JP2966231B2 - Resist thin film forming equipment - Google Patents

Resist thin film forming equipment

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JP2966231B2
JP2966231B2 JP8549093A JP8549093A JP2966231B2 JP 2966231 B2 JP2966231 B2 JP 2966231B2 JP 8549093 A JP8549093 A JP 8549093A JP 8549093 A JP8549093 A JP 8549093A JP 2966231 B2 JP2966231 B2 JP 2966231B2
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cassette
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一人 尾崎
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ,液晶
用ガラス角型基板などの基板(以下、単に「基板」とい
う)の表面にレジスト液を塗布した後、その基板に加熱
処理を施して基板表面にレジスト薄膜を形成するレジス
ト薄膜形成装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of applying a resist solution to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass square substrate for liquid crystal (hereinafter simply referred to as "substrate"), and then subjecting the substrate to a heat treatment. about the resist film forming equipment for forming a resist film on the substrate surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は、従来のレジスト薄膜形成装置の
概略構成を示すブロック図である。このレジスト薄膜形
成装置は、同図に示すように、基板表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニット10と、基板に加熱処理
を施す加熱ユニット20とで構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional resist thin film forming apparatus. As shown in FIG. 1, the resist thin film forming apparatus includes a resist coating unit 10 for coating a resist solution on the surface of a substrate, and a heating unit 20 for heating the substrate.

【0003】レジスト塗布ユニット10では、スピンコ
ータやロールコータ等のレジスト塗布部11と、基板を
次の処理ステーション(加熱ユニット20)に向けて搬
出する搬出機構12とが設けられており、レジスト塗布
部11による基板表面へのレジスト液の塗布(レジスト
塗布処理)が完了すると、その基板は搬出機構12によ
って加熱ユニット20側に搬出されるようになってい
る。
The resist coating unit 10 includes a resist coating unit 11 such as a spin coater or a roll coater, and an unloading mechanism 12 for unloading a substrate to a next processing station (heating unit 20). When the application of the resist liquid to the substrate surface (resist coating process) by the substrate 11 is completed, the substrate is carried out to the heating unit 20 side by the carry-out mechanism 12.

【0004】一方、加熱ユニット20には、レジスト塗
布ユニット10からの基板を搬入するための搬入機構2
1が設けられており、レジスト塗布ユニット10の搬出
機構12と協働してレジスト塗布ユニット10からの基
板を加熱ユニット20に搬入した後、さらにプロキシミ
ティーベーク部22に搬送する。また、この加熱ユニッ
ト20には、プロキシミティーベーク部22以外に密着
ベーク部23が設けられており、プロキシミティーベー
ク部22による加熱処理(プロキシミティーベーク)が
完了した基板を搬送機構24により密着ベーク部23に
搬送した後、密着ベーク部23によって加熱処理(密着
ベーク)するようにしている。このように密着ベークに
先立ってプロキシミティーベークを行う理由は、常温に
おいてレジスト液が塗布された基板に対して直ちに密着
ベークを施すと、基板は急激に加熱されて反ってしまう
ためであり、予めプロキシミティーベークを行うことに
よって基板の反りを防止してレジスト液を均一に乾燥さ
せるためである。
On the other hand, a loading mechanism 2 for loading a substrate from the resist coating unit 10 into the heating unit 20.
The substrate 1 is provided to carry the substrate from the resist coating unit 10 into the heating unit 20 in cooperation with the unloading mechanism 12 of the resist coating unit 10, and then to the proximity bake unit 22. The heating unit 20 is provided with a contact bake unit 23 in addition to the proximity bake unit 22. After being conveyed to the unit 23, a heating process (contact baking) is performed by the contact baking unit 23. The reason why the proximity bake is performed prior to the contact bake is that if the contact bake is immediately performed on the substrate coated with the resist solution at room temperature, the substrate is rapidly heated and warped, This is because the proximity baking prevents the substrate from warping and uniformly dry the resist solution.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、スピンコー
タ(レジスト塗布部10)により基板表面にレジスト液
を塗布した場合、基板の回転中心から半径方向に放射状
のすじが形成されることがある。また、ロールコータ
(レジスト塗布部10)によりレジスト液を塗布した場
合にも、基板搬送方向に平行なすじが生じることがあ
る。そして、従来装置では、レジスト塗布ユニット10
により基板に塗布されたレジスト液にすじが形成された
場合であっても、すじが形成された状態のままで、基板
が加熱ユニット20に搬送された後、加熱処理が施され
るようになっているので、レジスト薄膜にすじ状の跡が
残ることがある。この近傍では、レジスト薄膜の厚みは
不均一となっており、後工程に悪影響を及ぼしてしま
う。特に、近年、タクト時間(基板1枚あたりの処理時
間)の短縮化が進んでおり、レジスト塗布処理後、直ち
に加熱処理が行われるようになっており、すじ状の跡が
残るという問題が顕著になってきている。
When a resist liquid is applied to the surface of a substrate by a spin coater (resist coating unit 10), radial streaks may be formed in the radial direction from the center of rotation of the substrate. Also, when a resist solution is applied by a roll coater (resist application unit 10), streaks parallel to the substrate transport direction may occur. In the conventional apparatus, the resist coating unit 10
Therefore, even if a streak is formed in the resist solution applied to the substrate, the substrate is conveyed to the heating unit 20 in a state where the streak is formed, and then heat treatment is performed. Therefore, streaky marks may be left on the resist thin film. In this vicinity, the thickness of the resist thin film is not uniform, which adversely affects the subsequent steps. In particular, in recent years, the shortening of the tact time (the processing time per substrate) has been progressing, and the heating process has been performed immediately after the resist coating process, so that the problem of streak marks remaining is remarkable. It is becoming.

【0006】また、プロキシミティーベーク部22で
は、ホットプレート表面から立設された複数のピンでレ
ジスト塗布ユニット10から搬送されてきた基板を支持
しながら加熱処理するようになっている。そのため、基
板の面内温度分布を調べると、熱くなったピンと当接す
る部分の温度が他の部分に比べて高くなり、ピンとの当
接部分近傍でのレジスト厚みが不均一となることがあ
る。
In the proximity bake section 22, heat treatment is performed while supporting the substrate conveyed from the resist coating unit 10 with a plurality of pins erected from the hot plate surface. Therefore, when examining the in-plane temperature distribution of the substrate, the temperature of the portion in contact with the heated pin becomes higher than the other portions, and the resist thickness near the contact portion with the pin may become non-uniform.

【0007】また、密着ベーク部23においても、同様
の問題がある。すなわち、密着ベーク部23では、基板
をホットプレート表面に密着保持する必要があるため、
ホットプレートに吸着孔を設け、基板裏面を吸着保持し
ている。そのため、吸着孔付近では、他の領域に比べて
温度が低下しており、基板の面内温度が不均一となって
いる。その結果、プロキシミティーベークの場合と同様
に、吸着孔付近でのレジスト厚みが不均一になるという
問題が生じる。
[0007] The close baking section 23 also has a similar problem. That is, in the close contact baking section 23, it is necessary to hold the substrate in close contact with the hot plate surface.
Suction holes are provided in the hot plate to hold the back surface of the substrate by suction. Therefore, the temperature in the vicinity of the suction hole is lower than that in the other region, and the in-plane temperature of the substrate is not uniform. As a result, similarly to the case of the proximity bake, there is a problem that the resist thickness near the suction holes becomes uneven.

【0008】さらに、レジスト塗布ユニット10から加
熱ユニット20への基板搬送を、搬出機構12と搬入機
構21により行っているので、プロキシミティーベーク
と同様の問題が生じることがある。というのも、搬入機
構21はプロキシミティーベーク部22の近傍に設けら
れているため、比較的高い温度になっており、基板搬入
のために搬入機構21の一部(例えば、搬送アーム)が
基板の一部に当接すると、その当接部分の温度が他の部
分の温度(通常、室温)よりも高くなり、レジスト薄膜
の膜厚の不均一化の原因の一つとなっている。
Further, since the substrate is transferred from the resist coating unit 10 to the heating unit 20 by the carry-out mechanism 12 and the carry-in mechanism 21, the same problem as in the proximity bake may occur. This is because the loading mechanism 21 is provided in the vicinity of the proximity bake unit 22 and thus has a relatively high temperature, and a part of the loading mechanism 21 (for example, the transfer arm) is used for loading the substrate. A part of the resist film, the temperature of the contact part becomes higher than the temperature of the other part (normally, room temperature), which is one of the causes of the nonuniformity of the thickness of the resist thin film.

【0009】本発明は、上述のような問題に鑑みてなさ
れたものであって、基板上に均一な膜厚のレジスト薄膜
を形成することができるレジスト薄膜形成装置を提供す
ることを目的とする。
[0009] The present invention was made in view of the problems as described above, and aims to provide a resist film forming equipment which is capable of forming a resist thin film of uniform thickness on a substrate I do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
表面にレジスト液を塗布する塗布手段と、前記レジスト
液が塗布された基板を加熱する加熱手段とを備え、前記
基板表面にレジスト薄膜を形成するレジスト薄膜形成装
置であって、上記目的を達成するため、前記塗布手段と
前記加熱手段との間で、上下方向に複数の基板を収納可
能で、前記塗布手段によってその表面にレジスト液が塗
布された基板を各々所定時間以上待機位置に収納して待
機させてレジスト液を均一化および予備乾燥した後、前
記加熱手段に搬送する待機手段をさらに備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an application unit for applying a resist solution to a substrate surface, and a heating unit for heating the substrate on which the resist solution is applied. A resist thin film forming apparatus for forming a thin film, wherein a plurality of substrates can be accommodated vertically between said coating means and said heating means in order to achieve the above object.
The substrates, each having a surface coated with a resist solution by the coating means, are stored at standby positions for a predetermined time or longer.
And a standby means for conveying the resist solution to the heating means after the resist solution is homogenized and pre-dried .

【0011】請求項2の発明は、前記待機手段に前記待
機位置で複数の基板を収容可能なカセットを備えてい
る。
According to a second aspect of the present invention, the standby means includes a cassette capable of storing a plurality of substrates at the standby position.

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【作用】請求項1の発明では、塗布手段によってその表
面にレジスト液が塗布された基板が、塗布手段と加熱手
段との間で、所定時間以上待機される。この待機中に、
基板に塗布されたレジスト液は均一化(レべリング)さ
れるとともに、予備乾燥される。したがって、塗布手段
によって基板表面に塗布されたレジスト液の厚みが不均
一であっても、レべリングにより均一化される。また、
予備乾燥によって、その後の処理で基板面内での温度分
布が不均一になっても、その影響を抑えることができ
る。また、待機手段は上下方向に複数の基板を収納可能
であるので、複数枚の基板を連続的に処理する場合に、
各基板にとっての待機時間を、レジスト液を均一化およ
び予備乾燥するのに十分に長い時間とすることができ
る。
According to the first aspect of the present invention, the substrate having the resist liquid applied to the surface thereof by the coating means is kept on standby for a predetermined time or more between the coating means and the heating means. During this wait,
The resist solution applied to the substrate is made uniform (leveling) and preliminarily dried. Therefore, even if the thickness of the resist solution applied to the substrate surface by the applying means is not uniform, it is made uniform by leveling. Also,
Even if the temperature distribution in the substrate surface becomes non-uniform in the subsequent processing by the preliminary drying, the influence can be suppressed. In addition, the standby means can store multiple substrates vertically
Therefore, when processing a plurality of substrates continuously,
The waiting time for each substrate is reduced by making the resist solution uniform.
And can be long enough to pre-dry
You.

【0014】請求項2の発明では、待機手段には、待機
位置で複数の基板を収容可能なカセットが設けられてお
り、塗布手段からの基板をそのカセットに収納する。
According to the second aspect of the present invention, the standby means is provided with a cassette capable of storing a plurality of substrates at the standby position, and stores the substrate from the application means in the cassette.

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【実施例】図1は、この発明にかかるレジスト薄膜形成
装置の一実施例を示すブロック図である。この実施例が
従来例(図3)と大きく相違する点は、この実施例で
は、レジスト塗布ユニット10と加熱ユニット20との
間に待機ユニット30が設けられている点である。な
お、レジスト塗布ユニット10および加熱ユニット20
については、従来より周知であるため、ここでは、それ
らの構成・動作についての詳細な説明は省略する。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a resist thin film forming apparatus according to the present invention. This embodiment is significantly different from the conventional example (FIG. 3) in that a standby unit 30 is provided between the resist coating unit 10 and the heating unit 20 in this embodiment. The resist coating unit 10 and the heating unit 20
Are well known in the related art, and a detailed description of their configuration and operation will be omitted here.

【0017】次に、図2を参照しつつ、待機ユニット3
0の一例について説明する。図2は、待機ユニット30
の構成を示す図である。待機ユニット30は、レジスト
塗布ユニット10からの基板Wをユニット内に搬入する
ための搬入機構40と、所定の待機位置で複数の基板W
を収納するカセット50と、カセット50に収納された
基板Wを適宜取り出し、加熱ユニット20に向けて搬出
する搬出機構60と、搬入機構40および搬出機構60
を制御する制御部70とで構成されている。
Next, referring to FIG.
An example of 0 will be described. FIG. 2 shows the standby unit 30.
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of FIG. The standby unit 30 includes a loading mechanism 40 for loading the substrate W from the resist coating unit 10 into the unit, and a plurality of substrates W at a predetermined standby position.
50, an unloading mechanism 60 for appropriately taking out the substrate W stored in the cassette 50, and unloading the substrate W toward the heating unit 20, a loading mechanism 40, and an unloading mechanism 60.
And a control unit 70 for controlling.

【0018】搬入機構40では、図2に示すように、複
数のローラからなる搬入部41が設けられている。これ
らのローラは、モータM1 と連結されており、制御部7
0からの制御信号に応じてモータM1 を駆動することに
より、レジスト塗布ユニット10の搬出機構12によっ
て搬送されてきた基板Wを搬送方向Xに搬送し、所定位
置に位置決めすることができるようになっている。
As shown in FIG. 2, the carry-in mechanism 40 is provided with a carry-in section 41 composed of a plurality of rollers. These rollers are connected to the motor M1 and the control unit 7
By driving the motor M1 in response to a control signal from 0, the substrate W carried by the carry-out mechanism 12 of the resist coating unit 10 can be carried in the carrying direction X and positioned at a predetermined position. ing.

【0019】また、搬入機構40では、基板Wを保持す
るための基板保持具42を有する搬送アーム43が、カ
セット50側(つまり、方向X)に進退自在となるよう
に、アーム支持ブロック44に支持されるとともに、ロ
ータリーアクチュエータ45と連結されている。また、
搬送アーム43には、エアーシリンダ46が連結されて
いる。このため、制御部70からの制御信号に応じてロ
ータリーアクチュエータ45を駆動することにより、基
板保持具42および搬送アーム43を一体的に方向Xに
進退移動させることができる一方、制御部70からの制
御信号に応じてエアーシリンダ46を駆動することによ
り、基板保持具42および搬送アーム43を一体的に一
定ストロークでゆっくりと上下方向Zに昇降させること
ができる。
Further, in the loading mechanism 40, the transfer arm 43 having the substrate holder 42 for holding the substrate W is mounted on the arm support block 44 so as to be able to advance and retreat toward the cassette 50 (that is, in the direction X). It is supported and connected to the rotary actuator 45. Also,
An air cylinder 46 is connected to the transfer arm 43. For this reason, by driving the rotary actuator 45 in response to a control signal from the control unit 70, the substrate holder 42 and the transfer arm 43 can be integrally advanced and retracted in the direction X, while the By driving the air cylinder 46 in response to the control signal, the substrate holder 42 and the transfer arm 43 can be integrally moved up and down slowly in the vertical direction Z with a constant stroke.

【0020】さらに、搬入機構40には、方向Zに伸び
る駆動ねじ47が設けられており、その中央部にアーム
支持ブロック44が螺合されるとともに、その下方端に
パルスモータPM1 が連結されている。そのため、制御
部70からの信号によりパルスモータPM1 を駆動する
ことにより、アーム支持ブロック44を上下方向Zに正
確に位置決めすることができる。
Further, the loading mechanism 40 is provided with a driving screw 47 extending in the direction Z. An arm support block 44 is screwed into the center of the driving screw 47, and a pulse motor PM1 is connected to the lower end thereof. I have. Therefore, the arm support block 44 can be accurately positioned in the up-down direction Z by driving the pulse motor PM1 by a signal from the control unit 70.

【0021】カセット50には、方向Zに多段に形成さ
れた基板収容溝(図示省略)が設けられており、搬入機
構40によってレジスト塗布ユニット10からの基板W
を一時的に収容することができるようになっている。
The cassette 50 is provided with a plurality of substrate accommodation grooves (not shown) formed in multiple stages in the direction Z. The substrate W from the resist coating unit 10 is
Can be temporarily accommodated.

【0022】搬出機構60は、搬入機構40と同一の構
成要素により構成されており、カセット50を挟んで搬
入機構40とほぼ対称に配置されている。したがって、
ここでは、搬入機構40の構成要素と対応する要素に相
当符号を付して、その説明を省略する。
The unloading mechanism 60 is composed of the same components as the loading mechanism 40, and is arranged substantially symmetrically with the loading mechanism 40 with the cassette 50 interposed therebetween. Therefore,
Here, components corresponding to the components of the loading mechanism 40 are denoted by corresponding reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0023】制御部70は、図2に示すように、中央演
算制御部71と、動作プログラム等を記憶するROM7
2と、カセット50内の収容データ等のデータを一時的
に記憶するためのRAM73とを備えている。また、装
置の各部に基板Wが存在するか否かを検出するためのセ
ンサS1 〜S4 が装置各部に配置されており、センサS
1 〜S4 からの信号が制御部70に入力されるようにな
っている。
As shown in FIG. 2, the control unit 70 includes a central processing control unit 71 and a ROM 7 for storing an operation program and the like.
2 and a RAM 73 for temporarily storing data such as data stored in the cassette 50. Sensors S1 to S4 for detecting whether or not the substrate W exists in each part of the apparatus are arranged in each part of the apparatus.
The signals from 1 to S4 are input to the control unit 70.

【0024】なお、カセット50の下方位置には、複数
のローラからなる搬送部Rが設けられているが、これは
基板Wをカセット50に一時的に待機させることなく、
直接加熱ユニット20に搬送するための機構である。つ
まり、搬入部41,搬出部61と同期して、モータM3
を駆動し、ローラを回転させることにより、搬入部41
−搬送部R−搬出部61の経路でレジスト塗布ユニット
10からの基板Wを直接加熱ユニット20に搬送するこ
とができるようになっている。
A transport section R comprising a plurality of rollers is provided at a position below the cassette 50. The transport section R is provided without temporarily holding the substrate W in the cassette 50.
This is a mechanism for directly transporting to the heating unit 20. That is, the motor M3 is synchronized with the carry-in section 41 and the carry-out section 61.
Is driven to rotate the rollers, so that the loading section 41
The substrate W from the resist coating unit 10 can be directly conveyed to the heating unit 20 through the path of the conveying unit R and the unloading unit 61.

【0025】次に、この実施例にかかるレジスト薄膜形
成装置の動作について説明する。
Next, the operation of the resist thin film forming apparatus according to this embodiment will be described.

【0026】レジスト塗布ユニット10による基板表面
へのレジスト液の塗布(レジスト塗布処理)が完了する
と、その基板(表面にレジスト液が塗布された基板)が
搬出機構12と搬入機構40とにより待機ユニット30
に搬入される。なお、このとき、アーム支持ブロック4
4は最下方位置(原点位置)に位置決めされている。
When the application of the resist solution to the substrate surface (resist coating process) by the resist application unit 10 is completed, the substrate (the substrate having the surface coated with the resist solution) is transferred to the standby unit by the unloading mechanism 12 and the loading mechanism 40. 30
It is carried in. At this time, the arm support block 4
4 is positioned at the lowest position (origin position).

【0027】基板Wが搬入機構40により搬入部41上
の所定位置に位置決め・停止されると、ROM72に記
憶されている回収プログラムが読みだされ、そのプログ
ラムにしたがって基板回収処理が実行される。すなわ
ち、まずエアーシリンダ46を伸張させることにより基
板保持具42および搬送アーム43をゆっくりと上昇さ
せて、基板Wを搬入部41からソフトアップさせる。次
いで、パルスモータPM1 を駆動してアーム支持ブロッ
ク44を適当な高さ位置まで移動する。そして、搬送ア
ーム43を前進させることにより、基板Wを保持した状
態のまま、基板保持具42をカセット50内に挿入す
る。その後で、エアーシリンダ46を収縮することによ
り、基板Wをソフトダウンさせ、収容溝に基板Wを載置
する。それに続いて、搬送アーム43を後退させた後、
アーム支持ブロック44を降下させて、原点位置に復帰
させる。
When the substrate W is positioned and stopped at a predetermined position on the carry-in section 41 by the carry-in mechanism 40, a collecting program stored in the ROM 72 is read out, and a substrate collecting process is executed according to the program. That is, first, the substrate holder 42 and the transfer arm 43 are slowly raised by extending the air cylinder 46, and the substrate W is softened up from the loading section 41. Next, the pulse motor PM1 is driven to move the arm support block 44 to an appropriate height position. Then, by moving the transfer arm 43 forward, the substrate holder 42 is inserted into the cassette 50 while holding the substrate W. Thereafter, the substrate W is softened down by contracting the air cylinder 46, and the substrate W is placed in the accommodation groove. Subsequently, after retreating the transfer arm 43,
The arm support block 44 is lowered to return to the home position.

【0028】こうして、カセット50への基板Wの回収
が完了するが、レジスト塗布ユニット10によるレジス
ト塗布処理が連続して行われている間は、上記基板回収
処理が連続して行われる。
In this way, the collection of the substrate W into the cassette 50 is completed, but the substrate collection process is continuously performed while the resist coating process by the resist coating unit 10 is continuously performed.

【0029】一方、基板Wがカセット50に収容される
と、各基板Wごとに制御部70によりカセット50に収
容されている時間が計測され、一定時間(例えば、5分
間)が経過すると、ROM72から基板搬出プログラム
が読みだされ、そのプログラムにしたがって基板搬出処
理が実行される。すなわち、まず原点位置に位置するア
ーム支持ブロック64を上昇させ、搬出すべき基板Wが
収容された基板収容溝に対応した高さ位置に位置決めす
る。そして、搬送アーム63を前進させ、基板保持具6
2をカセット50内に挿入した後、エアーシリンダ66
を伸張させることにより基板Wをソフトアップさせると
ともに、基板保持具62上に基板Wを搭載する。それに
続いて、搬送アーム63を後退させた後、さらにアーム
支持ブロック64を降下させて、基板Wを搬出部61の
直上に位置させる。次いで、エアーシリンダ66を収縮
させ、基板Wを搬出部61のローラ上に載置する。そし
て、搬出部61によって、基板Wを加熱ユニット20側
に搬出する。
On the other hand, when the substrates W are stored in the cassette 50, the time for which the substrates W are stored in the cassette 50 is measured by the control unit 70 for each substrate W, and when a predetermined time (for example, 5 minutes) elapses, the ROM 72 is used. The substrate unloading program is read out from, and the substrate unloading process is executed according to the program. That is, first, the arm support block 64 located at the origin position is raised, and positioned at a height position corresponding to the substrate accommodation groove accommodating the substrate W to be carried out. Then, the transfer arm 63 is advanced, and the substrate holder 6 is moved.
2 is inserted into the cassette 50, and then the air cylinder 66
The substrate W is softened by expanding the substrate W, and the substrate W is mounted on the substrate holder 62. Subsequently, after the transfer arm 63 is retracted, the arm support block 64 is further lowered to position the substrate W directly above the unloading section 61. Next, the air cylinder 66 is contracted, and the substrate W is placed on the rollers of the unloading section 61. Then, the substrate W is unloaded to the heating unit 20 side by the unloading section 61.

【0030】こうして、カセット50内で一定時間だけ
待機された基板Wが加熱ユニット20に搬出される。な
お、加熱ユニット20に搬出された基板Wは、加熱ユニ
ット20によりプロキシミティーベークおよび密着ベー
クが順次実行されて、レジスト薄膜が形成される。
In this way, the substrate W which has been waiting for a certain time in the cassette 50 is carried out to the heating unit 20. The substrate W carried out to the heating unit 20 is sequentially subjected to proximity baking and close contact baking by the heating unit 20 to form a resist thin film.

【0031】以上のように、この実施例にかかるレジス
ト薄膜形成装置によれば、レジスト塗布ユニット(塗布
手段)10によってその表面にレジスト液が塗布された
基板Wを待機ユニット30のカセット50に回収し、室
温に一定時間待機させることにより、レジスト液を低い
粘性状態に比較的長時間保持している。そのため、仮に
レジスト塗布ユニット10によりレジスト液にすじが形
成された場合であっても、基板表面のレジスト液が均一
化(レべリング)し、レジスト塗布ユニット10による
レジスト液が不均一となるという問題が解消される。
As described above, according to the resist thin film forming apparatus according to this embodiment, the substrate W having the surface coated with the resist liquid by the resist coating unit (coating means) 10 is collected in the cassette 50 of the standby unit 30. Then, the resist solution is kept at a low viscosity state for a relatively long time by standing by at room temperature for a certain period of time. Therefore, even if stripes are formed in the resist liquid by the resist coating unit 10, the resist liquid on the substrate surface is made uniform (leveling), and the resist liquid by the resist coating unit 10 becomes non-uniform. The problem is solved.

【0032】なお、上記実施例においては基板Wがカセ
ット50に収容されるとその時間が計測されてこの時間
が一定時間に達すると基板Wがカセット50から搬出さ
れるように構成されているが、本発明はこれに限らず、
基板Wが常に一定時間以上カセット50に収容されるよ
うに構成されていればよい。さらに、上記レジスト液が
顔料を含むカラーレジスト液の場合、待機させることに
よりレベリングのみならずそれに含まれる顔料を薄膜全
体に渡って均一に分散させることができる。
In the above embodiment, when the substrate W is stored in the cassette 50, the time is measured, and when the time reaches a predetermined time, the substrate W is unloaded from the cassette 50. The present invention is not limited to this,
It is sufficient if the substrate W is configured to be always stored in the cassette 50 for a certain period of time or more. Further, when the resist solution is a color resist solution containing a pigment, by waiting, not only the leveling but also the pigment contained therein can be uniformly dispersed throughout the thin film.

【0033】また、カセット50における待機中に、レ
ジスト液のレべリングと並行して、レジスト液の予備乾
燥が進行する。そのため、上記のようにプロキシミティ
ーベーク時,密着ベーク時および搬入機構21によるプ
ロキシミティーベーク部22への基板Wの搬送時に、基
板Wの面内温度が不均一となったとしても、レジスト液
の塗布後直ちに加熱ユニット20に搬送した場合(従来
例)に比べて、レジスト液が適度に乾燥されているた
め、その影響(面内温度の不均一性)を受けにくく、均
一な膜厚を有するレジスト薄膜が得られる。また、カセ
ット50は上下方向に複数の基板を収納可能であるの
で、複数枚の基板を連続的に処理する場合に、各基板に
とっての待機時間を、レジスト液を均一化および予備乾
燥するのに十分に長い時間とすることができるとともに
コンパクトな装置とすることができる。
During standby in the cassette 50, preliminary drying of the resist solution proceeds in parallel with leveling of the resist solution. Therefore, even if the in-plane temperature of the substrate W becomes non-uniform during the proximity bake, the close bake, and the transfer of the substrate W to the proximity bake unit 22 by the carry-in mechanism 21 as described above, even if the in-plane temperature of the substrate W becomes uneven, Compared to the case where the resist solution is transported to the heating unit 20 immediately after the application (conventional example), the resist solution is appropriately dried, so that it is less susceptible to the influence (non-uniformity of the in-plane temperature) and has a uniform film thickness. A resist thin film is obtained. In addition,
The unit 50 can store a plurality of substrates in a vertical direction.
Therefore, when processing multiple substrates continuously,
The waiting time is reduced by equalizing the resist solution and pre-drying.
Can be long enough to dry
A compact device can be provided.

【0034】なお、カセット50内にレジスト液に含ま
れる溶剤成分と同一の成分を供給して、適当な雰囲気を
形成すると、カセット50でのレべリングを促進するこ
とができる。
When the same component as the solvent component contained in the resist solution is supplied into the cassette 50 to form an appropriate atmosphere, the leveling in the cassette 50 can be promoted.

【0035】また、カセット50内にダウンフローなど
の気流が流れ込むと、その気流の影響によって乾燥ムラ
が生じやすくなるが、例えば、カセット50の外周部に
気流遮断部材を設けることによって、乾燥ムラを防止す
ることができる。
When an airflow such as a downflow flows into the cassette 50, drying unevenness easily occurs due to the influence of the airflow. For example, by providing an airflow blocking member on the outer peripheral portion of the cassette 50, the drying unevenness is reduced. Can be prevented.

【0036】さらに、上記実施例では、同一のカセット
50においてレべリングと予備乾燥を並行して行うよう
にしているが、2種類のカセットを用意し、まずレジス
ト塗布ユニット10からの基板をレべリング用カセット
に待機させてレべリングを進行させた後、十分にレべリ
ングされた基板を予備乾燥用カセットに待機させて予備
乾燥を行うようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the leveling and the preliminary drying are performed in parallel in the same cassette 50. However, two types of cassettes are prepared, and the substrate from the resist coating unit 10 is first processed. After allowing the leveling to proceed while waiting in the belling cassette, the pre-drying may be performed by allowing the sufficiently leveled substrate to wait in the preliminary drying cassette.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上のように、請求項1および2の発明
によれば、塗布手段と加熱手段との間に待機手段を設
け、前記塗布手段によってその表面にレジスト液が塗布
された基板を所定時間以上待機位置に待機させているの
で、基板上に均一な膜厚のレジスト薄膜を形成すること
ができる。また、待機手段は上下方向に複数の基板を収
納可能であるので、複数枚の基板を連続的に処理する場
合に、各基板にとっての待機時間を、レジスト液を均一
化および予備乾燥するのに十分に長い時間とすることが
できるとともにコンパクトな装置とすることができる。
As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the standby means is provided between the coating means and the heating means, and the substrate having the surface coated with the resist liquid by the coating means is provided. Since the standby position is maintained at the standby position for a predetermined time or more, a resist thin film having a uniform thickness can be formed on the substrate. In addition, the standby means collects a plurality of substrates in the vertical direction.
It is possible to process multiple substrates continuously
In this case, the waiting time for each substrate is
Time that is long enough for
The device can be made compact as well as possible.

【0038】[0038]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にかかるレジスト薄膜形成装置の一実
施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a resist thin film forming apparatus according to the present invention.

【図2】待機ユニットの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a standby unit.

【図3】従来のレジスト薄膜形成装置の概略構成を示す
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional resist thin film forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 レジスト塗布ユニット(塗布手段) 20 加熱ユニット(加熱手段) 30 待機ユニット(待機手段) W 基板 Reference Signs List 10 resist coating unit (coating means) 20 heating unit (heating means) 30 standby unit (standby means) W substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 剛 滋賀県彦根市高宮町480番地の1 大日 本スクリーン製造株式会社 彦根地区事 業所内 (56)参考文献 特開 平1−209737(JP,A) 特開 平5−309301(JP,A) 実開 平3−8424(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 G03F 7/16 501 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Go Okumura 1 at 480 Takamiya-cho, Hikone City, Shiga Prefecture, Japan. A) JP-A-5-309301 (JP, A) JP-A-3-84424 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/16 501

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板表面にレジスト液を塗布する塗布手
段と、前記レジスト液が塗布された基板を加熱する加熱
手段とを備え、前記基板表面にレジスト薄膜を形成する
レジスト薄膜形成装置において、 前記塗布手段と前記加熱手段との間で、上下方向に複数
の基板を収納可能で、前記塗布手段によってその表面に
レジスト液が塗布された基板を各々所定時間以上待機位
置に収納して待機させてレジスト液を均一化および予備
乾燥した後、前記加熱手段に搬送する待機手段をさらに
備えたレジスト薄膜形成装置。
A resist film forming apparatus for forming a resist thin film on the substrate surface, comprising: a coating means for coating a resist liquid on a substrate surface; and a heating means for heating a substrate coated with the resist liquid. Between the coating means and the heating means, a plurality of
Substrates can be stored, and the substrates having the surface coated with the resist liquid by the coating means are placed in a standby position for at least a predetermined time.
To make the resist solution uniform and ready
An apparatus for forming a resist thin film, further comprising a standby unit for transferring to the heating unit after drying .
【請求項2】 前記待機手段は前記待機位置で複数の基
板を収容可能なカセットを有する請求項1記載のレジス
ト薄膜形成装置。
2. The resist thin film forming apparatus according to claim 1, wherein said standby means has a cassette capable of storing a plurality of substrates at said standby position.
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