JP2659280B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、配線基板製造工程にお
いて生じる静電気から、配線基板の放電破壊を防止する
配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２および図１３は、従来例を説明す
るための側面図である。図１２は台２上に基板１を乗載
した側面図であり、図１３は図１２に示される基板１を
矢符Ｃ方向に移動したことを示す図である。電極および
配向膜が形成された基板１が台２に乗載されている。台
２上では基板１に対してラビング処理が行われる。この
際、基板１には静電気が帯電する。ラビング処理後、次
工程の処理を行うためには、台２から基板１を移動させ
る必要がある。基板１の移動は図１３に示されるよう
に、台２からロッド２ａを突出させて、台２上から基板
１を所定の高さＨ３まで剥離し、図示しない移載フォー
ク部材などによって次工程処理装置へ移動が行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】基板１を台２上から法
線方向に剥離する際の剥離速度と帯電量との間に実施例
において示される図６の関係がある。図６には、剥離速
度が増加するにつれて、帯電量が増加することが示され
ている。これは、ラビング処理によって基板１と台２と
の間に電位差が生じており、台２から基板１を徐々に剥
離させると、その間に基板１および台２の帯電量が減少
するけれども、急速に剥離を行えば、帯電量の減少が微
量となり、一方で基板１と台２との間の空間の静電容量
が減少し、これにより両者の間の電位差が増大するため
である。

【０００４】帯電量がある一定の値Ｍを超えれば、基板
に形成されている電極間には電荷が不均一に分布してい
るため、電極間で破壊放電が生じる。破壊放電が生じる
と、放電を生じた電極間の配向膜の特性の変化によって
液晶の配向に乱れが生じたり、また電極が破損する。こ
れによって、液晶表示素子の表示品位が低下するという
問題がある。このため、帯電量がＭ以下となる速度Ｖ以
下で基板１の剥離を行う必要がある。

【０００５】

【表１】

【０００６】表１は、法線方向の距離Ｈ３＝６０ｍｍの
ときの基板１の剥離速度と、電極が破壊する放電が生じ
る割合を示す破壊放電率との関係を示している。剥離速
度が増加するとともに破壊放電率が増加しているけれど
も、剥離速度が１ｍｍ／ｓおよび２ｍｍ／ｓのときには
破壊放電率は０％である。このため従来の技術では２ｍ
ｍ／ｓで基板１の剥離を行っている。したがって、Ｈ３
＝６０ｍｍであるときには剥離時間が３０秒かかり、剥
離に長時間が必要であるという問題がある。

【０００７】本発明の目的は、配線基板を乗載部材上か
ら短時間で移動する際、放電破壊を生じない配線基板の
製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性を
有する基材上に回路配線が形成されてなる配線基板の製
造方法において、配線基板を乗載部材に乗載し、静電気
の発生を伴う処理を施し、予め定める速度未満の第１速
度で、配線基板を乗載部材から法線方向に予め定める距
離まで移動し、前記第１速度よりも大きな第２速度で、
必要な位置まで配線基板を移動させるようにしたことを
特徴とする配線基板の製造方法である。

【０００９】

【作用】本発明に従えば、電気絶縁性を有する基材上に
回路配線が形成されてなる配線基板を乗載部材に乗載し
て、静電気が生じる処理を施したとき、予め定める速度
未満の第１速度で配線基板を乗載部材から法線方向に予
め定める距離まで移動する。その後、前記第１速度より
も大きな第２速度でさらに移動を行う。

【００１０】

【実施例】図１は、本発明の一実施例である配線基板の
製造方法が適用される液晶表示素子１０の断面図であ
る。ガラスなどからなる一対の透光性基板１１，１２上
に予め定める間隔をあけてＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）などからなる帯状の電極１３，１４がそれぞれ複数
形成されている。その上に配向膜１５，１６が形成さ
れ、ラビング処理が行われた後、両基板１１，１２は電
極１３，１４が直交するように対向してシール材１７で
貼り合わされ、液晶１８を注入することによって液晶表
示素子１０が形成されている。

【００１１】図２は、本発明の一実施例である配線基板
の製造方法に使用される台２０の電気的構成を示すブロ
ック図である。台２０には図２の上下方向に透孔２０ａ
が複数形成されており、透孔２０ａには、エアシリンダ
２１に設置されているロッド２１ａが挿入されている。
ロッド２１ａは、制御回路２２でエアシリンダ２１を制
御することによって、透孔２０ａ内を矢符ＡおよびＢ方
向に移動する。また、台２０は制御回路２２に接続され
たパルスモータ２３に接続されており、制御回路２２で
パルスモータ２３を制御することによって矢符Ａおよび
Ｂ方向に移動する。台２０の矢符ＡおよびＢ方向の移動
によっても、ロッド２１ａは透孔２０ａ内で矢符Ａおよ
びＢ方向に移動する。

【００１２】図３は、液晶表示素子１０の製造工程を示
す工程図である。工程ａ１では基板１１，１２上に電極
１３，１４となる導電膜が蒸着され、工程ａ２では前記
導電膜が電極１３，１４の形状にパターニングされる。
工程ａ３では前記基板１１，１２上に配向膜１５，１６
が塗布され、工程ａ４では配向膜１５，１６に対してラ
ビング処理が施される。工程ａ５では後述する移送が行
われ、このときに従来技術で示した問題が生じる。

【００１３】工程ａ６では一方の基板１１，１２上に液
晶注入空間を形成するシール材が印刷され、工程ａ７で
は一方の基板１１，１２上に基板１１，１２間距離を均
一にする図示しないスペーサが散布される。工程ａ８で
は基板１１，１２が電極１３，１４が直交するように対
向して貼り合わされる。工程ａ９では１枚の基板１１，
１２を用いて複数の液晶表示素子１０を形成していると
きに、貼り合わせた基板１１，１２を分断して液晶表示
素子１０の形状にする。工程ａ１０では液晶が注入さ
れ、液晶表示素子１０が完成する。

【００１４】図４は図２に示される台２０の斜視図であ
り、図５は本発明の他の実施例である配線基板の製造方
法に使用される台３０の斜視図である。台２０は略円筒
体であり、上面２０ｂに基板１１，１２が載置される。
このとき基板１１，１２は真空引きなどによって、上面
２０ｂに吸着固定される。基板１１，１２が移送される
ときには、基板１１，１２の上面２０ｂへの吸着は解除
される。台３０は略立方体であり、上面３０ｂに基板１
１，１２が載置される。台３０は、図２に示される台２
０と同様な電気的構成および機能を有しており、台２０
との違いは、形状が異なっていることだけである。台２
０，３０は、前述のような機能を有していればよく、形
状はこれらに限定されるものではない。

【００１５】図６は、法線方向の剥離速度と帯電量との
関係を示すグラフである。剥離速度が増加するにつれて
帯電量が増加することが示されている。電極１３，１４
間で破壊放電を生じない帯電量Ｍに対応する剥離速度Ｖ
以下で、台２０から基板１１，１２を法線方向に剥離す
ることによって放電破壊を防止することができる。した
がって、剥離速度Ｖ以下で基板１１，１２を台２０から
法線方向に剥離し、基板１１，１２から台２０に対して
発生している電気力線が切れた後に剥離速度を増加して
も、破壊放電は生じない。

【００１６】

【表２】

【００１７】表２は、発明者の実験結果を示している。
この実験は、２ｋＶの摩擦帯電を施した基板１１，１２
を用いて、室温２５℃、湿度６２％の環境化で行われ
た。本実験で用いられた基板１１，１２は、３７０ｍｍ
×４８０ｍｍの大きさで、幅が１０μｍである電極１
３，１４が１００本、１０μｍの距離をあけて形成され
ている。第１段階では、台２０の上面２０ｂと前記摩擦
帯電している基板１１，１２との法線方向の剥離距離Ｈ
１を３，５，８，１０ｍｍとして各々剥離速度を２，
５，１０ｍｍ／ｓと変化させ、第２段階では剥離距離Ｈ
１から最大上昇位置までの距離Ｈ２を速度３０ｍｍ／ｓ
で上昇させたときの電極１３，１４間に生じた破壊放電
率を示している。最大上昇位置は

【００１８】

【数１】Ｈ１＋Ｈ２＝６０ｍｍである。

【００１９】表１には、第１段階での剥離速度を増加す
るとともに、破壊放電率が増加することが示されてお
り、第１段階での剥離距離Ｈ１が大きいほど破壊放電率
が小さいということが示されている。第１段階での剥離
距離Ｈ１が５，８，１０ｍｍ、剥離速度が２ｍｍ／ｓの
ときには、第２段階で剥離速度が３０ｍｍ／ｓと高いに
もかかわらず破壊放電率が０％である。したがって、法
線方向の剥離距離Ｈ１を５ｍｍにすると最短時間で剥離
を行うことができる。従来技術では６０ｍｍを２ｍｍ／
ｓで上昇させていたので、基板１１，１２の剥離工程に
かかる時間を大幅に短縮することができる。

【００２０】図７〜図１１は、本発明の一実施例の剥離
工程を説明する側面図である。図７では、台２０の上面
２０ｂ上に電極１３，１４および配向膜１５，１６が形
成された基板１１，１２が乗載されている。この状態で
配向膜１５，１６に対してラビング処理が施され、基板
１１，１２には静電気が帯電する。このとき、透孔２０
ａ内のロッド２１ａは基板１１，１２には接していな
い。

【００２１】図８では基板１１，１２を移送するために
ロッド２１ａが上昇してロッド２１ａが基板１１，１２
に接触している。図９ではさらにロッド２１ａが上昇し
て基板１１，１２が剥離距離Ｈ１まで剥離されている。
剥離距離Ｈ１はたとえば５ｍｍであり、剥離速度は２ｍ
ｍ／ｓである。

【００２２】図１０では台２０が下降することによって
基板１１，１２と台２０の上面２０ｂとの剥離距離Ｈ１
＋Ｈ２が６０ｍｍとなる。剥離距離Ｈ２の移動は３０ｍ
ｍ／ｓで行われる。

【００２３】図１１では移載フォーク２５によって基板
１１，１２がロッド２１ａ上から取除かれて次工程へ移
送され、ロッド２１ａは透孔２０ａ内に挿入される。

【００２４】以上のように本実施例によれば、基板１
１，１２の台２０上からの剥離を２段階で行い、第１段
階の低速剥離によって基板１１，１２から台２０に対し
て生じている電気力線を切り、第２段階で任意の高さま
で高速剥離を行う。たとえば第１段階での剥離距離Ｈ１
を５ｍｍ、剥離速度を２ｍｍ／ｓとし、第２段階での剥
離距離Ｈ２を５５ｍｍ、剥離速度を３０ｍｍ／ｓとする
と、６０ｍｍの剥離を４．５秒以内で行うことができ
る。このように従来技術では３０秒かかっていた剥離時
間を大幅に短縮することができる。

【００２５】したがって電極間の放電破壊を生じること
なく、短時間で基板の移動を行うことができる。

【００２６】本実施例においては、基板１１，１２の剥
離に制御回路２２を介してエアシリンダによるロッド２
０ａの低速上昇制御およびパルスモータ２３による台２
０の高速下降制御を行ったが、剥離手段はこれらに限ら
れるものではなく、また、いずれか一方を用いてもよ
い。また、本実施例ではラビング処理後の移送工程につ
いて説明したけれども、配向膜形成処理後の移送工程、
電極形成後の移送工程など、静電気を生じる処理後の移
送工程全般にわたって使用することができる。また、本
実施例を用いて静電気を除去することによって基板１
１，１２の接線方向の移動による埃の付着を防止するこ
とができるという効果も得られた。

【００２７】また、第１段階での剥離距離Ｈ１＝５ｍｍ
および剥離速度２ｍｍ／ｓはこれに限られるものではな
く、基板１１，１２の帯電量に応じて選ばれる。また第
２段階での剥離速度は３０ｍｍ／ｓに限られるものでは
なく、より速く剥離を行うことが好ましい。第２段階の
移動は、法線方向６０ｍｍに限られるものではなく、接
線方向の移動を含んでもよく、移載フォーク２５の位置
などから選ばれる。

【００２８】

【発明の効果】本発明によれば、乗載部材に乗載して静
電気が生じる処理を施した配線基板を、乗載部材から予
め定める距離までは、法線方向に予め定める速度未満の
第１速度で移動し、第１速度よりも大きな第２速度でさ
らに移動させる。したがって移動によって生じる放電破
壊を防止することができ、さらに短時間で移動を行うこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である配線基板の製造方法が
適用される液晶表示素子１０の断面図である。

【図２】本発明の一実施例である配線基板の製造方法に
使用される台２０の電気的構成を示すブロック図であ
る。

【図３】液晶表示素子１０の製造工程を示すブロック図
である。

【図４】図２に示される台２０の斜視図である。

【図５】本発明の他の実施例である配線基板の製造方法
に使用される台３０の斜視図である。

【図６】剥離速度と帯電量との関係を示すグラフであ
る。

【図７】本発明の一実施例の剥離工程を説明する側面図
である。

【図８】本発明の一実施例の剥離工程を説明する側面図
である。

【図９】本発明の一実施例の剥離工程を説明する側面図
である。

【図１０】本発明の一実施例の剥離工程を説明する側面
図である。

【図１１】本発明の一実施例の剥離工程を説明する側面
図である。

【図１２】従来例を説明するための側面図である。

【図１３】従来例を説明するための側面図である。

【符号の説明】

１１，１２ 基板 １３，１４ 電極 １５，１６ 配向膜 ２０，３０ 台

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気絶縁性を有する基材上に回路配線が
   形成されてなる配線基板の製造方法において、 配線基板を乗載部材に乗載し、静電気の発生を伴う処理
   を施し、 予め定める速度未満の第１速度で、配線基板を乗載部材
   から法線方向に予め定める距離まで移動し、 前記第１速度よりも大きな第２速度で、必要な位置まで
   配線基板を移動させるようにしたことを特徴とする配線
   基板の製造方法。