JP2638649B2 - Electrostatic chuck - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ウエハ等の被支持体を吸着する静電チャッ
クに関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to an electrostatic chuck for attracting a supported member such as a wafer.
（従来の技術） 静電チャックの吸着原理は、絶縁層を介して対向配置
されるウエハ等の吸着物と電極との間に電圧を印加し
て、吸着物と電極に正，負の電荷を生じさせ、この間に
働くクーロン力によって吸着物を吸引保持するものであ
る。(Prior art) The principle of adsorption of an electrostatic chuck is that a voltage is applied between an electrode and an adsorbed object such as a wafer, which is disposed to face through an insulating layer, and positive and negative charges are applied to the adsorbed object and the electrode. Then, the adsorbate is sucked and held by the Coulomb force acting during this time.
この種の静電チャックとして、第３図，第４図に示す
ものが提供されている。FIGS. 3 and 4 show an electrostatic chuck of this type.
第３図に示すものは、アルミ製のサセプタ本体10とウ
エハ12との間に静電吸着シート14を配設したもので、こ
の静電吸着シート14と一体的に給電用シート16を設けて
いる。そして、前記サセプタ本体10の表面が円形である
場合には、前記静電吸着シート14もこれと合せて円形に
形成され、給電用シート16は帯状に形成され、前記サセ
プタ本体10の側面を辿って裏面側に引出されている。前
記静電吸着シート14および給電用シート16は、共に絶縁
層としての２枚のポリイミドシート18,18の間に銅等に
導電性シート24を介在配置したものであり、各シート1
4,16は柔軟性を有している。In FIG. 3, an electrostatic attraction sheet 14 is disposed between an aluminum susceptor body 10 and a wafer 12, and a power supply sheet 16 is provided integrally with the electrostatic attraction sheet 14. I have. When the surface of the susceptor main body 10 is circular, the electrostatic attraction sheet 14 is also formed in a circular shape in accordance with this, and the power supply sheet 16 is formed in a band shape, and follows the side surface of the susceptor main body 10. It is drawn to the back side. Each of the electrostatic attraction sheet 14 and the power supply sheet 16 is a sheet in which a conductive sheet 24 is disposed on copper or the like between two polyimide sheets 18 as an insulating layer.
4,16 have flexibility.
一方、第４図に示す静電チャックは、アルミ製のサセ
プタ本体10上にセラミック22を配設し、このセラミック
22の内部に、ウエハ12と平行に導電性シート20を配設し
たもので、この内部の導電性シート20に対する給電とし
ての給電用ピン24が、セラミック22の裏面側に突出する
ように設けられている。On the other hand, the electrostatic chuck shown in FIG. 4 has a ceramic 22 disposed on an aluminum susceptor body 10 and this ceramic
Inside, a conductive sheet 20 is provided in parallel with the wafer 12, and a power supply pin 24 for supplying power to the conductive sheet 20 inside the conductive sheet 20 is provided so as to protrude to the back side of the ceramic 22. ing.
尚、サセプタ本体10の裏面側での給電は、真空中では
放電が発生するため、大気中で行うように構成されてい
る。The power supply on the back side of the susceptor body 10 is configured to be performed in the atmosphere because a discharge occurs in a vacuum.
（発明が解決しようとする課題） 近年では、上記のような静電チャックを、低温化ある
いは高温化で使用する要求がある。例えば、プラズマエ
ッチング装置に用いられる静電チャックを、−150℃程
度まで冷却すると、異方性の高いエッチングが行われる
ことが確認されている。一方、プラズマCVD装置では、
サセプタ温度を500℃〜600℃の高温化に設定して用いる
必要がある。(Problems to be Solved by the Invention) In recent years, there has been a demand for using the above-mentioned electrostatic chuck at a low temperature or a high temperature. For example, it has been confirmed that when an electrostatic chuck used in a plasma etching apparatus is cooled to about −150 ° C., highly anisotropic etching is performed. On the other hand, in plasma CVD equipment,
It is necessary to set the susceptor temperature to 500 ° C. to 600 ° C. and use it.
ここで、第３図に示す静電チャックに用いられるポリ
イミドシート18は、耐寒性は−150℃前後まで有する
が、耐熱性は300℃程度までしか保障し得ず、このよう
なポリイミドシート18を有する静電チャックを上記のプ
ラズマCVD装置には使用することはできない。Here, the polyimide sheet 18 used in the electrostatic chuck shown in FIG. 3 has cold resistance up to about −150 ° C., but heat resistance can only be guaranteed up to about 300 ° C. Such an electrostatic chuck cannot be used in the above-mentioned plasma CVD apparatus.
一方、第４図に示す静電チャックのように、絶縁層と
してセラミック22を用いた場合には、上記使用温度での
耐寒，耐熱性を有する点で、ポリイミドシート18よりも
優れている。On the other hand, when the ceramic 22 is used as the insulating layer as in the electrostatic chuck shown in FIG. 4, it is superior to the polyimide sheet 18 in that it has cold resistance and heat resistance at the above-mentioned use temperature.
しかしながら、第３図，第４図に示す静電チャックの
共通の問題として、下記の点が指摘できる。第３図，第
４図に示す静電チャックでは、積層される部材間の熱膨
張率が異なり、すなわち、導電層と絶縁層，あるいは絶
縁層とサセプタ本体との熱膨張率が著しく異なっている
ため、たとえ各部材が耐寒，耐熱性を有したとしても、
この静電チャックを低温化あるいは高温化に設定する
と、両者間の熱膨張率の相違によりその間に介在する接
着剤が剥れたり、あるいは絶縁層に割れが生ずる等の問
題が生じていた。However, as a common problem of the electrostatic chucks shown in FIGS. 3 and 4, the following points can be pointed out. In the electrostatic chuck shown in FIGS. 3 and 4, the coefficients of thermal expansion between the laminated members are different, that is, the coefficients of thermal expansion of the conductive layer and the insulating layer or the insulating layer and the susceptor body are significantly different. Therefore, even if each member has cold resistance and heat resistance,
When the temperature of the electrostatic chuck is set to be lower or higher, there is a problem that the adhesive interposed therebetween is peeled off or the insulating layer is cracked due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the two.
そこで、本発明の目的とするところは、低温から高温
域にわたるいずれの温度条件下でも使用できる静電チャ
ックを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck that can be used under any temperature conditions from a low temperature to a high temperature range.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係る静電チャックは、被支持
体をサセプタ本体に支持する静電チャックにおいて、上
記サセプタ本体表面に設けられ、上記サセプタ本体とほ
ぼ等しい熱膨張率を有する絶縁層を具備したことを特徴
とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An electrostatic chuck according to the invention of claim 1 is an electrostatic chuck for supporting a supported body on a susceptor body, provided on the surface of the susceptor body, An insulating layer having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the susceptor body is provided.
請求項２に記載の発明に係る静電チャックは、被支持
体を支持するサセプタ本体と、このサセプタ本体表面に
設けられ、上記サセプタ本体とほぼ等しい熱膨張率の第
１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に設けられ、上記第
１の絶縁層とほぼ等しい熱膨張率の導電層と、この導電
層上に設けられ、上記導電層とほぼ等しい熱膨張率の第
２の絶縁層と、を有し、上記第２の絶縁層上に配設され
る被支持体と上記導電層との間に電圧を印加することに
より、上記被支持体を保持することを特徴とする。An electrostatic chuck according to a second aspect of the present invention includes a susceptor body that supports a supported body, a first insulating layer provided on a surface of the susceptor body and having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the susceptor body. A conductive layer provided on the first insulating layer and having a coefficient of thermal expansion substantially equal to the first insulating layer; and a second insulating layer provided on the conductive layer and having a coefficient of thermal expansion substantially equal to the conductive layer. And applying a voltage between the conductive layer and the supported member disposed on the second insulating layer to hold the supported member.
請求項３に記載の発明に係る静電チャックは、上記絶
縁層は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする。An electrostatic chuck according to a third aspect of the present invention is characterized in that the insulating layer is made of aluminum nitride.
（作 用） 請求項１に記載の発明によれば、サセプタ本体表面に
設けられる絶縁層は、このサセプタ本体とほぼ等しい熱
膨張率を有しているので、この静電チャックの設定温度
を低温から高温にわたるいずれの温度条件に設定して
も、絶縁層自体が破損したり、あるいは絶縁層とサセプ
タ本体との間の接合に支障が生ずることもない。そし
て、サセプタ本体と被支持体との間に電圧を印加するこ
とで、従来と同様に被支持体をチャックすることができ
る。なお、この静電チャックを平行平板を構成する一方
の電極として利用することも可能である。(Operation) According to the first aspect of the present invention, since the insulating layer provided on the surface of the susceptor main body has a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the susceptor main body, the set temperature of the electrostatic chuck is set to a low temperature. Even if the temperature is set to any temperature from high to high, there is no possibility that the insulating layer itself is damaged or that the joining between the insulating layer and the susceptor body is not hindered. Then, by applying a voltage between the susceptor body and the supported body, the supported body can be chucked as in the conventional case. In addition, it is also possible to use this electrostatic chuck as one electrode constituting a parallel plate.
請求項２に記載の発明によれば、サセプタ本体上に第
１の絶縁層、導電層、第２の絶縁層がそれぞれ順に設け
られることになるが、積層される各部材間の熱膨張率が
ほぼ等しく設定されているので、この静電チャックを低
温から高温にわたるいずれの温度条件下に設定したとし
ても、その接合面に支障が生ずることもない。According to the second aspect of the present invention, the first insulating layer, the conductive layer, and the second insulating layer are sequentially provided on the susceptor body. Since the electrostatic chucks are set to be substantially equal, no problem occurs in the bonding surface even if the electrostatic chuck is set under any temperature condition from a low temperature to a high temperature.
請求項３に記載の発明によれば、上記絶縁層を窒化ア
ルミニウムにて構成することにより、所定の熱伝導度を
確保することができる。According to the third aspect of the present invention, by forming the insulating layer of aluminum nitride, a predetermined thermal conductivity can be ensured.
（実施例） 以下、本発明をプラズマエッチング装置の半導体ウエ
ハ載置台に使用される静電チャックに適用した一実施例
について、図面を参照して具体的に説明する。(Example) Hereinafter, an example in which the present invention is applied to an electrostatic chuck used for a semiconductor wafer mounting table of a plasma etching apparatus will be specifically described with reference to the drawings.
第１実施例 第１図において、静電チャックは、サセプタ本体30
と、その表面側にコーティングされる絶縁層32とから構
成され、前記絶縁層32上に被支持体であるウエハ12をク
ーロン力によってチャック可能としている。First Embodiment In FIG. 1, an electrostatic chuck is a susceptor body 30.
And an insulating layer 32 coated on the front surface thereof. The wafer 12 as a supported member can be chucked on the insulating layer 32 by Coulomb force.
前記絶縁層32は、窒化アルミニウム（AlN）にて構成
され、この窒化アルミニウムは−200℃〜1000℃程度で
の温度下にて使用に耐え得る耐寒熱性を有している。The insulating layer 32 is made of aluminum nitride (AlN), and the aluminum nitride has cold resistance that can withstand use at a temperature of about -200 ° C to about 1000 ° C.
一方、前記サセプタ本体30は導電体例えばカーボンに
て構成されている。カーボンは、導電性を有すると共
に、その組成により前記絶縁層32を構成する窒化アルミ
ニウムの熱膨張率とほぼ等しいものを選択することが可
能である。なお、図示してはいないが、前記サセプタ本
体30にて冷却，加熱等の温度調整制御機構が内蔵され、
この際ウエハ12との間の熱交換は絶縁層32を介して行わ
れるが、この絶縁層32を窒化アルミニウムにて構成する
ことにより、所定の熱伝導度を確保することができる。On the other hand, the susceptor body 30 is made of a conductor, for example, carbon. Carbon can be selected to have conductivity and to have a thermal expansion coefficient substantially equal to the coefficient of thermal expansion of the aluminum nitride forming the insulating layer 32 depending on its composition. Although not shown, the susceptor body 30 has a built-in temperature adjustment control mechanism for cooling, heating, etc.
At this time, heat exchange with the wafer 12 is performed via the insulating layer 32. By forming the insulating layer 32 from aluminum nitride, a predetermined thermal conductivity can be secured.
前記サセプタ本体30表面への絶縁層32の膜付けは、本
実施例では気相成長によるCVD処理によって実行してい
る。この際、絶縁層32を構成する窒化アルミニウムはCV
Dによって膜付けできることが確認されており、本実施
例では例えば200μｍの膜厚にて絶縁層32を前記サセプ
タ本体30の全表面に膜付けしている。尚、サセプタ本体
30の全表面に必ずしも膜付けする必要はなく、少なくと
もウエハ12の対向面に膜付けされれば足りる。In the present embodiment, the film formation of the insulating layer 32 on the surface of the susceptor body 30 is performed by a CVD process using vapor phase growth. At this time, the aluminum nitride forming the insulating layer 32 is CV
It has been confirmed that the film can be formed by D. In this embodiment, the insulating layer 32 is formed on the entire surface of the susceptor body 30 with a thickness of, for example, 200 μm. The susceptor body
It is not necessary to form a film on the entire surface of the wafer 30, but it is sufficient if the film is formed on at least the facing surface of the wafer 12.
サセプタ本体30への給電は、このサセプタ本体30の裏
面側の絶縁層32を一部欠落させることで可能である。こ
の部分には、RF電源34が接続されると共に、コイルＬお
よび抵抗Ｃからなるフィルタ38を介してDC電源36が接続
されている。Power can be supplied to the susceptor main body 30 by partially removing the insulating layer 32 on the back surface side of the susceptor main body 30. An RF power source 34 is connected to this portion, and a DC power source 36 is connected via a filter 38 including a coil L and a resistor C.
次に、作用について説明する。 Next, the operation will be described.
この静電チャックでの吸着は、ウエハ12を接地し、サ
セプタ本体30にDC電源36による高電圧を印加すること
で、ウエハ12とサセプタ本体30に正，負電荷を生じさ
せ、この間に働くクーロン力によってウエハ12を絶縁層
32上に吸着保持するものである。一方、この静電チャッ
クはプラズマエッチング装置の平行平板電極の一方の電
極を構成するため、同時にサセプタ本体30にRF電源34か
らのRFパワーを印加している。この際、フィルタ38を設
けることにより、RF電流がDC電源36側に流れ込むことを
防止できる。上記のような作用により、この静電チャッ
クをウエハ12のチャックとして、かつ、プラズマエッチ
ングに必要な平行平板の一方の電極として兼用すること
が可能となる。The electrostatic chuck chucks the wafer 12 to ground and applies a high voltage from the DC power supply 36 to the susceptor body 30 to generate positive and negative charges on the wafer 12 and the susceptor body 30, and to operate the Coulomb during this time. Insulating wafer 12 by force
32 is to be held by suction. On the other hand, since this electrostatic chuck constitutes one of the parallel plate electrodes of the plasma etching apparatus, the RF power from the RF power source 34 is applied to the susceptor body 30 at the same time. At this time, by providing the filter 38, it is possible to prevent the RF current from flowing into the DC power supply 36 side. By the above operation, it is possible to use the electrostatic chuck as a chuck for the wafer 12 and also as one electrode of a parallel plate required for plasma etching.
ここで、ウエハ12のエッチングを行う際には、サセプ
タ本体30を例えば−150℃程度まで冷却することによ
り、異方性の高いエッチングを行うことができる。従っ
て、第１図には図示していないが、サセプタ本体30に例
えば冷媒用ジャケットを設け、冷却媒体を循環すること
によりサセプタ本体30,絶縁層32を介してウエハ12の冷
却を行っている。Here, when etching the wafer 12, by cooling the susceptor body 30 to, for example, about -150 ° C., highly anisotropic etching can be performed. Therefore, although not shown in FIG. 1, the susceptor body 30 is provided with, for example, a jacket for a coolant, and the cooling medium is circulated to cool the wafer 12 via the susceptor body 30 and the insulating layer 32.
このように、静電チャックは−150℃という低温化に
設定されることになるが、本実施例では前記絶縁層32と
して窒化アルミニウムを採用しているので、この窒化ア
ルミニウムは−200℃程度までの耐寒性を有し、上記の
使用温度においても絶縁層32が劣化することはない。し
かも、窒化アルミニウムで構成された絶縁層32とほぼ等
しい熱膨張率を有する組成のカーボン材によりサセプタ
本体30を構成しているので、両者間の熱膨張率の相違に
よってその接合面に支障が生ずることも確実に防止でき
る。As described above, the temperature of the electrostatic chuck is set to be as low as −150 ° C. However, in this embodiment, since the aluminum nitride is used as the insulating layer 32, the aluminum nitride is heated to about −200 ° C. The insulating layer 32 does not deteriorate even at the above-mentioned use temperature. In addition, since the susceptor body 30 is made of a carbon material having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the insulating layer 32 made of aluminum nitride, a difference in the thermal expansion coefficient between the two causes trouble in the joint surface. This can be reliably prevented.
ところで、ウエハ12を効率良く冷却するためには、こ
のウエハ12,サセプタ本体30との間に高電圧を印加する
ことにより生ずるクーロン力だけでは良好な熱伝導を行
うことは不可能であり、実際には前記ウエハ12とサセプ
タ本体30との間にガス例えばHeを導入し、上記クーロン
力により密閉された領域でのガスによる熱伝導により、
効率のよい冷却を行う必要がある。この際、ウエハ12と
絶縁層32との間のギャップを10μｍ程度に維持する必要
があるが、本実施例ではサセプタ本体30にCVD処理によ
って絶縁層32をコーティングしているため、絶縁層32の
面上の平面度をかなり良好とすることができ、上記ギャ
ップを10μｍ以下に押えることで効率の良い冷却が可能
である。By the way, in order to cool the wafer 12 efficiently, it is impossible to perform good heat conduction only by the Coulomb force generated by applying a high voltage between the wafer 12 and the susceptor body 30. A gas such as He is introduced between the wafer 12 and the susceptor body 30, and heat conduction by the gas in a region sealed by the Coulomb force causes
It is necessary to perform efficient cooling. At this time, the gap between the wafer 12 and the insulating layer 32 needs to be maintained at about 10 μm, but in this embodiment, the susceptor body 30 is coated with the insulating layer 32 by the CVD process. The flatness on the surface can be made quite good, and efficient cooling is possible by keeping the gap to 10 μm or less.
このように、本実施例では−150℃という低温下にお
いても使用可能な静電チャックを提供できるが、この静
電チャックの構成が、サセプタ本体30の表面にCVDによ
って窒化アルミニウムの絶縁層32をコーティングするこ
とによって実現できるので、従来のような第３図，第４
図に示す静電チャックと比べてその製造コストを大幅に
低減するとが可能となる。As described above, in this embodiment, an electrostatic chuck that can be used even at a low temperature of −150 ° C. can be provided.The configuration of this electrostatic chuck is such that the insulating layer 32 of aluminum nitride is formed on the surface of the susceptor body 30 by CVD. Since it can be realized by coating, as shown in FIGS.
The manufacturing cost can be greatly reduced as compared with the electrostatic chuck shown in the figure.
また、この静電チャックは、絶縁層32が窒化アルミニ
ウムで構成されているため、1000℃付近の高温にも耐久
性があり、かつ、絶縁層32とサセプタ本体30との熱膨張
率がほぼ等しく設定されているので、この静電チャック
を例えばプラズマCVD装置用のチャックとして使用し、6
00℃程度にウエハ12を加熱しても、絶縁層32の破壊およ
び絶縁層32とサセプタ本体30との間の接合に支障が生ず
ることがない。Further, in this electrostatic chuck, since the insulating layer 32 is made of aluminum nitride, it is durable even at a high temperature of around 1000 ° C., and the thermal expansion coefficients of the insulating layer 32 and the susceptor body 30 are almost equal. Since it is set, this electrostatic chuck is used as a chuck for plasma CVD equipment, for example,
Even if the wafer 12 is heated to about 00 ° C., there is no problem in breaking the insulating layer 32 and in joining the insulating layer 32 and the susceptor body 30.
第２実施例 この第２実施例は、第２図に示すように、サセプタ本
体40の表面に第１の絶縁層42をコーティグし、さらにこ
の第２の絶縁層42の表面に導電層44をコーティングし、
この導電層44の表面に第２の絶縁層46をコーティングし
て構成される。尚、上記各コーティングは例えばCVD処
理によって行われ、第1,第２の絶縁層42,46および導電
層44は、ウエハ12を支持する面よりサセプタ本体40の側
面を辿ってその裏面側まで引き出されるようにコーティ
ングされている。Second Embodiment In this second embodiment, as shown in FIG. 2, a first insulating layer 42 is coated on the surface of a susceptor body 40, and a conductive layer 44 is further formed on the surface of the second insulating layer 42. Coating,
The surface of the conductive layer 44 is coated with a second insulating layer 46. Each of the above-mentioned coatings is performed by, for example, a CVD process, and the first and second insulating layers 42 and 46 and the conductive layer 44 are drawn from the surface supporting the wafer 12 to the back surface side by following the side surface of the susceptor body 40. Is coated so that
ここで、サセプタ本体40および導電層44は、第１実施
例におけるサセプタ本体30と同一のカーボン材で形成さ
れ、一方、第1,第２の絶縁層42,46は、第１実施例にお
ける絶縁層32と同様な窒化アルミニウム（AlN）で構成
されている。Here, the susceptor body 40 and the conductive layer 44 are formed of the same carbon material as the susceptor body 30 in the first embodiment, while the first and second insulating layers 42 and 46 are formed of the same insulating material as in the first embodiment. The layer 32 is made of the same aluminum nitride (AlN).
このような装置においては、ウエハ12を接地し、大気
中にさらされているサセプタ本体40の裏面側にて前記導
電層44に高電圧を印加することにより、第２の絶縁層46
上にてウエハ12をクーロン力により吸着保持可能であ
る。さらに、サセプタ本体40にRF電圧を印加すること
で、プラズマエッチング装置の平行平板電極を構成する
一方の電極として使用可能である。In such an apparatus, the wafer 12 is grounded, and a high voltage is applied to the conductive layer 44 on the back surface side of the susceptor body 40 exposed to the atmosphere, thereby forming the second insulating layer 46.
Above, the wafer 12 can be suction-held by Coulomb force. Further, by applying an RF voltage to the susceptor body 40, it can be used as one of the electrodes constituting the parallel plate electrode of the plasma etching apparatus.
このような静電チャックによれば、第1,第２の絶縁膜
42,46が耐寒耐熱性を有するので、この静電チャックを
低温から高温にわたるいずれの温度条件下で使用したと
しても、絶縁層が劣化することはない。しかも、積層さ
れる各部材は共に熱膨張率がほぼ等しく設定されている
ので、低温，高温条件で使用したとしても、各部材の接
合面に支障が生ずることはない。According to such an electrostatic chuck, the first and second insulating films
Since 42 and 46 have resistance to cold and heat, the insulating layer does not deteriorate even if this electrostatic chuck is used under any temperature condition from low to high. In addition, since the respective members to be laminated have substantially the same thermal expansion coefficient, even when used under low-temperature and high-temperature conditions, there is no problem in the joint surfaces of the members.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications can be made within the scope of the present invention.
例えば、上記実施例での各部材の材質については一例
にすぎず、絶縁層32,第1,第２の絶縁層42,46について
は、耐寒耐熱性を有することが条件とされ、好ましくは
熱伝導度の良いものを採択すべきである。一方、サセプ
タ本体30,サセプタ本体40あるいは導電層44としては、
上記絶縁層とほぼ熱膨張率が等しいことが条件であり、
その材質については各種のものを採用し得る。For example, the material of each member in the above embodiment is only an example, and the insulating layer 32 and the first and second insulating layers 42 and 46 are required to have cold and heat resistance. Good conductivity should be adopted. On the other hand, as the susceptor body 30, the susceptor body 40 or the conductive layer 44,
The condition is that the thermal expansion coefficient is almost equal to that of the insulating layer,
Various materials can be adopted.
また、絶縁層等の接合については、上記実施例のよう
なCVDによるものに限らず、例えば接着剤を用いた接合
であってもよく、接合される両部材の熱膨張率がほぼ等
しければ、各種の温度条件によっても接合面に亀裂等が
生ずることがない。Further, the bonding of the insulating layer and the like is not limited to the bonding by CVD as in the above embodiment, and may be, for example, bonding using an adhesive, provided that the thermal expansion coefficients of both members to be bonded are approximately equal. Cracks and the like do not occur on the joint surface even under various temperature conditions.
［発明の効果］ 請求項１から３に記載の各発明によれば、低温から高
温にわたるいずれの条件で使用しても、絶縁層が劣化せ
ず、しかもこの絶縁層の接合面に亀裂等の生ずることの
ない静電チャックを提供することができる。[Effects of the Invention] According to each of the first to third aspects of the present invention, the insulating layer does not deteriorate even when used under any conditions from low to high temperatures, and furthermore, cracks or the like occur on the bonding surface of the insulating layer. An electrostatic chuck that does not occur can be provided.
第１図は、第１の発明を適用した静電チャックの概略断
面図、 第２図は、第２の発明を適用した静電チャックの概略断
面図、 第３図および第４図は、それぞれ従来の静電チャックを
説明するための概略断面図である。 12……被処理体、 30,40……サセプタ本体、 32……絶縁層、 42……第１の絶縁層、 44……導電層、 46……第２の絶縁層。FIG. 1 is a schematic sectional view of an electrostatic chuck to which the first invention is applied, FIG. 2 is a schematic sectional view of an electrostatic chuck to which the second invention is applied, and FIGS. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a conventional electrostatic chuck. 12 ... object to be processed, 30, 40 ... susceptor body, 32 ... insulating layer, 42 ... first insulating layer, 44 ... conductive layer, 46 ... second insulating layer.
Claims (3)
ャックにおいて、 上記サセプタ本体表面に設けられ、上記サセプタ本体と
ほぼ等しい熱膨張率を有する絶縁層を具備したことを特
徴とする静電チャック。1. An electrostatic chuck for supporting a supported body on a susceptor body, comprising: an insulating layer provided on a surface of the susceptor body and having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the susceptor body. Chuck.
ほぼ等しい熱膨張率の第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層上に設けられ、上記第１の絶縁層とほ
ぼ等しい熱膨張率の導電層と、 この導電層上に設けられ、上記導電層とほぼ等しい熱膨
張率の第２の絶縁層と、を有し、上記第２の絶縁層上に
配設される被支持体と上記導電層との間に電圧を印加す
ることにより、上記被支持体を保持することを特徴とす
る静電チャック。2. A susceptor body for supporting a supported body, a first insulating layer provided on the surface of the susceptor body and having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the susceptor body, and provided on the first insulating layer. A conductive layer having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the first insulating layer; and a second insulating layer provided on the conductive layer and having a coefficient of thermal expansion substantially equal to the conductive layer. An electrostatic chuck characterized in that the supported member is held by applying a voltage between the supported member disposed on the insulating layer and the conductive layer.
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の静電チャッ
ク。3. The electrostatic chuck according to claim 1, wherein the insulating layer is made of aluminum nitride.
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