JP2663135B2 - Integrated circuit test equipment - Google Patents

Integrated circuit test equipment

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JP2663135B2
JP2663135B2 JP63107940A JP10794088A JP2663135B2 JP 2663135 B2 JP2663135 B2 JP 2663135B2 JP 63107940 A JP63107940 A JP 63107940A JP 10794088 A JP10794088 A JP 10794088A JP 2663135 B2 JP2663135 B2 JP 2663135B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路の故障診断を高速且つ詳細に行う
電子ビーム試験装置に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam test apparatus for performing a failure diagnosis of an integrated circuit at high speed and in detail.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電子ビーム試験装置を用いた集積回路の試験法の一つ
に、故障像を利用する方法がある。故障像とは、電子ビ
ーム試験装置により被試験集積回路試料から得られた画
像データと、別途用意したあらかじめ正常とわかつてい
る画像データとの間の差分の結果得られる像である。こ
の像の上では故障の状態が一目で観察できるため、その
状態の時間的変化を追跡することで、簡便且つ手軽に故
障箇所が特定できる。
One of the testing methods for an integrated circuit using an electron beam test apparatus is a method using a failure image. The failure image is an image obtained as a result of a difference between image data obtained from the integrated circuit sample to be tested by the electron beam test apparatus and image data which is separately prepared in advance and is normal. Since the state of the failure can be observed at a glance on this image, the failure location can be easily and easily specified by tracking the temporal change of the state.

このようなテスト方法には、大きくわけてダイナミツ
クフオールト像(DFI:たとえばT.C.May et al.,“Dynam
ic Fault Imaging of VLSI Random Logic Decices",198
4 IEEE/IRPS pp.95−108)を用いる方法と、フオールト
コントラスト像(FCIたとえばAlan R.Stivers at al.,
“Fault Contrast:A New Voltage Contrast VLSI Diagn
osis Technique",1986 IEEE/IRPS pp.109−114)を用い
る方法の二つがあり、その概要を第5図(a),(b)
に示す。第5図(a)はダイナミツクフオールト像の生
成、第5図(b)はフオールトコントラスト像の生成を
示す。前者では被試験デバイスとしての被試験集積回路
51と良品デバイスとしての良品集積回路52の二つを用意
しておき、同一の動作条件下で両者から画像データを取
り込み、その差分をとることで故障像が得られる。53は
同一テストパラメータ、54,55は観測像、56は差分回
路、57はダイナミツクフオールト像、58はフオールトキ
ユーブを示す。
Such testing methods are broadly divided into dynamic fault images (DFI: see, eg, TCMay et al., “Dynam
ic Fault Imaging of VLSI Random Logic Decices ", 198
4 A method using IEEE / IRPS pp.95-108) and a method using a fault contrast image (FCI such as Alan R. Stivers at al.,
“Fault Contrast: A New Voltage Contrast VLSI Diagn
osis Technique ", 1986 IEEE / IRPS pp.109-114), and the outline is shown in Figs. 5 (a) and 5 (b).
Shown in FIG. 5 (a) shows the generation of a dynamic fault image, and FIG. 5 (b) shows the generation of a fault contrast image. In the former, the integrated circuit under test as the device under test
51 and a non-defective integrated circuit 52 as a non-defective device are prepared, and image data is fetched from both under the same operating condition, and a difference image is obtained to obtain a failure image. 53 is the same test parameter, 54 and 55 are observation images, 56 is a difference circuit, 57 is a dynamic fault image, and 58 is a fault cube.

一方後者は、特定の試験パラメータ条件下では正常動
作することが確かめられているデバイスに対して適用さ
れるもので、同一デバイスの被試験集積回路511から一
つは正常動作条件下のたとえば512のテストパラメータ
1で、もう一つは正常動作しない条件下の513のテスト
パラメータ2で観測像514,515を得て、差分回路516によ
り差分をとり、故障像としてフオールトコントラスト像
517を得る。この方法は、故障モードがマージン性のも
ののみに限定されるが、画像の差分処理に際して、画像
同士の位置合わせや歪補正が不要であるという利点があ
る。
On the other hand, the latter is applied to a device that has been confirmed to operate normally under specific test parameter conditions, and one of the integrated circuits under test 511 of the same device is, for example, 512 under the normal operation condition. Observed images 514 and 515 are obtained with test parameter 1 and another with test parameter 2 of 513 under a condition in which normal operation is not performed, a difference is obtained by a difference circuit 516, and a fault contrast image is obtained as a failure image.
Get 517. This method has a failure mode limited to only marginal ones, but has the advantage that alignment and distortion correction between images are not required in image difference processing.

DFIを用いた故障追跡の方法には、第5図(a)に示
すようなフオールトキユーブ58を利用する方法がある。
フオールトキユーブとは、故障像を時間方向に並べて三
次元像表示したもので、故障パタンが時間と共に拡大す
る様子を目視観測し、その起点を見付けだすことで故障
の発生箇所が特定される。
As a method of failure tracking using DFI, there is a method using a fault cube 58 as shown in FIG. 5 (a).
The fault cube is a three-dimensional image of fault images arranged in the time direction and visually observing how the fault pattern expands with time, and by finding the starting point, the fault location is specified. .

FCIの場合の故障追跡方法を第6図(a),(b)に
示す。60は集積回路チツプで、故障が出力パツド61を通
して検出されると、そのタイミング(t=n)で故障像
の観測ゾーン62を移動しながら集積回路試料上の故障パ
タン63を追跡していく(第6図(a))。故障パタン伝
搬の起点に到達したならば、一つ前のテストパタンタイ
ミングでテストパタンを止め(t=n−1)、再度試料
上を人手で追跡し、故障伝播の起点を探す(第6図
(b))。こうして、故障パタンの発生しなくなるタイ
ミングに到達したとき、最後に到達した故障の起点を真
の故障部分であると判定する。DFIの場合でも最終的に
はこの方法をとることが多い。というのは、故障パタン
の拡散は必ずしも直感的にわかる程一点からきれいに拡
散する保証はなく、画像データをとるタイミングにも依
存するが、むしろ発生点から明らかにならないような変
化をするケースが一般的だからである。
FIGS. 6A and 6B show a failure tracking method in the case of FCI. Reference numeral 60 denotes an integrated circuit chip. When a fault is detected through the output pad 61, the fault pattern 63 on the integrated circuit sample is traced while moving in the fault image observation zone 62 at the timing (t = n) ( FIG. 6 (a)). When the starting point of the fault pattern propagation is reached, the test pattern is stopped at the immediately preceding test pattern timing (t = n-1), and the sample is manually traced again to search for the starting point of the fault propagation (FIG. 6). (B)). Thus, when the timing at which the failure pattern no longer occurs is reached, the starting point of the finally reached failure is determined to be a true failure portion. Even in the case of DFI, this method is often used eventually. This is because there is no guarantee that the failure pattern will spread out clearly from one point so that it can be intuitively understood, and it depends on the timing of taking image data. Because it is a target.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

第6図に示す追跡方法では、配線パタンを認識できる
精度で画像を取り込む必要があるため、画素数の制限か
ら集積回路試料全体を覆う程観測ゾーンを大きくするこ
とは難しい。そのため、例えば1mm×1mmの局所的なゾー
ンで故障像を取り込み、故障パタンを追跡していくこと
により、故障像を取り込むたびに、故障配線パタン上の
信号伝搬方向や故障配線パタン間の信号の伝搬順序を確
認する必要が生じる。しかしながら、従来からある方法
では、単に故障像の観測手段が提供されているにすぎ
ず、これらの追跡に必要とされる作業は、全て人手によ
らざるを得なかつた。具体的な作業としては、故障配線
パタンと設計配線パタンの対応・配線パタンと回路図と
の対応・回路図の構造追跡といつたものがあるが、これ
らは設計上の知識に加え、巨大なマスクパタン図の追跡
と観測像との比較といつた膨大な時間・労力を要する作
業を必要とし、これらが本手法の大規模集積回路への適
用を困難にする大きな要因となつていた。
In the tracking method shown in FIG. 6, since it is necessary to capture an image with an accuracy capable of recognizing a wiring pattern, it is difficult to increase the observation zone so as to cover the entire integrated circuit sample due to the limitation of the number of pixels. Therefore, for example, by capturing a failure image in a local zone of 1 mm × 1 mm and tracking the failure pattern, every time a failure image is captured, the signal propagation direction on the failure wiring pattern and the signal between the failure wiring patterns are It is necessary to check the propagation order. However, the conventional method merely provides a means for observing a fault image, and all the work required for tracking these has to be performed manually. Specific tasks include the correspondence between a faulty wiring pattern and a design wiring pattern, the correspondence between a wiring pattern and a circuit diagram, and the tracking of the structure of a circuit diagram. A lot of time and labor-intensive work such as tracking the mask pattern diagram and comparing it with the observed image was required, and these were major factors that made it difficult to apply this method to large-scale integrated circuits.

このような問題を解決するためには、何等かの形で設
計データの利用をはかることが必要であることは従来か
ら指摘されている。しかしながら、通常の設計データで
は、配線パタンと回路図の間に、相互に相手を参照する
ためのリンクが設けられていないため、追跡のための地
図をつくることができず、追跡の容易化は不可能であつ
た。
It has been pointed out that it is necessary to use design data in some form in order to solve such a problem. However, with normal design data, there is no link between the wiring pattern and the circuit diagram to refer to each other, so a map for tracking cannot be created, making tracking easier. It was impossible.

本発明は、従来の試験装置が故障追跡方向に関する指
針を与える手段を持たないという問題を解決しようとす
るものであつて、その目的は故障追跡の高速化、高能率
化を図ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem that a conventional test apparatus does not have a means for giving a guide regarding a fault tracking direction, and an object of the present invention is to increase the speed and efficiency of fault tracking.

〔課題を解説するための手段〕[Means for explaining the task]

本発明の集積回路試験装置は、上記の目的を達成する
ため、動作状態に置かれた集積回路試料上の一定領域を
電子ビームにより走査し、一つまたは一つ以上のタイミ
ングで二次電子像を取り出し、前記取り出した二次電子
像と、良品試料又は正常動作条件下の同一試料又は設計
データから得た像との間での差分像を得て差異となる故
障パタンを差分像から検出し、前記差分像の中に現れた
差異となる故障パタンに対応する設計配線パタンを設計
配線パタンデータから読み出し、前記設計配線パタンデ
ータから読み出した設計配線パタンの論理深度を設計回
路データから読み出し、前記設計配線パタンデータから
読み出した設計配線パタンの論理セルが出力端子に直接
接続する配線上の端点(信号起点)を設計配線パタンデ
ータから読み出す集積回路試験装置において、前記論理
深度および信号伝搬の方向を前記設計配線パタンに付与
し表示する手段を備えてなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the integrated circuit test apparatus of the present invention scans a fixed area on an integrated circuit sample placed in an operating state with an electron beam, and performs secondary electron imaging at one or more timings. Take out the secondary electron image taken out, and obtain a difference image between the non-defective sample or the same sample under normal operating conditions or an image obtained from the design data, and detect a difference failure pattern from the difference image. Reading a design wiring pattern corresponding to a failure pattern that becomes a difference that appears in the difference image from design wiring pattern data, reading a logical depth of the design wiring pattern read from the design wiring pattern data from design circuit data, A collection of read end points (signal starting points) on the wiring directly connected to the output terminals of the logic cells of the design wiring pattern read from the design wiring pattern data from the design wiring pattern data In the circuit testing apparatus, and characterized in that it comprises means for displaying impart direction of the logical depth and signal propagation on the design wiring pattern.

〔作 用〕(Operation)

本発明にかかる装置は、故障像(DFIやFCI)を単に観
測表示するだけの従来装置と異なり、追跡すべき方向を
決めるための手掛りとなる情報も、故障像に対応して表
示できるよう構成したことを特徴とすることから、本発
明に係る装置では、論理深度・信号の伝搬方向という形
の探索地図を常に参照しながら、最も効率的な故障追跡
手順を決められる。以下図面にもとづき実施例について
説明する。
The device according to the present invention is different from the conventional device in which the failure image (DFI or FCI) is simply observed and displayed, and information which is a clue for determining a direction to be tracked can be displayed corresponding to the failure image. Therefore, the apparatus according to the present invention can determine the most efficient fault tracking procedure while always referring to the search map in the form of the logical depth and the signal propagation direction. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の実施例を示す。電子ビーム試験装置
1のXYステージ2上には、被試験集積回路3が載つてい
る。この上に電子ビーム4が照射され、表面から発生す
る二次電子信号が画像の形で取り出される。観測ゾーン
の移動は、ステージ位置情報2XYを示すXYステージ2の
移動によつてなされる。電子ビーム試験装置1から得ら
れる被試験集積回路3の試料の観測像と、予め参照用画
像メモリ回路5に蓄えられている参照用の正常動作状態
像とは、故障像生成回路6にて差分処理がなされ、故障
像が故障像表示部7に生成表示される。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. An integrated circuit under test 3 is mounted on an XY stage 2 of the electron beam test apparatus 1. An electron beam 4 is irradiated thereon, and a secondary electron signal generated from the surface is extracted in the form of an image. The movement of the observation zone is performed by moving the XY stage 2 indicating the stage position information 2XY. The failure image generation circuit 6 calculates the difference between the observation image of the sample of the integrated circuit under test 3 obtained from the electron beam test apparatus 1 and the normal operation state image for reference stored in the reference image memory circuit 5 in advance. The processing is performed, and a failure image is generated and displayed on the failure image display unit 7.

一方、これに対応する故障探索地図は、以下の手順で
生成され表示される。
On the other hand, a corresponding failure search map is generated and displayed in the following procedure.

1) 故障パタン識別回路70は、観測故障像上の故障パ
タンの長さ・端点の座標等を形状パラメータとして識別
する。
1) The failure pattern identification circuit 70 identifies the length, the coordinates of the end point, etc. of the failure pattern on the observed failure image as shape parameters.

2) 設計データとして回路データ81、設計配線パタン
としてのデータ82及び両者の対応を示すクロスレフアレ
ンス83が8のメモリ回路1に格納されている。該クロス
レフアランス83は、回路図と配線パタンの両者の間に互
に相手を参照できるようなリンクが存在するような仕組
をもつ設計データベースを利用することで、容易に生成
できる(たとえばN.Kuji et al.,“FINDER:A CAD Syste
m−based Electron Beam Teester for Fault Diagnosis
of VLSI Circuits",IEEE Trans.CAD,April 1986,Vol C
AD−5,Number 2,pp−313−319)。
2) Circuit data 81 as design data, data 82 as a design wiring pattern, and a cross reference 83 indicating the correspondence between the two are stored in the memory circuit 8. The cross-reference 83 can be easily generated by using a design database having a mechanism such that a link exists between the circuit diagram and the wiring pattern so that the link can be referred to each other. Kuji et al., “FINDER: A CAD Syste
m-based Electron Beam Teester for Fault Diagnosis
of VLSI Circuits ", IEEE Trans.CAD, April 1986, Vol C
AD-5, Number 2, pp-313-319).

3) 1)で得られた故障パタンの形状パラメータに基
づき、対応する設計配線パタンの配線データを8のメモ
リ回路1の中より選択的に読出、設計配線認識部80によ
る認識結果を9のメモリ回路2の中に蓄積する。
3) Based on the shape parameter of the fault pattern obtained in 1), the wiring data of the corresponding design wiring pattern is selectively read out of the eight memory circuits 1 and the recognition result by the design wiring recognition unit 80 is stored in the memory of nine. Accumulate in circuit 2.

4) この配線に対応する回路ネツトはクロスフアレン
ス83を参照することで求められる。
4) The circuit net corresponding to this wiring is obtained by referring to the cross reference 83.

5) 論理深度読み出し回路10は、4)で得た回路ネツ
トの“論理深度”及びこのネツトに対する論理セルの出
力端子の位置を読出し、11のメモリ回路3の論理深度出
力端子座標に蓄積する。“論理深度”とは、回路図上の
所定の径路を想定したとき、全体回路または回路ブロツ
クの一次入力端子からその回路ネツトに到達するときに
経由する回路ネツトの段数である。
5) The logical depth reading circuit 10 reads the "logical depth" of the circuit net obtained in 4) and the position of the output terminal of the logic cell with respect to this net, and accumulates them at the logical depth output terminal coordinates of the memory circuit 11. "Logical depth" is the number of circuit nets that pass through the circuit when it reaches the circuit net from the primary input terminal of the entire circuit or circuit block, assuming a predetermined path on the circuit diagram.

6) 9のメモリ回路2及び11のメモリ回路3の中から
論理深度・配線データ・出力端子座標を読出し、更にこ
れらのデータより、配線パタン上の信号方向を求め、配
線パタン,信号出力起点,信号伝搬方向よりなる探索地
図を探索地図表示部に表示する。
6) The logical depth, wiring data, and output terminal coordinates are read out from the nine memory circuits 2 and 11 and the signal direction on the wiring pattern is obtained from these data, and the wiring pattern, signal output starting point, A search map including the signal propagation direction is displayed on a search map display unit.

第2図(a)乃至(c)に故障パタンに対応する設計
配線の認識を行つた実施例を示す。第2図(a)は故障
像200の例で、20は観測された故障配線パタンである。
故障配線パタン20は適当な閾値でに二値化され、そのパ
タンの端点21の位置・線長などが特長パラメータとして
求められる。この配線上の一点の対応する設計座標上の
位置は、XYステージの座標を読み取ることで求められ、
その点を中心に探索範囲を決め、中に含まれる配線パタ
ンを見付けだす。もしこの探索範囲がXYステージの位置
決め精度より大きければ、対応する配線パタンにはこの
中に含まれているはずである。第2図(b)は、こうし
て配線パタンの探索範囲22に得られた対応設計配線パタ
ン201である。これらの設計配線パタン201の中のいずれ
が故障パタンに対応するかは、故障パタンの特長パラメ
ータをもとに決めることができる。その結果第2図
(c)のように選択された対応設計配線202として、選
択される。
FIGS. 2A to 2C show an embodiment in which the design wiring corresponding to the failure pattern is recognized. FIG. 2A shows an example of a failure image 200, and reference numeral 20 denotes an observed failure wiring pattern.
The faulty wiring pattern 20 is binarized with an appropriate threshold, and the position and line length of the end point 21 of the pattern are obtained as feature parameters. The position of one point on the wiring on the corresponding design coordinates is obtained by reading the coordinates of the XY stage,
The search range is determined centering on that point, and the wiring pattern included therein is found. If this search range is larger than the positioning accuracy of the XY stage, it should be included in the corresponding wiring pattern. FIG. 2B shows the corresponding design wiring pattern 201 obtained in the wiring pattern search range 22 in this manner. Which of the design wiring patterns 201 corresponds to the failure pattern can be determined based on the characteristic parameter of the failure pattern. As a result, the corresponding design wiring 202 selected as shown in FIG. 2C is selected.

第3図(a),(b)は、探索地図の実施例を示すも
のである。第3図(a)は回路図上に求めた論理深度の
例300を示すものであつて、論理深度は一次入力から数
えた回路ネツトの段数に対応させて求められ、各回路ノ
ードにたとえば31,32,33,34の番号の形で付与されてい
る。一方、第3図(b)は探索地図の表示例301であつ
て、各配線の矢印311は配線パタン312の信号の伝搬方
向、番号31,32,33,34は配線に対応する回路ネツトの論
理深度を表わし、数字が小さいほど真の故障点に近いこ
とを示す。313は論理セル、314は信号出力起点を示す。
FIGS. 3A and 3B show an embodiment of a search map. FIG. 3 (a) shows an example of a logical depth 300 obtained on a circuit diagram. The logical depth is obtained in accordance with the number of stages of the circuit net counted from the primary input. , 32,33,34. On the other hand, FIG. 3B shows a display example 301 of a search map, in which arrows 311 of each wiring are signal propagation directions of a wiring pattern 312, and numerals 31, 32, 33, and 34 are numbers of circuit nets corresponding to the wiring. Represents the logical depth, with smaller numbers indicating closer to the true failure point. 313 indicates a logic cell, and 314 indicates a signal output starting point.

第4図(a),(b)は、以上の探索地図表示をもと
に、本発明に係る装置を用いて行なつた試験手順の実施
例を示している。第4図(a)は被試験回路の回路図を
示すものであつて、数字41,42,43,44,45は論理深度であ
る。第4図(b)は故障の追跡過程I,II,III,IVを表わ
しており、左に探索地図400、右に集積回路試料上の故
障像401を示す。402は故障像観測ゾーン、403は故障パ
タン、411は信号出力端子、412は設計配線パタン、413
は観測ゾーンである。左の探索地図400を参照しながら
右の故障像の探索方向を決め、真の故障点にむかつて追
跡を進める。通常、外部端子につながるパツドから観測
を始め、内部回路へと追跡を進める。観測を始めたテス
トパタンのタイミングをt=n(過程I)とする。最初
の故障像上の故障パタンに対応する設計配線パタンは、
第2図に示す方法で自動的に識別される。これらの識別
に必要な情報は人間が判断して対話式に入力してもよい
し、画像処理技術により自動的に抽出してもよい。探索
地図上で識別された対応配線には、配線上の矢印で示す
信号伝搬方向と配線間の論理深度を表わす数字が表示さ
れる。この中から最も論理的深度を表わす数字が小さい
ものを選び、信号の伝搬方向を遡るような方向に探索方
向を決め、観測ゾーン413を移動すればよい。このよう
な平面的な故障パタンの追跡は、論理深度がこれ以上小
さいものが現われなくなつた時点で終了する(過程I
I)。このような追跡は、観測ゾーンのフイールドサイ
ズとし1mm×1mmあれば十分容易に行える。次にテストパ
タンのタイミングを所定パタン数だけ遡つた状態、タイ
ミングt=n−1(過程III)に設定し,同様に故障パ
タンの探索を行う。論理深度の最小となる故障パタンを
求めて追跡を行い、このタイミングt=n−1における
故障の起点を探す(過程IV)。更にテストパタンのタイ
ミングを遡つて同様の過程を繰返し、故障パタンが故障
像上に出なくなつたとき、タイミング方向の探索を終了
し、その直前に求められた故障の起点が真の故障発生点
として求められる。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) show an embodiment of a test procedure performed using the apparatus according to the present invention based on the above search map display. FIG. 4 (a) shows a circuit diagram of the circuit under test, and numerals 41, 42, 43, 44 and 45 are logical depths. FIG. 4 (b) shows the failure tracking processes I, II, III, and IV. A search map 400 is shown on the left, and a failure image 401 on the integrated circuit sample is shown on the right. 402 is a failure image observation zone, 403 is a failure pattern, 411 is a signal output terminal, 412 is a design wiring pattern, 413
Is an observation zone. The search direction of the right failure image is determined with reference to the left search map 400, and the tracking is advanced to the true failure point. Usually, observation starts from the pad connected to the external terminal, and proceeds to the internal circuit. It is assumed that the timing of the test pattern at which observation has started is t = n (process I). The design wiring pattern corresponding to the failure pattern on the first failure image is
It is automatically identified by the method shown in FIG. The information necessary for such identification may be determined by a human and input interactively, or may be automatically extracted by image processing technology. For the corresponding wiring identified on the search map, a number indicating a signal propagation direction indicated by an arrow on the wiring and a logical depth between the wirings is displayed. From these, the one with the smallest logical depth is selected, the search direction is determined so as to trace the signal propagation direction, and the observation zone 413 may be moved. The tracking of such a planar failure pattern ends when the one with a smaller logical depth no longer appears (Process I).
I). Such tracking can be performed easily if the field size of the observation zone is 1 mm x 1 mm. Next, the timing of the test pattern is set back to a predetermined number of patterns, the timing t = n-1 (process III), and a failure pattern is searched for in the same manner. Tracking is performed by finding a failure pattern with the smallest logical depth, and a starting point of the failure at this timing t = n-1 is searched (process IV). Further, the same process is repeated with the timing of the test pattern traced back, and when the failure pattern no longer appears on the failure image, the search in the timing direction is terminated, and the failure origin obtained immediately before is the true failure occurrence point. Is required.

以上説明したように、いわば手探りで故障追跡を行う
従来装置に比べて、本発明に係る装置では、論理深度・
信号の伝搬方向という形の探索地図を常に参照しなが
ら、最も効率的な故障追跡手順を決められるという点で
大きな改善があつた。
As described above, the device according to the present invention has a logical depth and a lower depth than the conventional device that performs fault tracking by groping.
A significant improvement has been made in that the most efficient fault tracking procedure can be determined while always referring to a search map in the form of signal propagation directions.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は設計データに基づく探
索手順を明示する手段を備えることにより、故障像の故
障追跡に際して、次の効果がある。
As described above, the present invention has the following effects when tracing a failure image by providing means for specifying a search procedure based on design data.

1) マスクパタン、回路図、及び両者の関係を人手で
参照する必要がなく、追跡に伴う労力が大幅に軽減され
る。
1) There is no need to manually refer to the mask pattern, the circuit diagram, and the relationship between the two, and the labor involved in tracking is greatly reduced.

2) 追跡手順が最適化されるため、画像データを処理
する回数が最小化され、試験に要する時間が大幅に削減
される。
2) Since the tracking procedure is optimized, the number of times of processing the image data is minimized, and the time required for the test is greatly reduced.

3) 追跡手順が明示されるため、試験手順がルーチン
化され、被試験集積回路の設計上の知識を持たない人で
も短時間でテストが可能である。
3) Since the tracking procedure is specified, the test procedure is routineized, and even a person who does not have the design knowledge of the integrated circuit under test can perform the test in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明装置を説明する図、第2図(a)乃至
(c)は故障パタンに対応する設計配線パタンの認識の
実施例を説明する図、第3図(a),(b)は探索地図
表示の実施例を説明する図、第4図(a),(b)は本
発明装置における試験手順の実施例を説明する図、第5
図(a),(b)は従来の技術を説明する図、第6図
(a),(b)はフオールトコントラスト像による故障
の追跡方法を説明する図である。 1……電子ビーム試験装置、2……XYステージ、3……
被試験集積回路、4……電子ビーム、5……参照用画像
メモリ回路、6……故障像生成回路、7……故障像表示
部、70……故障パタン識別回路、8……メモリ回路1、
81……設計回路データ、82……設計配線パタンデータ、
83……クロスレフアレンス、80……設計配線認識部、9
……メモリ回路2、10……論理深度読み出し回路、11…
…メモリ回路3、12……探索地図表示部、200……故障
像、201……設計配線パタン、202……選択された対応設
計配線、20……故障配線パタン、21……端点、22……配
線パタンの探索範囲、300……論理深度の例、301……探
索地図の表示例、31〜34,41〜45……論理深度、311……
信号伝搬方向、312……配線パタン、313……論理セル、
314……信号出力起点、400……探索図、401……集積回
路試料上の故障像、402……故障像観測ゾーン、403……
故障パターン、411……信号出力端子、412……設計配線
パタン、413……観測ゾーン、51,511……被試験集積回
路、52……良品集積回路、53……同一テストパラメー
タ、54,55……観測像、56,516……差分回路、57……ダ
イナミツクフオールト像、58……フオールトキユーブ、
512……テストパラメータ1、513……テストパラメータ
2、514,515……観測像、517……フオトコントラスト
像、60……集積回路チツプ、61……出力パツド、62……
故障像観測ゾーン、63……故障パタン
FIG. 1 is a view for explaining the apparatus of the present invention, FIGS. 2 (a) to 2 (c) are views for explaining an embodiment of recognition of a design wiring pattern corresponding to a failure pattern, and FIGS. 3 (a) and 3 (b). FIGS. 4 (a) and 4 (b) are diagrams illustrating an example of a test procedure in the apparatus of the present invention, and FIGS.
6 (a) and 6 (b) are diagrams for explaining a conventional technique, and FIGS. 6 (a) and 6 (b) are diagrams for explaining a fault tracking method using a fault contrast image. 1 ... Electron beam test equipment, 2 ... XY stage, 3 ...
Integrated circuit under test, 4 ... Electron beam, 5 ... Reference image memory circuit, 6 ... Fault image generation circuit, 7 ... Fault image display section, 70 ... Fault pattern identification circuit, 8 ... Memory circuit 1 ,
81 …… Design circuit data, 82 …… Design wiring pattern data,
83 ... Cross reference, 80 ... Design wiring recognition part, 9
…… Memory circuit 2, 10 …… Logic depth reading circuit, 11…
... memory circuits 3, 12 ... search map display unit, 200 ... failure image, 201 ... design wiring pattern, 202 ... selected corresponding design wiring, 20 ... failure wiring pattern, 21 ... end point, 22 ... ... Search range of wiring pattern, 300 ... Example of logical depth, 301 ... Display example of search map, 31-34, 41-45 ... Logic depth, 311 ...
Signal propagation direction, 312 ... wiring pattern, 313 ... logic cell,
314: Signal output start point, 400: Search diagram, 401: Failure image on integrated circuit sample, 402: Failure image observation zone, 403 ...
Failure pattern, 411: Signal output terminal, 412: Design wiring pattern, 413: Observation zone, 51, 511: Integrated circuit under test, 52: Non-defective integrated circuit, 53: Same test parameter, 54, 55 ... Observation image, 56,516… Difference circuit, 57… Dynamic fault image, 58… Fault cube,
512: Test parameter 1, 513: Test parameter 2, 514, 515: Observed image, 517: Photo contrast image, 60: Integrated circuit chip, 61: Output pad, 62 ...
Failure image observation zone, 63 ... Failure pattern

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】動作状態に置かれた集積回路試料上の一定
領域を電子ビームにより走査し、一つまたは一つ以上の
タイミングで二次電子像を取り出し、前記取り出した二
次電子像と、良品試料又は正常動作条件下の同一試料又
は設計データから得た像との間での差分像を得て差異と
なる故障パタンを差分像から検出し、前記差分像の中に
現れた差異となる故障パタンに対応する設計配線パタン
を設計配線パタンデータから読み出し、前記設計配線パ
タンデータから読み出した設計配線パタンの論理深度を
設計回路データから読み出し、前記設計配線パタンデー
タから読み出した設計配線パタンが論理セルの出力端子
に直接接続する配線上の端点(信号起点)を設計配線パ
タンデータから読み出す集積回路試験装置において、 前記論理深度および信号伝搬の方向を前記設計配線パタ
ンに付与し表示する手段を備えてなる ことを特徴とする集積回路試験装置。
1. A fixed area on an integrated circuit sample placed in an operating state is scanned by an electron beam, and a secondary electron image is taken out at one or more timings. Obtain a difference image between a good sample or an image obtained from the same sample or design data under normal operating conditions, detect a failure pattern that is a difference from the difference image, and obtain a difference that appears in the difference image. The design wiring pattern corresponding to the failure pattern is read from the design wiring pattern data, the logical depth of the design wiring pattern read from the design wiring pattern data is read from the design circuit data, and the design wiring pattern read from the design wiring pattern data is In an integrated circuit test apparatus for reading an end point (signal starting point) on a wiring directly connected to an output terminal of a cell from design wiring pattern data, An integrated circuit test apparatus comprising: means for giving a direction of signal propagation to the design wiring pattern and displaying the design wiring pattern.
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