JP2661629B2 - Integrated photo detector - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、受光素子とその信号
処理回路を１チップ化した集積化受光素子、いわゆるオ
プチカルＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、オプチカルＩＣとしては、例えば
図４及び図５に示すようなものがある。
【０００３】すなわち、図４はその電気回路図であっ
て、図中１はフォト・ダイオード，２はフォト・ダイオ
ードの出力信号を増幅するための増幅器，３は増幅され
た信号をオン−オフ処理するシュミット・トリガ回路，
４はシュミット・トリガ信号により駆動される出力トラ
ンジスタ，５はその負荷抵抗および６は安定化電源であ
る。
【０００４】さらに、図５には、上記回路を１チップ化
したデバイス構造が示されており、その構成素子である
フォト・トランジスタ１，出力トランジスタ４にあたる
ＮＰＮトランジスタ７および負荷抵抗５にあたるベース
拡散抵抗８の部分が示されている。
【０００５】すなわち、このデバイス構造はＰ形シリコ
ン基板９中の左右側にｎ+ 埋込み層１０を設け、このｎ
+ 埋込み層１０の上面およびＰ形シリコン基板９中央上
面にｎ- エピタキシャル層１１が設けられている。さら
に左右側のｎ- エピタキシャル層１１上面には、Ｐ形ベ
ース拡散層１２が設けられ、このうちの左側のＰ形ベー
ス拡散層１２と左側および中央のｎ- エピタキシャル層
１１上面にｎ+ エミッタ拡散層１３が設けられている。
またＰ形シリコン基板９の上面は酸化膜１４で覆われて
おり、この酸化膜１４を貫通してＡｌ配線１５が設けら
れている。
【０００６】上記デバイス構造において、中央部のフォ
ト・ダイオード１はＰ形シリコン基板９とｎ- エピタキ
シャル層１１の間にｐｎ接合が形成され、Ｐ形シリコン
基板９がアノードになっている。また、ＮＰＮトランジ
スタ７は左側のＰ形ベース拡散層１２上のｎ+ エミッタ
拡散層１３がエミッタ，Ｐ形ベース拡散層１２がベース
およびｎ- エピタキシャル層１１がコレクタとなってい
る。さらに、ベース拡散抵抗８はデバイス構造右側のＰ
形ベース拡散層１２により形成されている。
【０００７】上記構成からなるオプチカルＩＣにおい
て、逆バイアスされたフォト・ダイオード１に光があた
ると微小な光電流が流れ、この電流は増幅器２により電
圧変換されて、シュミット・トリガ回路３に入力され
る。このシュミット・トリガ回路３は入力電圧がある一
定のレベルを越えるとオンとなり、それよりも低い一定
のレベルを下回るとオフとなるヒステリシスを有する。
【０００８】このシュミット・トリガ回路３の出力は出
力トランジスタ４を駆動してここから信号が外部に取り
出される。つまり、出力トランジスタ４からは所定のヒ
ステリシスをもって、照射光の光強度を基準値と比較
し、それに対応した「０」「１」の信号が出力される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のオプチカルＩＣにおいては、フォト・トランジスタ
の光電流の検出部を増幅器とシュミット・トリガ回路で
構成しているため、構成素子数が非常に多く、占有面積
が大きくなり、また検出は電圧変換してから基準電圧と
比較するため、誤差要因が多く、このため感度バラツキ
が多く温度依存性が大きいという問題点があった。
【００１０】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、小型
でかつ検出精度の高いオプチカルＩＣを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するために、チップ上に集積して形成され、アノー
ドが高電源に接続されると共にカソードが出力端に接続
されたフォト・サイリスタと、前記チップ上に集積して
形成され、アノードが低電源に接続されカソードは前記
出力端に接続され、逆バイアスされるフォト・ダイオー
ドとよりなる集積化受光素子であって、上記フォト・サ
イリスタは、エミッタがアノード側に接続されたＰＮＰ
トランジスタと、コレクタおよびベースがそれぞれ前記
ＰＮＰトランジスタのベースおよびコレクタに接続され
るとともに、エミッタがカソード側に接続されたＮＰＮ
トランジスタと、前記ＰＮＰトランジスタのベース・エ
ミッタ間に接続された第１の抵抗と、前記ＮＰＮトラン
ジスタのベース・エミッタ間に接続された第２の抵抗
と、を有し、前記フォト・ダイオード及び前記フォト・
サイリスタに入力する光強度が予め定めた強度以下から
以上に変化した場合に前記フォト・サイリスタがオンし
て前記出力端の電位を高電位にし、入力する光強度が減
少して、前記フォト・ダイオード及び前記フォト・サイ
リスタに流れる電流が前記フォト・サイリスタの保持電
流以上から以下に変化した場合に前記フォト・サイリス
タがオフして前記出力端の電位を低電位となるように、
前記抵抗及び前記フォト・ダイオードの感度によって、
前記フォト・サイリスタがオフからオンする光強度と前
記フォト・サイリスタの保持電流とを設定するようにし
たことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明では、光強度が強くなるとフォト・サイ
リスタがオンとなり、カソードの電位は急激に「Ｈ」レ
ベルになる。このときフォト・サイリスタに流れる電流
はフォト・ダイオードの光電流であり光強度に比例す
る。また、光強度が弱くなっていくとフォト・ダイオー
ドの電流はそれに比例して減少し、電流値がフォト・サ
イリスタの保持電流を下回ったところでフォト・サイリ
スタはオフとなり、カソードの電圧は再び「Ｌ」レベル
になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。な
お、従来と同一構成要素には同一符号を付して説明す
る。
【００１４】図１は、本発明に係わるオプチカルＩＣの
電気回路図を示すものであって、フォト・ダイオード
１，フォト・サイリスタ１６およびインピーダンス変換
器１７から構成されている。
【００１５】このうち、フォト・ダイオード１はアノー
ドが接地され、カソードがフォト・サイリスタ１６のカ
ソードへ接続され、その接続点ａはインピーダンス変換
器１７へ入力されている。
【００１６】またフォト・サイリスタ１６のアノードは
正電源に接続されており、このフォト・サイリスタ１６
の等価回路は、ＰＮＰトランジスタ１８とＮＰＮトラン
ジスタ１９とで表わされており、それぞれのベース端子
を相手のコレクタ端子へ接続し、ベース・エミッタ間へ
抵抗２０，２１を接続した構成となっている。
【００１７】図２には、上記回路中のフォトダイオード
１とフォトサイリスタ１６の部分を１チップ状のデバイ
ス構造にしたものが示されている。
【００１８】すなわち、Ｐ形シリコン基板９の右側中央
にｎ+ 埋込み層１０を設けるとともに、左右上面にｎ-
エピタキシャル層１１を設けている。また、図中１２
ａ，１２ｂおよび１２ｃは右側のｎ- エピタキシャル層
１１上にそれぞれ別個に設けられたＰ形ベース拡散領域
であり、このうちの１２ａのＰ形ベース拡散領域と左側
のｎ- エピタキシャル層１１には、ｎ+ エミッタ拡散領
域１３が設けられている。
【００１９】図中１４はＳｉＯ2 膜および１５はＳｉＯ
2 膜１４を貫通して設けられたＡｌ配線である。
【００２０】上記デバイス構造において、Ｐ形シリコン
基板９と左側のｎ- エピタキシャル層１１との間に形成
されるｐｎ接合を用いて、Ｐ形シリコン基板９をアノー
ドとして、フォト・ダイオード１が形成されている。ま
た、Ｐ形拡散領域１２ａはＮＰＮトランジスタ１９のベ
ースとＰＮＰトランジスタ１８のコレクタを兼用し、さ
らに右側のｎ- エピタキシャル層１１の島がＮＰＮトラ
ンジスタ１９のコレクタとＰＮＰトランジスタ１８のベ
ースを兼用し、Ｐ形拡散領域１２ｂがＰＮＰトランジス
タ１９のエミッタを形成し、これを取囲むＰ形拡散領域
１２ａ，１２ｃがコレクタを形成して、フォト・サイリ
スタ１６が形成されている。
【００２１】さらに、図３には他のデバイス構造が示さ
れている。
【００２２】すなわち、このデバイス構造はフォト・サ
イリスタ１６の部分は上記第２図と同じであるが、上記
したｐｎ接合のフォト・ダイオード１の代りに、ＳｉＯ
2 膜１４表面上に三層薄膜構造のポリＳｉ−ｐｉｎフォ
ト・ダイオード２３を形成したものである。このポリＳ
ｉ・ｐｉｎフォト・ダイオード２３は下層にｐ層２３
ａ，中層にｉ層２３ｂおよび上層にｎ層２３ｃが設けら
れ、このうちｐ層２３ａはＰ形シリコン基板９中のｐ+
素子分離領域に直接接触させて電極を取出し、ｎ層２３
ｃは層間絶縁膜２４にコンタクトホールを開けて金属配
線の電極を取り出すようになっている。
【００２３】なお、上記ポリＳｉ薄膜の代りにａ−Ｓｉ
薄膜を用いても良いことは勿論であり、またｐ層２３ａ
の電極は金属配線により取り出すようにしても良い。
【００２４】上記構造のデバイスにおいては１つの島で
光検出機能を実現できるようにしたので、占有面積をさ
らに小さくすることができる特長がある。
【００２５】さて、上述の構成からなるオプチカルＩＣ
において、フォト・ダイオード１とフォト・サイリスタ
１６に光が照射されると、光強度が弱いときはフォト・
サイリスタ１６がオフとなるため光電流は流れず、ａ点
の電圧は「Ｌ」レベルのままになっている。
【００２６】これに対し、光強度が強くなるとフォト・
サイリスタ１６がオンとなりａ点の電位は急激に「Ｈ」
レベルになる。このときフォト・サイリスタ１６に流れ
る電流はフォト・ダイオード１の光電流であり光強度に
比例する。また、光強度が弱くなっていくとフォト・ダ
イオード１の電流はそれに比例して減少し、電流値がフ
ォト・サイリスタの保持電流を下回ったところでフォト
・サイリスタはオフとなり、ａ点の電圧は再び「Ｌ」レ
ベルになる。
【００２７】このようにａ点の電圧はサイリスタオン時
に「Ｈ」から「Ｌ」レベルになり、サイリスタ保持電流
以下のときに「Ｌ」から「Ｈ」レベルになるまでインピ
ーダンス変換器からの出力は光の強度に対して図４同様
にヒステリシスを有する特性となる。このため、フォト
・サイリスタ１６の保持電流である基準値と光強度の比
較により、それに対応してインピーダンス変換器１７か
らは「０」「１」の出力信号を得ることができる。
【００２８】なお、フォト・サイリスタ１６のトリガ光
強度と保持電流は抵抗２０，２１の抵抗値およびフォト
・ダイオード１の感度を調節することにより自由に設定
することができる。
【００２９】以上のように本実施例によれば、フォト・
サイリスタとフォト・ダイオードとを直列接続し、その
接続点から出力を取り出すような構成としたため、構成
素子数が少なく、占有面積を小さくでき、また電圧変換
をしないため感度バラツキや温度依存性を低くできる効
果がある。
【００３０】また、オフ時はリーク電流だけなので、ス
タンバイ電流をほとんど０とすることができ、消費電流
の少ないオプチカルＩＣとすることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、フォト・ダイオードとともに
１チップ上に設け、かつフォト・ダイオードに直列接続
したフォト・サイリスタを、入力する光強度が予め定め
た強度以下から以上に変化した場合にオンし、流れる電
流が予め定めた保持電流以上から以下に変化した場合に
オフする構成としたため、構成素子が少なく、このため
占有面積が小となり、また感度バラツキや温度依存性が
低くなり、小型でかつ検出精度の高いオプチカルＩＣと
することができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated light receiving element in which a light receiving element and its signal processing circuit are integrated into one chip, that is, an optical IC. 2. Description of the Related Art Conventionally, there is an optical IC as shown in FIGS. 4 and 5, for example. That is, FIG. 4 is an electric circuit diagram, in which 1 is a photodiode, 2 is an amplifier for amplifying an output signal of the photodiode, and 3 is an on-off process of the amplified signal. Schmitt trigger circuit,
4 is an output transistor driven by a Schmitt trigger signal, 5 is its load resistance, and 6 is a stabilized power supply. FIG. 5 shows a device structure in which the above-mentioned circuit is integrated into one chip. The constituent elements are a phototransistor 1, an NPN transistor 7 corresponding to an output transistor 4, and a base diffusion resistor corresponding to a load resistor 5. Section 8 is shown. That is, in this device structure, n + buried layers 10 are provided on the left and right sides of a p-type silicon
+ The upper surface and P-type silicon substrate 9 central upper surface of the buried layer 10 n - epitaxial layer 11 is provided. Further the left and right side the n - epitaxial layer 11 top surface is provided with a P-type base diffusion layer 12, the left side of the P-type base diffusion layer 12 and the left and center of the n of the - n + emitter diffusion into the epitaxial layer 11 top surface A layer 13 is provided.
The upper surface of P-type silicon substrate 9 is covered with oxide film 14, and Al wiring 15 is provided through oxide film 14. In the above device structure, the photodiode 1 at the center has a pn junction formed between the P-type silicon substrate 9 and the n - epitaxial layer 11, and the P-type silicon substrate 9 serves as an anode. In the NPN transistor 7, the n + emitter diffusion layer 13 on the left P-type base diffusion layer 12 is an emitter, the P-type base diffusion layer 12 is a base, and the n − epitaxial layer 11 is a collector. Further, the base diffused resistor 8 is connected to P
It is formed by the base diffusion layer 12. In the optical IC having the above structure, when light strikes the photodiode 1 reverse biased, a minute photocurrent flows. This current is converted into a voltage by the amplifier 2 and input to the Schmitt trigger circuit 3. You. The Schmitt trigger circuit 3 has a hysteresis that turns on when the input voltage exceeds a certain level, and turns off when the input voltage falls below a certain lower level. The output of the Schmitt trigger circuit 3 drives an output transistor 4 from which a signal is taken out. That is, the output transistor 4 compares the light intensity of the irradiation light with the reference value with a predetermined hysteresis, and outputs a signal of “0” or “1” corresponding to the reference value. However, in the above-mentioned conventional optical IC, since the photocurrent detecting section of the phototransistor is composed of an amplifier and a Schmitt trigger circuit, the number of constituent elements is very small. However, there is a problem that the detection is compared with a reference voltage after voltage conversion, so that there are many error factors, and thus sensitivity variation is large and temperature dependency is large. An object of the present invention is to provide an optical IC that is small and has high detection accuracy in view of the above problems. In order to achieve the above object, the present invention provides an integrated circuit formed on a chip,
Connected to high power supply and cathode connected to output
Photo thyristor integrated on the chip
The anode is connected to a low power source and the cathode is
Reverse-biased photo diode connected to output
An integrated photodetector comprising: a PNP having an emitter connected to the anode side;
A transistor and an NPN transistor having a collector and a base connected to a base and a collector of the PNP transistor, respectively, and an emitter connected to a cathode side;
Transistor and said a first resistor connected between the base and emitter of the PNP transistor, and a second resistor connected between the base and emitter of the NPN transistor, the photo diode and the photo・
The light intensity input to the thyristor is below a predetermined intensity
When the above change occurs, the photo thyristor turns on.
To raise the potential of the output terminal to a high potential, thereby reducing the input light intensity.
At some point, the photodiode and the photo
The current flowing through the lister is the holding current of the photothyristor.
When the flow changes from above to below,
So that the potential of the output terminal becomes low potential
Depending on the sensitivity of the resistor and the photodiode,
The light intensity before the photo thyristor turns on from off and before
Set the holding current of the photo thyristor.
Characterized in that was. According to the present invention, when the light intensity increases, the photo thyristor is turned on, and the potential of the cathode suddenly goes to "H" level. At this time, the current flowing through the photo thyristor is the photocurrent of the photodiode and is proportional to the light intensity. When the light intensity decreases, the current of the photodiode decreases in proportion thereto. When the current value falls below the holding current of the photothyristor, the photothyristor is turned off, and the voltage of the cathode again becomes “L”. Level. The present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those in the related art will be described with the same reference numerals. FIG. 1 is an electric circuit diagram of an optical IC according to the present invention, which comprises a photo diode 1, a photo thyristor 16 and an impedance converter 17. The anode of the photodiode 1 is grounded, the cathode is connected to the cathode of the photothyristor 16, and the connection point a is input to the impedance converter 17. The anode of the photo thyristor 16 is connected to a positive power supply.
Is represented by a PNP transistor 18 and an NPN transistor 19, each having a base terminal connected to the other collector terminal, and resistors 20 and 21 connected between the base and the emitter. . FIG. 2 shows a one-chip device structure in which the photodiode 1 and the photothyristor 16 in the above circuit are formed. That is, an n + buried layer 10 is provided in the center of the right side of the p-type silicon substrate 9, and n −
An epitaxial layer 11 is provided. Also, in the figure, 12
Reference numerals a, 12b, and 12c denote P-type base diffusion regions provided separately on the right n - epitaxial layer 11, respectively. Among them, the P-type base diffusion region 12a and the left n - epitaxial layer 11 have: An n + emitter diffusion region 13 is provided. In the figure, 14 is a SiO 2 film and 15 is a SiO 2 film.
2 is an Al wiring provided through the film 14. In the above device structure, the photodiode 1 is formed using the pn junction formed between the P-type silicon substrate 9 and the left n - epitaxial layer 11 and using the P-type silicon substrate 9 as an anode. ing. The P-type diffusion region 12a also serves as the base of the NPN transistor 19 and the collector of the PNP transistor 18, and the island on the right side of the n - epitaxial layer 11 also serves as the collector of the NPN transistor 19 and the base of the PNP transistor 18. The P-type diffusion region 12b forms the emitter of the PNP transistor 19, and the P-type diffusion regions 12a and 12c surrounding the PNP transistor 19 form the collector, forming the photo thyristor 16. FIG. 3 shows another device structure. That is, this device structure is the same as that of FIG. 2 except for the photo thyristor 16 except that the pn junction photodiode 1 is replaced by SiO 2.
A poly-Si-pin photodiode 23 having a three-layer thin film structure is formed on the surface of the two films 14. This poly S
The i-pin photodiode 23 has a p-layer 23 as a lower layer.
a, middle n layer 23c is provided on the i layer 23b and the upper layer, this one p-layer 23a is in the P-type silicon substrate 9 p +
The electrode is taken out by directly contacting the element isolation region,
In c, a contact hole is opened in the interlayer insulating film 24 to take out an electrode of a metal wiring. Note that a-Si is used instead of the poly-Si thin film.
Needless to say, a thin film may be used.
These electrodes may be taken out by metal wiring. The device having the above structure has a feature that the occupied area can be further reduced because the light detection function can be realized by one island. Now, an optical IC having the above configuration
In the above, when light is applied to the photodiode 1 and the photothyristor 16, when the light intensity is low,
Since the thyristor 16 is turned off, no photocurrent flows, and the voltage at the point a remains at the “L” level. On the other hand, when the light intensity increases, the photo
The thyristor 16 is turned on, and the potential at the point a suddenly becomes “H”.
Become a level. At this time, the current flowing through the photothyristor 16 is the photocurrent of the photodiode 1 and is proportional to the light intensity. When the light intensity decreases, the current of the photodiode 1 decreases in proportion thereto, and when the current value falls below the holding current of the photothyristor, the photothyristor is turned off, and the voltage at the point a is restored. It becomes "L" level. As described above, the voltage at point a changes from "H" to "L" level when the thyristor is turned on, and when the voltage is lower than the thyristor holding current, the output from the impedance converter changes from "L" to "H" level. The characteristic has hysteresis with respect to the light intensity as in FIG. Therefore, by comparing the light intensity with the reference value which is the holding current of the photothyristor 16, output signals "0" and "1" can be obtained from the impedance converter 17 correspondingly. The trigger light intensity and the holding current of the photothyristor 16 can be freely set by adjusting the resistance values of the resistors 20 and 21 and the sensitivity of the photodiode 1. As described above, according to this embodiment, the photo
The thyristor and the photodiode are connected in series, and the output is taken out from the connection point.Therefore, the number of constituent elements is small, the occupied area can be reduced, and the sensitivity variation and temperature dependency are low because voltage conversion is not performed. There is an effect that can be done. Since only the leakage current is turned off, the standby current can be reduced to almost zero, and an optical IC with low current consumption can be obtained. According to the present invention, a photo thyristor provided on one chip together with a photodiode and connected in series to the photodiode has a light intensity to be input changed from below a predetermined intensity to above. In this case, it is turned on and turned off when the flowing current changes from a predetermined holding current to a predetermined holding current or less.Therefore, the number of constituent elements is small, the occupied area is small, and sensitivity variation and temperature dependency are reduced. An optical IC that is small and has high detection accuracy can be obtained.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる集積化受光素子の電気回路図。
【図２】図１に示した集積化受光素子の１チップ化した
デバイス構造の断面図。
【図３】他の集積化受光素子の１チップ化したデバイス
構造の断面図。
【図４】従来の集積化受光素子の電気回路図。
【図５】図４に示した集積化受光素子の１チップ化した
デバイス構造の断面図。
【符号の説明】
１ ダイオード
９ Ｐ形シリコン基板
１０ ｎ+ 埋込み層
１１ ｎ- エピタキシャル層
１２ Ｐ形ベース拡散領域
１３ ｎ+ エミッタ領域
１４ 酸化膜
１５ Ａｌ配線
１６ フォト・サイリスタ
１７ インピーダンス変換器
１８ ＰＮＰトランジスタ
１９ ＮＰＮトランジスタ
２３ ポリＳｉ−ｐｉｎフォト・ダイオードBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an electric circuit diagram of an integrated light receiving element according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view of a device structure in which the integrated light receiving element shown in FIG. 1 is integrated into one chip. FIG. 3 is a sectional view of a device structure in which another integrated light receiving element is integrated into one chip. FIG. 4 is an electric circuit diagram of a conventional integrated light receiving element. FIG. 5 is a sectional view of a device structure in which the integrated light receiving element shown in FIG. 4 is integrated into one chip. [Description of Signs] 1 Diode 9 P-type silicon substrate 10 n + buried layer 11 n - epitaxial layer 12 P-type base diffusion region 13 n + emitter region 14 oxide film 15 Al wiring 16 photo thyristor 17 impedance converter 18 PNP transistor 19 NPN transistor 23 Poly Si-pin photo diode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/74 Ｇ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H01L 29/74 G
Claims (1)
接続されると共にカソードが出力端に接続されたフォト
・サイリスタと、 前記チップ上に集積して形成され、アノードが低電源に
接続されカソードは前記出力端に接続され、逆バイアス
されるフォト・ダイオードと よりなる集積化受光素子で
あって、 上記フォト・サイリスタは、 エミッタがアノード側に接続されたＰＮＰトランジスタ
と、 コレクタおよびベースがそれぞれ前記ＰＮＰトランジス
タのベースおよびコレクタに接続されるとともに、エミ
ッタがカソード側に接続されたＮＰＮトランジスタと、 前記ＰＮＰトランジスタのベース・エミッタ間に接続さ
れた第１の抵抗と、 前記ＮＰＮトランジスタのベース・エミッタ間に接続さ
れた第２の抵抗と、 を有し、前記フォト・ダイオード及び前記フォト・サイリスタに
入力する光強度が予め定めた強度以下から以上に変化し
た場合に前記フォト・サイリスタがオンして前記出力端
の電位を高電位にし、入力する光強度が減少して、前記
フォト・ダイオード及び前記フォト・サイリスタに流れ
る電流が前記フォト・サイリスタの保持電流以上から以
下に変化した場合に前記フォト・サイリスタがオフして
前記出力端の電位を低電位となるように、前記抵抗及び
前記フォト・ダイオードの感度によって、前記フォト・
サイリスタがオフからオンする光強度と前記フォト・サ
イリスタの保持電流とを設定するようにした ことを特徴
とする集積化受光素子。(57) [Claims] Integrated on the chip, the anode is used for high power supply
Photo that is connected and cathode is connected to output terminal
.Thyristor and integrated on the chip, anode is low power supply
Connected cathode is connected to the output terminal, reverse bias
An integrated photodetector comprising: a PNP transistor having an emitter connected to the anode side; and a collector and a base connected to a base and a collector of the PNP transistor, respectively. An NPN transistor having an emitter connected to the cathode side; a first resistor connected between the base and emitter of the PNP transistor; a second resistor connected between the base and emitter of the NPN transistor; Having the photo diode and the photo thyristor
When the input light intensity changes from below the predetermined intensity to above
The photo thyristor turns on when the
To a high potential, the input light intensity decreases,
Flow through the photodiode and the photothyristor
Current from the holding current of the photo thyristor
The photo thyristor turns off when it changes down
The resistance and the output terminal are set so that the output terminal has a low potential.
Depending on the sensitivity of the photodiode, the photo diode
The light intensity at which the thyristor is turned on from off and the photo sensor
An integrated light-receiving element, wherein a holding current of the iris is set .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054118A JP2661629B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Integrated photo detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054118A JP2661629B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Integrated photo detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302848A JPH06302848A (en) | 1994-10-28 |
| JP2661629B2 true JP2661629B2 (en) | 1997-10-08 |
Family
ID=12961689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6054118A Expired - Lifetime JP2661629B2 (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Integrated photo detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661629B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202984A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Detector |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115263A (en) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS61157213A (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | キヤノン株式会社 | Safety device |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP6054118A patent/JP2661629B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06302848A (en) | 1994-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970515 |