JP2658953B2 - Resist baking equipment - Google Patents

Resist baking equipment

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JP2658953B2
JP2658953B2 JP6203695A JP6203695A JP2658953B2 JP 2658953 B2 JP2658953 B2 JP 2658953B2 JP 6203695 A JP6203695 A JP 6203695A JP 6203695 A JP6203695 A JP 6203695A JP 2658953 B2 JP2658953 B2 JP 2658953B2
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板に塗布されたレジ
ストを乾燥硬化するために用いられるレジストベーキン
グ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist baking apparatus used for drying and curing a resist applied to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体製造プロセスにおいて、レ
ジストを塗布した基板を加熱し、そのレジスト中の溶剤
等を乾燥硬化させるために、ベーキング処理が行われ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a baking process is performed to heat a substrate on which a resist is applied and to dry and harden a solvent or the like in the resist.

【0003】このようなベーキング方式として、例えば
基板を1枚づつ搬送し、ホットプレート上でベーキング
する装置等が用いられている。
[0003] As such a baking method, for example, an apparatus for transporting substrates one by one and baking on a hot plate is used.

【0004】図5は従来のレジストベーキング装置を説
明する斜視図、図6は図5のレジストベーキング装置の
A−A′線に沿った断面図、図7及び図8はベーキング
処理動作を工程順に説明する図である。
FIG. 5 is a perspective view for explaining a conventional resist baking apparatus, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA 'of the resist baking apparatus of FIG. 5, and FIGS. FIG.

【0005】ホットプレート10は表面の大きさが基板W
(図6参照)の大きさより大きい四角形状の金属板で形
成されており、その下部側に設けられたヒータ等の加熱
手段(不図示)により所定のベーキング温度に制御され
る。
The hot plate 10 has a surface size of the substrate W
It is formed of a square metal plate larger than the size of (see FIG. 6), and is controlled at a predetermined baking temperature by heating means (not shown) such as a heater provided below the metal plate.

【0006】ホットプレート10には内径が約1.5mmの小
さなピン穴11が複数配設され(図5においては中央部に
4箇所に設けられている)、このピン穴11を挿通する細
い昇降ピン12(図6参照)が設けられている。
A plurality of small pin holes 11 having an inner diameter of about 1.5 mm are provided on the hot plate 10 (four at the center in FIG. 5). 12 (see FIG. 6).

【0007】即ち、昇降ピン12はピン穴11の中を不図示
の駆動手段により上昇又は下降してホットプレート10の
表面から突設するようになっている。そして、昇降ピン
12が上昇時には、図6に一点鎖線で示すように基板Wを
昇降ピン12にて支持する。
That is, the lifting pins 12 are raised or lowered in the pin holes 11 by driving means (not shown) so as to protrude from the surface of the hot plate 10. And the lifting pin
When the reference numeral 12 rises, the substrate W is supported by the lifting pins 12 as shown by a dashed line in FIG.

【0008】また、ホットプレート10の表面には、基板
Wの周辺を点で支持するための小さな凸部13が複数配設
されている(図5においては4箇所)。
On the surface of the hot plate 10, a plurality of small projections 13 for supporting the periphery of the substrate W at points are provided (four in FIG. 5).

【0009】さらに、搬送アーム14、14′は不図示の駆
動手段により図7及び図8の矢印で示すように昇降ピン
12の動作と連動して前進・後退を1サイクルとして載置
された基板Wを順次前進側へ移送するようになってい
る。
Further, the transfer arms 14 and 14 'are moved up and down by driving means (not shown) as shown by arrows in FIGS.
The substrates W placed thereon are sequentially transferred to the forward side in a cycle of forward / backward movement in conjunction with the operation 12.

【0010】次に従来のレジストベーキング装置の動作
について説明する。
Next, the operation of the conventional resist baking apparatus will be described.

【0011】まず、図(A)、図(B)に示すよう
に、レジスト塗布カップ(不図示)でレジストR(図9
参照)を塗布した基板Wは搬送アーム14を介してホッ
トプレート10の上部に搬送される。
[0011] First, FIG. 7 (A), as shown in FIG. 7 (B), resist coating cup resist R (Fig. 9 (not shown)
The substrate W coated with the substrate W is transferred to the upper portion of the hot plate 10 via the transfer arm 14.

【0012】次に、図7(C)に示すように、上昇した
昇降ピン12によって基板Wが支持され、搬送アーム14は
矢印方向に後退して退避位置で停止する。
Next, as shown in FIG. 7 (C), the substrate W is supported by the raised lifting pins 12, and the transfer arm 14 is retracted in the direction of the arrow and stopped at the retracted position.

【0013】そして、図7(D)に示すように、昇降ピ
ン12が下降し基板Wはホットプレート10の表面に配設し
た複数の凸部13にて支持され、ホットプレート10の表面
からの輻射熱により所定の温度にベーキングされる。
Then, as shown in FIG. 7 (D), the elevating pins 12 descend and the substrate W is supported by a plurality of projections 13 arranged on the surface of the hot plate 10, and It is baked to a predetermined temperature by radiant heat.

【0014】次に、図8(E)に示すように、所望のベ
ーキング時間経過後、昇降ピン12を上昇させて基板Wを
ホットプレート10の表面から離す。
Next, as shown in FIG. 8 (E), after a desired baking time has elapsed, the elevating pins 12 are raised to separate the substrate W from the surface of the hot plate 10.

【0015】最後に図8(F)〜()に示すように、
ベーキング処理された基板Wは搬送アーム14を介して
次の工程へ送られる。
Finally, as shown in FIGS. 8 (F) to 8 ( H ),
The baked substrate W is sent to the next step via the transfer arm 14.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】前記従来のレジストベ
ーキング装置では、昇降ピン12がホットプレート10の表
面より没している間はホットプレート10からの主に輻射
熱により加熱される。このため、昇降ピン12が上昇し搬
送アーム14、14′を介して基板Wの裏面を4点にて支持
した際に、昇降ピン12の熱が基板Wに伝わり局部的な温
度勾配が形成されてしまう。
In the conventional resist baking apparatus, while the elevating pins 12 are immersed below the surface of the hot plate 10, the heating is mainly performed by radiant heat from the hot plate 10. Therefore, when the lifting pins 12 rise and support the back surface of the substrate W at four points via the transfer arms 14 and 14 ′, the heat of the lifting pins 12 is transmitted to the substrate W and a local temperature gradient is formed. Would.

【0017】さらに、昇降ピン12が下降し、ホットプレ
ート10の表面に配設した凸部13にて基板Wを4点支持し
て、ホットプレート10の表面からの輻射熱によりベーキ
ング処理する際に、ピン穴11の部分にて局部的な温度勾
配が形成されてしまう。
Further, when the elevating pins 12 are lowered and the substrate W is supported at four points by the convex portions 13 disposed on the surface of the hot plate 10 and baking is performed by radiant heat from the surface of the hot plate 10, A local temperature gradient is formed at the pin hole 11.

【0018】以上の結果として、前記従来のレジストベ
ーキング装置においては、図9(A)、図9(B)に示
すように、ホットプレート10に配設したピン穴11及び昇
降ピン12の位置に対応する基板Wの表面に局部的なレジ
スト膜厚の凹凸異常が発生するという問題が生じる。レ
ジスト膜厚の凹凸異常は基板の特性あるいは品質のバラ
ツキ及び劣化(例えばLCD装置においては表示ムラの
発生等)を招くことになる。
As a result, in the conventional resist baking apparatus, as shown in FIGS. 9A and 9B, the positions of the pin holes 11 and the elevating pins 12 provided on the hot plate 10 are changed. There is a problem that local irregularities in the resist film thickness occur on the surface of the corresponding substrate W. The irregularities in the thickness of the resist film cause variations and deterioration of the characteristics or quality of the substrate (for example, display unevenness in an LCD device).

【0019】特に、今後益々微細化される基板上の配線
パターンを忠実にかつ寸法精度よく制御することの必要
性に対処するために、基板表面上に形成するレジスト膜
厚の均一性が要求される。
In particular, in order to cope with the necessity of faithfully controlling the wiring pattern on the substrate, which will be increasingly miniaturized in the future, with high dimensional accuracy, uniformity of the resist film thickness formed on the substrate surface is required. You.

【0020】このためには、基板の全面を均一に加熱し
てレジスト中の溶剤を乾燥させることが不可欠である。
For this purpose, it is essential to uniformly heat the entire surface of the substrate to dry the solvent in the resist.

【0021】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であって、基板の全面を均一に加熱することを可能と
し、局所的温度勾配に起因するレジスト膜厚の凹凸異常
の発生を回避するレジストベーキング装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and makes it possible to uniformly heat the entire surface of a substrate and to avoid the occurrence of irregularities in the resist film thickness due to a local temperature gradient. An object of the present invention is to provide a resist baking apparatus.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、基板の搬送部を有し、レジストを塗布し
た基板をホットプレート上にて加熱処理するレジストベ
ーキング装置において、上昇したときに搬送部からレジ
ストを塗布した基板を載置し、下降しているときはホッ
トプレートの所定温度に保持される昇降自在な第2のホ
ットプレートを備えたことを特徴とするレジストベーキ
ング装置を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention relates to a resist baking apparatus which has a substrate transfer section and heat-treats a resist-coated substrate on a hot plate. A resist baking apparatus is provided, wherein a substrate coated with a resist from a transport unit is placed on the hot plate and a second hot plate that can be raised and lowered is held at a predetermined temperature of the hot plate when the substrate is lowered. I do.

【0023】本発明のレジストベーキング装置において
は、好ましくは、前記第2のホットプレートの表面の周
囲に複数の凸部を配設し、前記複数の凸部にて前記基板
を支持し、前記第2のホットプレート表面からの輻射熱
により基板表面のレジストを乾燥処理することを特徴と
する。
In the resist baking apparatus of the present invention, preferably, a plurality of projections are provided around the surface of the second hot plate, and the substrate is supported by the plurality of projections. 2 is characterized in that the resist on the substrate surface is dried by radiant heat from the surface of the hot plate.

【0024】また、本発明のレジストベーキング装置に
おいては、好ましくは、第1のホットプレートに複数の
ピン穴を配設し、前記第2のホットプレートの前記基板
と対向する表面側はピン穴を有さず平板状とし、前記第
2のホットプレートの裏面側に前記第1のホットプレー
トの前記複数のピン穴にそれぞれ対応する位置に複数の
凹部が配設され、前記第2のホットプレートが上昇時に
は前記凹部が前記第1のホットプレートの前記ピン穴を
挿通して上昇する昇降ピン先端部と当接して支持され、
前記昇降ピンが下降した際に前記第2のホットプレート
が前記第1のホットプレートの表面と当接することを特
徴とする。
In the resist baking apparatus of the present invention, preferably, a plurality of pin holes are provided on the first hot plate, and the surface of the second hot plate facing the substrate is provided with the pin holes. The second hot plate is provided with a plurality of recesses at positions corresponding to the plurality of pin holes of the first hot plate, respectively, on the back side of the second hot plate. At the time of ascent, the concave portion is supported by being in contact with the ascending and descending pin tip portion which is inserted through the pin hole of the first hot plate and rises,
The second hot plate comes into contact with the surface of the first hot plate when the lifting pin is lowered.

【0025】[0025]

【作用】上記構成のもと、本発明によれば、第2のホッ
トプレートをその表面の周辺に配設した複数の凸部以外
に何も持たない全面が平板状(フラット)の金属板で構
成したことにより、第2のホットプレート上に載置した
基板の全面に均一に熱が伝達され、レジスト膜のベーキ
ング処理時に昇降ピンの先端部にて直接基板を保持した
場合(前記従来例)における局所的な温度勾配の発生が
回避され、レジスト膜厚のバラツキをおさえ均一なレジ
スト膜厚分布を形成することができる。
According to the present invention, the entire surface of the second hot plate is a flat metal plate having nothing except a plurality of convex portions arranged around the surface of the second hot plate. With this configuration, heat is uniformly transmitted to the entire surface of the substrate placed on the second hot plate, and the substrate is directly held at the tips of the elevating pins during the baking process of the resist film (the conventional example). In this case, a local temperature gradient can be prevented from occurring, and variations in the resist film thickness can be suppressed and a uniform resist film thickness distribution can be formed.

【0026】[0026]

【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0027】図1は本発明の一実施例を説明する斜視
図、図2は図1のA−A′線に沿った断面図、図3及び
図4はベーキング処理動作を工程順に説明する図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view for explaining an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are views for explaining the baking operation in the order of steps. It is.

【0028】図1を参照して、第1のホットプレート1
は、表面の大きさが基板W(図2参照)のサイズより大
きい四角形状の金属板で形成されており、下部側に設け
られたヒータ等の加熱手段(不図示)により所定のベー
キング温度に制御される。
Referring to FIG. 1, first hot plate 1
Is formed of a square metal plate whose surface is larger than the size of the substrate W (see FIG. 2), and is heated to a predetermined baking temperature by heating means (not shown) such as a heater provided on the lower side. Controlled.

【0029】第1のホットプレート1に内径が約1.5mm
の小さなピン穴2が複数配設され(図1においては中央
部に4箇所に配設されている)、ピン穴2を挿通する細
い昇降ピン3が設けられている。即ち、昇降ピン3はピ
ン穴2の中を不図示の駆動手段により上昇又は下降し、
第1のホットプレート1の表面から突設するように構成
されている。
The inner diameter of the first hot plate 1 is about 1.5 mm
A plurality of small pin holes 2 are provided (in FIG. 1, provided at four locations at the center), and a thin elevating pin 3 that passes through the pin hole 2 is provided. That is, the elevating pin 3 moves up or down in the pin hole 2 by driving means (not shown),
The first hot plate 1 is configured so as to protrude from the surface thereof.

【0030】次に、昇降ピン3の先端部に当接して載置
される第2のホットプレート4は表面の大きさが基板W
とほぼ等しい四角形状の金属板からなる。
Next, the second hot plate 4 placed in contact with the tip of the elevating pin 3 has a surface size of the substrate W.
It is made of a square metal plate that is almost equal to.

【0031】第2のホットプレート4の表面には基板W
の端面から約10mm以内の周辺を複数の点にて支持するた
めの小さな凸部5が複数配設され(図1においては4箇
所に配設されている)、裏面には昇降ピン3の先端部と
当接する位置に左右方向の位置決め用の小さな凹部6を
有する。昇降ピン3が上昇した際には、図2に一点鎖線
で示すように、基板Wを複数の凸部5にて支持した第2
のホットプレート4を昇降ピン3にて支持する。
On the surface of the second hot plate 4, a substrate W
A plurality of small projections 5 are provided for supporting the periphery within about 10 mm from the end face at a plurality of points (disposed at four places in FIG. 1). A small concave portion 6 for positioning in the left-right direction is provided at a position in contact with the portion. When the elevating pin 3 is lifted, as shown by a dashed line in FIG.
Is supported by the lifting pins 3.

【0032】搬送アーム7、7′は、図3及び図4に示
すように昇降ピン3と第2のホットプレート4の動作と
連動して不図示の駆動手段により矢示の方向に前進・後
退を1サイクルとして駆動され、載置された基板Wを順
次前進側へ移送するようになっている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the transfer arms 7, 7 'advance and retreat in the directions indicated by arrows by driving means (not shown) in conjunction with the operation of the elevating pins 3 and the second hot plate 4. Is driven as one cycle, and the mounted substrates W are sequentially transferred to the forward side.

【0033】次に本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0034】まず、図3(A)、図3(B)に示すよう
にレジスト塗布カップ(不図示)でレジストRを塗布し
た基板Wは搬送アーム7を介して第2のホットプレート
4の上部に搬送される。
First, as shown in FIGS. 3A and 3B, a substrate W coated with a resist R by a resist coating cup (not shown) is placed on a second hot plate 4 via a transfer arm 7. Transported to

【0035】次に、図3(C)に示すように、昇降ピン
3の上昇とともに第2のホットプレート4が上昇し、第
2のホットプレート4の表面に配設した凸部5に基板W
が4点支持されると同時に搬送アーム7は矢印の方向に
後退して退避位置で停止する。
Next, as shown in FIG. 3C, the second hot plate 4 rises with the elevation of the lifting pins 3, and the substrate W is placed on the protrusions 5 provided on the surface of the second hot plate 4.
Are simultaneously supported at four points, and the transfer arm 7 retreats in the direction of the arrow and stops at the retreat position.

【0036】そして、昇降ピン3の下降と共に第2のホ
ットプレート4が下降し、図3(D)に示すように、第
2のホットプレート4は第1のホットプレート1の表面
に密着すると同時に第1のホットプレート1からの直接
加熱により全面が第1のホットプレート1とほぼ同じ温
度に例えば±1℃以内の精度にて均一に加熱される。
Then, the second hot plate 4 is lowered together with the lowering of the elevating pins 3, and as shown in FIG. 3D, the second hot plate 4 comes into close contact with the surface of the first hot plate 1 and at the same time. By direct heating from the first hot plate 1, the entire surface is uniformly heated to a temperature substantially equal to that of the first hot plate 1 with an accuracy of, for example, within ± 1 ° C.

【0037】この状態で第2のホットプレート4の凸部
5に4点支持された基板Wは第2のホットプレート4の
表面からの輻射熱により所定の温度にベーキング処理さ
れる。
In this state, the substrate W supported at four points on the projections 5 of the second hot plate 4 is baked to a predetermined temperature by radiant heat from the surface of the second hot plate 4.

【0038】次に、所望のベーキング時間経過後に、図
4(E)に示すように昇降ピン3の上昇とともに第2の
ホットプレート4を上昇させる。
Next, after a desired baking time has elapsed, the second hot plate 4 is raised together with the lifting pins 3 as shown in FIG.

【0039】最後に図4(F)〜(H)に示すように、
ベーキング処理された基板Wは搬送アーム7を介して次
の工程へ送られる。
Finally, as shown in FIGS. 4 (F) to 4 (H),
The baked substrate W is sent to the next step via the transfer arm 7.

【0040】本実施例によれば、表面側に昇降ピン挿通
用のピン穴等を持たない平板状の第2のホットプレート
上にて基板を保持する方式としたことにより、第2のホ
ットプレートの熱を基板の全面に略±1℃以内の精度で
均一に伝達することが可能とされ、基板上に塗布された
レジストの溶剤の乾燥速度のバラツキをなくして均一な
レジスト膜厚分布を形成することができる。例えば、30
0×350mmサイズのガラス基板上に厚さ2μmのレジスト
膜厚を形成する場合には、膜厚分布のバラツキを従来と
比べて1/3以下に改善することができる。
According to the present embodiment, the substrate is held on the flat second hot plate having no pin holes or the like for inserting the elevating pins on the front surface side. Heat can be uniformly transmitted to the entire surface of the substrate with an accuracy of approximately ± 1 ° C, and the uniformity of resist film thickness distribution is achieved by eliminating the variation in the drying speed of the solvent of the resist applied on the substrate. can do. For example, 30
When a resist film having a thickness of 2 μm is formed on a glass substrate having a size of 0 × 350 mm, the variation in the film thickness distribution can be reduced to 1/3 or less as compared with the conventional case.

【0041】なお、上記実施例においては、第2のホッ
トプレート4の表面凸部5を介して基板Wとの間に約1
mm以内のわずかなすき間を設けて加熱するプロキシミテ
ィーベーク方式としたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、例えば第2のホットプレート4の表面に配
設した凸部5を排除して直接的に基板Wを密着加熱する
密着ベーク方式に対しても適用できることはいうまでも
ない。
In the above embodiment, the distance between the second hot plate 4 and the substrate W via the surface convex portion 5 is approximately one.
Although the proximity baking method in which heating is performed with a small gap of less than mm is employed, the present invention is not limited to this. For example, the protrusion 5 disposed on the surface of the second hot plate 4 is eliminated. Needless to say, the present invention can also be applied to a contact baking method in which the substrate W is directly heated by contact.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、前記従
来例のようにレジスト膜のベーキング処理時に昇降ピン
の先端部にて直接基板を保持するのではなく、表面が平
板上状の第2のホットプレート上にて基板を保持する方
式としたことにより、第2のホットプレートの熱を基板
の全面に略±1℃以内の精度で均一に伝達できる。その
結果、基板上に塗布されたレジストの溶剤の乾燥速度の
バラツキをなくして均一なレジスト膜厚分布を形成する
ことができるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, the substrate is not directly held by the tips of the elevating pins during the baking process of the resist film as in the conventional example, but the surface of the substrate is flat. By adopting the method of holding the substrate on the second hot plate, the heat of the second hot plate can be uniformly transmitted to the entire surface of the substrate with an accuracy of approximately ± 1 ° C. or less. As a result, there is an effect that a uniform resist film thickness distribution can be formed without variations in the drying speed of the solvent of the resist applied on the substrate.

【0043】本発明の定量的効果の一例として、例えば
300×350mmサイズのガラス基板上に厚さ2μmのレジス
ト膜厚を形成する場合には、レジスト膜厚分布のバラツ
キを前記従来例と比べて1/3以下に改善することができ
る。
As an example of the quantitative effect of the present invention, for example,
When a resist film having a thickness of 2 μm is formed on a glass substrate having a size of 300 × 350 mm, the variation in the resist film thickness distribution can be reduced to 1/3 or less of the conventional example.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成を説明する斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view illustrating the configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A′線に沿った断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG.

【図3】本発明の一実施例におけるベーキング処理動作
を工程順に説明する図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a baking processing operation in an embodiment of the present invention in the order of steps.

【図4】本発明の一実施例におけるベーキング処理動作
を工程順に説明する図である。
FIG. 4 is a view for explaining a baking processing operation in an embodiment of the present invention in the order of steps.

【図5】従来の装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a conventional device.

【図6】図のA−A′線に沿った断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 5 ;

【図7】従来の装置におけるベーキング処理動作を工程
順に説明する図である。
FIG. 7 is a view for explaining a baking operation in a conventional apparatus in the order of steps.

【図8】従来の装置におけるベーキング処理動作を工程
順に説明する図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a baking operation in a conventional apparatus in the order of steps.

【図9】局部的なレジストの凹凸異常を説明する断面図
である。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining local irregularities in resist irregularities.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のホットプレート 2、11 ピン穴 3、12 昇降ピン 4 第2のホットプレート 5、13 凸部 6 凹部 7、7′、14、14′ 搬送アーム 10 ホットプレート W 基板 R レジスト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st hot plate 2, 11 pin hole 3, 12 raising / lowering pin 4 2nd hot plate 5, 13 convex part 6 recessed part 7, 7 ', 14, 14' Transfer arm 10 hot plate W board R resist

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板の搬送部を有し、レジストを塗布した
基板をホットプレート上にて加熱処理するレジストベー
キング装置において、 上昇したときに搬送部からレジストを塗布した基板を載
置し、下降した状態にあるときはホットプレートの所定
温度に保持される昇降自在な第2のホットプレートを備
えたことを特徴とするレジストベーキング装置。
1. A resist baking apparatus having a substrate transfer section, wherein a resist-coated substrate is heat-treated on a hot plate. A resist baking apparatus having a second hot plate that can be raised and lowered and held at a predetermined temperature of the hot plate when the hot baking state is maintained.
【請求項2】前記第2のホットプレートの表面の周囲に
複数の凸部を配設し、前記複数の凸部にて前記基板を支
持し、前記第2のホットプレート表面からの輻射熱によ
り基板表面のレジストを乾燥処理することを特徴とする
請求項1記載のレジストベーキング装置。
2. A plurality of protrusions are provided around the surface of the second hot plate, the substrate is supported by the plurality of protrusions, and the substrate is heated by radiant heat from the surface of the second hot plate. 2. The resist baking apparatus according to claim 1, wherein the resist on the surface is dried.
【請求項3】第1のホットプレートに複数のピン穴を配
設し、前記第2のホットプレートの前記基板と対向する
表面側はピン穴を有さず平板状とし、前記第2のホット
プレートの裏面側には前記第1のホットプレートの前記
複数のピン穴にそれぞれ対応する位置に複数の凹部が配
設され、前記第2のホットプレートが上昇時には前記凹
部が前記第1のホットプレートの前記ピン穴を挿通して
上昇する昇降ピンの先端部と当接して支持され、前記昇
降ピンが下降した際に前記第2のホットプレートが前記
第1のホットプレートの表面と当接することを特徴とす
る請求項1記載のレジストベーキング装置。
3. A plurality of pin holes are provided in a first hot plate, and a surface side of the second hot plate facing the substrate has a flat plate shape without pin holes, and the second hot plate has a plate shape. On the back side of the plate, a plurality of recesses are provided at positions corresponding to the plurality of pin holes of the first hot plate, respectively, and when the second hot plate is raised, the recess is formed by the first hot plate. The second hot plate contacts and is supported by being contacted with the tip of an elevating pin that rises by passing through the pin hole, and that the second hot plate contacts the surface of the first hot plate when the elevating pin is lowered. The resist baking apparatus according to claim 1, wherein:
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