JP2642193B2 - マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法 - Google Patents
マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法Info
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- JP2642193B2 JP2642193B2 JP1140215A JP14021589A JP2642193B2 JP 2642193 B2 JP2642193 B2 JP 2642193B2 JP 1140215 A JP1140215 A JP 1140215A JP 14021589 A JP14021589 A JP 14021589A JP 2642193 B2 JP2642193 B2 JP 2642193B2
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、マイクロドット蛍光行列スクリーンのアド
レス方法及びこの方法の形成装置に関する。勿論、本発
明は動画或は静止画像を表示することができる表示器に
応用できる。
レス方法及びこの方法の形成装置に関する。勿論、本発
明は動画或は静止画像を表示することができる表示器に
応用できる。
「従来技術」 マイクロドット蛍光スクリーンは、公知であり、特
に、国際会議「日本表示器86」の報告紙512頁に記載さ
れている。主な公知の特徴を以下に説明する。
に、国際会議「日本表示器86」の報告紙512頁に記載さ
れている。主な公知の特徴を以下に説明する。
第１図に概略的斜視図で示されたスクリーンは、透明
或は非透明下部支持体１上で金属製のマイクロドット６
を支持する複数の導電性陰極列（カラム）３が配列され
た真空セルを持っている。これら陰極列の上部には、複
数の穴明き導体ロウ（グリッド）４が交差している。ロ
ウ及び陰極列の交差点に位置する全マイクロドットに
は、ロウの穴に対面するピークが必須的に形成されてい
る。これらロウ及び陰極列は、マイクロドットの部分に
穴が形成された例えばシリカの絶縁層５で分離されてい
る。これらグリッド（ゲート）上には蛍光剤層７が対面
し、この蛍光剤層７は、透明上部支持体２に形成された
透明電極（陽極）層８に堆積されている。
或は非透明下部支持体１上で金属製のマイクロドット６
を支持する複数の導電性陰極列（カラム）３が配列され
た真空セルを持っている。これら陰極列の上部には、複
数の穴明き導体ロウ（グリッド）４が交差している。ロ
ウ及び陰極列の交差点に位置する全マイクロドットに
は、ロウの穴に対面するピークが必須的に形成されてい
る。これらロウ及び陰極列は、マイクロドットの部分に
穴が形成された例えばシリカの絶縁層５で分離されてい
る。これらグリッド（ゲート）上には蛍光剤層７が対面
し、この蛍光剤層７は、透明上部支持体２に形成された
透明電極（陽極）層８に堆積されている。
例えば、蛍光剤が硫化亜鉛であり、支持体が例えばガ
ラスである。ゲート及び陰極列の各交点はピクセル（画
素）に対応している。グリッド及び陰極列に印加される
最適な電位のために、数千のマイクロドットがグリッド
及び陰極列の放射電子の交点に位置し、グリッドに印加
された電位と等しい或はより高い電位が陽極に印加され
た時に、蛍光剤を励起して、照光している。
ラスである。ゲート及び陰極列の各交点はピクセル（画
素）に対応している。グリッド及び陰極列に印加される
最適な電位のために、数千のマイクロドットがグリッド
及び陰極列の放射電子の交点に位置し、グリッドに印加
された電位と等しい或はより高い電位が陽極に印加され
た時に、蛍光剤を励起して、照光している。
第２図は、陰極列及びグリッド間の電位差Vgcの関数
として陽極を通過する電子束に対応する電流Ｉの代表的
発光曲線を示している。この実施例では、マイクロドッ
トの密度が104個/mm2であり、グリッドの穴径が1.4ミク
ロンである。例えば、Vgc＝Vmin＝40ボルト以下の電位
差では、放射電流が殆どゼロであり、スクリーンが真っ
暗である。この最小値Vminから、放射電流が非直線的に
増加して、例えばVgc＝Vop＝80ボルトで1mA/mm2に到達
して、高輝度のスクリーンが最適に得られる。
として陽極を通過する電子束に対応する電流Ｉの代表的
発光曲線を示している。この実施例では、マイクロドッ
トの密度が104個/mm2であり、グリッドの穴径が1.4ミク
ロンである。例えば、Vgc＝Vmin＝40ボルト以下の電位
差では、放射電流が殆どゼロであり、スクリーンが真っ
暗である。この最小値Vminから、放射電流が非直線的に
増加して、例えばVgc＝Vop＝80ボルトで1mA/mm2に到達
して、高輝度のスクリーンが最適に得られる。
Vgc≦40ボルトの電位差で得られる寄生輝度は、スク
リーンのロウ数の関数である。この寄生輝度がビデオス
クリーンにとって無視できる。
リーンのロウ数の関数である。この寄生輝度がビデオス
クリーンにとって無視できる。
所定の電圧Vgcで各隔離マイクロドット毎に放出され
る電流値は、図案即ちグリッド及びドット間の距離、ド
ットを構成する金属の種類、金属の種類に依存した電子
の放出エネルギ、ドットの形状及びその表面状態に依存
している。
る電流値は、図案即ちグリッド及びドット間の距離、ド
ットを構成する金属の種類、金属の種類に依存した電子
の放出エネルギ、ドットの形状及びその表面状態に依存
している。
従来のスクリーンは、ピクセル毎に数千のマイクロド
ットを持っている。これは、ドットずつの放出変動を平
均化できる。しかし、これらパラメータ値の不均質性が
スクリーン輝度の変動の原因となる。
ットを持っている。これは、ドットずつの放出変動を平
均化できる。しかし、これらパラメータ値の不均質性が
スクリーン輝度の変動の原因となる。
このようなスクリーンにとっては、表示がマトリック
ス即ち行列の形態で、複数の行がグリッドで形成され、
複数の列が陰極で形成される。これらロウは選択された
時間Ｔ毎に電位Vg＞０に順次上昇させられ、陰極列は、
表示されるべき情報に対応する電位に上昇させられる。
次の第１表は、ロウ及び陰極列に印加される電位及びこ
れらロウ及び陰極列の交点に対応するピクセルの状態の
実施例を示し、陽極がVg或はVg以上の電位に上昇させら
れている。ここで得られた値は、後述するスクリーンの
特性に対応している。
ス即ち行列の形態で、複数の行がグリッドで形成され、
複数の列が陰極で形成される。これらロウは選択された
時間Ｔ毎に電位Vg＞０に順次上昇させられ、陰極列は、
表示されるべき情報に対応する電位に上昇させられる。
次の第１表は、ロウ及び陰極列に印加される電位及びこ
れらロウ及び陰極列の交点に対応するピクセルの状態の
実施例を示し、陽極がVg或はVg以上の電位に上昇させら
れている。ここで得られた値は、後述するスクリーンの
特性に対応している。
第１表 ロウ 陰極列 ピクセル Vg＝40V Vc＝0V （Vg−Vc＝40V）消光 （選択線） Vc＝−40V （Vg−Vc＝80V）照光 Vg−0V Vc＝0V （Vg−Vc＝0V）消光 （非選択線） Vc＝−40V （Vg−Vc＝40V）消光 この実施例を以下に説明する。マイクロドットによる
電子の放射は、必須的にグリッド及び陰極列に印加され
る電位差に依存する。陰極に印加される電位は全体が一
定にされる。
電子の放射は、必須的にグリッド及び陰極列に印加され
る電位差に依存する。陰極に印加される電位は全体が一
定にされる。
非選択ロウ毎には、グリッド電位Vgがゼロボルトにな
り、一方目的の陰極列毎の陰極電位Vcが0V或は−40Vに
なる。従って、電位差Vgc＝Vg−Vcが40V或は40V以下に
なり、即ち第２図の放射閾値Vmin或はそれ以下になる。
り、一方目的の陰極列毎の陰極電位Vcが0V或は−40Vに
なる。従って、電位差Vgc＝Vg−Vcが40V或は40V以下に
なり、即ち第２図の放射閾値Vmin或はそれ以下になる。
選択ロウ毎には、グリッド電位Vgが40Vになる。目的
の陰極列毎の陰極電位Vcは、0Vの場合に電位差Vgcが40V
即ちVgc＝Vminになり、電子を放射せず、或は−40Vの場
合に電位差Vgcが80V即ちVgc＝Vopとなって、高出力の電
子を放射する。
の陰極列毎の陰極電位Vcは、0Vの場合に電位差Vgcが40V
即ちVgc＝Vminになり、電子を放射せず、或は−40Vの場
合に電位差Vgcが80V即ちVgc＝Vopとなって、高出力の電
子を放射する。
マイクロドットによる電子の放射は、必須的に、所定
組のグリッド−陰極列毎に、電位差Vgcが約Vopである時
間或は期間中に実行される。
組のグリッド−陰極列毎に、電位差Vgcが約Vopである時
間或は期間中に実行される。
「発明が解決しようとする課題」 しかし、従来のスクリーンの構造には、相当の不均質
性が存在していた。第３図は、電位差Vgcの関数とし
て、マイクロドットによる電子の放射に対応する、陽極
を通過する電流応答変動の実施例を示している。２つの
曲線は、スクリーンの２つの別々のピクセルＡ及びＢ毎
に示され、これらが同一の特性を持っていない。同じ電
位差Vop＝80Vでは、ピクセルＡが非常に輝き、ピクセル
Ｂが余り輝かない。これは、従来のマイクロドット蛍光
スクリーンの主要な欠点であり、本発明によって改善さ
れるべきものである。
性が存在していた。第３図は、電位差Vgcの関数とし
て、マイクロドットによる電子の放射に対応する、陽極
を通過する電流応答変動の実施例を示している。２つの
曲線は、スクリーンの２つの別々のピクセルＡ及びＢ毎
に示され、これらが同一の特性を持っていない。同じ電
位差Vop＝80Vでは、ピクセルＡが非常に輝き、ピクセル
Ｂが余り輝かない。これは、従来のマイクロドット蛍光
スクリーンの主要な欠点であり、本発明によって改善さ
れるべきものである。
「課題を解決するための手段」 本発明によれば、スクリーンの構造が不均等性である
にも拘わらず、スクリーンの全照光ピクセルの輝度が同
一である。この目的のために、照光ピクセルに対応する
マイクロドットで放射された電荷の合計量が等しく出力
される。
にも拘わらず、スクリーンの全照光ピクセルの輝度が同
一である。この目的のために、照光ピクセルに対応する
マイクロドットで放射された電荷の合計量が等しく出力
される。
特に、本発明は、照光状態或は消光状態に移行できる
複数のピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピクセ
ルの輝度が選択した時に均一化できるビデオ画像の表示
用マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法で
あって、そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、下
部支持体１上に行列の２方向で配置されている金属製マ
イクロドット６を支持する導体カラム３（陰極導体）お
よびそのカラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を有
し、前記ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応
し、各マイクロドット６のピークが前記ロウの各穴と本
質的に対面し、これらロウ及びカラムが各マイクロドッ
トと通過を可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶
縁されていて、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層
は透明導体層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支
持体２に載せられていて、選択時間Ｔ間に各グリッド導
体ロウｉを順次アドレスすることによって、前記ロウｉ
の前記選択時間Ｔの間に、対応するグリッド導体ロウｉ
を一定の電位Vgまで上昇させることによって、画像のフ
レームを表示するものにおいて、 （ア）マイクロドットによる有意の電子放射を確保しな
がら、照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する
全陰極導体（カラム）が、時間t1の間に、電位差Vg−Vc
がピクセルの照光に最適となるように、電位Vcに上昇さ
せられ、 （イ）前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成
された要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピク
セルの陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、
陰極導体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎
に前記スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度
の前記選択値に対応するレベルに到達するまで、放電さ
れ、 （ウ）その放電に要する時間t2の後、各照光されたピク
セル毎に、前記状態が満足した時、時間t3の間に、陰極
導体電位Vcをピクセルが消光する値に上昇させることに
よって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度実行され、 前記時間t1＋t2＋t3の合計が前記選択時間Ｔに等しく、
t1はすべてのピクセルに対して同一であり、t2およびt3
がピクセルの電流−電圧特性に依存するものであること
を特徴とするビデオ画像表示用マイクロドット蛍光行列
スクリーンのアドレス方法である。
複数のピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピクセ
ルの輝度が選択した時に均一化できるビデオ画像の表示
用マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法で
あって、そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、下
部支持体１上に行列の２方向で配置されている金属製マ
イクロドット６を支持する導体カラム３（陰極導体）お
よびそのカラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を有
し、前記ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応
し、各マイクロドット６のピークが前記ロウの各穴と本
質的に対面し、これらロウ及びカラムが各マイクロドッ
トと通過を可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶
縁されていて、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層
は透明導体層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支
持体２に載せられていて、選択時間Ｔ間に各グリッド導
体ロウｉを順次アドレスすることによって、前記ロウｉ
の前記選択時間Ｔの間に、対応するグリッド導体ロウｉ
を一定の電位Vgまで上昇させることによって、画像のフ
レームを表示するものにおいて、 （ア）マイクロドットによる有意の電子放射を確保しな
がら、照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する
全陰極導体（カラム）が、時間t1の間に、電位差Vg−Vc
がピクセルの照光に最適となるように、電位Vcに上昇さ
せられ、 （イ）前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成
された要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピク
セルの陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、
陰極導体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎
に前記スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度
の前記選択値に対応するレベルに到達するまで、放電さ
れ、 （ウ）その放電に要する時間t2の後、各照光されたピク
セル毎に、前記状態が満足した時、時間t3の間に、陰極
導体電位Vcをピクセルが消光する値に上昇させることに
よって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度実行され、 前記時間t1＋t2＋t3の合計が前記選択時間Ｔに等しく、
t1はすべてのピクセルに対して同一であり、t2およびt3
がピクセルの電流−電圧特性に依存するものであること
を特徴とするビデオ画像表示用マイクロドット蛍光行列
スクリーンのアドレス方法である。
また、他の発明は、照光状態或は消光状態に移行でき
る複数のピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピク
セルの輝度が選択した値に均一化できるビデオ画像の表
示用マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方式
であって、そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、
下部支持体１上に行列の２方向で配置されている金属製
マイクロドット６を支持する導体カラム３（陰極導体）
およびそのカラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を
有し、前記ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応
し、各マイクロドット６のピークが前記ロウの各穴と本
質的に対面し、これらロウ及びカラムが各マイクロドッ
トと通過を可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶
縁されていて、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層
は透明導体層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支
持体２に載せられていて、選択時間Ｔ内に照光されるべ
きロウのピクセルを照光するためのアドレスの間にロウ
の全ピクセルのデータ信号によって同時にアドレスがな
され、そこでは、前記選択時間Ｔの間に対応するグリッ
ド導体を一定の電位Vgまで上昇させることによってロウ
ｉのアドレスがなされ、 マイクロドットによる有意の電子放射を確保しなが
ら、照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する全
陰極導体（カラム）が、電位差Vg−Vcがピクセルの照光
に最適となるように、電位Vcに上昇させられ、 前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成された
要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピクセルの
陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、陰極導
体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎に前記
スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度の前記
選択値に対応するレベルに到達するまで、放電され、 各照光されたピクセル毎に、前記状態が満足した時
に、陰極導体電位Vcをピクセルを消光させる値に上昇さ
せることによって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度
実行される方法を実行するための装置において、 各導体３に対する制御段が、それぞれ、 （ア） 外部供給源12によって電位V1に上昇される第１
入力E1、電位Vcを供給する出力Ｓとを持ち、３状態のい
ずれかひとつを呈する３ステート回路10と、ここで、Vc
はロウの前記選択時間Ｔ中に３ステート回路10の状態に
依存した値を再発的方法でとり、各ロウの前記選択時間
Ｔで開始される第１の時間t1に対して、３ステート回路
10が状態１になり、Vcが電位差Vg−V1がピクセルを照光
することに最適となるように電位V1に上昇させられ、各
ピクセルに依存した第２の時間t2中に、前記回路10が高
インピーダンスの状態２で、Vcが、照光されるピクセル
に対して選択された輝度値を得るように決定された電位
Vdまで、V1から自然に略線形に変化させられ、Ｔ−（t1
＋t2）に対応する第３の時間t3中に、その回路が第３の
状態で、Vcが電位V2に上昇させられて、回路10が状態１
に戻るまで電位V2に維持させられ、 （イ） 前記３ステート回路10の状態のあるものから他
のものへの遷移を制御するための信号を供給する状態回
路16と、これらの信号が３ステート回路10の入力Em1及
びEm2に各々接続された出力Sm1及びSm2によって供給さ
れ、この状態回路16がまた持続時間t1で周期Ｔの周期信
号S1を供給する共通供給源22に接続された入力E6を有
し、 （ウ） 前記３ステート回路10の出力Ｓに接続された入
力E8と、電位V3＞Vdを供給する供給源26の出力に接続さ
れたE9と、電位V4≦Vdを供給する供給源28の出力に接続
されたS10とを有する比較回路24と、V4がスクリーン輝
度の選択値に応じて決定されて、前記比較回路24が出力
Scで状態回路16の入力E7に制御信号を供給し、前記出力
Scでの前記制御信号の大きさが入力E8での信号の大きさ
が前記基準電位Vdより大きいか小さいかに依るものであ
る を具備することを特徴とするマイクロドット蛍光行列ス
クリーンのアドレス形成装置である。
る複数のピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピク
セルの輝度が選択した値に均一化できるビデオ画像の表
示用マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方式
であって、そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、
下部支持体１上に行列の２方向で配置されている金属製
マイクロドット６を支持する導体カラム３（陰極導体）
およびそのカラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を
有し、前記ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応
し、各マイクロドット６のピークが前記ロウの各穴と本
質的に対面し、これらロウ及びカラムが各マイクロドッ
トと通過を可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶
縁されていて、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層
は透明導体層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支
持体２に載せられていて、選択時間Ｔ内に照光されるべ
きロウのピクセルを照光するためのアドレスの間にロウ
の全ピクセルのデータ信号によって同時にアドレスがな
され、そこでは、前記選択時間Ｔの間に対応するグリッ
ド導体を一定の電位Vgまで上昇させることによってロウ
ｉのアドレスがなされ、 マイクロドットによる有意の電子放射を確保しなが
ら、照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する全
陰極導体（カラム）が、電位差Vg−Vcがピクセルの照光
に最適となるように、電位Vcに上昇させられ、 前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成された
要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピクセルの
陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、陰極導
体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎に前記
スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度の前記
選択値に対応するレベルに到達するまで、放電され、 各照光されたピクセル毎に、前記状態が満足した時
に、陰極導体電位Vcをピクセルを消光させる値に上昇さ
せることによって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度
実行される方法を実行するための装置において、 各導体３に対する制御段が、それぞれ、 （ア） 外部供給源12によって電位V1に上昇される第１
入力E1、電位Vcを供給する出力Ｓとを持ち、３状態のい
ずれかひとつを呈する３ステート回路10と、ここで、Vc
はロウの前記選択時間Ｔ中に３ステート回路10の状態に
依存した値を再発的方法でとり、各ロウの前記選択時間
Ｔで開始される第１の時間t1に対して、３ステート回路
10が状態１になり、Vcが電位差Vg−V1がピクセルを照光
することに最適となるように電位V1に上昇させられ、各
ピクセルに依存した第２の時間t2中に、前記回路10が高
インピーダンスの状態２で、Vcが、照光されるピクセル
に対して選択された輝度値を得るように決定された電位
Vdまで、V1から自然に略線形に変化させられ、Ｔ−（t1
＋t2）に対応する第３の時間t3中に、その回路が第３の
状態で、Vcが電位V2に上昇させられて、回路10が状態１
に戻るまで電位V2に維持させられ、 （イ） 前記３ステート回路10の状態のあるものから他
のものへの遷移を制御するための信号を供給する状態回
路16と、これらの信号が３ステート回路10の入力Em1及
びEm2に各々接続された出力Sm1及びSm2によって供給さ
れ、この状態回路16がまた持続時間t1で周期Ｔの周期信
号S1を供給する共通供給源22に接続された入力E6を有
し、 （ウ） 前記３ステート回路10の出力Ｓに接続された入
力E8と、電位V3＞Vdを供給する供給源26の出力に接続さ
れたE9と、電位V4≦Vdを供給する供給源28の出力に接続
されたS10とを有する比較回路24と、V4がスクリーン輝
度の選択値に応じて決定されて、前記比較回路24が出力
Scで状態回路16の入力E7に制御信号を供給し、前記出力
Scでの前記制御信号の大きさが入力E8での信号の大きさ
が前記基準電位Vdより大きいか小さいかに依るものであ
る を具備することを特徴とするマイクロドット蛍光行列ス
クリーンのアドレス形成装置である。
また、他の発明は、前記３ステート回路10が、ドレイ
ンが相互接続された２つの電界効果型トランジスタT1及
びT2と、該３ステート回路10の出力ＳがトランジスタT1
及びT2のドレイン−ドレイン接続点に接続され、トラン
ジスタT1のソースが入力E1に接続され、トランジスタT2
のソースが入力E2に接続され、入力E1、E2、Em1、Em2、
前記トランジスタT1及びT2のゲート、並びに電位A1及び
A2を供給する２つの供給源に接続された変換段30と、該
変換段30が電位A1及びA2を電位V2及びV2−Vs2に変換
し、更に電位A1及びA2を電位V1及びV1＋Vs1に変換し、V
s1及びVs2がトランジスタT1及びT2の閾値電圧であるこ
とを特徴としている。
ンが相互接続された２つの電界効果型トランジスタT1及
びT2と、該３ステート回路10の出力ＳがトランジスタT1
及びT2のドレイン−ドレイン接続点に接続され、トラン
ジスタT1のソースが入力E1に接続され、トランジスタT2
のソースが入力E2に接続され、入力E1、E2、Em1、Em2、
前記トランジスタT1及びT2のゲート、並びに電位A1及び
A2を供給する２つの供給源に接続された変換段30と、該
変換段30が電位A1及びA2を電位V2及びV2−Vs2に変換
し、更に電位A1及びA2を電位V1及びV1＋Vs1に変換し、V
s1及びVs2がトランジスタT1及びT2の閾値電圧であるこ
とを特徴としている。
また、他の発明は、前記比較回路24が、抵抗性回路40
と、変換段42と、電界効果トランジスタT3とを備え、前
記抵抗性回路が電気電界効果トランジスタT3のドレイン
に接続され、前記電界効果トランジスタT3は、そのゲー
トが入力E8に接続され、そのソースが入力E10に接続さ
れ、前記ドレイン抵抗性回路40の前記接続が、出力Scに
接続された変換段42の入力に接続され、該変換段42がま
た電位A1及びA2をそれぞれ供給する２つの供給源に接続
されて、電位V3及びV4の電位A2及びA1への遷移を確保す
ることを特徴としている。
と、変換段42と、電界効果トランジスタT3とを備え、前
記抵抗性回路が電気電界効果トランジスタT3のドレイン
に接続され、前記電界効果トランジスタT3は、そのゲー
トが入力E8に接続され、そのソースが入力E10に接続さ
れ、前記ドレイン抵抗性回路40の前記接続が、出力Scに
接続された変換段42の入力に接続され、該変換段42がま
た電位A1及びA2をそれぞれ供給する２つの供給源に接続
されて、電位V3及びV4の電位A2及びA1への遷移を確保す
ることを特徴としている。
また、他の発明は、前記状態回路16が、シフト機能を
形成する手段17と、出力Sm1及びSm2上に状態信号を供給
するイネーブル機能を形成する手段19とを備えることを
特徴としている。
形成する手段17と、出力Sm1及びSm2上に状態信号を供給
するイネーブル機能を形成する手段19とを備えることを
特徴としている。
「実施例」 以下に添付図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第４図は、導体陰極列（カラム：図示略）の制御段階
を概略的に示している。この制御段階は、３ステート回
路10、状態回路次６及び比較回路24を備えている。これ
ら回路10,16,24に使用されて電位を供給する種々の供給
源12,14,18,20,22,26,28が設けられている。これら供給
源は全陰極列の制御段階に共通である。第５図を参照す
ると、３ステート回路10は、例えば２つの電界効果トラ
ンジスタT1及びT2と、変換段階30から構成される。
を概略的に示している。この制御段階は、３ステート回
路10、状態回路次６及び比較回路24を備えている。これ
ら回路10,16,24に使用されて電位を供給する種々の供給
源12,14,18,20,22,26,28が設けられている。これら供給
源は全陰極列の制御段階に共通である。第５図を参照す
ると、３ステート回路10は、例えば２つの電界効果トラ
ンジスタT1及びT2と、変換段階30から構成される。
トランジスタT1及びT2は、ドレインが相互接続されて
いる。この接続部は３ステート回路10の出力Ｓに接続さ
れている。出力Ｓは、制御段階に割り当てられた陰極列
の制御電位Vcを供給する。
いる。この接続部は３ステート回路10の出力Ｓに接続さ
れている。出力Ｓは、制御段階に割り当てられた陰極列
の制御電位Vcを供給する。
トランジスタT1のソースは、回路10の入力E1に接続さ
れ、トランジスタT2のソースが回路10の入力E2に接続さ
れている。トランジスタT1及びT2のゲートは、入力E1及
びE2及び３ステート回路10の入力Em1及びEm2に接続され
た変換段階30に接続されている。
れ、トランジスタT2のソースが回路10の入力E2に接続さ
れている。トランジスタT1及びT2のゲートは、入力E1及
びE2及び３ステート回路10の入力Em1及びEm2に接続され
た変換段階30に接続されている。
この変換段階30は、供給源18,20で供給された電位A1
及びA2を、電位V2及びV2−Vs2及び電位V1及びV1＋Vs1に
各々変換している。例えば、A1が０ボルトであり、A2が
５ボルトである。Vs1及びVs2は、トランジスタT1及びT2
の閾電位である。
及びA2を、電位V2及びV2−Vs2及び電位V1及びV1＋Vs1に
各々変換している。例えば、A1が０ボルトであり、A2が
５ボルトである。Vs1及びVs2は、トランジスタT1及びT2
の閾電位である。
電位Vcは、回路10の状態による種々の値に移行でき
る。
る。
状態１では、Vcが（陰極列３の抵抗値を経由してグリ
ッド４及び陰極列間の絶縁層５で形成された要素コンデ
ンサの充電に対応する変動）V2からV1に変化する。
ッド４及び陰極列間の絶縁層５で形成された要素コンデ
ンサの充電に対応する変動）V2からV1に変化する。
状態２では、VcがV1からVdに変化し、３ステート回路
10が高インピーダンス状態にあり、これに接続された陰
極列が隔離即ち絶縁され、要素コンデンサがその内部イ
ンピーダンスで疑似線形的に放電し、この放電時間定数
が非常に変化するので、Vcが値Vdに到達した時に回路10
が状態３に移行する。
10が高インピーダンス状態にあり、これに接続された陰
極列が隔離即ち絶縁され、要素コンデンサがその内部イ
ンピーダンスで疑似線形的に放電し、この放電時間定数
が非常に変化するので、Vcが値Vdに到達した時に回路10
が状態３に移行する。
状態３では、Vcは、（陰極列の抵抗による要素コンデ
ンサの放電によって）VdからV2に上昇し、回路10が状態
１に戻るまでこの値を維持している。
ンサの放電によって）VdからV2に上昇し、回路10が状態
１に戻るまでこの値を維持している。
入力E1及びE2に各々印加される電位V1及びV2は供給源
12,14によって各々供給される。V1の値が例えば−40ボ
ルトであり、V2の値が例えば０ボルトである。
12,14によって各々供給される。V1の値が例えば−40ボ
ルトであり、V2の値が例えば０ボルトである。
状態３から状態１への移行及び状態１から状態２への
通路即ち移行は、状態回路16において、全制御段階に共
通な供給源22によって状態回路16の入力E6に印加された
信号S1によって、入力Em1及びEm2を経由して制御され
る。信号S1は（グリッド選択時間）期間Ｔの存続期間t1
の方形波の電圧である。S1は、立上り部が状態３から状
態１への通路に対応し、立下り部が状態１から状態２へ
の通路に対応している。
通路即ち移行は、状態回路16において、全制御段階に共
通な供給源22によって状態回路16の入力E6に印加された
信号S1によって、入力Em1及びEm2を経由して制御され
る。信号S1は（グリッド選択時間）期間Ｔの存続期間t1
の方形波の電圧である。S1は、立上り部が状態３から状
態１への通路に対応し、立下り部が状態１から状態２へ
の通路に対応している。
信号S1は、ロウ同期クロック機能及び単安定回路を実
現した回路から通常の方法で得られる。状態３への通路
は、状態回路16において、比較回路24のScによる入力E7
に供給された好適信号で、入力Em1及びEm2を経由して制
御される。
現した回路から通常の方法で得られる。状態３への通路
は、状態回路16において、比較回路24のScによる入力E7
に供給された好適信号で、入力Em1及びEm2を経由して制
御される。
従って、出力Ｓが定期的にグリッド選択時間Ｔで供給
され、電位Vcが目的の制御段階に取付られた陰極列及び
選択されるべきグリッドの交点に対応するピクセルの照
光を許容している。この照光は、入力Esによって出力Ｓ
に接続されたスイッチ15によって有効にされる。
され、電位Vcが目的の制御段階に取付られた陰極列及び
選択されるべきグリッドの交点に対応するピクセルの照
光を許容している。この照光は、入力Esによって出力Ｓ
に接続されたスイッチ15によって有効にされる。
もし目的のピクセルが照光されるならば、スイッチ15
は、そのピクセルに接続された陰極列に接続された出力
Ssに電位Vcを供給し、もしそうでなければ、スイッチ15
は、電位V2を例えばその出力Ssに供給し、ピクセルが消
光する。このようなスイッチがこの型の装置において適
宜形成される。
は、そのピクセルに接続された陰極列に接続された出力
Ssに電位Vcを供給し、もしそうでなければ、スイッチ15
は、電位V2を例えばその出力Ssに供給し、ピクセルが消
光する。このようなスイッチがこの型の装置において適
宜形成される。
状態回路16は、シフト及びイネーブル機能を満足する
回路17及び19を持っている。出力Sm1は３ステート回路1
0の入力Em1に接続され、出力Sm2が３ステート回路10の
入力Em2に接続されている。状態回路は、入力E4及びE5
に各々接続された供給源18及び20によって電位A1及びA2
によって供給される。例えば、電位A1がゼロボルトであ
り、電位A2が例えば５ボルトである。
回路17及び19を持っている。出力Sm1は３ステート回路1
0の入力Em1に接続され、出力Sm2が３ステート回路10の
入力Em2に接続されている。状態回路は、入力E4及びE5
に各々接続された供給源18及び20によって電位A1及びA2
によって供給される。例えば、電位A1がゼロボルトであ
り、電位A2が例えば５ボルトである。
次の第２表は、入力E6及びE7に供給された電位から出
力Sm1及びSm2でシフト及びイネーブル機能を形成する状
態回路のロジック表である。
力Sm1及びSm2でシフト及びイネーブル機能を形成する状
態回路のロジック表である。
種々の電位値の0V及び5Vは情報の目的にのみ提供され
ている。
ている。
次の第３表は、状態回路と協働する３ステート回路10
のロジック表である。第３表は入力Em1及びEm2に印加さ
れた信号から回路10の出力Ｓで供給された信号を提供し
てる。
のロジック表である。第３表は入力Em1及びEm2に印加さ
れた信号から回路10の出力Ｓで供給された信号を提供し
てる。
第 ３ 表 Em1 Em2 Ｓ 0V 0V V2 5V 0V V1 0V 5V 高インピーダンス状態 5V 5V 高インピーダンス状態 他の実施例においては、状態回路は、第５図に示す回
路と同じ構造を持つ３ステート回路のトランジスタT
1を、信号S1を入力Em1に印加して制御され、３ステート
回路のトランジスタT2を、入力Em2に、比較回路に印加
された信号及び信号S1の論理的合同からの信号を印加し
て制御される。
路と同じ構造を持つ３ステート回路のトランジスタT
1を、信号S1を入力Em1に印加して制御され、３ステート
回路のトランジスタT2を、入力Em2に、比較回路に印加
された信号及び信号S1の論理的合同からの信号を印加し
て制御される。
第４表及び第５表は、この変化に対応した３ステート
回路及び関連の状態回路のロジック表である。
回路及び関連の状態回路のロジック表である。
第４表は、入力E6及びE7に供給された電位から状態回
路の出力Sm1及びSm2での電位を提供してる。
路の出力Sm1及びSm2での電位を提供してる。
第５表は、状態回路の入力Em1及びEm2に印加された電
位から３ステート回路の出力Ｓから供給された信号を提
供してる。
位から３ステート回路の出力Ｓから供給された信号を提
供してる。
第 ４ 表 E6 E7 Sm1: Sm2: 0V 0V 0V 5V 0V 5V 0V 0V 5V 0V 5V 0V 5V 5V 5V 0V 第 ５ 表 Em1 Em2 Ｓ 0V 0V 高インピーダンス 5V 0V V1 0V 5V V2 5V 5V V1 第６図は、抵抗性回路40、例えば電界効果トランジス
タT3及び変換段階42から構成される比較回路の実施例で
ある。トランジスタT3のゲートに接続された入力E8に印
加された電位Vcの値の関数として、回路はその出力Scで
電位A1或はA2を供給する。入力E8に印加された電位値の
関数としてScに印加された出力電位は、次の第６表に要
約されている。
タT3及び変換段階42から構成される比較回路の実施例で
ある。トランジスタT3のゲートに接続された入力E8に印
加された電位Vcの値の関数として、回路はその出力Scで
電位A1或はA2を供給する。入力E8に印加された電位値の
関数としてScに印加された出力電位は、次の第６表に要
約されている。
第 ６ 表 入力E8への印加電圧Vc 出力Scへの印加電位 Vc＞Vd 0V Vc＜Vd 5V トランジスタT3は、比較回路24の入力E10に接続され
る。入力E10は、供給源28を経由して電位４＝Vd−Vs3に
上昇される。Vs3は、トランジスタT3の閾値電位であ
る。供給源28は外部制御29の手段によって電位V4の値を
変化できる。Vs3が固定であるので、V4の変動がVdの変
動に相当する。Vdの値に作用することによって、所望の
スクリーン輝度を得ることが可能になる。抵抗性回路40
は、トランジスタT3のドレインに接続され、比較回路24
の入力E9に接続される。入力E9は、供給源26を経由して
電位V3に上昇させられる。電位V3の値がVdより高い。
る。入力E10は、供給源28を経由して電位４＝Vd−Vs3に
上昇される。Vs3は、トランジスタT3の閾値電位であ
る。供給源28は外部制御29の手段によって電位V4の値を
変化できる。Vs3が固定であるので、V4の変動がVdの変
動に相当する。Vdの値に作用することによって、所望の
スクリーン輝度を得ることが可能になる。抵抗性回路40
は、トランジスタT3のドレインに接続され、比較回路24
の入力E9に接続される。入力E9は、供給源26を経由して
電位V3に上昇させられる。電位V3の値がVdより高い。
もし、入力E8に印加される電位が（Vd−Vs3）＋V3よ
り高いならば、トランジスタT3は導電性即ちオンにな
り、変換段階42が電位V4＝Vd−Vs3に上昇させられる。
もし、入力E8に印加される電位が（Vd−Vs3）＋Vs3より
低いならば、トランジスタT3は非導電性即ちオフにな
り、変換段階42が電位V3に上昇させられる。
り高いならば、トランジスタT3は導電性即ちオンにな
り、変換段階42が電位V4＝Vd−Vs3に上昇させられる。
もし、入力E8に印加される電位が（Vd−Vs3）＋Vs3より
低いならば、トランジスタT3は非導電性即ちオフにな
り、変換段階42が電位V3に上昇させられる。
変換段階42の機能は、もし、その入力が電位V4＝Vd−
Vs3に上昇しているならば、電位例えばA1＝0Vに等しい
電位を出力S3で供給し、もし、その入力が電位V3に上昇
しているならば、電位例えばA2＝5Vに等しい電位を出力
S3で供給することである。
Vs3に上昇しているならば、電位例えばA1＝0Vに等しい
電位を出力S3で供給し、もし、その入力が電位V3に上昇
しているならば、電位例えばA2＝5Vに等しい電位を出力
S3で供給することである。
第７図は、状態回路の入力E6（信号S1:タイミングチ
ャート50）及び比較回路24の出力Scに接反されるE7（タ
イミングチャート52）、状態回路のシフト及びイネーブ
ル機能に対応する出力Sm1及びSm2（タイミングチャート
54及び56）及び３ステート回路の出力Ｓ（タイミングチ
ャート58）に印加された電位のタイミングチャートの実
施例を示している。第７図に示したタイミングチャート
は第２表及び第３表に対応している。これらタイミング
チャートが照光したピクセルに対応している。選択時間
Ｔは３つに分割される。
ャート50）及び比較回路24の出力Scに接反されるE7（タ
イミングチャート52）、状態回路のシフト及びイネーブ
ル機能に対応する出力Sm1及びSm2（タイミングチャート
54及び56）及び３ステート回路の出力Ｓ（タイミングチ
ャート58）に印加された電位のタイミングチャートの実
施例を示している。第７図に示したタイミングチャート
は第２表及び第３表に対応している。これらタイミング
チャートが照光したピクセルに対応している。選択時間
Ｔは３つに分割される。
ロウ選択時間Ｔで開始した時間Ｔは、一定に設定さ
れ、出力S1で決定される。この時間は更に短くできる
が、考慮すべきピクセルの（陰極列、対面グリッド及び
その間の絶縁材で形成される容量に相当する）陰極列容
量を充電するに十分長くなければならない。この充電が
陰極列の抵抗に対応している陰極列抵抗を経由して実行
される。ビデオスクリーン型のスクリーンにとってはt1
が１μｓである。
れ、出力S1で決定される。この時間は更に短くできる
が、考慮すべきピクセルの（陰極列、対面グリッド及び
その間の絶縁材で形成される容量に相当する）陰極列容
量を充電するに十分長くなければならない。この充電が
陰極列の抵抗に対応している陰極列抵抗を経由して実行
される。ビデオスクリーン型のスクリーンにとってはt1
が１μｓである。
時間t1毎に、Vcが電位V2から電位V1に変化している。
比較回路24は、値Vdを通してVcの第１の通路を検知す
る。その後、比較回路24の出力Scに供給された電位は、
値A1から値A2、例えば（立上り部で）０から5Vに移行す
る。
比較回路24は、値Vdを通してVcの第１の通路を検知す
る。その後、比較回路24の出力Scに供給された電位は、
値A1から値A2、例えば（立上り部で）０から5Vに移行す
る。
シフト回路17の出力Sm1に供給された信号の立上り部
は、信号S1の立上り部で初期化される。出力Sm1で供給
された信号の立上り部が時間t2中に実行される。イネー
ブル回路19の出力Sm2で供給された信号の上昇前部は信
号S1の立下り部で初期化される。
は、信号S1の立上り部で初期化される。出力Sm1で供給
された信号の立上り部が時間t2中に実行される。イネー
ブル回路19の出力Sm2で供給された信号の上昇前部は信
号S1の立下り部で初期化される。
時間t2がt1の終了で開始する。陰極列が隔離され、そ
の制御段階が高インピーダンス状態にある。マイクロド
ットが電子を放出し、考慮される陰極列の電位が疑似線
形的にV1から増加し、最終的にVc＝Vdに至る。比較回路
24によるこの電位の第２の検知は出力Scで供給された信
号の立下り部の時間t2で終了する。
の制御段階が高インピーダンス状態にある。マイクロド
ットが電子を放出し、考慮される陰極列の電位が疑似線
形的にV1から増加し、最終的にVc＝Vdに至る。比較回路
24によるこの電位の第２の検知は出力Scで供給された信
号の立下り部の時間t2で終了する。
イネーブル回路19の出力Sm2で供給された信号の立下
り部は、比較回路24の出力Scで供給された信号の立下り
部で初期化される。
り部は、比較回路24の出力Scで供給された信号の立下り
部で初期化される。
t2が完成し、ロウ選択時間Ｔが終了した時には、時間
t3が開始される。電位Vcは、陰極列抵抗による陰極列容
量の放電曲線に従ってVdからV2に変化し、その後時間t3
の休息用にこの値に維持される。
t3が開始される。電位Vcは、陰極列抵抗による陰極列容
量の放電曲線に従ってVdからV2に変化し、その後時間t3
の休息用にこの値に維持される。
第７図は、放射が時間t1中に開始することを示してい
る。しかし、時間t1が結果の硼砂が無視できることを確
保するために十分に短く選択される。
る。しかし、時間t1が結果の硼砂が無視できることを確
保するために十分に短く選択される。
従って、マイクロドットによる電子の放射が時間t2中
に実施される。陰極列電圧Vcは、充電量ｑ＝Ｃ×（V1−
Vd）の放射に相当して、V1からVdに通過する。Ｃは、前
述の陰極列容量の値であり、各陰極列毎に略等しい。消
光したピクセルを持つためには、対応の陰極列が対応の
ロウ選択時間中に電圧V2である。
に実施される。陰極列電圧Vcは、充電量ｑ＝Ｃ×（V1−
Vd）の放射に相当して、V1からVdに通過する。Ｃは、前
述の陰極列容量の値であり、各陰極列毎に略等しい。消
光したピクセルを持つためには、対応の陰極列が対応の
ロウ選択時間中に電圧V2である。
「発明の効果」 以上説明したように、本発明によるマイクロドット蛍
光行列スクリーンのアドレス方法においては、関連の照
光されたピクセルによるロウの選択時間中に放射された
充電量は、電圧Vdの選択によって本発明に従って順次制
御される。個々の陰極列間で変化できる時間t2毎に実行
される制御は、第３図に示す種々のピクセルで陽極で観
測された電流変動からの独自性を得ることができる。従
って、スクリーンの均一な輝度及びこの輝度の強度を調
整することが容易に得られる利点を持っている。
光行列スクリーンのアドレス方法においては、関連の照
光されたピクセルによるロウの選択時間中に放射された
充電量は、電圧Vdの選択によって本発明に従って順次制
御される。個々の陰極列間で変化できる時間t2毎に実行
される制御は、第３図に示す種々のピクセルで陽極で観
測された電流変動からの独自性を得ることができる。従
って、スクリーンの均一な輝度及びこの輝度の強度を調
整することが容易に得られる利点を持っている。
第１図は従来技術のマイクロドット蛍光スクリーンの概
略斜視図、第２図は従来技術の陰極列及びグリッド間の
電位差Vgcの変動関数としてマイクロドットの放射束に
応答する代表的電流応答の曲線図、第３図は従来技術の
陰極列及びグリッド間の電位差Vgcの変動関数として２
つの別々のピクセルと協働するマイクロドットの放射束
に応答する電流応答の実施例図、第４図は本発明による
陰極列の陰極列用の制御段階のブロック図、第５図は本
発明による制御装置に使用される３ステート回路の実施
例図、第６図は本発明による制御装置に使用される比較
回路の実施例図、第７図は状態回路の入力E6及びE7、状
態回路のシフト及びイネーブル機能に対応する出力Sm1
及びSm2及び３ステート回路の出力Ｓに印加された電位
的タイミングチャートｃ図である。 １……下部支持体、２……上部支持体、３陰極陰極列、
４……導体ロウ、５……絶縁層、６……マイクロドッ
ト、７……蛍光剤層、８……陽極。
略斜視図、第２図は従来技術の陰極列及びグリッド間の
電位差Vgcの変動関数としてマイクロドットの放射束に
応答する代表的電流応答の曲線図、第３図は従来技術の
陰極列及びグリッド間の電位差Vgcの変動関数として２
つの別々のピクセルと協働するマイクロドットの放射束
に応答する電流応答の実施例図、第４図は本発明による
陰極列の陰極列用の制御段階のブロック図、第５図は本
発明による制御装置に使用される３ステート回路の実施
例図、第６図は本発明による制御装置に使用される比較
回路の実施例図、第７図は状態回路の入力E6及びE7、状
態回路のシフト及びイネーブル機能に対応する出力Sm1
及びSm2及び３ステート回路の出力Ｓに印加された電位
的タイミングチャートｃ図である。 １……下部支持体、２……上部支持体、３陰極陰極列、
４……導体ロウ、５……絶縁層、６……マイクロドッ
ト、７……蛍光剤層、８……陽極。
Claims (5)
- 【請求項１】照光状態或は消光状態に移行できる複数の
ピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピクセルの輝
度が選択した値に均一化できるビデオ画像の表示用マイ
クロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法であっ
て、そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、下部支
持体１上に行列の２方向で配置されている金属製マイク
ロドット６を支持する導体カラム３（陰極導体）および
そのカラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を有し、
前記ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応し、各
マイクロドット６のピークが前記ロウの各穴と本質的に
対面し、これらロウ及びカラムが各マイクロドットと通
過を可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶縁され
ていて、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層は透明
導体層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支持体２
に載せられていて、選択時間Ｔ間に各グリッド導体ロウ
ｉを順次アドレスすることによって、前記ロウｉの前記
選択時間Ｔの間に、対応するグリッド導体ロウｉを一定
の電位Vgまで上昇させることによって、画像のフレーム
を表示するものにおいて、 （ア）マイクロドットによる有意の電子放射を確保しな
がら、照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する
全陰極導体（カラム）が、時間t1の間に、電位差Vg−Vc
がピクセルの照光に最適となるように、電位Vcに上昇さ
せられ、 （イ）前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成
された要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピク
セルの陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、
陰極導体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎
に前記スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度
の前記選択値に対応するレベルに到達するまで、放電さ
れ、 （ウ）その放電に要する時間t2の後、各照光されたピク
セル毎に、前記状態が満足した時、時間t3の間に、陰極
導体電位Vcをピクセルが消光する値に上昇させることに
よって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度実行され、 前記時間t1＋t2＋t3の合計が前記選択時間Ｔに等しく、
t1はすべてのピクセルに対して同一であり、t2およびt3
がピクセルの電流−電圧特性に依存するものである ことを特徴とするビデオ画像表示用マイクロドット蛍光
行列スクリーンのアドレス方法。 - 【請求項２】照光状態或は消光状態に移行できる複数の
ピクセルを持ち、スクリーンの照光状態のピクセルの輝
度が選択した値に均一化できるビデオ画像の表示用マイ
クロドット蛍行列スクリーンのアドレス方法であって、
そのスクリーンが真空セルを持ち、それが、下部支持体
１上に行列の２方向で配置されている金属製マイクロド
ット６を支持する導体カラム３（陰極導体）およびその
カラム上の穴明き導体ロウ４（グリッド）を有し、前記
ロウｉとカラムｊの各交点がピクセルに対応し、各マイ
クロドット６のピークが前記ロウの各穴と本質的に対面
し、これらロウ及びカラムが各マイクロドットと通過を
可能にする開口部を持つ絶縁層５によって絶縁されてい
て、グリッド４に蛍光層７が対面し、その層は透明導体
層８（陽極）上に置かれていて、透明上部支持体２に載
せられていて、選択時間Ｔ内に照光されるべきロウのピ
クセルを照光するためのアドレスの間にロウの全ピクセ
ルのデータ信号によって同時にアドレスがなされ、そこ
では、前記選択時間Ｔの間に対応するグリッド導体を一
定の電位Vgまで上昇させることによってロウｉのアドレ
スがなされ、 マイクロドットによる有意の電子放射を確保しながら、
照光されるべき前記ロウｉのピクセルに対応する全陰極
導体（カラム）が、電位差Vg−Vcがピクセルの照光に最
適となるように、電位Vcに上昇させられ、 前記陰極導体が絶縁され、絶縁層５によって形成された
要素コンデンサ、グリッド及び各照光されたピクセルの
陰極導体の各々が、その内部インピーダンスで、陰極導
体とグリッド間の自然電位差変化が各ピクセル毎に前記
スクリーンのすべての照光ピクセルに対する輝度の前記
選択値に対応するレベルに到達するまで、放電され、 各照光されたピクセル毎に、前記状態が満足した時に、
陰極導体電位Vcをピクセルを消光させる値に上昇させる
ことによって、陰極導体電位Vcに対する動作が再度実行
される 方法を実行するための装置において、 各導体３に対する制御段が、それぞれ、 （ア） 外部供給源12によって電位V1に上昇される第１
入力E1、電位Vcを供給する出力Ｓとを持ち、３状態のい
ずれかひとつを呈する３ステート回路10と、ここで、Vc
はロウの前記選択時間Ｔ中に３ステート回路10の状態に
依存した値を再発的方法でとり、各ロウの前記選択時間
Ｔで開始される第１の時間t1に対して、３ステート回路
10が状態１になり、Vcが電位差Vg−V1がピクセルを照光
することに最適となるように電位V1に上昇させられ、各
ピクセルに依存した第２の時間t2中に、前記回路10が高
インピーダンスの状態２で、Vcが、照光されるピクセル
に対して選択された輝度値を得るように決定された電位
Vdまで、V1から自然に略線形に変化させられ、Ｔ−（t1
＋t2）に対応する第３の時間t3中に、その回路が第３の
状態で、Vcが電位V2に上昇させられて、回路10が状態１
に戻るまで電位V2に維持させられ、 （イ） 前記３ステート回路10の状態のあるものから他
のものへの遷移を制御するための信号を供給する状態回
路16と、これらの信号が３ステート回路10の入力Em1及
びEm2に各々接続された出力Sm1及びSm2によって供給さ
れ、この状態回路10がまた持続時間t1で周期Ｔの周期信
号S1を供給する共通供給源22に接続された入力E6を有
し、 （ウ） 前記３ステート回路10の出力Ｓに接続された入
力E8と、電位V3＞Vdを供給する供給源26の出力に接続さ
れたE9と、電位V4≦Vdを供給する供給源28の出力に接続
されたS10とを有する比較回路24と、V4がスクリーン輝
度の選択値に応じて決定されて、前記比較回路24が出力
Scで状態回路16の入力E7に制御信号を供給し、前記出力
Scでの前記制御信号の大きさが入力E8での信号の大きさ
が前記基準電位Vdより大きいか小さいかに依るものであ
る。 を具備することを特徴とする、マイクロドット蛍光行列
スクリーンのアドレス形成装置。 - 【請求項３】前記３ステート回路10が、 ドレインが相互接続された２つの電界効果型トランジス
タT1及びT2と、該３ステート回路10の出力Ｓがトランジ
スタT1及びT2のドレイン−ドレイン接続点に接続され、
トランジスタT1のソースが入力E1に接続され、トランジ
スタT2のソースが入力E2に接続され、 入力E1、E2、Em1、Em2、前記トランジスタT1及びT2のゲ
ート、並びに電位A1及びA2を供給する２つの供給源に接
続された変換段30と、該変換段30が電位A1及びA2を電位
V2及びV2−Vs2に変換し、更に電位A1及びA2を電位V1及
びV1＋Vs1に変換し、Vs1及びVs2がトランジスタT1及びT
2の閾値電圧である ことを特徴とする請求項２記載のマイクロドット蛍光行
列スクリーンのアドレス形成装置。 - 【請求項４】前記比較回路24が、抵抗性回路40と、変換
段42と、電界効果トランジスタT3とを備え、 前記抵抗性回路が前記電界効果トランジスタT3のドレイ
ンに接続され、 前記電界効果トランジスタT3は、そのゲートが入力E8に
接続され、そのソースが入力E10に接続され、 前記ドレイン抵抗性回路40の前記接続が、出力Scに接続
された変換段42の入力に接続され、 該変換段42がまた電位A1及びA2をそれぞれ供給する２つ
の供給源に接続されて、電位V3及びV4の電位A2及びA1へ
の遷移を確保する ことを特徴とする請求項２記載のマイクロドット蛍光行
列スクリーンのアドレス形成装置。 - 【請求項５】前記状態回路16が、シフト機能を形成する
手段17と、出力Sm1及びSm2上に状態信号を供給するイネ
ーブル機能を形成する手段19と を備えることを特徴とする請求項２記載のマイクロドッ
ト蛍光行列スクリーンのアドレス形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8807288 | 1988-06-01 | ||
| FR8807288A FR2632436B1 (fr) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | Procede d'adressage d'un ecran matriciel fluorescent a micropointes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228693A JPH0228693A (ja) | 1990-01-30 |
| JP2642193B2 true JP2642193B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=9366822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140215A Expired - Fee Related JP2642193B2 (ja) | 1988-06-01 | 1989-06-01 | マイクロドット蛍光行列スクリーンのアドレス方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5138308A (ja) |
| EP (1) | EP0345148B1 (ja) |
| JP (1) | JP2642193B2 (ja) |
| KR (1) | KR970006857B1 (ja) |
| CA (1) | CA1324685C (ja) |
| DE (1) | DE68909495T2 (ja) |
| FR (1) | FR2632436B1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2067418C (en) * | 1991-07-22 | 1998-05-19 | Sung M. Choi | Frame buffer organization and control for real-time image decompression |
| US5262698A (en) * | 1991-10-31 | 1993-11-16 | Raytheon Company | Compensation for field emission display irregularities |
| US5686791A (en) | 1992-03-16 | 1997-11-11 | Microelectronics And Computer Technology Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| FR2691568B1 (fr) * | 1992-05-21 | 1996-12-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'affichage de differents niveaux de gris et systeme de mise en óoeuvre de ce procede. |
| US5300862A (en) * | 1992-06-11 | 1994-04-05 | Motorola, Inc. | Row activating method for fed cathodoluminescent display assembly |
| KR0156032B1 (ko) * | 1993-05-28 | 1998-10-15 | 호소야 레이지 | 전자방출소자 및 그 전자방출소자를 이용한 화상표시장치, 화상표시 장치의 구동장치, 화상표시장치의 화상표시 구동회로 |
| DE4427673B4 (de) * | 1993-08-05 | 2007-07-19 | Micron Technology, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) | Feldemissionsanzeige |
| US6204834B1 (en) | 1994-08-17 | 2001-03-20 | Si Diamond Technology, Inc. | System and method for achieving uniform screen brightness within a matrix display |
| FR2730843B1 (fr) * | 1995-02-17 | 1997-05-09 | Pixtech Sa | Dispositif d'adressage d'une electrode d'ecran plat de visualisation a micropointes |
| US5543691A (en) * | 1995-05-11 | 1996-08-06 | Raytheon Company | Field emission display with focus grid and method of operating same |
| US6252347B1 (en) | 1996-01-16 | 2001-06-26 | Raytheon Company | Field emission display with suspended focusing conductive sheet |
| US5684368A (en) * | 1996-06-10 | 1997-11-04 | Motorola | Smart driver for an array of LEDs |
| US6067061A (en) * | 1998-01-30 | 2000-05-23 | Candescent Technologies Corporation | Display column driver with chip-to-chip settling time matching means |
| US6169529B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-01-02 | Candescent Technologies Corporation | Circuit and method for controlling the color balance of a field emission display |
| FR2811799B1 (fr) * | 2000-07-13 | 2003-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de commande d'une source d'electrons a structure matricielle, avec regulation par la charge emise |
| US6542136B1 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-01 | Motorola, Inc. | Means for reducing crosstalk in a field emission display and structure therefor |
| US6600464B1 (en) | 2000-09-08 | 2003-07-29 | Motorola, Inc. | Method for reducing cross-talk in a field emission display |
| FR2832537B1 (fr) | 2001-11-16 | 2003-12-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de commande en tension d'une source d'electrons a structure matricielle, avec regulation de la charge emise |
| GB0525593D0 (en) | 2005-12-16 | 2006-01-25 | Cxr Ltd | X-ray tomography inspection systems |
| US10483077B2 (en) | 2003-04-25 | 2019-11-19 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources having reduced electron scattering |
| US8243876B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-08-14 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
| US9046465B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-06-02 | Rapiscan Systems, Inc. | Optimization of the source firing pattern for X-ray scanning systems |
| JP2010090231A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| GB0901338D0 (en) * | 2009-01-28 | 2009-03-11 | Cxr Ltd | X-Ray tube electron sources |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4225807A (en) * | 1977-07-13 | 1980-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Readout scheme of a matrix type thin-film EL display panel |
| JPS5677891A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Displayyunit drive circuit |
| DE3243596C2 (de) * | 1982-11-25 | 1985-09-26 | M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm |
| FR2561019B1 (fr) * | 1984-03-09 | 1987-07-17 | Etude Surfaces Lab | Procede de realisation d'ecrans de visualisation plats et ecrans plats obtenus par la mise en oeuvre dudit procede |
| EP0201609B1 (en) * | 1984-11-20 | 1990-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron gun of picture display device |
| US4707692A (en) * | 1984-11-30 | 1987-11-17 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display drive system |
-
1988
- 1988-06-01 FR FR8807288A patent/FR2632436B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-30 DE DE89401477T patent/DE68909495T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-30 EP EP89401477A patent/EP0345148B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-31 US US07/359,335 patent/US5138308A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-31 CA CA000601313A patent/CA1324685C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-01 KR KR1019890007611A patent/KR970006857B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-01 JP JP1140215A patent/JP2642193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970006857B1 (ko) | 1997-04-30 |
| CA1324685C (en) | 1993-11-23 |
| FR2632436A1 (fr) | 1989-12-08 |
| FR2632436B1 (fr) | 1991-02-15 |
| DE68909495T2 (de) | 1994-04-14 |
| US5138308A (en) | 1992-08-11 |
| JPH0228693A (ja) | 1990-01-30 |
| DE68909495D1 (de) | 1993-11-04 |
| EP0345148A1 (fr) | 1989-12-06 |
| KR900000828A (ko) | 1990-01-31 |
| EP0345148B1 (fr) | 1993-09-29 |
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Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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