JP2613194B2 - Ceramic trap element - Google Patents

Ceramic trap element

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JP2613194B2
JP2613194B2 JP60286963A JP28696385A JP2613194B2 JP 2613194 B2 JP2613194 B2 JP 2613194B2 JP 60286963 A JP60286963 A JP 60286963A JP 28696385 A JP28696385 A JP 28696385A JP 2613194 B2 JP2613194 B2 JP 2613194B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミックトラップ素子に関し、3つの共
振子を、入出力端間でπ型に結線することにより、外付
けインダクタを省略して部品点数を減少させると共に、
トラップ特性における減衰量の増大及び肩特性の改善を
同時に満すようにしたものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic trap element, in which three resonators are connected in a π shape between input and output terminals, thereby eliminating an external inductor and reducing the number of components. Together with
It is intended to simultaneously increase the amount of attenuation in the trap characteristics and improve the shoulder characteristics.

従来の技術 セラミックトラップ素子は、例えばテレビ受像機にお
いて、ビデオ信号中に含まれる音声信号を除去する回路
素子等に使用される。第10図及び第11図は従来のセラミ
ックトラップ素子を示し、圧電セラミック基板1の厚み
方向の両面の対向位置に、2組の電極対(2、4)及び
(3、5)を間隔をおいて形成し、電極対(2、4)に
よる共振子A及び電極対(3、5)による共振子Bをそ
れぞれ形成した構造となっている。電極4及び5は導電
部6によって電気的に導通させてある。電極2、3はリ
ード電極2a、3aによって圧電セラミック基板1の同一端
縁側に導出し、リード電極2a、3aのそれぞれに入力端子
7及び出力端子8を半田付け固定してある。また、導電
部6にも、前記入力端子7及び出力端子8と同一方向に
引出される共通端子9を半田付け固定してある。
2. Description of the Related Art A ceramic trap element is used for a circuit element for removing an audio signal included in a video signal, for example, in a television receiver. 10 and 11 show a conventional ceramic trap element. Two pairs of electrodes (2, 4) and (3, 5) are arranged at opposing positions on both sides in the thickness direction of the piezoelectric ceramic substrate 1. The resonator A is formed by the electrode pair (2, 4) and the resonator B is formed by the electrode pair (3, 5). The electrodes 4 and 5 are electrically connected by the conductive portion 6. The electrodes 2, 3 are led out to the same edge side of the piezoelectric ceramic substrate 1 by lead electrodes 2a, 3a, and an input terminal 7 and an output terminal 8 are fixed to the lead electrodes 2a, 3a by soldering. Also, a common terminal 9 that is drawn out in the same direction as the input terminal 7 and the output terminal 8 is fixed to the conductive portion 6 by soldering.

第12図は第10図及び第11図に示した従来のセラミック
トラップ素子の回路記号であり、電極対(2、4)によ
る共振子Aと、電極対(3、5)による共振子Bとを、
電極4、5を導通させる導電部6及び導電部6に半田付
けされた共通端子9によって共通に接続すると共に、電
極2及び電極3側を入力端子7及び出力端子8で独立さ
せた2素子型3端子のトラップ回路が形成される。実際
のトラップ回路では、入力端子7−出力端子8間にイン
ダクタLを接続して使用する。このインダクタLは外付
け部品である。
FIG. 12 is a circuit symbol of the conventional ceramic trap element shown in FIGS. 10 and 11, and includes a resonator A composed of the electrode pair (2, 4) and a resonator B composed of the electrode pair (3, 5). To
A two-element type in which the electrodes 4 and 5 are electrically connected by a conductive part 6 for conducting the electrodes 4 and 5 and a common terminal 9 soldered to the conductive part 6, and the electrodes 2 and 3 are made independent of an input terminal 7 and an output terminal 8. A three-terminal trap circuit is formed. In an actual trap circuit, an inductor L is connected between an input terminal 7 and an output terminal 8 for use. This inductor L is an external component.

第13図はトラップ特性を示し、横軸に周波数(MHz)
を取り、縦軸にトラップ量(dB)をとってある。ビデオ
信号中に含まれる音声中間周波(以下SIFと称する)は
4.5MHz、映像中間周波(以下PIFと称する)は4.5MHz以
下であるから、セラミックトラップ素子を用いてSIF信
号を除去するトラップ回路を構成する場合、トラップ特
性としては、SIF(4.5MHz)でのトラップ量が大きいこ
と、PIF領域での減衰が小さいことと共に、PIF側からSI
F(4.5MHz)にかけての減衰特性がシャープであるこ
と、つまり肩部(イ)の垂下が急峻で、肩特性がシャー
プであることが重要である。
Fig. 13 shows the trap characteristics, with the horizontal axis representing the frequency (MHz).
And the vertical axis indicates the trap amount (dB). The audio intermediate frequency (hereinafter referred to as SIF) contained in the video signal is
Since 4.5MHz and the video intermediate frequency (hereinafter referred to as PIF) are 4.5MHz or less, when configuring a trap circuit to remove the SIF signal using a ceramic trap element, the trap characteristics are as follows in SIF (4.5MHz). The trap amount is large, the attenuation in the PIF region is small, and the SI
It is important that the attenuation characteristic toward F (4.5 MHz) is sharp, that is, the droop of the shoulder (a) is steep and the shoulder characteristic is sharp.

発明が解決しようとする問題点 ところが、従来のセラミックトラップ素子は、実際の
使用に当って、共振子A−B間にインダクタLを外付け
しなければならないため、部品点数がその分だけ増え、
回路構成の小型化を図る障害になると共に、使い勝手も
悪くなる。
Problems to be Solved by the Invention However, in the conventional ceramic trap element, since the inductor L must be externally connected between the resonators A and B in actual use, the number of parts increases accordingly.
This is an obstacle to downsizing the circuit configuration, and also reduces usability.

また、インダクタLを用いた場合、そのインダクタン
ス値が低いと、第14図に示すように、トラップ減衰量が
小さくなり、インダクタンス値が高くなると、第15図及
び第16図に示すように、トラップ減衰量は増大する。し
かし、第15図及び第16図の比較から明らかなように、イ
ンダクタンス値を増大させてトラップ減衰量を増大させ
ると、肩特性が悪くなるという問題点を生じる。
When the inductor L is used, if the inductance value is low, the trap attenuation decreases as shown in FIG. 14, and if the inductance value increases, the trap attenuation decreases as shown in FIG. 15 and FIG. The amount of attenuation increases. However, as apparent from the comparison between FIG. 15 and FIG. 16, when the inductance value is increased to increase the trap attenuation, there arises a problem that the shoulder characteristics deteriorate.

結局、従来のインダクタLを用いたセラミックトラッ
プ素子では、トラップ減衰量が大きく、肩特性のシャー
プなセラミックトラップ素子を得ることが困難である。
As a result, in the conventional ceramic trap element using the inductor L, it is difficult to obtain a ceramic trap element having a large trap attenuation and a sharp shoulder characteristic.

なお、第14図〜第16図の特性は第17図の測定回路によ
って得られたものである。第17図において、セラミック
トラップ素子を構成する共振子A、Bとしては次のもの
を使用した。
The characteristics shown in FIGS. 14 to 16 are obtained by the measurement circuit shown in FIG. In FIG. 17, the following resonators A and B constituting the ceramic trap element were used.

共振周波数Fr=4.5MHz 反共振周波数Fa=5.2MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=65PF そして、上記のセラミックトラップ素子に対し、イン
ダクタLとして、インダクタンス値L=0.1μH、10μ
H、30μHのように変えたものを外付けした。入力抵抗
は330Ω、出力側に結ばた抵抗は1KΩである。10は信号
源である。
Resonance frequency Fr = 4.5MHz Anti-resonance frequency Fa = 5.2MHz Resonance resistance Rφ = 16Ω Capacitance Cd = 65PF And, for the above ceramic trap element, as inductor L, inductance value L = 0.1μH, 10μ
H, 30 μH were externally attached. The input resistance is 330Ω, and the resistance connected to the output side is 1KΩ. 10 is a signal source.

問題点を解決するための手段 上述する従来の問題点を解決するため、本発明に係る
セラミックトラップ素子は、第1の共振子と、第2の共
振子と、第3の共振子とを含む。前記第1の共振子、前
記第2の共振子及び前記第3の共振子のそれぞれは、圧
電基板の表裏に形成された対の電極を有している。前記
第1の共振子は、前記対の電極の一方が、1つの入力端
子に接続されている。前記第2の共振子は、前記対の電
極の一方が、前記1つの出力端子に接続されている。前
記第1の共振子及び前記第2の共振子の前記対の電極の
他方は、共通端子に共通に接続されている。前記第3の
共振子は、前記入力端子及び出力端子の間に挿入され、
前記対の電極が、前記入力端子及び前記出力端子にそれ
ぞれ接続されている。
Means for Solving the Problems In order to solve the conventional problems described above, a ceramic trap element according to the present invention includes a first resonator, a second resonator, and a third resonator. . Each of the first resonator, the second resonator, and the third resonator has a pair of electrodes formed on the front and back of a piezoelectric substrate. In the first resonator, one of the pair of electrodes is connected to one input terminal. In the second resonator, one of the pair of electrodes is connected to the one output terminal. The other of the pair of electrodes of the first resonator and the second resonator is commonly connected to a common terminal. The third resonator is inserted between the input terminal and the output terminal,
The pair of electrodes are connected to the input terminal and the output terminal, respectively.

更に、前記第1の共振子の共振周波数をFr1、反共振
周波数をFa1とし、前記第2の共振子の共振周波数をFr
2、反共振周波数をFa2とし、前記第3の共振子の共振周
波数をFr3、反共振周波数をFa3としたとき、 Fr3≦Fr1、Fr2 Fr1、Fr2≦Fa3+0.2(Fa3−Fr3) を満足する。
Further, the resonance frequency of the first resonator is Fr1, the anti-resonance frequency is Fa1, and the resonance frequency of the second resonator is Fr.
2. When the anti-resonance frequency is Fa2, the resonance frequency of the third resonator is Fr3, and the anti-resonance frequency is Fa3, Fr3 ≦ Fr1, Fr2 Fr1, Fr2 ≦ Fa3 + 0.2 (Fa3−Fr3) .

作用 上述のように、入力端子に接続される第1の共振子
と、出力端子に接続される第2の共振子と、前記入力端
子及び出力端子間に接続される第3の共振子とを備える
構成であると、第3の共振子は共振周波数(Fr3)と反
共振周波数(Fa3)の間ではインダクタと同様の働きを
するので、外付けインダクタが不要になる。
Operation As described above, the first resonator connected to the input terminal, the second resonator connected to the output terminal, and the third resonator connected between the input terminal and the output terminal With such a configuration, the third resonator functions similarly to the inductor between the resonance frequency (Fr 3 ) and the anti-resonance frequency (Fa 3 ), so that an external inductor is not required.

また、外付けインダクタの場合と異なって、第3の共
振子のインダクタンス成分は、容易に数百μHと大きく
できるために、トラップ特性における減衰量を増大で
き、しかも、共振周波数(Fr3)と反共振周波数(Fa3
の間以外では、インダクタとして作用しないので肩特性
を悪化させないことが解った。
Also, unlike the case of an external inductor, the inductance component of the third resonator can be easily increased to several hundred μH, so that the attenuation in the trap characteristic can be increased, and the resonance frequency (Fr 3 ) Anti-resonance frequency (Fa 3 )
Except during the period, it does not act as an inductor, so that the shoulder characteristics are not deteriorated.

さらに実験により、前記第1の共振子の共振周波数を
Fr1、反共振周波数をFa1とし、前記第2の共振子の共振
周波数をFr2、反共振周波数をFa2とし、前記第3の共振
子の共振周波数をFr3、反共振周波数をFa3としたとき、 Fr3≦Fr1、Fr2 Fr1、Fr2≦Fa3+0.2(Fa3−Fr3) を満足するように選定すると、トラップ減衰量が70〜10
0dBにも達し、従来の外付けインダクタの場合の約2倍
に近いトラップ減衰量が得られ、かつ、極めてシャープ
な肩特性が得られることが解った。
Further experiments show that the resonance frequency of the first resonator is
Fr 1, the anti-resonant frequency and Fa 1, wherein the resonant frequency of the second resonator Fr 2, the anti-resonance frequency and Fa 2, wherein the third resonator Fr 3 the resonance frequency of the antiresonance frequency Fa 3 and the time, when chosen to satisfy the Fr 3 ≦ Fr 1, Fr 2 Fr 1, Fr 2 ≦ Fa 3 +0.2 (Fa 3 -Fr 3), the trap attenuation is 70 to 10
It has been found that the trap attenuation reaches about 0 dB, which is about twice that of the conventional external inductor, and that an extremely sharp shoulder characteristic can be obtained.

実施例 第1図は本発明に係るセラミックトラップ素子の平面
図、第2図は同じくその底面図である。この実施例で
は、圧電セラミック基板11の両側位置に、厚み方向の両
面側で対向する電極対(12、14)、(13、15)を設け、
これらの電極対(12、14)及び(13、15)によって共振
子A、Bを形成すると共に、電極12、13のある圧電セラ
ミック基板11の一面側の電極12−13における略中間位置
に、電極12と導電部17によって導通させた電極18を形成
し、圧電セラミック基板11の他面側の電極14−15間にお
ける略中間位置に、前記電極18と対向し前記電極15と導
電部19によって導通させた電極20を形成し、この電極1
8、20によって第3の共振子Cを形成してある。
Embodiment FIG. 1 is a plan view of a ceramic trap element according to the present invention, and FIG. 2 is a bottom view of the same. In this embodiment, electrode pairs (12, 14) and (13, 15) facing each other on both sides in the thickness direction are provided on both sides of the piezoelectric ceramic substrate 11,
Resonators A and B are formed by these electrode pairs (12, 14) and (13, 15), and are located at substantially intermediate positions of the electrodes 12-13 on one surface of the piezoelectric ceramic substrate 11 having the electrodes 12, 13. An electrode 18 electrically connected to the electrode 12 and the conductive portion 17 is formed, and at a substantially intermediate position between the electrodes 14 and 15 on the other surface of the piezoelectric ceramic substrate 11, the electrode 18 and the conductive portion 19 face the electrode 18. An electrically conductive electrode 20 is formed, and this electrode 1
The third resonator C is formed by 8 and 20.

そして、電極12から延長されたリード電極12aに入力
端子21を接続固定すると共に、電極14から導かれたリー
ド電極14a及び電極13から導かれたリード電極13aに、共
通端子22を接続して、圧電セラミック基板11の表裏側で
共通に接続し、更に電極15から導かれたリード電極15a
に出力端子23を接続固定してある。
Then, the input terminal 21 is connected and fixed to the lead electrode 12a extended from the electrode 12, and the common terminal 22 is connected to the lead electrode 14a led from the electrode 14 and the lead electrode 13a led from the electrode 13. A lead electrode 15a connected in common on the front and back sides of the piezoelectric ceramic substrate 11 and further led from the electrode 15.
The output terminal 23 is connected and fixed.

第3図は上記実施例に示したセラミックトラップ素子
の回路記号であり、入力端子21に接続される第1の共振
子Aと、出力端子23に接続される第2の共振子Bとを、
共通端子22によって共通に接続すると共に、前記入力端
子21及び出力端子23の間に第3の共振子Cを接続したπ
型のセラミックトラップ回路が得られる。従来との比較
では、第3の共振子Cによって外付けインダクタを置換
したような回路構成となる。
FIG. 3 is a circuit symbol of the ceramic trap element shown in the above embodiment, in which a first resonator A connected to the input terminal 21 and a second resonator B connected to the output terminal 23 are
Π connected in common by a common terminal 22 and a third resonator C is connected between the input terminal 21 and the output terminal 23.
A ceramic trap circuit of the type is obtained. In comparison with the related art, the circuit configuration is such that the external inductor is replaced by the third resonator C.

第4図は別の実施例における平面図、第5図は同じく
その底面図、第6図は第4図A1−A1線上における断面図
である。この実施例では、第1の共振子A及び第2の共
振子Bを第1の圧電セラミック基板11a上に形成すると
共に、この第1の圧電セラミック基板11aの上に第2の
圧電セラミック基板11bを積層して設け、第2の圧電セ
ラミック基板11bを利用して第3の共振子Cを形成して
ある。第1の共振子Aは圧電セラミック基板11aの表裏
の対向位置に形成された電極対(12、14)でなり、電極
12から延長されたリード電極12aに入力端子21を接続固
定してある。第2の共振子Bは圧電セラミック基板11a
の表裏の相対向位置に形成された電極対(13、15)でな
り、電極13から延長されたリード電極13aに出力端子23
を接続固定してある。第1の共振子Aの電極14及び第2
の共振子Bの電極15は導電部25によって共通に接続し、
導電部25から延長されたリード電極25aに共通端子22を
接続固定してある。第3の共振子Cは第2の圧電セラミ
ック基板11bの下面において、前記電極13に導電部26に
よって導通するように形成された電極20と、この電極20
と対向するように、第2のセラミック基板11bの上面に
形成された電極18とでなる。電極18は導電部27によって
第1の共振部Aの電極12に導通させてある。
Plan view in Figure 4 another embodiment, Figure 5 is also a bottom view thereof, FIG. 6 is a cross-sectional view in Figure 4 A 1 -A 1 line. In this embodiment, a first resonator A and a second resonator B are formed on a first piezoelectric ceramic substrate 11a, and a second piezoelectric ceramic substrate 11b is formed on the first piezoelectric ceramic substrate 11a. Are laminated, and the third resonator C is formed using the second piezoelectric ceramic substrate 11b. The first resonator A comprises an electrode pair (12, 14) formed at opposing positions on the front and back of the piezoelectric ceramic substrate 11a.
An input terminal 21 is connected and fixed to a lead electrode 12a extended from 12. The second resonator B is a piezoelectric ceramic substrate 11a.
The electrode terminal (13, 15) is formed at the opposing position on the front and back of the electrode 13 and the output terminal 23 is connected to the lead electrode 13a extended from the electrode 13.
Is fixedly connected. The electrode 14 of the first resonator A and the second
The electrodes 15 of the resonator B are commonly connected by a conductive portion 25,
The common terminal 22 is connected and fixed to a lead electrode 25a extended from the conductive portion 25. The third resonator C includes an electrode 20 formed on the lower surface of the second piezoelectric ceramic substrate 11b so as to be electrically connected to the electrode 13 by a conductive portion 26.
And an electrode 18 formed on the upper surface of the second ceramic substrate 11b so as to oppose the above. The electrode 18 is electrically connected to the electrode 12 of the first resonance section A by the conductive section 27.

次に測定データを上げて本発明の効果を具体的に説明
する。第7図は測定回路図である。セラミックトラップ
素子としては、次の特性のサンプル1及び2を使用し
た。
Next, the effect of the present invention will be specifically described with reference to measurement data. FIG. 7 is a measurement circuit diagram. Samples 1 and 2 having the following characteristics were used as ceramic trap elements.

〔サンプル1〕 第1の共振子A 共振周波数Fr1=4.5MHz 反共振周波数Fa1=5.2MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=65PF 第2の共振子B 共振周波数Fr2=4.5MHz 反共振周波数Fa2=5.2MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=65PF 第3の共振子C 共振周波数Fr3=4.5MHz 反共振周波数Fa3=4.5MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 第8図は上記特性のサンプル1によるトラップ特性図
であって、4.5MHzにおける減衰量が約96dBと著しく大き
くなっており、しかも、極めてシャープな肩特性が得ら
れている。
[Sample 1] First resonator A Resonant frequency Fr 1 = 4.5 MHz Anti-resonant frequency Fa 1 = 5.2 MHz Resonant resistance Rφ = 16Ω Capacitance Cd = 65PF Second resonator B Resonant frequency Fr 2 = 4.5 MHz Resonance frequency Fa 2 = 5.2MHz Resonance resistance Rφ = 16Ω Capacitance Cd = 65PF Third resonator C Resonance frequency Fr 3 = 4.5MHz Anti-resonance frequency Fa 3 = 4.5MHz Resonance resistance Rφ = 16Ω FIG. This is a trap characteristic diagram of Sample 1 in which the attenuation at 4.5 MHz is remarkably large at about 96 dB, and an extremely sharp shoulder characteristic is obtained.

〔サンプル2〕 第1の共振子A 共振周波数Fr1=4.5MHz 反共振周波数Fa1=5.2MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=65PF 第2の共振子B 共振周波数Fr2=4.5MHz 反共振周波数Fa2=5.2MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=65PF 第3の共振子C 共振周波数Fr3=4.5MHz 反共振周波数Fa3=4.55MHz 共振抵抗Rφ=16Ω 静電容量Cd=50PF 第9図はそのトラップ特性図である。この特性図にお
いても、4.5MHzにおける減衰量が約80dBと著しく大きく
なっており、しかも、極めてシャープな肩特性が得られ
ている。
[Sample 2] First resonator A Resonant frequency Fr 1 = 4.5 MHz Anti-resonant frequency Fa 1 = 5.2 MHz Resonant resistance Rφ = 16Ω Capacitance Cd = 65PF Second resonator B Resonant frequency Fr 2 = 4.5 MHz resonance frequency Fa 2 = 5.2 MHz resonance resistance R [phi] = 16ohms capacitance Cd = 65 pF third resonator C resonance frequency Fr 3 = 4.5 MHz antiresonant frequency Fa 3 = 4.55MHz resonance resistance R [phi] = 16ohms capacitance Cd = 50 pF FIG. 9 is a graph showing the trap characteristics. Also in this characteristic diagram, the attenuation at 4.5 MHz is remarkably large at about 80 dB, and an extremely sharp shoulder characteristic is obtained.

上記の第8図及び第8図の特性図は、 Fr3≦Fr1、Fr2 Fa3+0.2(Fa3−Fr3)≧Fr1、Fr2 の条件下で得られたもので、70dB以上の高いトラップ減
衰量が得られている。
8 and FIG. 8 are obtained under the following conditions: Fr 3 ≦ Fr 1 , Fr 2 Fa 3 +0.2 (Fa 3 −Fr 3 ) ≧ Fr 1 , Fr 2 A high trap attenuation of 70 dB or more has been obtained.

発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、外付けインダク
タを省略して部品点数を減少させると共に、トラップ特
性における減衰量の増大及び肩特性の改善を、同時に満
たすようにしたセラミックトラップ素子を提供すること
ができる。
Effect of the Invention As described above, according to the present invention, an external inductor is omitted, the number of components is reduced, and at the same time, an increase in attenuation in trap characteristics and an improvement in shoulder characteristics are simultaneously satisfied. An element can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係るセラミックトラップ素子の平面
図、第2図は同じくその底面図、第3図は同じくその回
路記号図、第4図は別の実施例における平面図、第5図
は同じくその底面図、第6図は第4図A1−A1線上におけ
る断面図、第7図は測定回路図、第8図及び第9図は第
7図の測定回路によって得られたトラップ特性図、第10
図は従来のセラミックトラップ素子の平面図、第11図は
同じくその底面図、第12図は第10図及び第11図に示した
従来のセラミックトラップ素子の回路記号図、第13図は
トラップ特性図、第14図〜第16図は従来のセラミックト
ラップ素子において外付けインダクタのインダクタンス
値を変えた場合のトラップ特性図、第17図は同じくその
特性測定回路図である。 A……第1の共振子、B……第2の共振子 C……第3の共振子 11……圧電セラミック基板 12〜15、18、20……電極 21……入力端子、22……共通端子 23……出力端子
FIG. 1 is a plan view of a ceramic trap element according to the present invention, FIG. 2 is a bottom view thereof, FIG. 3 is a circuit symbol diagram thereof, FIG. 4 is a plan view of another embodiment, and FIG. also a bottom view thereof, FIG. 6 is a cross-sectional view in Figure 4 a 1 -A 1 line, FIG. 7 is Test circuit, Figure 8 and Figure 9 is trapped characteristics obtained by the measurement circuit of Figure 7 Fig. 10,
FIG. 11 is a plan view of a conventional ceramic trap element, FIG. 11 is a bottom view thereof, FIG. 12 is a circuit symbol diagram of the conventional ceramic trap element shown in FIGS. 10 and 11, and FIG. 13 is a trap characteristic. FIGS. 14 to 16 are trap characteristic diagrams when the inductance value of an external inductor is changed in a conventional ceramic trap element, and FIG. 17 is a characteristic measurement circuit diagram thereof. A: first resonator, B: second resonator C: third resonator 11: piezoelectric ceramic substrate 12 to 15, 18, 20 ... electrode 21: input terminal, 22 ... Common terminal 23 ... Output terminal

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1の共振子と、第2の共振子と、第3の
共振子とを含むセラミックトラップ素子であって、 前記第1の共振子、前記第2の共振子及び前記第3の共
振子のそれぞれは、圧電基板の表裏に形成された対の電
極を有しており、 前記第1の共振子は、前記対の電極の一方が、1つの入
力端子に接続されており、 前記第2の共振子は、前記対の電極の一方が、前記1つ
の出力端子に接続されており、 前記第1の共振子及び前記第2の共振子の前記対の電極
の他方は、共通端子に共通に接続されており、 前記第3の共振子は、前記入力端子及び出力端子の間に
挿入され、前記対の電極が、前記入力端子及び前記出力
端子にそれぞれ接続されており、 前記第1の共振子の共振周波数をFr1、反共振周波数をF
a1とし、前記第2の共振子の共振周波数をFr2、反共振
周波数をFa2とし、前記第3の共振子の共振周波数をFr
3、反共振周波数をFa3としたとき、 Fr3≦Fr1、Fr2 Fr1、Fr2≦Fa3+0.2(Fa3−Fr3) を満足する セラミックトラップ素子。
1. A ceramic trap element including a first resonator, a second resonator, and a third resonator, wherein the first resonator, the second resonator, and the second Each of the three resonators has a pair of electrodes formed on the front and back of a piezoelectric substrate, and the first resonator has one of the pair of electrodes connected to one input terminal. In the second resonator, one of the pair of electrodes is connected to the one output terminal, and the other of the pair of electrodes of the first resonator and the second resonator is The third resonator is inserted between the input terminal and the output terminal, and the pair of electrodes is connected to the input terminal and the output terminal, respectively. The resonance frequency of the first resonator is Fr1, and the anti-resonance frequency is F1.
a1, the resonance frequency of the second resonator is Fr2, the antiresonance frequency is Fa2, and the resonance frequency of the third resonator is Fr.
3. A ceramic trap element that satisfies Fr3 ≦ Fr1, Fr2Fr1, and Fr2 ≦ Fa3 + 0.2 (Fa3−Fr3) when the anti-resonance frequency is Fa3.
【請求項2】前記第1の共振子、第2の共振子及び前記
第3の共振子は、同一の圧電セラミック基板上に形成さ
れている 特許請求の範囲第1項に記載のセラミックトラップ素
子。
2. The ceramic trap element according to claim 1, wherein the first resonator, the second resonator, and the third resonator are formed on the same piezoelectric ceramic substrate. .
【請求項3】前記第1の共振子及び前記第2の共振子
は、第1の圧電セラミック基板上に形成されており、 前記第3の共振子は、前記第1の圧電セラミック基板上
に積層された第2の圧電セラミック基板を利用して形成
されている 特許請求の範囲第1項に記載のセラミックトラップ素
子。
3. The first resonator and the second resonator are formed on a first piezoelectric ceramic substrate, and the third resonator is formed on the first piezoelectric ceramic substrate. The ceramic trap element according to claim 1, wherein the ceramic trap element is formed by using a laminated second piezoelectric ceramic substrate.
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