JP2633514B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacturing method thereof

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JP2633514B2
JP2633514B2 JP7342376A JP34237695A JP2633514B2 JP 2633514 B2 JP2633514 B2 JP 2633514B2 JP 7342376 A JP7342376 A JP 7342376A JP 34237695 A JP34237695 A JP 34237695A JP 2633514 B2 JP2633514 B2 JP 2633514B2
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lead
semiconductor device
semiconductor
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宏 舘
弘 尾崎
寛治 大塚
道明 古川
康行 山崎
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】〔技術分野〕本発明は、樹脂封止型半導体
装置におけるペレットの電気的接続に適用して有効な技
術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique effective when applied to electrical connection of pellets in a resin-sealed semiconductor device.

【0002】〔背景技術〕いわゆる樹脂封止型半導体装
置においては、ペレットの大型化に伴い、パッケージ側
端とペレット取付部であるタブとの間の寸法が一段と狭
くなる傾向にある。これは、ペレットが大きくなってい
るのに、これを収容するパッケージのサイズが規格化さ
れているためパッケージを大きくすることができないこ
とに起因する。
2. Description of the Related Art In a so-called resin-encapsulated semiconductor device, as the size of a pellet increases, the dimension between a package side end and a tab serving as a pellet mounting portion tends to be further reduced. This is due to the fact that although the size of the pellet is large, the size of the package for accommodating the pellet cannot be enlarged because the size of the package is standardized.

【0003】その結果、外部端子であるリードのうち、
パッケージを形成する樹脂に埋設される長さがその構造
上短い、いわゆる短リードにおいてはその接着強度が一
段と小さくなるため、パッケージから抜け易く、またリ
ード折曲成形時にリードと樹脂との間の剥がれが生じ易
くなると考えられる。
As a result, of the leads which are external terminals,
In the case of so-called short leads, in which the length embedded in the resin forming the package is short due to its structure, the adhesive strength is further reduced, so that it is easy to fall out of the package, and the lead is peeled off when the lead is bent. Is likely to occur.

【0004】そのため、電気的導通不良または耐湿性低
下等の半導体装置の信頼性低下を来し易くなることが本
発明者により見い出された。
[0004] Therefore, the present inventors have found that the reliability of a semiconductor device is liable to be lowered, such as poor electrical conduction or reduced moisture resistance.

【0005】なお、樹脂封止型半導体装置については、
1980年1月15日、株式会社工業調査会発行、日本
マイクロエレクトロニクス協会編「IC化実装技術」P
149〜P150に説明されている。
[0005] As for the resin-encapsulated semiconductor device,
Published by the Japan Industrial Research Association on January 15, 1980, edited by the Japan Microelectronics Association, "IC packaging technology" P
149-P150.

【0006】〔発明の目的〕本発明の目的は、樹脂封止
型半導体装置、特に大型ペレットを搭載する半導体装置
であっても、そのパッケージの樹脂とリードとの接着強
度を大幅に増大することができる技術を提供することに
ある。
An object of the present invention is to significantly increase the bonding strength between a resin and a lead of a resin-encapsulated semiconductor device, especially a semiconductor device on which a large pellet is mounted. It is to provide the technology which can do.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
[0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0008】〔発明の概要〕本願において開示される発
明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。
[Summary of the Invention] Of the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described as follows.

【0009】すなわち、本発明の半導体装置は、半導体
集積回路が形成された回路形成面およびこれに対して反
対側の非回路形成面を有する四角形の半導体ペレット
と、前記回路形成面に列となって配置された複数のボン
ディングパッドと、前記ボンディングパッドの同一列の
両側に延在するとともに一部が前記回路形成面に接着さ
れる複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれの内
部リード部と前記同一列の複数のボンディングパッドと
を接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体ペ
レット、前記複数のリードそれぞれの内部リード部を封
止するパッケージ樹脂部とを有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体集積回
路が形成された回路形成面およびこれに対して反対側の
非回路形成面を有し、かつ前記回路形成面に列となって
複数のボンディングパッドが配置された四角形の半導体
ペレットを準備する工程と、複数のリードを有するリー
ドフレームを準備する工程と、前記半導体ペレットの前
記ボンディングパッドの同一列の両側に前記複数のリー
ドが延在するように前記半導体ペレットの回路形成面に
おいて、前記半導体ペレットと前記複数のリードとを接
続する工程と、前記複数のリードのそれぞれの内部リー
ド部と前記同一列の複数のボンディングパッドとを電気
的に接続する工程と、前記半導体ペレット、前記複数の
リードそれぞれの内部リード部を封止する工程とを有す
ることを特徴とする。
That is, a semiconductor device according to the present invention comprises a square semiconductor pellet having a circuit forming surface on which a semiconductor integrated circuit is formed and a non-circuit forming surface opposite thereto, and a row formed on the circuit forming surface. A plurality of bonding pads, a plurality of leads extending on both sides of the same row of the bonding pads, and being partially adhered to the circuit forming surface; and respective internal lead portions of the plurality of leads. The semiconductor device includes a plurality of bonding wires that connect the plurality of bonding pads in the same row, and a package resin portion that seals an internal lead of each of the semiconductor pellet and the plurality of leads.
Further, the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention has a circuit forming surface on which a semiconductor integrated circuit is formed and a non-circuit forming surface opposite thereto, and a plurality of A step of preparing a rectangular semiconductor pellet on which bonding pads are arranged; a step of preparing a lead frame having a plurality of leads; and the plurality of leads extending on both sides of the same row of the bonding pads of the semiconductor pellet. Connecting the semiconductor pellet and the plurality of leads on the circuit formation surface of the semiconductor pellet, and electrically connecting the internal lead portions of the plurality of leads and the plurality of bonding pads in the same row. Connecting the semiconductor pellet, and sealing the internal lead of each of the plurality of leads. .

【0010】このように、回路形成面に列となって配置
された複数のボンディングパッドの両側に複数のリード
を延在させたので、回路形成面に内部リードが接着され
ることになり、内部リードとパッケージ形成樹脂との接
着力を大幅に向上することができる。
As described above, since the plurality of leads extend on both sides of the plurality of bonding pads arranged in a row on the circuit forming surface, the internal leads are adhered to the circuit forming surface. Adhesion between the lead and the package forming resin can be greatly improved.

【0011】〔参考例1〕図1は本発明の参考例1であ
る半導体装置を示す、図2におけるI−I断面図であ
り、図2は参考例1の半導体装置におけるペレットとリ
ードとの関係を示す平面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, taken along the line II in FIG. 2. FIG. It is a top view showing a relation.

【0012】参考例1の半導体装置は、いわゆる樹脂封
止型半導体装置である。すなわち、搭載される半導体ペ
レット(以下、ペレットと言う。)1が、外部端子であ
るリード2の一部である内部リードとともにエポキシ樹
脂等のパッケージ3を形成する樹脂(以下、パッケージ
樹脂とも言う。)4内に埋設され、該リード2のパッケ
ージ外の外部リードはパッケージ3の側端近傍において
下方に折り曲げられてなるものである。
The semiconductor device of Reference Example 1 is a so-called resin-sealed type semiconductor device. In other words, a semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet) 1 to be mounted is a resin (hereinafter, also referred to as a package resin) such as an epoxy resin which forms a package 3 together with an internal lead which is a part of a lead 2 as an external terminal. 4), the external leads outside the package of the leads 2 are bent downward near the side ends of the package 3.

【0013】ところで、通常樹脂封止型半導体装置にお
いては、ペレットは該ペレットと同程度の大きさの取付
基板であるタブに取り付けられ、そのペレットの電極で
あるボンディングパッドは、該タブの周囲に配列されて
いるリード内端部とワイヤを介して電気的に接続されて
いる。
In a resin-encapsulated semiconductor device, a pellet is usually mounted on a tab, which is a mounting substrate having a size similar to that of the pellet, and a bonding pad, which is an electrode of the pellet, is provided around the tab. It is electrically connected to the inner ends of the arranged leads via wires.

【0014】ところが、参考例1の半導体装置では、ペ
レット1が該ペレット1の裏面すなわち半導体集積回路
を形成していない面である非回路形成主面に沿って延在
されたリードに接続されているポリイミド樹脂からなる
絶縁シート5に、接着剤6を介して取り付けられてお
り、ペレット取付部としてのタブは存在しない。
However, in the semiconductor device of Reference Example 1, the pellet 1 is connected to the lead extending along the back surface of the pellet 1, that is, the non-circuit-forming main surface which is the surface on which the semiconductor integrated circuit is not formed. Is attached to the insulating sheet 5 made of a polyimide resin via an adhesive 6, and there is no tab as a pellet attaching portion.

【0015】そして、前記ペレット1とリード2との位
置関係は、図2に示すように、ボンディングパッドが配
列形成されていないペレット辺(以下、ボンディングパ
ッド非形成辺ともいう。)の側方に外部リードが配列さ
れているリード2aの内部リードが、ペレット1の非回
路形成主面に沿って延在され、その先端部2bがボンデ
ィングパッド7の配列形成されているペレット辺を越え
た位置まで延長されている。これらのリード2aの上に
は、絶縁シート5が接着され、該絶縁シート5の上面に
ペレット1がその非回路形成主面を下にして取り付けら
れている。
As shown in FIG. 2, the positional relationship between the pellets 1 and the leads 2 is on the side of the pellet side where bonding pads are not arranged and formed (hereinafter also referred to as the side where no bonding pads are formed). The internal lead of the lead 2a on which the external lead is arranged extends along the non-circuit-forming main surface of the pellet 1 and its tip 2b extends to a position beyond the pellet side on which the bonding pad 7 is arranged and formed. Has been extended. An insulating sheet 5 is adhered on these leads 2a, and the pellet 1 is attached to the upper surface of the insulating sheet 5 with its non-circuit-forming main surface facing down.

【0016】ところで、前記リード2aが埋設されてい
る場所は、通常の樹脂封止型半導体装置にあっては、パ
ッケージ樹脂に埋設されているリード、すなわち内部リ
ードがパッケージ側端からタブ近傍までの極めて限られ
た長さしか確保できない、いわゆる短リードが設けられ
ている場所である。
Incidentally, the place where the lead 2a is buried is, in a usual resin-sealed semiconductor device, the lead buried in the package resin, that is, the internal lead extends from the package side end to the vicinity of the tab. This is a place where so-called short leads are provided, which can secure only a very limited length.

【0017】通常短リードは、そのパッケージ樹脂との
接着面積が小さいためその引張強度が弱く、パッケージ
から抜け易いという問題がある。これは、昨今のペレッ
トの大型化に伴い事態は深刻である。
Normally, short leads have a problem that they have a small adhesive area with the package resin and thus have a low tensile strength and are easily detached from the package. This situation is serious with the recent increase in size of pellets.

【0018】ところが、参考例1の半導体装置では、前
記短リードに相当する場所に設けられているリード2a
の内部リードは極めて長い形状であるため、パッケージ
樹脂4との接着強度は大幅に向上できるものである。そ
のため、大型ペレットを搭載している場合であっても、
外部リードの折曲成形時等に発生するリード界面におけ
る剥がれを有効に防止でき、半導体装置の耐湿性を向上
することができる。その上、前記リード2aには絶縁シ
ート5が強固に接着されているため、該リード2aは極
めて大きな引張強度を有している。
However, in the semiconductor device of Reference Example 1, the leads 2a provided at locations corresponding to the short leads are used.
Since the internal lead has an extremely long shape, the bonding strength with the package resin 4 can be greatly improved. Therefore, even when large pellets are mounted,
It is possible to effectively prevent peeling at the lead interface which occurs at the time of bending and forming an external lead, thereby improving the moisture resistance of the semiconductor device. In addition, since the insulating sheet 5 is firmly adhered to the lead 2a, the lead 2a has an extremely large tensile strength.

【0019】また、リード2aが絶縁シート5を介して
はいるが、ペレット1の非回路形成主面に取り付けられ
ているので、動作時にペレットに生じた熱を該リードを
通して直接パッケージ外へ放散させることが可能であ
る。
Although the leads 2a are interposed through the insulating sheet 5, they are attached to the non-circuit-forming main surface of the pellet 1, so that the heat generated in the pellet during operation is dissipated directly to the outside of the package through the leads. It is possible.

【0020】さらに、ペレット1とリード2aとの電気
的接続は、ボンディングパッド7aとこれに近いペレッ
ト辺近傍に延在されている先端部2bとをワイヤボンデ
ィングすることにより達成されるため、ワイヤ8を短く
することができる。それ故、ワイヤショートの発生を防
止でき、またワイヤ8の使用量を削減できるのでコスト
低減をも達成できる。
Further, the electrical connection between the pellet 1 and the lead 2a is achieved by wire bonding between the bonding pad 7a and the tip 2b extending near the pellet side close to the bonding pad 7a. Can be shortened. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of the short circuit of the wire, and to reduce the amount of the wire 8 to be used.

【0021】なお、参考例1の半導体装置は、所定のリ
ード形状のリードフレームを形成し、その内部リードの
所定部に絶縁シート5を接着し、該絶縁シート5にペレ
ット1を接着剤6を介して取り付け、次いで該ペレット
1のボンディングパッド7とリードのボンディング部と
のワイヤボンディングを行い、その後通常の樹脂封止型
半導体装置と同様の製造工程を経て容易に完成される。
なお、この場合、絶縁シート5はリードフレームを補強
する役割も果たしている。
In the semiconductor device of Reference Example 1, a lead frame having a predetermined lead shape is formed, an insulating sheet 5 is bonded to a predetermined portion of the internal lead, and a pellet 1 is bonded to the insulating sheet 5 with an adhesive 6. Then, wire bonding is performed between the bonding pad 7 of the pellet 1 and the bonding portion of the lead, and thereafter the semiconductor device is easily completed through the same manufacturing process as a normal resin-encapsulated semiconductor device.
In this case, the insulating sheet 5 also plays a role of reinforcing the lead frame.

【0022】ところで、前記リードのボンディング部
は、リードの一部に、たとえば金を部分めっき法で被着
することによって形成することができる。
Incidentally, the bonding portion of the lead can be formed by depositing, for example, gold on a part of the lead by a partial plating method.

【0023】図3には絶縁シート5が接着されたリード
フレームを、そのタイバー9の付近から内側における部
分平面図で示してある。参考例1の半導体装置の場合に
は、絶縁シート5自体がマスクとして機能するため、図
3において二点鎖線で示す開口部を有するマスクを用い
るだけで、リード2の先端部2bのみに選択的に部分め
っきを行うことができるため、ボンディング部を容易に
形成することができる。
FIG. 3 shows a partial plan view of the lead frame to which the insulating sheet 5 is adhered from the vicinity of the tie bar 9 to the inside thereof. In the case of the semiconductor device of Reference Example 1, since the insulating sheet 5 itself functions as a mask, only a mask having an opening indicated by a two-dot chain line in FIG. Since the partial plating can be performed, the bonding portion can be easily formed.

【0024】なお、図3においては、長さ方向にのみ隙
間ができるマスクを示してあるが、タイバー9の方向に
も隙間が生じる開口部のマスクを使用すれば、絶縁シー
ト5の四周囲のリードに容易に部分めっきをすることが
できる。このようにすると、ボンディングパッドがその
四周囲に形成されているペレットを搭載する半導体装置
をも容易に製造できる。
Although FIG. 3 shows a mask in which a gap is formed only in the length direction, a mask having an opening in which a gap is formed in the direction of the tie bar 9 can be used. The leads can be easily partially plated. This makes it easy to manufacture a semiconductor device on which a pellet having bonding pads formed around the four sides thereof is mounted.

【0025】〔参考例2〕図4は本発明の参考例2であ
る半導体装置におけるペレットとリードとの関係を示す
平面図である。
[Embodiment 2] FIG. 4 is a plan view showing a relationship between a pellet and a lead in a semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention.

【0026】参考例2の半導体装置は、前記参考例1の
半導体装置とほぼ同一のものである。しかし、絶縁シー
ト5が用いられていないこと、およびペレット1より小
さいタブ10が存在することが異なっている。
The semiconductor device of Reference Example 2 is substantially the same as the semiconductor device of Reference Example 1. However, the difference is that the insulating sheet 5 is not used and the tab 10 smaller than the pellet 1 exists.

【0027】すなわち、参考例2の半導体装置は、ペレ
ットのボンディングパッド非形成辺の側方に外部リード
が配列されているリード2aの内部リードおよびタブ
に、ペレット1が接着剤を介して取り付けられているも
のである。
That is, in the semiconductor device of Reference Example 2, the pellet 1 is attached via an adhesive to the internal lead and the tab of the lead 2a in which the external lead is arranged on the side of the pellet where no bonding pad is formed. Is what it is.

【0028】参考例2の場合は、絶縁シート5を間に介
在させていないため、ペレット1からの放熱が直接的で
あり、参考例1に比べて熱抵抗が一段と低く、それだけ
信頼性が高いものである。また、タブ10が設けてある
ため、ペレット取付強度も確保されている。なお、図5
に図4のV−V切断面におけるペレット1とリード2の
先端部との電気的接続の状態を示す部分断面図を示す
が、リード2aの先端部2bには凹部2cが形成されて
いる。
In the case of the reference example 2, since the insulating sheet 5 is not interposed therebetween, the heat radiation from the pellet 1 is direct, the thermal resistance is much lower than that of the reference example 1, and the reliability is higher accordingly. Things. Further, since the tab 10 is provided, the pellet mounting strength is also ensured. FIG.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a state of electrical connection between the pellet 1 and the tip of the lead 2 on the VV cross section in FIG. 4, and a recess 2c is formed in the tip 2b of the lead 2a.

【0029】すなわち、ペレット1を接着剤11で取り
付ける際、該接着剤11が流出してボンディング部12
の表面を汚すために、ペレット1のボンディングパッド
7と該ボンディング部12とをワイヤ8でボンディング
できなくなることがある。前記凹部2cは、このような
事態が発生することを未然に防止するため、流出する接
着剤11のダムとして設けたものである。
That is, when the pellet 1 is attached with the adhesive 11, the adhesive 11 flows out and the bonding portion 12
In some cases, the bonding pad 7 of the pellet 1 and the bonding portion 12 cannot be bonded with the wire 8 because the surface of the bonding pad 7 is soiled. The concave portion 2c is provided as a dam for the adhesive 11 flowing out in order to prevent such a situation from occurring.

【0030】〔実施例〕図6は本発明による実施例であ
る半導体装置を示す断面図であり、図7はその半導体装
置におけるペレットとリードとの関係を示す平面図であ
る。
FIG. 6 is a sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing a relationship between a pellet and a lead in the semiconductor device.

【0031】本実施例の半導体装置は、前記参考例1ま
たは2と異なり、内部リードがペレットの回路形成面に
沿って延在されているものである。
The semiconductor device of this embodiment differs from the first or second embodiment in that the internal leads extend along the circuit forming surface of the pellet.

【0032】すなわち、図6に示すように、内部リード
の裏面に接着されたポリイミド樹脂からなる絶縁シート
5に、ペレット1をその回路形成面において接着剤6を
介して取り付けたものである。
That is, as shown in FIG. 6, the pellet 1 is attached to the insulating sheet 5 made of a polyimide resin adhered to the back surface of the internal lead via the adhesive 6 on the circuit forming surface.

【0033】図7に示すように、ペレット1の回路形成
面に、ボンディングパッドに被らない大きさの絶縁シー
ト5が接着され、該絶縁シート5の上面にはペレットの
ボンディングパッド非形成辺の側方に外部リードを有す
るリード2aの内部リードが延在されている。それぞれ
のリード2aの内部リードは、その先端部をボンディン
グパッドの手前に位置させて、前記絶縁シート5aに接
着されている。
As shown in FIG. 7, an insulating sheet 5 having a size that does not cover the bonding pads is bonded to the circuit forming surface of the pellet 1 and the upper surface of the insulating sheet 5 is formed on the side of the pellet where no bonding pad is formed. The internal lead of the lead 2a having the external lead on the side extends. The internal leads of each of the leads 2a are bonded to the insulating sheet 5a such that the tips thereof are located in front of the bonding pads.

【0034】ボンディングパッド7は、図7に示すよう
に、列となって回路形成面に配置されており、リード2
aはボンディングパッド7の列の両側に延在し、リード
2aの内部リード部はそれぞれのボンディングパッド7
にワイヤ8を介して接続される。
As shown in FIG. 7, the bonding pads 7 are arranged on the circuit
a extend on both sides of the row of the bonding pads 7, and the internal leads of the leads 2 a
Through a wire 8.

【0035】本実施例の半導体装置では、内部リードが
ペレット1の回路形成面に接着されているため、参考例
1の場合に比べより放熱性に優れている。
In the semiconductor device of this embodiment, since the internal leads are adhered to the surface of the pellet 1 on which the circuit is formed, the heat dissipation is better than that of the first embodiment.

【0036】また、絶縁シート5が耐α線性能に優れた
ポリイミド樹脂であり、それが回路形成面を覆っている
ため、α線に対する信頼性向上も達成されている。
Further, since the insulating sheet 5 is a polyimide resin having excellent α-ray resistance and covers the circuit forming surface, the improvement of the reliability for α-rays is achieved.

【0037】なお、本実施例の場合はリード2aの先端
部がボンディングパッド7の内側に配置されているた
め、前記参考例1の場合とその位置関係が反対であり、
ボンディング方向も逆になっている。しかし、ボンディ
ング距離はほぼ同一である。
In this embodiment, since the tip of the lead 2a is located inside the bonding pad 7, the positional relationship is opposite to that of the first embodiment.
The bonding direction is also reversed. However, the bonding distances are almost the same.

【0038】〔効果〕本願において開示される発明のう
ち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明す
れば、以下の通りである。
[Effects] Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

【0039】(1).樹脂封止型半導体装置において、搭載
されるペレットの回路形成面に内部リードを接着するこ
とにより、該内部リードとパッケージ形成樹脂との接着
力を大幅に向上させることができるので、大型ペレット
を搭載する場合であっても、パッケージ形成樹脂からの
リードの抜けを防止できる。
(1) In a resin-encapsulated semiconductor device, by bonding an internal lead to a circuit forming surface of a pellet to be mounted, it is possible to greatly improve the adhesive force between the internal lead and a package forming resin. Therefore, even when a large pellet is mounted, the lead can be prevented from coming off from the package forming resin.

【0040】(2).前記(1) と同様の理由により、外部リ
ードの折曲成形時に、該リードとパッケージ形成樹脂と
の接着面に剥がれが発生することを防止できる。
(2) For the same reason as in the above (1), it is possible to prevent the peeling of the bonding surface between the external lead and the package-forming resin during the bending of the external lead.

【0041】(3).前記(1) および(2) により、小型パッ
ケージに大型ペレットを搭載してなる半導体装置であっ
ても耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
(3) According to the above (1) and (2), a highly reliable semiconductor device excellent in moisture resistance can be provided even in a semiconductor device in which a large pellet is mounted in a small package.

【0042】(4).内部リードをペレットの回路形成面に
取り付けることにより、動作時に回路に発生した熱をリ
ードを通して、より直接的かつ効率的に外部に放散させ
ることができる。
(4) By attaching the internal leads to the circuit forming surface of the pellet, heat generated in the circuit during operation can be dissipated more directly and efficiently to the outside through the leads.

【0043】(5).ボンディングパッドの列の両側にそれ
ぞれリードを延在させることにより、幅方向に隣り合う
内部リードの間隔を広げることができ、ボンディング作
業を確実に行うことができる。一方、同じリード間隔で
あれば、所定のスペース内に多数本のリードを配置する
ことができる。
(5) By extending the leads on both sides of the row of bonding pads, the interval between the internal leads adjacent in the width direction can be increased, and the bonding operation can be performed reliably. On the other hand, if the lead spacing is the same, a large number of leads can be arranged in a predetermined space.

【0044】〔利用分野〕以上、本発明者によってなさ
れた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
[Field of Application] Although the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the invention. Needless to say, it can be changed.

【0045】たとえば、実施例では全てペレットの第1
の主面に絶縁シートを用いて内部リードを取り付けたも
のを示したが、これに限るものではなく、全部または一
部の内部リードを回路形成面の近傍に延在させるもので
あってもよい。
For example, in the embodiment, the first
Although the inner lead is attached to the main surface using an insulating sheet, the present invention is not limited to this, and all or a part of the inner lead may be extended near the circuit forming surface. .

【0046】それに、実施例ではいわゆる短リードの位
置に相当するペレット側方のリードのみを延在させたも
のを示したが、これに限らず通常の半導体装置において
内部リードが長いリードについても延在させたものであ
ってもよい。また、絶縁シートはポリイミドに限るもの
でなく、シリコーンゴムであってもよく、放熱性を高め
るため接着剤または絶縁シートにシリコンカーバイド
(SiC)粉末等の熱伝導性フィラーを含有させること
も当然にできる。
In the embodiment, only the lead on the side of the pellet corresponding to the position of the so-called short lead is shown. However, the present invention is not limited to this. May be used. Further, the insulating sheet is not limited to polyimide, but may be silicone rubber. In order to enhance heat dissipation, an adhesive or an insulating sheet may contain a thermally conductive filler such as silicon carbide (SiC) powder. it can.

【0047】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である、いわ
ゆるDIP型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、パッ
ケージが樹脂封止して形成されるものであれば、フラッ
トパッケージ等種々の形式のパッケージ構造の半導体装
置に適用して有効な技術である。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is applied to a so-called DIP type semiconductor device, which is a field of use as a background, has been described. However, the invention is not limited to this. If the package is formed by resin sealing, it is an effective technique applicable to semiconductor devices having various types of package structures such as a flat package.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の参考例1である半導体装置を示し、図
2におけるI−I線に沿う断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, taken along line II in FIG. 2;

【図2】参考例1の半導体装置のペレットとリードとの
関係を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a relationship between a pellet and a lead of the semiconductor device of Reference Example 1.

【図3】参考例1の半導体装置に適用されるリードフレ
ームをめっき工程における状態で示す部分平面図であ
る。
FIG. 3 is a partial plan view showing a lead frame applied to the semiconductor device of Reference Example 1 in a plating step.

【図4】本発明の参考例2である半導体装置におけるペ
レットとリードとの関係を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a relationship between a pellet and a lead in a semiconductor device which is Embodiment 2 of the present invention.

【図5】参考例2の半導体装置の内部構造を示し、図4
におけるV−V線に沿う断面図である。
5 shows the internal structure of the semiconductor device of Reference Example 2, and FIG.
5 is a sectional view taken along line VV in FIG.

【図6】本発明による実施例である半導体装置を示し、
図7におけるVI−VI線に沿う断面図である。
FIG. 6 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 8 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG. 7.

【図7】本実施例の半導体装置のペレットとリードとの
関係を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view illustrating a relationship between a pellet and a lead of the semiconductor device of the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ペレット 2,2a リード 2b 先端部 2c 凹部 3 パッケージ 4 樹脂 5 絶縁シート 6 接着剤 7,7a ボンディングパッド 8 ワイヤ 9 タイバー 10 タブ 11 接着剤 12 ボンディング部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor pellet 2, 2a Lead 2b Tip 2c Depression 3 Package 4 Resin 5 Insulating sheet 6 Adhesive 7, 7a Bonding pad 8 Wire 9 Tie bar 10 Tab 11 Adhesive 12 Bonding part

フロントページの続き (72)発明者 舘 宏 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 尾崎 弘 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 大塚 寛治 東京都小平市上水本町1450番地 株式会 社日立製作所 デバイス開発センタ内 (72)発明者 古川 道明 東京都小平市上水本町1450番地 株式会 社日立製作所 デバイス開発センタ内 (72)発明者 山崎 康行 東京都小平市上水本町1450番地 株式会 社日立製作所 デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 昭59−92556(JP,A) 特開 昭52−40062(JP,A) 実開 昭57−113456(JP,U)Continuing from the front page (72) Inventor Hiroshi Tachi 5-20-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hitachi Ultra-SII Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Ozaki In Kodaira-shi, Tokyo 5-20-1, Mizumotocho Hitachi Ultra-SII Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hiroharu Otsuka 1450 Kamisumihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Device Development Center (72) Inventor Michiaki Furukawa 1450, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the Device Development Center, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Yasuyuki Yamazaki 1450, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the Device Development Center, Hitachi, Ltd. References JP-A-59-92556 (JP, A) JP-A-52-40062 (JP, A) JP-A-57-113456 (JP, U)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体集積回路が形成された回路形成面
およびこれに対して反対側の非回路形成面を有する四角
形の半導体ペレットと、 前記回路形成面に列となって配置された複数のボンディ
ングパッドと、 前記ボンディングパッドの同一列の両側に延在するとと
もに一部が前記回路形成面に接着される複数のリード
と、 前記複数のリードのそれぞれの内部リード部と前記同一
列の複数のボンディングパッドとを接続する複数のボン
ディングワイヤと、 前記半導体ペレット、前記複数のリードそれぞれの内部
リード部を封止するパッケージ樹脂部とを有することを
特徴とする半導体装置。
1. A rectangular semiconductor pellet having a circuit formation surface on which a semiconductor integrated circuit is formed and a non-circuit formation surface opposite thereto, and a plurality of bondings arranged in rows on the circuit formation surface and the pad, when extending on both sides of the same column of the bonding pad DOO
A plurality of leads that are partially adhered to the circuit forming surface; and the same internal lead portions as the plurality of leads.
A semiconductor device, comprising: a plurality of bonding wires for connecting a plurality of bonding pads in a row; and a package resin portion for sealing an internal lead portion of each of the semiconductor pellet and the plurality of leads.
【請求項2】 半導体集積回路が形成された回路形成面
およびこれに対して反対側の非回路形成面を有し、かつ
前記回路形成面に列となって複数のボンディングパッド
が配置された四角形の半導体ペレットを準備する工程
と、 複数のリードを有するリードフレームを準備する工程
と、 前記半導体ペレットの前記ボンディングパッドの同一列
の両側に前記複数のリードが延在するように前記半導体
ペレットの回路形成面において、前記半導体ペレットと
前記複数のリードとを接続する工程と、 前記複数のリードのそれぞれの内部リード部と前記同一
列の複数のボンディングパッドとを電気的に接続する工
程と、 前記半導体ペレット、前記複数のリードそれぞれの内部
リード部を封止する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
2. A circuit forming surface on which a semiconductor integrated circuit is formed.
And a non-circuit forming surface opposite thereto, and
A plurality of bonding pads arranged in a row on the circuit forming surface;
Of preparing a rectangular semiconductor pellet on which is arranged
Preparing a lead frame having a plurality of leads
And the same row of the bonding pads of the semiconductor pellet
The semiconductor so that the plurality of leads extend on both sides of the semiconductor
On the circuit forming surface of the pellet, the semiconductor pellet and
Connecting the plurality of leads and the internal lead portions of the plurality of leads and the same
Electrical connection between multiple rows of bonding pads
And the inside of each of the semiconductor pellet and the plurality of leads.
And sealing the lead portion.
A method for manufacturing a conductor device.
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JPS5240062A (en) * 1975-09-26 1977-03-28 Hitachi Ltd Process for production of semiconductor devices
JPS5992556A (en) * 1982-11-19 1984-05-28 Hitachi Ltd Semiconductor device

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