JP2634798B2 - Phase shift element - Google Patents

Phase shift element

Info

Publication number
JP2634798B2
JP2634798B2 JP61105613A JP10561386A JP2634798B2 JP 2634798 B2 JP2634798 B2 JP 2634798B2 JP 61105613 A JP61105613 A JP 61105613A JP 10561386 A JP10561386 A JP 10561386A JP 2634798 B2 JP2634798 B2 JP 2634798B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
characteristic
resonator
phase shift
gdt
transmission circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61105613A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62261210A (en
Inventor
郁夫 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP61105613A priority Critical patent/JP2634798B2/en
Priority to US07/028,086 priority patent/US4818959A/en
Publication of JPS62261210A publication Critical patent/JPS62261210A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2634798B2 publication Critical patent/JP2634798B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、フィルタ回路または群遅延イコライザとし
て使用される伝送回路に関し、高選択度と低歪率とを同
時に満足し得るフィルタ回路または群遅延イコライザ等
の伝送回路が得られるようにしたものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission circuit used as a filter circuit or a group delay equalizer, and more particularly to a filter circuit or a group delay equalizer capable of simultaneously satisfying high selectivity and low distortion. Is obtained.

従来の技術 例えばFMチューナのIF段等においては、無調整化、高
安定化を図るため、セラミック共振子によるセラミック
フィルタ回路及び群遅延イコライザを使用することがあ
る。第13図は従来のこの種のセラミック共振子の構造を
示す図である。第13図において、1は圧電セラミック基
板、2及び3は圧電セラミック基板1の板厚方向の一面
側に分割して形成された一対の分割電極、4は圧電セラ
ミック基板1の他面側に分割電極2、3と対向するよう
に形成された共通電極である。
2. Description of the Related Art For example, in an IF stage or the like of an FM tuner, a ceramic filter circuit using a ceramic resonator and a group delay equalizer may be used in order to achieve no adjustment and high stability. FIG. 13 is a view showing the structure of a conventional ceramic resonator of this type. In FIG. 13, 1 is a piezoelectric ceramic substrate, 2 and 3 are a pair of divided electrodes formed on one surface side of the piezoelectric ceramic substrate 1 in the thickness direction, and 4 is divided on the other surface side of the piezoelectric ceramic substrate 1. This is a common electrode formed to face the electrodes 2 and 3.

第14図は第13図に示したセラミック共振子を2個用い
てコンデンサCによって結合して得られたセラミックフ
ィルタ回路である。
FIG. 14 shows a ceramic filter circuit obtained by combining two ceramic resonators shown in FIG. 13 with a capacitor C.

発明が解決しようとする課題 ところで、FMチューナのIF段等に使用されるフィルタ
回路は、低歪率の要求から群遅延時間一周波数特性(以
下GDT特性と称する)が平坦なものが要求されている。
一方、国内においても、FM多局化の時代を向かえたこ
と、及び、カーオーディオ等の発達により、隣接局の排
除能力が高く選択度の良いフィルタが要求されるように
なっている。
Problems to be Solved by the Invention Meanwhile, a filter circuit used in an IF stage of an FM tuner is required to have a flat group delay time-frequency characteristic (hereinafter referred to as a GDT characteristic) due to a requirement for a low distortion factor. I have.
On the other hand, in Japan as well, the era of FM multi-station and the development of car audio, etc., require a filter with high rejection capability of adjacent stations and high selectivity.

しかしながら、第13図、第14図に示した従来のセラミ
ックフィルタ回路においては、選択度を高めると、GDT
特性の歪が大きくなり、反対にGDT特性を平坦化して低
歪率を確保しようとすると、選択度が悪くなるという欠
点があり、GDT特性の平坦化による低歪率化と、高選択
度の要求を同時に満たすことができなかった。
However, in the conventional ceramic filter circuit shown in FIG. 13 and FIG.
Distortion of characteristics increases, and conversely, when trying to flatten the GDT characteristics and secure a low distortion, there is a disadvantage that the selectivity is deteriorated. The request could not be met at the same time.

第15図〜第17図は上述したセラミックフィルタ回路の
GDT及び減衰特性図である。第15図〜第17図のA1〜A3はG
DT特性、B1〜B3は減衰特性であり、右縦軸にGDT(μ
S)をとり、左縦軸に減衰量(dB)をとり、横軸に周波
数(MHz)をとってある。第15図はセラミック共振子のQ
mをQm=300と高く選定した場合の特性、第16図はQm=20
0の汎用タイプのセラミック共振子を使用した場合の特
性、第17図はQmをQm=100と低くした場合の特性であ
る。
15 to 17 show the above-described ceramic filter circuit.
It is a GDT and attenuation characteristic figure. A1 to A3 in FIGS. 15 to 17 are G
DT characteristics, B1 to B3 are attenuation characteristics, and GDT (μ
S), the amount of attenuation (dB) is plotted on the left vertical axis, and the frequency (MHz) is plotted on the horizontal axis. Figure 15 shows the Q of the ceramic resonator.
Characteristics when m is selected as high as Qm = 300, Fig. 16 shows Qm = 20
FIG. 17 shows the characteristics when a general-purpose type ceramic resonator of 0 is used, and FIG. 17 shows the characteristics when Qm is reduced to Qm = 100.

第15図の場合、Qm=300と高い値に選定したことによ
り、減衰特性B1の立上り及び立下りが急激であり、良好
な選択度が得られる。ところが、GDT特性A1は10.7MHz付
近で下に凹となる双峰性特性となり、著しい歪を生じて
いる。
In the case of FIG. 15, by selecting a high value of Qm = 300, the rise and fall of the attenuation characteristic B1 are sharp, and a good selectivity can be obtained. However, the GDT characteristic A1 has a bimodal characteristic that is concave downward at around 10.7 MHz, causing significant distortion.

一方、第17図ではGDT特性A3は第15図の場合より平坦
化されるものの、減衰特性B3の立上り、立下りが緩やか
になり、選択度が悪化している。しかも、挿入損失が約
9dBと非常に大きくなっている。このため、第17図の特
性を有するフィルタ素子を多段接続して選択度を上げた
場合、挿入損失が段数に比例して極端に増大し、実用で
きなくなる。
On the other hand, in FIG. 17, the GDT characteristic A3 is flatter than in the case of FIG. 15, but the rise and fall of the attenuation characteristic B3 become gentle, and the selectivity is deteriorated. Moreover, the insertion loss is about
It is very large at 9dB. For this reason, when the filter elements having the characteristics shown in FIG. 17 are connected in multiple stages to increase the selectivity, the insertion loss increases extremely in proportion to the number of stages, making it impractical.

本発明の課題は、高選択度と低歪率とを同時に満足し
得るフィルタ回路または群遅延イコライザ等の伝送回路
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a transmission circuit such as a filter circuit or a group delay equalizer that can simultaneously satisfy high selectivity and low distortion.

課題を解決するための手段 上述した課題を解決するため、本発明に係る伝送回路
は、移相素子と、フィルタ素子とを含む。前記移相素子
は反共振周波数または共振周波数の異なる少なくとも一
対の共振子を、並列に接続して構成され、上に凸となる
GDT特性を有している。前記フィルタ素子は、中間部で
凹むU型のGDT特性を有し、前記移相素子と縦続接続さ
れている。
Means for Solving the Problems To solve the above-described problems, a transmission circuit according to the present invention includes a phase shift element and a filter element. The phase shift element is configured by connecting at least a pair of resonators having different anti-resonance frequencies or resonance frequencies in parallel, and is upwardly convex.
Has GDT characteristics. The filter element has a U-shaped GDT characteristic depressed at an intermediate portion, and is cascaded with the phase shift element.

作用 本発明に係る伝送回路に含まれる移相素子において、
反共振周波数の異なる一対の共振子を並列に接続した場
合、GDT特性が各共振子の異なる反共振周波数または共
振周波数で急激に変化し、反共振周波数間で上に凸の特
性となる。このGDT特性は、中間部で凹むU型のGDT特性
を有する従来のセラミックフィルタ素子のGDT特性と逆
であり、従って、従来のセラミックフィルタ素子と組合
せて、GDT特性を平坦化し、歪をなくしたGDTイコライザ
またはフィルタ回路として利用できる。
In the phase shift element included in the transmission circuit according to the present invention,
When a pair of resonators having different anti-resonance frequencies are connected in parallel, the GDT characteristics rapidly change at different anti-resonance frequencies or resonance frequencies of the respective resonators, and become upwardly convex between the anti-resonance frequencies. This GDT characteristic is opposite to the GDT characteristic of the conventional ceramic filter element having the U-shaped GDT characteristic recessed in the middle part, and therefore, in combination with the conventional ceramic filter element, the GDT characteristic is flattened and the distortion is eliminated. It can be used as a GDT equalizer or filter circuit.

しかも、減衰特性は、共振子の各反共振周波数で振幅
が急激に変化し、かつ、反共振周波数間で、振幅が急激
に増大する特性となる。このため、優れた選択度を確保
することができる。
In addition, the attenuation characteristic is such that the amplitude changes rapidly at each anti-resonance frequency of the resonator, and the amplitude sharply increases between the anti-resonance frequencies. Therefore, excellent selectivity can be ensured.

共振周波数の異なる一対の共振子を並列に接続した移
相素子の場合は、四端子伝送回路に対して並列に接続し
て使用する。この場合には、GDT特性及び減衰特性に関
して、各共振周波数で上述と同様の特性が得られる。
In the case of a phase shift element in which a pair of resonators having different resonance frequencies are connected in parallel, they are used by being connected in parallel to a four-terminal transmission circuit. In this case, the same characteristics as described above can be obtained at each resonance frequency with respect to the GDT characteristics and the attenuation characteristics.

実施例 第1図は本発明に係る伝送回路を構成する移相素子の
シンボル図である。図において、5及び6は並列に接続
された共振子である。共振子5、6は圧電セラミック基
板51、61の両面に電極(52、53)、(62、63)を形成
し、電極52−62及び電極53−63を共通に接続した構造と
なっている。7、8は端子である。共振子5、6は反共
振周波数または共振周波数を互いに異ならせてある。即
ち、共振子5の反共振周波数をFalとし、共振子6の反
共振周波数をFa2として、 Fal≠Fa2 とするか、または、共振子5の共振周波数Fr1とし、共
振子6の共振周波数をFr2として、 Fr1≠Fr2 とするのである。この実施例では、共振子5と共振子6
の2つの並列接続となっているが、より多数の共振子の
並列接続としてもよい。
Embodiment FIG. 1 is a symbol diagram of a phase shifter constituting a transmission circuit according to the present invention. In the figure, 5 and 6 are resonators connected in parallel. The resonators 5, 6 have a structure in which electrodes (52, 53), (62, 63) are formed on both surfaces of the piezoelectric ceramic substrates 51, 61, and the electrodes 52-62 and 53-63 are commonly connected. . 7 and 8 are terminals. The resonators 5 and 6 have different anti-resonance frequencies or resonance frequencies. That is, the anti-resonance frequency of the resonator 5 is Fal, the anti-resonance frequency of the resonator 6 is Fa2, and Fal ≠ Fa2, or the resonance frequency of the resonator 5 is Fr1, and the resonance frequency of the resonator 6 is Fr2. And Fr1 ≠ Fr2. In this embodiment, the resonators 5 and 6
Are connected in parallel, but a larger number of resonators may be connected in parallel.

第2図は第1図に示した移相素子において、共振子5
の反共振周波数Fa1と、共振子6の反共振周波数Fa2とを
異ならせた場合、つまり、 Fa1≠Fa2 とした場合の駆動回路図である。この実施例では、Fa1
>Fa2とした場合について説明する。図において、9は
移相素子の部分、10は信号源、Rinは入力抵抗、Routは
出力抵抗である。入力抵抗Rin及び出力抵抗Routは300Ω
に設定してある。
FIG. 2 shows the phase shifter shown in FIG.
FIG. 4 is a drive circuit diagram when the anti-resonance frequency Fa1 is different from the anti-resonance frequency Fa2 of the resonator 6, that is, when Fa1 ≠ Fa2. In this embodiment, Fa1
The case of> Fa2 will be described. In the figure, 9 is a phase shift element portion, 10 is a signal source, Rin is an input resistance, and Rout is an output resistance. Input resistance Rin and output resistance Rout are 300Ω
Is set to

第2図の回路においては、GDT特性が、第3図の特性A
4に示すように、共振子5の反共振周波数Fa1及び共振子
6の反共振周波数Fa2において急激に変化し、かつ、反
共振周波数Fa1と反共振周波数Fa2との間で、上に凸の特
性となる。このGDT特性A4は、従来のセラミックフィル
タ素子のGDT特性(第15図または第16図)と逆であり、
従って、従来のセラミックフィルタ素子と組合せること
により、GDT特性を平坦化し得るGDTイコライザとして利
用できる。
In the circuit of FIG. 2, the GDT characteristic is the characteristic A of FIG.
As shown in FIG. 4, the characteristics change sharply at the anti-resonance frequency Fa1 of the resonator 5 and the anti-resonance frequency Fa2 of the resonator 6, and have an upwardly convex characteristic between the anti-resonance frequency Fa1 and the anti-resonance frequency Fa2. Becomes This GDT characteristic A4 is opposite to the GDT characteristic (FIG. 15 or 16) of the conventional ceramic filter element,
Therefore, by combining with a conventional ceramic filter element, it can be used as a GDT equalizer that can flatten GDT characteristics.

しかも、減衰特性は、第3図の特性B4に示すように、
共振子5の反共振周波数Fa1及び共振子6の反共振周波
数Fa2において、振幅が急激に減衰し、かつ、反共振周
波数Fa1と反共振周波数Fa2との間で、振幅が急激に増大
する特性となる。このため、優れた選択度を確保するこ
とができる。
Moreover, the attenuation characteristic is, as shown by the characteristic B4 in FIG.
At the anti-resonance frequency Fa1 of the resonator 5 and the anti-resonance frequency Fa2 of the resonator 6, the amplitude sharply attenuates, and the amplitude sharply increases between the anti-resonance frequency Fa1 and the anti-resonance frequency Fa2. Become. Therefore, excellent selectivity can be ensured.

次に、第3図に示すような特性が得られる理由につい
て説明する。
Next, the reason why the characteristics shown in FIG. 3 are obtained will be described.

第4図(a)に示す如く、入力抵抗Rin=300Ω、Rout
=300Ωとした回路において、伝送路に直列に共振子5
を接続し、信号源10で駆動した場合、第4図(b)に示
すように、反共振周波数Fa1で急激に落込むGDT特性A5及
び減衰特性B5が得られる。
As shown in FIG. 4 (a), the input resistance Rin = 300Ω, Rout
= 300Ω in the circuit, the resonator 5
Is connected and driven by the signal source 10, as shown in FIG. 4 (b), a GDT characteristic A5 and an attenuation characteristic B5 which drop sharply at the anti-resonance frequency Fa1 are obtained.

次に、第5図(a)に示す如く、伝送路に直列に共振
子6を接続して駆動した場合、第5図(b)に示す如
く、反共振周波数Fa2で急激に落込むGDT特性A6及び減衰
特性B6が得られる。
Next, as shown in FIG. 5 (a), when the resonator 6 is connected in series to the transmission line and driven, as shown in FIG. 5 (b), the GDT characteristic drops sharply at the anti-resonance frequency Fa2. A6 and the attenuation characteristic B6 are obtained.

第2図の回路は、重ねの理より、第4図(a)に示す
回路と第5図(a)に示す回路とを重ね合せた回路と実
質的に同一である。従って、第4図(b)の特性と第5
図(b)の特性を重ね合せた第3図の特性が得られるの
である。
The circuit of FIG. 2 is substantially the same as the circuit obtained by superposing the circuit shown in FIG. 4A and the circuit shown in FIG. Therefore, the characteristic shown in FIG.
The characteristic shown in FIG. 3 in which the characteristic shown in FIG.

第6図は共振子5、6の共振周波数Fr1、Fr2を互いに
異ならせた場合の別の実施例を示し、共振子5及び共振
子6の並列回路を、四端子伝送回路に並列に接続してあ
る。この実施例の場合にも、GDT特性及び減衰特性に関
して、各共振周波数Fr1、Fr2で上述と同様の特性が得ら
れる。11、12は入力端子、13、14は出力端子である。
FIG. 6 shows another embodiment in which the resonance frequencies Fr1 and Fr2 of the resonators 5 and 6 are different from each other. A parallel circuit of the resonators 5 and 6 is connected in parallel to a four-terminal transmission circuit. It is. Also in the case of this embodiment, with respect to the GDT characteristics and the attenuation characteristics, the same characteristics as described above can be obtained at the respective resonance frequencies Fr1 and Fr2. 11 and 12 are input terminals, and 13 and 14 are output terminals.

第7図は上述した移相素子15を、従来のセラミックフ
ィルタ素子16と組合せて構成した本発明に係る伝送回路
を示す。この伝送回路はGDTイコライザの例を示してい
る。セラミックフィルタ素子16のGDT特性は、第8図の
特性A7に示すような下に凹となる双峰状特性となるが、
移相素子15のGDT特性は、第3図の特性A4に示したよう
に、上に凸となる特性となる。従って、第8図の特性A7
と第3図の特性A4との合成により、第9図の特性A8に示
すように平坦なGDT特性が得られる。減衰特性に関して
も、第8図の特性B7と第3図の特性B4との合成により、
第9図の特性B8に示すような特性が得られる。減衰特性
B8は、平坦なGDT特性の得られる周波数領域から、その
両側の周波数領域にかけての減衰が大きくなっており、
選択度の高い特性が得られている。
FIG. 7 shows a transmission circuit according to the present invention in which the above-described phase shift element 15 is combined with a conventional ceramic filter element 16. This transmission circuit shows an example of a GDT equalizer. The GDT characteristic of the ceramic filter element 16 is a bimodal characteristic that is concave downward as shown by characteristic A7 in FIG.
The GDT characteristic of the phase shift element 15 is a characteristic that becomes convex upward as shown by the characteristic A4 in FIG. Therefore, the characteristic A7 in FIG.
A flat GDT characteristic is obtained as shown by a characteristic A8 in FIG. 9 by combining the characteristic with the characteristic A4 in FIG. Regarding the attenuation characteristic, the characteristic B7 in FIG. 8 and the characteristic B4 in FIG.
The characteristic as shown by the characteristic B8 in FIG. 9 is obtained. Attenuation characteristics
B8 has a large attenuation from the frequency domain where a flat GDT characteristic is obtained to the frequency domain on both sides of it.
High selectivity characteristics are obtained.

第10図は本発明に係る伝送回路を構成する移相素子の
具体的を構造を示す平面図、第11図は同じくその底面図
である。この実施例では、平板状に形成された圧電セラ
ミック基板1の一面側に、セラミック共振子5を構成す
る電極52と、セラミック共振子6を構成する電極62と
を、間隔をおいて形成すると共に、これらの電極52−62
をリード電極17によって導通させ、電極52から延長され
たリード電極521に、端子7を接続固定してある。一
方、圧電セラミック基板1の他面側には、電極52、62の
それぞれと対向する電極53、63を形成し、これらの電極
53−63をリード電極18によって導通接続させ、電極63か
ら延長したリード電極631に端子8を接続固定してあ
る。
FIG. 10 is a plan view showing a specific structure of a phase shift element constituting a transmission circuit according to the present invention, and FIG. 11 is a bottom view of the same. In this embodiment, an electrode 52 forming the ceramic resonator 5 and an electrode 62 forming the ceramic resonator 6 are formed on one side of the piezoelectric ceramic substrate 1 formed in a flat shape at an interval. , These electrodes 52-62
Are conducted by the lead electrode 17, and the terminal 7 is connected and fixed to the lead electrode 521 extended from the electrode 52. On the other hand, electrodes 53 and 63 are formed on the other surface of the piezoelectric ceramic substrate 1 so as to face the electrodes 52 and 62, respectively.
53-63 are conductively connected by the lead electrode 18, and the terminal 8 is connected and fixed to the lead electrode 631 extending from the electrode 63.

共振子5の反共振周波数Fal及び共振周波数Fr1と、共
振子6の反共振周波数Fa2及び共振周波数Fr2に関して、 Fa1≠Fa2 または、 Fr1≠Fr2 とするために、第10図及び第11図の実施例では、共振子
5の電極52、53の面積と、共振子6の電極62、63の面積
を異ならせてある。
The anti-resonance frequency Fal and the resonance frequency Fr1 of the resonator 5 and the anti-resonance frequency Fa2 and the resonance frequency Fr2 of the resonator 6 are set so that Fa1 ≠ Fa2 or Fr1 ≠ Fr2 as shown in FIGS. In the example, the areas of the electrodes 52 and 53 of the resonator 5 and the areas of the electrodes 62 and 63 of the resonator 6 are different.

反共振周波数Fa1とFa2及び共振周波数Fr1とFr2とを異
ならせるための別の手段としては、第12図に示すよう
に、共振子5の電極52、53と、共振子6の電極62、63と
を略同一の面積としておいて、共振子6(または共振子
5)の電極62、63の表面に、ソルダレジスト20を適当な
厚さ及び面積となるように塗布する手段等も有効であ
る。
As another means for making the anti-resonance frequencies Fa1 and Fa2 and the resonance frequencies Fr1 and Fr2 different, as shown in FIG. 12, the electrodes 52 and 53 of the resonator 5 and the electrodes 62 and 63 of the resonator 6 are used. Means for applying the solder resist 20 to the surfaces of the electrodes 62 and 63 of the resonator 6 (or the resonator 5) so that the solder resist 20 has an appropriate thickness and area is also effective. .

発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、GDT特性の平坦
化による低歪率と、高選択度とを同時に満足し得るフィ
ルタ回路またはGDTイコライザ等の伝送回路を提供する
ことができる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to provide a transmission circuit such as a filter circuit or a GDT equalizer that can simultaneously satisfy a low distortion rate due to flattening of GDT characteristics and high selectivity. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係る伝送回路を構成する移相素子のシ
ンボル図、第2図は第1図に示した移相素子の駆動回路
図、第3図は第2図の駆動回路によって得られたGDT特
性及び減衰特性を示す図、第4図(a)は共振子5を伝
送路に並列接続した駆動回路図、第4図(b)は第4図
(a)の駆動回路によって得られたGDT特性及び減衰特
性を示す図、第5図(a)は共振子6を伝送路に直列接
続した駆動回路図、第5図(b)は第5図(a)の駆動
回路によって得られたGDT特性及び減衰特性を示す図、
第6図は本発明に係る伝送回路を構成する移相素子の別
の実施例におけるシンボル図、第7図は移相素子とセラ
ミックフィルタと組合せた本発明に係るGDTイコライザ
を示す図、第8図は第7図におけるセラミックフィルタ
のGDT特性及び減衰特性を示す図、第9図は第7図の回
路によって得られたGDT特性及び減衰特性を示す図、第1
0図は本発明に係る伝送回路を構成する移相素子の具体
的な構造を示す平面図、第11図は同じくその底面図、第
12図は別の実施例における平面図、第13図は従来のセラ
ミック共振子の構成を概略的に示す図、第14図は第13図
に示したセラミック共振子を用いた従来のセラミックフ
ィルタ回路、第15図〜第17図は同じくそのGDT特性及び
減衰特性を示す図である。 5、6……共振子
FIG. 1 is a symbol diagram of the phase shift element constituting the transmission circuit according to the present invention, FIG. 2 is a drive circuit diagram of the phase shift element shown in FIG. 1, and FIG. 3 is obtained by the drive circuit of FIG. FIG. 4 (a) is a drive circuit diagram in which the resonator 5 is connected in parallel to the transmission line, and FIG. 4 (b) is obtained by the drive circuit of FIG. 4 (a). FIG. 5 (a) is a diagram showing the GDT characteristics and attenuation characteristics obtained, FIG. 5 (a) is a diagram of a drive circuit in which a resonator 6 is connected in series to a transmission line, and FIG. 5 (b) is obtained by the drive circuit of FIG. 5 (a). A diagram showing the obtained GDT characteristics and attenuation characteristics,
FIG. 6 is a symbol diagram of another embodiment of the phase shift element constituting the transmission circuit according to the present invention, FIG. 7 is a view showing a GDT equalizer according to the present invention combined with a phase shift element and a ceramic filter, FIG. 9 is a diagram showing the GDT characteristics and attenuation characteristics of the ceramic filter in FIG. 7, FIG. 9 is a diagram showing the GDT characteristics and attenuation characteristics obtained by the circuit of FIG.
FIG. 0 is a plan view showing a specific structure of a phase shift element constituting the transmission circuit according to the present invention, FIG. 11 is a bottom view thereof, and FIG.
FIG. 12 is a plan view of another embodiment, FIG. 13 is a diagram schematically showing the configuration of a conventional ceramic resonator, and FIG. 14 is a conventional ceramic filter circuit using the ceramic resonator shown in FIG. 15 to 17 are diagrams showing the GDT characteristics and the attenuation characteristics thereof. 5, 6 ... resonator

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】移相素子と、フィルタ素子とを含む伝送回
路であって、 前記移相素子は、反共振周波数または共振周波数の異な
る少なくとも一対の共振子を、並列に接続して構成さ
れ、上に凸となる群遅延一周波数特性を有しており、 前記フィルタ素子は、中間部で凹むU型の群遅延時間一
周波数特性を有し、前記移相素子と縦続接続されている 伝送回路。
1. A transmission circuit including a phase shift element and a filter element, wherein the phase shift element is configured by connecting at least a pair of resonators having different anti-resonance frequencies or resonance frequencies in parallel, A transmission circuit that has a group delay-frequency characteristic that is convex upward, and the filter element has a U-type group delay time-frequency characteristic that is concave at an intermediate portion, and is cascaded with the phase shift element. .
【請求項2】前記移相素子は、反共振周波数の異なる少
なくとも一対の共振子を並列に接続してなる 特許請求の範囲第1項に記載の伝送回路。
2. The transmission circuit according to claim 1, wherein the phase shift element is configured by connecting at least a pair of resonators having different anti-resonance frequencies in parallel.
【請求項3】前記移相素子は、共振周波数の異なる少な
くとも一対の共振子を並列に接続してなる 特許請求の範囲第1項に記載の伝送回路。
3. The transmission circuit according to claim 1, wherein the phase shift element is formed by connecting at least a pair of resonators having different resonance frequencies in parallel.
【請求項4】前記移相素子の前記共振子は、セラミック
共振子でなる特許請求の範囲第1項に記載の伝送回路。
4. The transmission circuit according to claim 1, wherein said resonator of said phase shift element is a ceramic resonator.
【請求項5】前記共振子は、共通の圧電セラミック基板
に形成されている特許請求の範囲第4項に記載の伝送回
路。
5. The transmission circuit according to claim 4, wherein said resonator is formed on a common piezoelectric ceramic substrate.
【請求項6】フィルタ回路または群遅延イコライザとし
て使用される特許請求の範囲第1項に記載の伝送回路。
6. The transmission circuit according to claim 1, wherein the transmission circuit is used as a filter circuit or a group delay equalizer.
JP61105613A 1986-03-28 1986-05-07 Phase shift element Expired - Lifetime JP2634798B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61105613A JP2634798B2 (en) 1986-05-07 1986-05-07 Phase shift element
US07/028,086 US4818959A (en) 1986-03-28 1987-03-19 Phase equalizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61105613A JP2634798B2 (en) 1986-05-07 1986-05-07 Phase shift element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62261210A JPS62261210A (en) 1987-11-13
JP2634798B2 true JP2634798B2 (en) 1997-07-30

Family

ID=14412348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61105613A Expired - Lifetime JP2634798B2 (en) 1986-03-28 1986-05-07 Phase shift element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2634798B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2935232B2 (en) * 1991-12-04 1999-08-16 株式会社村田製作所 Piezoelectric resonator for FM discriminator
JPH0750547A (en) * 1992-05-11 1995-02-21 Tdk Corp Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2186175A5 (en) * 1972-05-24 1974-01-04 Thomson Csf
JPS4942868U (en) * 1972-07-17 1974-04-15
JPS59115608A (en) * 1982-12-22 1984-07-04 Murata Mfg Co Ltd Piezoelectric resonator

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62261210A (en) 1987-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106253877B (en) Ladder-type acoustic wave filter and notch diplexer
JP2002300003A (en) Elastic wave filter
JPWO2006016544A1 (en) Duplexer and communication device
JPH01314008A (en) Ladder-type piezoelectric filter
JP2634798B2 (en) Phase shift element
US5818146A (en) Surface acoustic wave resonator filter apparatus
JP2710154B2 (en) Phase shift element
US5107234A (en) Surface-wave filter with selectively connectable tracks to provide a variable transmission band
JPS5931890B2 (en) surface acoustic wave filter
KR100287361B1 (en) PIEZOELECTRIC CERAMIC FILTER CIRCUIT AND PIEZOELECTRIC CERAMIC FILTER
JP3402015B2 (en) Surface acoustic wave filter
JPH0331283B2 (en)
US3983518A (en) Filter chain
JPH07122965A (en) Surface acoustic wave filter
JP2738673B2 (en) Ceramic resonator
JP2728244B2 (en) Group delay equalizer
JPH06276050A (en) Group delay equalizer and filter
JP4329557B2 (en) Surface acoustic wave device, communication device
JPH05259804A (en) Ultrathin plate multi-state cascade connection multiplex mode filter
JP2539549B2 (en) Surface acoustic wave filter
JPH04249907A (en) Surface acoustic wave filter
JPS5822334Y2 (en) Ladder filter using rectangular piezoelectric resonators
JPH08237064A (en) Lateral coupling duplex mode surface acoustic wave filter
JP2002368578A (en) Piezoelectric filter
JP2613194B2 (en) Ceramic trap element