative Example 1 in Table 1 was replaced with a copper foil and a polyimide resin layer B.
It is clear that the initial adhesive strength is greatly improved by forming between them.

また、実施例1,11,12、比較例2より、ポリイミド樹
脂層Aの膜厚ポリイミド樹脂層Aとポリイミド樹脂層B
との全膜厚に対して50%以上になるとポリイミド樹脂層
Aの特性が支配的になり、基板のカール性を示す曲率半
径は大きく、寸法変化率も大きくなってしまい、実用上
問題を生じる。
Also, from Examples 1, 11, 12 and Comparative Example 2, the polyimide resin layer A and the polyimide resin layer B
When the total thickness is 50% or more of the total film thickness, the characteristics of the polyimide resin layer A become dominant, the radius of curvature indicating the curl property of the substrate is large, and the dimensional change rate is large, which causes a practical problem. .

従って、ポリイミド樹脂層Aの膜厚は、ポリイミド樹
脂層Aとポリイミド樹脂層Bの全膜厚に対して50%以下
が好ましいことがわかる。
Therefore, it is understood that the thickness of the polyimide resin layer A is preferably 50% or less with respect to the total thickness of the polyimide resin layer A and the polyimide resin layer B.

実施例13〜15、比較例3より、ポリイミド樹脂層Bで
使用するジアミン成分のうち、20モル%以上DABANを添
加することにより、寸法変化率を非常に小さくすること
ができる。
According to Examples 13 to 15 and Comparative Example 3, the dimensional change rate can be extremely reduced by adding DABAN of 20 mol% or more of the diamine components used in the polyimide resin layer B.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、本発明のフレキシブル配線基板は、金
属箔とポリイミド樹脂との間に、金属箔と強固に接着す
るポリイミド樹脂層を形成するため接着力が向上し、エ
ッチング後の金属箔が剥離しにくいという利点を有して
いる。
As described above, the flexible wiring board of the present invention has a polyimide resin layer that is firmly bonded to the metal foil between the metal foil and the polyimide resin, so that the adhesive strength is improved, and the metal foil after etching is peeled off. It has the advantage of being difficult to perform.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は曲率半径の測定方法を示す概略図である。 (1)金属箔 (2)ポリイミド樹脂層 (3)ガラス板 FIG. 1 is a schematic diagram showing a method of measuring a radius of curvature. (1) Metal foil (2) Polyimide resin layer (3) Glass plate

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】金属箔上に、ポリイミド前駆体を塗布流延
し加熱処理し、構造式が (R1はテトラカルボン酸残基 R2 から選ばれる)であるポリイミド樹脂層Aを形成し、さ
らにジアミノベンズアニリドを20%以上含み残りが他の
芳香族第1級ジアミンからなるジアミン成分と、ピロメ
リット酸=無水物またはその誘導体からなるポリイミド
前駆体を塗布流延加熱処理することにより、ポリイミド
樹脂層Bを形成することを特徴とするフレキシブル配線
基板。
Claims: 1. A polyimide precursor is applied and cast on a metal foil and heat-treated. (R 1 is a tetracarboxylic acid residue R 2 is A diamine component comprising at least 20% of diaminobenzanilide and the remainder comprising another aromatic primary diamine, and pyromellitic acid = anhydride or a derivative thereof. A flexible wiring board, wherein a polyimide resin layer B is formed by subjecting a polyimide precursor to a coating casting heat treatment.
【請求項2】R1 から選ばれる請求項1記載のフレキシブル配線基板。(2) R 1 is The flexible wiring board according to claim 1, which is selected from the group consisting of: 【請求項3】他の芳香族第1級ジアミンがジアミノジフ
ェニルエーテルである請求項1記載のフレキシブル配線
基板。
3. The flexible wiring board according to claim 1, wherein the other aromatic primary diamine is diaminodiphenyl ether.
【請求項4】ポリイミド樹脂層Aの膜厚が、ポリミイド
樹脂層Aとポリイミド樹脂層Bとの全膜厚に対して50%
以下である請求項1記載のフレキシブル配線基板。
4. The film thickness of the polyimide resin layer A is 50% of the total film thickness of the polyimide resin layer A and the polyimide resin layer B.
The flexible wiring board according to claim 1, wherein:
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