JP2653448B2 - 酸化物超電導素子 - Google Patents
酸化物超電導素子Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、酸化物超電導体を用いた電子素子に係り、
特にトンネル効果を利用した超電導素子に関する。
特にトンネル効果を利用した超電導素子に関する。
（従来の技術） 近年、Ba−La−Cu−Ｏ系の層状ペロブスカイト型の酸
化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表さ
れて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行われている
（Z.Phys.B Condensed Matter 64,189−193（198
7））。その中でもＹ−Ba−Cu−Ｏ系で代表される酸素
欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（LnBa2 Cu3 O
７−δ型）（δは酸素欠陥を表わし通常１以下、Lnは、
Ｙ、La、Sc、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb
およびLuから選ばれた少なくとも１種の元素、Baの一部
はSr等で置換可能）の酸化物超電導体は、臨界温度が90
K以上の液体窒素以上の高い温度を示すため非常に有望
な材料として注目されている（Phys.Rev.Lett.Vol.58N
o.9,908−910）。
化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表さ
れて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行われている
（Z.Phys.B Condensed Matter 64,189−193（198
7））。その中でもＹ−Ba−Cu−Ｏ系で代表される酸素
欠陥を有する欠陥ペロブスカイト型（LnBa2 Cu3 O
７−δ型）（δは酸素欠陥を表わし通常１以下、Lnは、
Ｙ、La、Sc、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb
およびLuから選ばれた少なくとも１種の元素、Baの一部
はSr等で置換可能）の酸化物超電導体は、臨界温度が90
K以上の液体窒素以上の高い温度を示すため非常に有望
な材料として注目されている（Phys.Rev.Lett.Vol.58N
o.9,908−910）。
ところで、トンネル効果を利用した超電導素子は、超
高速動作が可能で消費電力も僅かであるため、コンピュ
ータの論理素子やメモリ素子等のデジタルデバイスへの
応用が進められている。そして、Nb/Aloxide/Nb接合やN
bN/MgO/NbN接合等を用いた４ビット乗算器、3Kゲートア
レイ等が試作されている。また、超電導体−半導体素子
として超電導３端子素子が試作されているが、これらの
素子はいずれも臨界温度が低い超電導体からなり、液体
ヘリウムを冷媒として用いるため、周辺技術の開発や経
済性の問題等から実用化には至っていない。
高速動作が可能で消費電力も僅かであるため、コンピュ
ータの論理素子やメモリ素子等のデジタルデバイスへの
応用が進められている。そして、Nb/Aloxide/Nb接合やN
bN/MgO/NbN接合等を用いた４ビット乗算器、3Kゲートア
レイ等が試作されている。また、超電導体−半導体素子
として超電導３端子素子が試作されているが、これらの
素子はいずれも臨界温度が低い超電導体からなり、液体
ヘリウムを冷媒として用いるため、周辺技術の開発や経
済性の問題等から実用化には至っていない。
このため、高い臨界温度を有する酸化物超電導体を前
述の超電導素子に応用することが検討されている。
述の超電導素子に応用することが検討されている。
しかしながら、この酸化物超電導体を用いて上記超電
導素子を得る場合、酸化物超電導体層形成時の高温熱処
理や、酸化物超電導体に酸素を導入する時の高温熱処理
により、酸化物超電導体層間に介在させた電気絶縁物層
（以下、トンネルバリア層と称す）と酸化物超電導体と
が反応して超電導特性が低下または消滅し、所望の特性
を得ることが困難であるという問題があった。
導素子を得る場合、酸化物超電導体層形成時の高温熱処
理や、酸化物超電導体に酸素を導入する時の高温熱処理
により、酸化物超電導体層間に介在させた電気絶縁物層
（以下、トンネルバリア層と称す）と酸化物超電導体と
が反応して超電導特性が低下または消滅し、所望の特性
を得ることが困難であるという問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） このように、酸化物超電導体を用いてトンネル効果を
利用した超電導素子を得るにあたっては高温熱処理を必
要とするため、高温熱処理により酸化物超電導体層間に
介在させたトンネルバリア層と酸化物超電導体とが反応
して、所望の特性を得ることが困難であるという問題が
あった。
利用した超電導素子を得るにあたっては高温熱処理を必
要とするため、高温熱処理により酸化物超電導体層間に
介在させたトンネルバリア層と酸化物超電導体とが反応
して、所望の特性を得ることが困難であるという問題が
あった。
本発明はかかる従来の難点を解決すべくなされたもの
で、高温熱処理時においても安定で酸化物超電導体と反
応しないトンネルバリア層を有する酸化物超電導素子を
提供することを目的とする。
で、高温熱処理時においても安定で酸化物超電導体と反
応しないトンネルバリア層を有する酸化物超電導素子を
提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち、本発明の酸化物超電導素子は、超電導体層
の間に電気絶縁物の薄層を介在させて、トンネル効果に
より前記電気絶縁物の薄層を通じて前記超電導体層間に
電圧を発生させずに電流を流す超電導素子において、超
電導体として酸化物超電導体を用い、電気絶縁物として
厚さ５〜30Åの非導電性酸化物を用いるとともに、前記
非導電性酸化物の酸化物超電導体と接する面に、厚さ２
〜25Åの耐酸化性金属層を設けてなることを特徴として
いる。
の間に電気絶縁物の薄層を介在させて、トンネル効果に
より前記電気絶縁物の薄層を通じて前記超電導体層間に
電圧を発生させずに電流を流す超電導素子において、超
電導体として酸化物超電導体を用い、電気絶縁物として
厚さ５〜30Åの非導電性酸化物を用いるとともに、前記
非導電性酸化物の酸化物超電導体と接する面に、厚さ２
〜25Åの耐酸化性金属層を設けてなることを特徴として
いる。
あるいは、超電導体層の間に電気絶縁物の薄層を介在
させて、トンネル効果により前記電気絶縁物の薄層を通
じて前記超電導体層間に電圧を発生させずに電流を流す
超電導素子において、超電導体として酸化物超電導体を
用い、電気絶縁物として厚さ５〜30Åの非導電性酸化物
を用いるとともに、前記非導電性酸化物の酸化物超電導
体と接する面に、Au−Pt合金、Au−Si合金、Ag−Pd合
金、PtまたはAg−Pt合金からなる耐酸化性金属層を設け
てなることを特徴としている。
させて、トンネル効果により前記電気絶縁物の薄層を通
じて前記超電導体層間に電圧を発生させずに電流を流す
超電導素子において、超電導体として酸化物超電導体を
用い、電気絶縁物として厚さ５〜30Åの非導電性酸化物
を用いるとともに、前記非導電性酸化物の酸化物超電導
体と接する面に、Au−Pt合金、Au−Si合金、Ag−Pd合
金、PtまたはAg−Pt合金からなる耐酸化性金属層を設け
てなることを特徴としている。
本発明には各種の酸化物超電導体を用いることができ
るが、臨界温度の高い、希土類元素含有のペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を用いた場合に特に実用的効果が
大きい。
るが、臨界温度の高い、希土類元素含有のペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を用いた場合に特に実用的効果が
大きい。
上記の希土類元素を含有しペルブスカイト型構造を有
する酸化物超電導体は、超電導状態を実現できるもので
あればよく、LnBa2 Cu3 O７−δ系（δは酸素欠陥を表
し通常１以下の数、Lnは、Ｙ、La、Sc、Ce、Pr、Pm、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLu
から選ばれた少なくとも１種の元素、Baの一部はSr等で
置換可能）等の酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト
型、Sr−La−Cu−Ｏ系等の層状ペロブスカイト型等の広
義にペロブスカイト型を有する酸化物が例示される。ま
た希土類元素も広義の定義とし、Sc、ＹおよびLa系を含
むものとする。代表的な系としてＹ−Ba−Cu−Ｏ系のほ
かに、ＹをEu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等の希土類で置
換した系、Sc−Ba−Cu−Ｏ系、Sr−La−Cu−Ｏ系、さら
にはSrをBa、Caで置換した系等が挙げられる。
する酸化物超電導体は、超電導状態を実現できるもので
あればよく、LnBa2 Cu3 O７−δ系（δは酸素欠陥を表
し通常１以下の数、Lnは、Ｙ、La、Sc、Ce、Pr、Pm、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLu
から選ばれた少なくとも１種の元素、Baの一部はSr等で
置換可能）等の酸素欠陥を有する欠陥ペロブスカイト
型、Sr−La−Cu−Ｏ系等の層状ペロブスカイト型等の広
義にペロブスカイト型を有する酸化物が例示される。ま
た希土類元素も広義の定義とし、Sc、ＹおよびLa系を含
むものとする。代表的な系としてＹ−Ba−Cu−Ｏ系のほ
かに、ＹをEu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等の希土類で置
換した系、Sc−Ba−Cu−Ｏ系、Sr−La−Cu−Ｏ系、さら
にはSrをBa、Caで置換した系等が挙げられる。
本発明に用いる耐酸化性金属は、耐酸化性に優れると
ともに高融点であることが好ましく、このような金属と
しては、Au（金）、Au−Pt（金−白金）合金、Au−Si
（金−ケイ素）合金、Ag（銀）、Ag−Pd（銀−パラジウ
ム）合金、Pt、Ag−Pt（銀−白金）合金等が例示され
る。
ともに高融点であることが好ましく、このような金属と
しては、Au（金）、Au−Pt（金−白金）合金、Au−Si
（金−ケイ素）合金、Ag（銀）、Ag−Pd（銀−パラジウ
ム）合金、Pt、Ag−Pt（銀−白金）合金等が例示され
る。
また、本発明に用いる電気絶縁物は、基本的に製造時
の高温熱処理温度より融点の高い非導電性酸化物であれ
ばよい。
の高温熱処理温度より融点の高い非導電性酸化物であれ
ばよい。
本発明の酸化物超電導素子は、真空蒸着法、マグネト
ロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、クラスタイ
オンビーム法、分子線エピタキシ法等の物理蒸着法や、
CVD、プラズマCVD等の化学気相蒸着法により、たとえば
トンネル接合型のジョセフソン素子の場合は、基板上に
酸化物超電導体層、耐酸化性金属層、トンネルバリア
層、耐酸化性金属層および酸化物超電導体層を順次積層
することにより、得ることができる。
ロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、クラスタイ
オンビーム法、分子線エピタキシ法等の物理蒸着法や、
CVD、プラズマCVD等の化学気相蒸着法により、たとえば
トンネル接合型のジョセフソン素子の場合は、基板上に
酸化物超電導体層、耐酸化性金属層、トンネルバリア
層、耐酸化性金属層および酸化物超電導体層を順次積層
することにより、得ることができる。
このときの各層の厚さは、酸化物超電導体層は超電導
特性を示す厚さ、すなわち概ね12Å以上とすることが好
ましい。また、トンネルバリア層となる非導電性酸化物
の厚さは、トンネル効果を阻害しない厚さ、すなわち５
〜30Åの範囲とする。さらに、各耐酸化性金属層の厚さ
はトンネル効果を阻害せずかつ酸化物超電導体と電気絶
縁物との反応を防止することができる厚さ、すなわち２
〜15Åであることが好ましい。
特性を示す厚さ、すなわち概ね12Å以上とすることが好
ましい。また、トンネルバリア層となる非導電性酸化物
の厚さは、トンネル効果を阻害しない厚さ、すなわち５
〜30Åの範囲とする。さらに、各耐酸化性金属層の厚さ
はトンネル効果を阻害せずかつ酸化物超電導体と電気絶
縁物との反応を防止することができる厚さ、すなわち２
〜15Åであることが好ましい。
なお、このとき用いる酸化物超電導体の原料として
は、Y2O3、CuO等の酸化物や炭酸塩、硝酸塩、水酸化物
等の化合物、あるいは共沈法等で得たシュウ酸塩等の原
料粉末を製造条件等に応じて所望の割合いで混合し、仮
焼、粉砕して所望の形状にした後、850〜980℃程度で焼
成して得たバルクや、上述の原料の溶融液、あるいは酸
化物超電導体を構成する元素の各単金属の溶融液等を用
いることができる。
は、Y2O3、CuO等の酸化物や炭酸塩、硝酸塩、水酸化物
等の化合物、あるいは共沈法等で得たシュウ酸塩等の原
料粉末を製造条件等に応じて所望の割合いで混合し、仮
焼、粉砕して所望の形状にした後、850〜980℃程度で焼
成して得たバルクや、上述の原料の溶融液、あるいは酸
化物超電導体を構成する元素の各単金属の溶融液等を用
いることができる。
本発明の酸化物超電導素子は、各物質層を形成した
後、必要に応じて酸素含有雰囲気中400〜900℃で熱処理
し、酸化物超電導体の酸素空席に酸素を導入して超電導
特性を向上させる。
後、必要に応じて酸素含有雰囲気中400〜900℃で熱処理
し、酸化物超電導体の酸素空席に酸素を導入して超電導
特性を向上させる。
このようにして得られた酸化物超電導素子を構成する
酸化物超電導体は、酸素欠陥δを有する酸素欠陥型ペロ
ブスカイト構造（LnBa2 Cu3 O７−δ（δは通常１以
下））となる。なお、BaをSr、Caの少なくとも１種で置
換することもでき、さらにCuの一部をTi、Ｖ、Cr、Mn、
Fe、Co、Ni、Zn等で置換することもできる。この置換量
は、超電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定可
能であるが、あまりに多量の置換は超電導特性を低下さ
せてしまうので30mol％以下、さらに実用上は20mol％以
下程度までとする。
酸化物超電導体は、酸素欠陥δを有する酸素欠陥型ペロ
ブスカイト構造（LnBa2 Cu3 O７−δ（δは通常１以
下））となる。なお、BaをSr、Caの少なくとも１種で置
換することもでき、さらにCuの一部をTi、Ｖ、Cr、Mn、
Fe、Co、Ni、Zn等で置換することもできる。この置換量
は、超電導特性を低下させない程度の範囲で適宜設定可
能であるが、あまりに多量の置換は超電導特性を低下さ
せてしまうので30mol％以下、さらに実用上は20mol％以
下程度までとする。
また、同様にして超電導３端子素子や高感度磁気セン
サ等を得ることもできる。
サ等を得ることもできる。
（作 用） 本発明の酸化物超電導素子は、トンネルバリア層と酸
化物超電導体層との間に耐酸化性金属を設けているた
め、酸化物超電導体層形成時の高温熱処理、あるいは酸
素導入時の高温熱処理による電気絶縁物と酸化物超電導
体との反応が防止され、超電導特性の低下が抑止され
る。また、耐酸化性金属と酸化物超電導体との反応によ
る超電導特性の低下もないため、トンネル効果を利用し
た酸化物超電導素子を得ることができる。
化物超電導体層との間に耐酸化性金属を設けているた
め、酸化物超電導体層形成時の高温熱処理、あるいは酸
素導入時の高温熱処理による電気絶縁物と酸化物超電導
体との反応が防止され、超電導特性の低下が抑止され
る。また、耐酸化性金属と酸化物超電導体との反応によ
る超電導特性の低下もないため、トンネル効果を利用し
た酸化物超電導素子を得ることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１ まず、Y2O3粉末16.7mol％、BaCO3粉末33.5mol％、CuO
粉末50.1mol％を用い、例えばジルコニアボールととも
にモノポットに入れて湿式粉砕を行った後、脱水乾燥を
施し、加熱処理して仮焼（850℃〜900℃、24h）、更に
再度モノポットに入れて湿式粉砕を行い、脱水乾燥を施
し粒径〜１μｍの粉末（超電導体）を得る。粉砕混合は
上記例に限定されるものではなく、通常の方法を用いる
ことができる。
粉末50.1mol％を用い、例えばジルコニアボールととも
にモノポットに入れて湿式粉砕を行った後、脱水乾燥を
施し、加熱処理して仮焼（850℃〜900℃、24h）、更に
再度モノポットに入れて湿式粉砕を行い、脱水乾燥を施
し粒径〜１μｍの粉末（超電導体）を得る。粉砕混合は
上記例に限定されるものではなく、通常の方法を用いる
ことができる。
次いで、前記原料粉末にポリビニルアルコールを加え
て造粒して造粒物を調整した。つづいて、前記各造粒物
を金型に充填し、1000kg/cm2の圧力下で加圧し、直径15
4mm、厚さ6.5mmの円盤状に金型成形した。
て造粒して造粒物を調整した。つづいて、前記各造粒物
を金型に充填し、1000kg/cm2の圧力下で加圧し、直径15
4mm、厚さ6.5mmの円盤状に金型成形した。
次いで、成形物を酸素含有雰囲気中940℃で70時間焼
成して、Ｙ1.0Ba2.0Cu3.05Ｏ6.8で表される酸化物超電
導体からなる焼結密度が98％であるターゲット材料を得
た。
成して、Ｙ1.0Ba2.0Cu3.05Ｏ6.8で表される酸化物超電
導体からなる焼結密度が98％であるターゲット材料を得
た。
このターゲット材料と、反応ガスとして95mol％のア
ルゴンと5mol％の酸素からなる混合気体と、SrTiO3から
なる10×10×1mmの基板とを用い、基板温度700℃、反応
圧7Paで基板上に高周波マグネトロンスパッタにより厚
さ1.0μｍの酸化物超電導体層を形成した。
ルゴンと5mol％の酸素からなる混合気体と、SrTiO3から
なる10×10×1mmの基板とを用い、基板温度700℃、反応
圧7Paで基板上に高周波マグネトロンスパッタにより厚
さ1.0μｍの酸化物超電導体層を形成した。
また、同様にして、ターゲット材料としてAuおよびAl
2O3をそれぞれ用いて、酸化物超電導体層上に厚さ５Å
のAu層、厚さ10ÅのAl2O3層、および厚さ５ÅのAu層を
順次積層した後、Au層上に再び厚さ1000Åの酸化物超電
導体層を作成した。
2O3をそれぞれ用いて、酸化物超電導体層上に厚さ５Å
のAu層、厚さ10ÅのAl2O3層、および厚さ５ÅのAu層を
順次積層した後、Au層上に再び厚さ1000Åの酸化物超電
導体層を作成した。
しかる後、酸素含有雰囲気中900℃で１時間熱処理し
て、酸化物超電導体の酸素空席に酸素を導入して、トン
ネル接合型の酸化物超電導素子を得た。
て、酸化物超電導体の酸素空席に酸素を導入して、トン
ネル接合型の酸化物超電導素子を得た。
図面はこの素子の横断面を示すもので、同図において
酸化物超電導素子１は、酸化物超電導体層２、Au層３、
Al2O3層、Au層５および酸化物超電導体層６が順次積層
されて、構成されている。
酸化物超電導素子１は、酸化物超電導体層２、Au層３、
Al2O3層、Au層５および酸化物超電導体層６が順次積層
されて、構成されている。
このようにして得られた酸化物超電導素子の臨界温度
は90Kであり、臨界電流密度1.5×105A/cm2で、77Kにお
けるトンネル効果により電気絶縁物の薄層を通じて電流
が流れることが確認された。
は90Kであり、臨界電流密度1.5×105A/cm2で、77Kにお
けるトンネル効果により電気絶縁物の薄層を通じて電流
が流れることが確認された。
実施例２〜実施例５ 酸化物超電導体、耐酸化性金属および電気絶縁物の組
成を変えた以外は実施例１と同様にして、計５種類の酸
化物超電導素子を得た。
成を変えた以外は実施例１と同様にして、計５種類の酸
化物超電導素子を得た。
これらの酸化物超電導素子の動作の有無を確認したと
ころ、いずれの素子も動作することが確認された。
ころ、いずれの素子も動作することが確認された。
なお、実施例１ないし実施例５で得た酸化物超電導素
子を構成する酸化物超電導体の系、耐酸化性金属層およ
び電気絶縁物層の組成、各素子の臨界温度および臨界電
流の一覧を、第１表に示す。
子を構成する酸化物超電導体の系、耐酸化性金属層およ
び電気絶縁物層の組成、各素子の臨界温度および臨界電
流の一覧を、第１表に示す。
比較例１ 実施例１の比較例として、耐酸化性金属層を設けなか
った以外は実施例１と同様にして酸化物超電導素子を得
たところ、素子は動作しなかった。
った以外は実施例１と同様にして酸化物超電導素子を得
たところ、素子は動作しなかった。
比較例２および比較例３ 実施例２および実施例３の比較例として、耐酸化性金
属層を設けなかった以外は実施例２および実施例３と同
様にして酸化物超電導素子を得たところ、いずれの素子
も動作したかった。
属層を設けなかった以外は実施例２および実施例３と同
様にして酸化物超電導素子を得たところ、いずれの素子
も動作したかった。
なお、比較例１ないし比較例５で得た酸化物超電導素
子を構成する酸化物超電導体の系、電気絶縁物層の組
成、各素子の臨界温度および動作の有無を、第１表に併
記する。
子を構成する酸化物超電導体の系、電気絶縁物層の組
成、各素子の臨界温度および動作の有無を、第１表に併
記する。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の酸化物超電導素子は、
臨界温度の高い酸化物超電導体を用い、トンネル効果に
より電気絶縁物の薄層を通じて酸化物超電導体間に電圧
を発生させずに電流を流すことができる。
臨界温度の高い酸化物超電導体を用い、トンネル効果に
より電気絶縁物の薄層を通じて酸化物超電導体間に電圧
を発生させずに電流を流すことができる。
したがって、本発明の酸化物超電導素子を用いること
により、超高速動作で低消費電力のIC、トランジスタ、
高感度磁気センサ等を製造することが可能となる。さら
に、本発明の酸化物超電導素子をトンネル接合型の素子
とした場合には、耐酸化性金属層を通じて制御電流を印
加することができるため、酸化物超電導素子の制御を容
易に行うことができる。
により、超高速動作で低消費電力のIC、トランジスタ、
高感度磁気センサ等を製造することが可能となる。さら
に、本発明の酸化物超電導素子をトンネル接合型の素子
とした場合には、耐酸化性金属層を通じて制御電流を印
加することができるため、酸化物超電導素子の制御を容
易に行うことができる。
図は実施例で得たトンネル接合型の酸化物超電導素子の
横断面図である。 １……酸化物超電導素子 ２、６……酸化物超電導体層 ３、５……銀層 ４……Al2O3層
横断面図である。 １……酸化物超電導素子 ２、６……酸化物超電導体層 ３、５……銀層 ４……Al2O3層
Claims (5)
- 【請求項１】超電導体層の間に電気絶縁物の薄層を介在
させて、トンネル効果により前記電気絶縁物の薄層を通
じて前記超電導体層間に電圧を発生させずに電流を流す
超電導素子において、 超電導体として酸化物超電導体を用い、電気絶縁物とし
て厚さ５〜30Åの非導電性酸化物を用いるとともに、前
記非導電性酸化物の酸化物超電導体と接する面に、厚さ
２〜15Åの耐酸化性金属層を設けてなることを特徴とす
る酸化物超電導素子。 - 【請求項２】超電導体層の間に電気絶縁物の薄層を介在
させて、トンネル効果により前記電気絶縁物の薄層を通
じて前記超電導体層間に電圧を発生させずに電流を流す
超電導素子において、 超電導体として酸化物超電導体を用い、電気絶縁物とし
て厚さ５〜30Åの非導電性酸化物を用いるとともに、前
記非導電性酸化物の酸化物超電導体と接する面に、Au−
Pt合金、Au−Si合金、Ag−Pd合金、PtまたはAg−Pt合金
からなる耐酸化性金属層を設けてなることを特徴とする
酸化物超電導素子。 - 【請求項３】酸化物超電導体は、希土類元素を含有する
ペロブスカイト型の酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の酸化物超
電導素子。 - 【請求項４】酸化物超電導体は、Ln元素（Lnは、希土類
元素から選ばれた少なくとも１種の元素）、BaおよびCu
を原子比で実質的に1:2:3の割合で含有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１
項記載の酸化物超電導素子。 - 【請求項５】酸化物超電導体は、LnBa2 Cu3 O
７−δ（δは酸素欠陥を表わす）で表わされる酸素欠陥
型ペロブスカイト構造を有することを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の酸化物超電導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321721A JP2653448B2 (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 酸化物超電導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321721A JP2653448B2 (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 酸化物超電導素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162384A JPH01162384A (ja) | 1989-06-26 |
| JP2653448B2 true JP2653448B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=18135699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62321721A Expired - Lifetime JP2653448B2 (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 酸化物超電導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653448B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528052A (en) * | 1992-07-20 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Superconductive-channel electric field-effect drive |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103390A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合型ジヨセフソン素子及びその製法 |
| JPS62172772A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導素子の製造方法 |
| JPS63299281A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Toshiba Corp | 超伝導素子 |
-
1987
- 1987-12-19 JP JP62321721A patent/JP2653448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１３），２８ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７，ＰＰ．１０２７−１０２９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01162384A (ja) | 1989-06-26 |
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