JP2659430B2 - Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser - Google Patents

Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser

Info

Publication number
JP2659430B2
JP2659430B2 JP7559089A JP7559089A JP2659430B2 JP 2659430 B2 JP2659430 B2 JP 2659430B2 JP 7559089 A JP7559089 A JP 7559089A JP 7559089 A JP7559089 A JP 7559089A JP 2659430 B2 JP2659430 B2 JP 2659430B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
semiconductor laser
mirror
die bonding
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7559089A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02253679A (en
Inventor
啓介 宮▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP7559089A priority Critical patent/JP2659430B2/en
Publication of JPH02253679A publication Critical patent/JPH02253679A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2659430B2 publication Critical patent/JP2659430B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は、外部共振器を備えた波長安定型半導体レ
ーザの製造方法、より詳しくはパッケージにチップをマ
ウントする方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a wavelength-stable semiconductor laser having an external resonator, and more particularly, to a method for mounting a chip on a package.

<従来の技術> 波長安定型半導体レーザには、前端面および後端面か
らレーザ光を出射可能な半導体レーザチップ(以下、
「LDチップ」と称す)の後端面とミラーチップの反射面
とを互いに平行に所定距離だけ離間して配置することに
よって外部共振器を構成して、レーザ発振の軸モードを
安定させてレーザ波長を安定させるようにしたものがあ
る。
<Prior art> A wavelength-stable semiconductor laser includes a semiconductor laser chip (hereinafter, referred to as a laser chip) capable of emitting laser light from a front end face and a rear end face.
An external resonator is constructed by arranging the rear end face of the "LD chip" and the reflecting surface of the mirror chip parallel to each other and separated by a predetermined distance, thereby stabilizing the axial mode of laser oscillation and increasing the laser wavelength. There is something that stabilizes.

従来、この種の波長安定型半導体レーザのチップをパ
ッケージにマウントする方法としては、次のような方法
がある。まず、第2図(a)に示すように、パッケージ
のダイボンド面11上に、前端面12fを前方へ向けてLDチ
ップ12を、蝋材を介して加熱後冷却して予めダイボンド
しておく。そして、コレット14でミラーチップ13の上面
13aを吸着しつつ、このミラーチップ13の反射面13mの下
部を上記LDチップ12の後端面12bに後方から接触させ
る。このようにした場合、ミラーチップ13の反射面13m
はLDチップ12の後端面12bによって押圧されて、上記ミ
ラーチップ13はコレット14に吸着されたまま多少ずれ
て、上記反射面13mの下部とLDチップ12の後端面12bとは
密接し、平行になる。なお、コレット14の先端面はダイ
ボンド面16に対し平行であり、かつ、両チップ12,13の
形状はいずれも直方体である。▲▼はダイボンド面
16に垂直に投影したミラーチップ13の影を示している
(第2図(b)において同様)。次に、第2図(b)に
示すように、コレット14を後方へ移動させて、上記後端
面12bと反射面13mとを平行度を保ったまま所定距離Dだ
け離間させる。そして、第2図(c)に示すように、コ
レット14を下方へ移動させて、蝋材が予め敷かれたダイ
ボンド面11にミラーチップ13を所定荷重をかけ押圧して
固定しつつ、パッケージを加熱して上記蝋材を融化さ
せ、その後冷却硬化して、上記ミラーチップ13をダイボ
ンドする。
Conventionally, as a method of mounting a chip of this kind of wavelength-stable semiconductor laser on a package, there is the following method. First, as shown in FIG. 2A, the LD chip 12 is heated on a die bonding surface 11 of the package with the front end face 12f facing forward, cooled with a brazing material and then die bonded in advance. Then, the upper surface of the mirror chip 13 is
The lower portion of the reflection surface 13m of the mirror chip 13 is brought into contact with the rear end surface 12b of the LD chip 12 from behind while adsorbing 13a. In this case, the reflection surface 13m of the mirror chip 13
Is pressed by the rear end face 12b of the LD chip 12, the mirror chip 13 is slightly displaced while being adsorbed by the collet 14, and the lower part of the reflection surface 13m and the rear end face 12b of the LD chip 12 are in close contact and parallel to each other. Become. Note that the tip end surface of the collet 14 is parallel to the die bonding surface 16, and both the chips 12, 13 are rectangular parallelepiped. ▲ ▼ indicates the die bond surface
The shadow of the mirror chip 13 projected perpendicularly to 16 is shown (similar in FIG. 2 (b)). Next, as shown in FIG. 2 (b), the collet 14 is moved backward to separate the rear end face 12b and the reflecting face 13m by a predetermined distance D while maintaining the parallelism. Then, as shown in FIG. 2 (c), the package is moved by moving the collet 14 downward, fixing the mirror chip 13 by applying a predetermined load to the die bonding surface 11 on which the brazing material is previously spread and pressing the package. The brazing material is melted by heating, and then cooled and hardened, and the mirror chip 13 is die-bonded.

そして、コレット14を取り去ると、第2図(d)に示
すように、両チップ12,13は、LDチップ12の後端面12bと
ミラーチップ13の反射面13mとが平行に所定距離Dだけ
離間した状態で、パッケージのダイボンド面11上にマウ
ントされた状態になる。
When the collet 14 is removed, as shown in FIG. 2 (d), the two chips 12, 13 are separated by a predetermined distance D in parallel with the rear end face 12b of the LD chip 12 and the reflection surface 13m of the mirror chip 13. In this state, the package is mounted on the die bonding surface 11 of the package.

<発明が解決しようとする課題> しかしながら、上記従来のチップのマウント方法は、
LDチップ12のダイボンド後にミラーチップ13のダイボン
ドを行っているため、ダイボンドする時間が2回分かか
り、マウントに要する時間が長くなるという問題があ
る。さらに、上記LDチップ12は、ダイボンド際の加熱・
冷却の温度ストレスを2回分受けるという問題がある。
また、ミラーチップ13をダイボンドする際の加熱時に、
LDチップ12とダイボンド面16との間の蝋材が融化してLD
チップ12が微妙に位置ずれすることがあり、そのため、
このLDチップ12の後端面12bとミラーチップ13の反射面
とで構成する外部共振器は共振面間の距離Dの精度が良
くないという問題がある。
<Problems to be solved by the invention> However, the above-described conventional chip mounting method is
Since the die bonding of the mirror chip 13 is performed after the die bonding of the LD chip 12, there is a problem that the time required for die bonding is twice and the time required for mounting is long. Further, the LD chip 12 is heated and cooled during die bonding.
There is a problem of receiving the cooling temperature stress twice.
Also, at the time of heating when the mirror chip 13 is die-bonded,
The wax material between the LD chip 12 and the die bonding surface 16 melts and
The tip 12 may be slightly misaligned,
The external resonator composed of the rear end face 12b of the LD chip 12 and the reflection surface of the mirror chip 13 has a problem that the accuracy of the distance D between the resonance surfaces is not good.

そこで、この発明の目的は、ダイボンド1回でパッケ
ージに両チップを同時にマウントすることができ、マウ
ントに要する時間を減らすと共にLDチップに対する熱ス
トレスを減らすことができ、しかも共振面間の距離精度
を向上できる波長安定型半導体レーザのチップのマウン
ト方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to mount both chips on a package simultaneously with a single die bond, thereby reducing the time required for mounting, reducing the thermal stress on the LD chip, and improving the distance accuracy between the resonance surfaces. It is an object of the present invention to provide a method for mounting a wavelength-stable semiconductor laser chip that can be improved.

<課題を解決するための手段> 上記目的を達成するために、この発明は、半導体レー
ザチップと、レーザ光を反射することができるミラーチ
ップとを同一面上にダイボンドして、上記半導体レーザ
チップのレーザ光出射面と上記ミラーチップの反射面と
で外部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レ
ーザの製造方法であって、上記半導体レーザチップとミ
ラーチップとをそれぞれ別のコレットで吸着し、ダイボ
ンド面以外の空間において上記半導体レーザチップのレ
ーザ光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触さ
せた後、上記レーザ光出射面と反射面とを平行度を保っ
て所定距離だけ離間させて相対的位置関係を固定して、
上記ダイボンド面上に同時にダイボンドするようにした
ことを特徴としている。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor laser chip in which a semiconductor laser chip and a mirror chip capable of reflecting laser light are die-bonded on the same surface. A method of manufacturing a wavelength-stable semiconductor laser in which an external resonator is constituted by the laser light emitting surface of the mirror chip and the reflecting surface of the mirror chip, wherein the semiconductor laser chip and the mirror chip are adsorbed by different collets, respectively. Then, after the laser light emitting surface of the semiconductor laser chip and the reflecting surface of the mirror chip are brought into contact with each other in a space other than the die bonding surface, the laser light emitting surface and the reflecting surface are separated by a predetermined distance while maintaining parallelism. To fix the relative positional relationship,
It is characterized in that die bonding is performed simultaneously on the die bonding surface.

<作用> LDチップとミラーチップとをそれぞれ別のコレットで
吸着しているため、両チップを同時にダイボンド面に移
動させて1回ダイボンドすることが可能となる。同時に
ダイボンドした場合、所要時間は1回分で済み、上記LD
チップが受ける熱ストレスは従来の2回分から1回分に
減じられる。
<Operation> Since the LD chip and the mirror chip are adsorbed by different collets, both chips can be simultaneously moved to the die bonding surface and die bonded once. If the die bonding is done at the same time, the time required is only one time.
The thermal stress applied to the chip is reduced from the conventional two times to one time.

また、ダイボンドを行う前に上記LDチップのレーザ光
出射面とミラーチップのミラー面とを互いに接触させ、
それらの平行度を出した後、所定の距離に相対的位置関
係を固定したままダイボンドするので、上記両面で構成
する外部共振器の共振面間の距離精度が向上する。
Further, before performing die bonding, the laser light emitting surface of the LD chip and the mirror surface of the mirror chip are brought into contact with each other,
After the parallelism is given, the die bonding is performed while the relative positional relationship is fixed at a predetermined distance, so that the distance accuracy between the resonance surfaces of the external resonator formed on both sides is improved.

<実施例> 以下、この発明の波長安定型半導体レーザのチップの
マウント方法を図示の実施例により詳細に説明する。
Embodiment Hereinafter, a method for mounting a chip of a wavelength-stable semiconductor laser according to the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiment.

まず、第1図(a)に示すように、前方および後方に
レーザ光を出射可能なLDチップ2の上面2aをコレット4
で吸着する一方、レーザ光を反射可能な反射面3mを有す
るミラーチップ3の上面3aを別のコレット5で吸着し
て、両チップ2,3をパッケージのダイボンド面1の上方
に位置させる。上記LDチップ12の前端面2fを前方へ向け
ると共に、後端面2bの後方に上記ミラーチップ3の反射
面3mを対向させる。なお、上記両コレット4,5の先端面
はダイボンド面1に対していずれも平行であり、かつ、
上記両チップ2,3の形状はいずれも直方体である。,
はそれぞれダイボンド面6に垂直に投影したLDチップ
2,ミラーチップ3の影を示している(第1図(b),
(c)において同様)。
First, as shown in FIG. 1 (a), the upper surface 2a of the LD chip 2 capable of emitting laser light forward and backward is placed on a collet 4
On the other hand, the upper surface 3a of the mirror chip 3 having the reflecting surface 3m capable of reflecting the laser beam is sucked by another collet 5, and both chips 2, 3 are positioned above the die bonding surface 1 of the package. The front end face 2f of the LD chip 12 is directed forward, and the reflection surface 3m of the mirror chip 3 is opposed to the rear end face 2b. The tip surfaces of both collets 4 and 5 are parallel to the die bonding surface 1, and
Each of the two chips 2 and 3 is a rectangular parallelepiped. ,
Is the LD chip projected perpendicular to the die bonding surface 6
2, showing the shadow of the mirror chip 3 (FIG. 1 (b),
(The same applies to (c).)

次に、第1図(b)に示すように、上記コレット4を
静止させたままコレット5を前方へ移動させて、ミラー
チップ3の反射面3mをLDチップ2の後端面2bに後方から
接触させる。このようにした場合、上記LDチップ2と上
記ミラーチップはそれぞれコレット4,5に吸着されたま
ま多少ずれて、上記後端面2bとミラー面3mとは互いに密
接し、平行になる。
Next, as shown in FIG. 1 (b), the collet 5 is moved forward with the collet 4 still, and the reflecting surface 3m of the mirror chip 3 is brought into contact with the rear end surface 2b of the LD chip 2 from behind. Let it. In this case, the LD chip 2 and the mirror chip are slightly shifted while being attracted to the collets 4 and 5, respectively, and the rear end face 2b and the mirror face 3m are closely contacted and parallel to each other.

続いて、第1図(c)に示すように、上記コレット4
を静止させたままコレット5を後方へ移動させて、上記
後端面12bと反射面13mとを平行度を保ったまま所定距離
D1だけ離間させる。
Subsequently, as shown in FIG.
The collet 5 is moved rearward while keeping the stand still, and the rear end face 12b and the reflection surface 13m are kept at a predetermined distance while maintaining the parallelism.
D 1 away.

そして、上記両チップ2,3の相対的位置関係を固定し
たまま、上記両コレット4,5を同時に下方へ移動させ
て、予め蝋材を蒸着してあるダイボンド面1上に所定荷
重をかけて上記両チップ2,3を押圧する。この状態でパ
ッケージを加熱して上記蝋材を融かし、続いて冷却硬化
する。
Then, while keeping the relative positional relationship between the two chips 2 and 3 fixed, the two collets 4 and 5 are simultaneously moved downward to apply a predetermined load on the die bonding surface 1 on which the brazing material has been vapor-deposited in advance. The two chips 2 and 3 are pressed. In this state, the package is heated to melt the brazing material, followed by cooling and hardening.

このように、LDチップ2とミラーチップ3とを別々に
ダイボンドせずに同時にダイボンドするようにした場
合、チップをマウントするための時間は、従来約4分要
したのに対して2分10秒と約半分で済むようになった。
さらに、上記LDチップが受ける温度ストレスをダイボン
ド1回分で済ませることができる。また、上記両チップ
2,3に所定荷重をかけながら蝋材を硬化させるので、チ
ップが微妙に位置ずれすることがなくなって、上記後端
面2bと反射面3mとで構成する外部共振器の共振面間の距
離精度を向上させることができる。
As described above, when the LD chip 2 and the mirror chip 3 are simultaneously die-bonded without separately die-bonding, the time required for mounting the chip is 2 minutes and 10 seconds, compared with about 4 minutes conventionally. And about half the time.
Further, the temperature stress applied to the LD chip can be reduced by one die bonding. Also, both chips
Since the brazing material is hardened while applying a predetermined load to the two or three, the tip does not slightly displace, and the distance accuracy between the resonance surfaces of the external resonator formed by the rear end surface 2b and the reflection surface 3m is eliminated. Can be improved.

<発明の効果> 以上より明らかなように、この発明は、半導体レーザ
チップと、レーザ光を反射することができるミラーチッ
プとを同一面上にダイボンドして、上記半導体レーザチ
ップのレーザ光出射面と上記ミラーチップの反射面とで
外部共振器を構成するようにした波長安定型半導体レー
ザの製造方法であって、上記半導体レーザチップとミラ
ーチップとをそれぞれ別のコレットで吸着し、ダイボン
ド面以外の空間において上記半導体レーザチップのレー
ザ光出射面とミラーチップの反射面とを互いに接触させ
た後、上記レーザ光出射面と反射面とを平行度を保って
所定距離だけ離間させて相対的位置関係を固定して、上
記ダイボンド面上に同時にダイボンドするようにしてい
るので、ダイボンド1回でパッケージに両チップをマウ
ントすることができ、マウントに要する時間を減らすと
共にLDチップに対する熱ストレスを減らすことができ、
しかも共振面間の距離精度を向上させることができる。
<Effects of the Invention> As is apparent from the above description, the present invention provides a semiconductor laser chip and a mirror chip capable of reflecting laser light, which are die-bonded on the same surface to form a laser light emitting surface of the semiconductor laser chip. And a reflecting surface of the mirror chip, wherein the semiconductor laser chip and the mirror chip are adsorbed by different collets, respectively. After the laser light emitting surface of the semiconductor laser chip and the reflecting surface of the mirror chip are brought into contact with each other in the space, the laser light emitting surface and the reflecting surface are separated from each other by a predetermined distance while maintaining the parallelism, and the relative position is maintained. Since the relationship is fixed and the die bond is made on the die bond surface at the same time, both chips are mounted on the package with one die bond It can reduce the time required for mounting and reduce the thermal stress on the LD chip,
In addition, the distance accuracy between the resonance surfaces can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a)乃至(d)はこの発明の波長安定型半導体
レーザのチップをマウントする工程を示す斜視図、第2
図(a)乃至(d)は従来の波長安定型半導体レーザの
チップをマウントする工程を示す斜視図である。 1……ダイボンド面、2……LDチップ、 3……ミラーチップ、3m……反射面、 4……前方コレット、5……後方コレット。
1 (a) to 1 (d) are perspective views showing steps for mounting a chip of a wavelength-stable semiconductor laser according to the present invention.
FIGS. 1A to 1D are perspective views showing steps of mounting a chip of a conventional wavelength-stable semiconductor laser. 1 ... die bonding surface, 2 ... LD chip, 3 ... mirror chip, 3m ... reflection surface, 4 ... front collet, 5 ... rear collet.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザチップと、レーザ光を反射す
ることができるミラーチップとを同一面上にダイボンド
して、上記半導体レーザチップのレーザ光出射面と上記
ミラーチップの反射面とで外部共振器を構成するように
した波長安定型半導体レーザの製造方法であって、 上記半導体レーザチップとミラーチップとをそれぞれ別
のコレットで吸着し、ダイボンド面以外の空間において
上記半導体レーザチップのレーザ光出射面とミラーチッ
プの反射面とを互いに接触させた後、上記レーザ光出射
面と反射面とを平行度を保って所定距離だけ離間させて
相対的位置関係を固定して、上記ダイボンド面上に同時
にダイボンドするようにしたことを特徴とする波長安定
型半導体レーザの製造方法。
1. A semiconductor laser chip and a mirror chip capable of reflecting laser light are die-bonded on the same surface, and external resonance occurs between a laser light emitting surface of the semiconductor laser chip and a reflection surface of the mirror chip. A method for manufacturing a wavelength-stable semiconductor laser, comprising a laser device, wherein the semiconductor laser chip and the mirror chip are attracted by different collets, and the laser light emitted from the semiconductor laser chip is emitted in a space other than the die bonding surface. After the surface and the reflecting surface of the mirror chip are brought into contact with each other, the laser light emitting surface and the reflecting surface are separated from each other by a predetermined distance while maintaining the parallelism, and the relative positional relationship is fixed, and the laser light emitting surface and the reflecting surface are fixed on the die bonding surface. A method for manufacturing a wavelength-stable semiconductor laser, wherein die bonding is performed at the same time.
JP7559089A 1989-03-28 1989-03-28 Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser Expired - Fee Related JP2659430B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7559089A JP2659430B2 (en) 1989-03-28 1989-03-28 Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7559089A JP2659430B2 (en) 1989-03-28 1989-03-28 Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02253679A JPH02253679A (en) 1990-10-12
JP2659430B2 true JP2659430B2 (en) 1997-09-30

Family

ID=13580567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7559089A Expired - Fee Related JP2659430B2 (en) 1989-03-28 1989-03-28 Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2659430B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10317018A1 (en) 2003-04-11 2004-11-18 Infineon Technologies Ag Multichip module with several semiconductor chips and printed circuit board with several components

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02253679A (en) 1990-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6271049B1 (en) Method for producing an optoelectronic component
JPS6063981A (en) Semiconductor light emitting device
JPH01181490A (en) Semiconductor laser device
JPS62276892A (en) Electronic component
JP2659430B2 (en) Manufacturing method of wavelength stable semiconductor laser
US20060109882A1 (en) Diode laser module and method for the production thereof
JPH0429374A (en) Surface-emission type semiconductor light-emitting element and manufacture thereof
JPH05183239A (en) Semiconductor laser
JPH04359207A (en) Laser diode coupling device and its assembling method
JPH05323158A (en) Laser diode coupler and its assembling method
JP2003258365A (en) Semiconductor laser device, manufacturing method of thereof and semiconductor laser module
JP4380940B2 (en) Die bonding equipment
JPH05243690A (en) Semiconductor laser device
JP3210519B2 (en) Method of manufacturing semiconductor laser device
JPH05291696A (en) Semiconductor laser chip and manufacture thereof
JPH03217067A (en) Semiconductor laser device
JPS6223003A (en) Laser die bonding tool
JPH11195842A (en) Soldering of optical component to board
JP2001144364A (en) Semiconductor module, and attaching method for semiconductor laser element of the semiconductor module
JPH0846289A (en) Manufacturing method of semiconductor laser
JP2997147B2 (en) Method for manufacturing optical semiconductor device
JPH0843692A (en) Light emitting element module
JP2003086878A (en) Semiconductor light source module and its manufacturing method
JPH01253983A (en) Semiconductor laser device
JP2000113486A (en) Semiconductor laser device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees