JP2624764B2 - Thermistor device - Google Patents
Thermistor deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、サーミスタ素子がばね端子により弾撥挟持
された構造を備えるサーミスタ装置の改良に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement of a thermistor device having a structure in which a thermistor element is elastically held between spring terminals.
第２図に従来のサーミスタ装置の一例を示す。ここで
は、合成樹脂よりなるケース１内に例えばチタン酸バリ
ウム系の材料よりなるサーミスタ素子２が収納されてい
る。サーミスタ素子２の両主面には全面に渡りNiよりな
る電極3a,3bが形成されている。電極3a,3bの上には、さ
らに外周端縁を残してより小径のAgよりなる電極4a,4b
が形成されている。FIG. 2 shows an example of a conventional thermistor device. Here, a thermistor element 2 made of, for example, a barium titanate-based material is housed in a case 1 made of a synthetic resin. Electrodes 3a and 3b made of Ni are formed on both main surfaces of the thermistor element 2 over the entire surface. On the electrodes 3a and 3b, the electrodes 4a and 4b made of Ag having a smaller diameter except for the outer peripheral edge.
Are formed.
銀よりなる電極4a,4bを外周縁に至る大きさに形成し
た場合には、マイグレーションにより両主面間が短絡す
る恐れがあるため、上記のように小径の電極4a,4bを形
成している。When the electrodes 4a, 4b made of silver are formed in a size reaching the outer peripheral edge, there is a risk of short-circuiting between both main surfaces due to migration, so the small-diameter electrodes 4a, 4b are formed as described above. .
電極3a〜4bの形成されたサーミスタ素子２は、ばね端
子5,6で弾撥挟持された状態でケース１内に収納されて
いる。The thermistor element 2 on which the electrodes 3a to 4b are formed is housed in the case 1 while being resiliently held between the spring terminals 5 and 6.
第２図の構造では、いずれかのばね端子5,6側から力
が加わった場合や、いずれかのばね端子5,6が疲労した
場合、以下のような問題があった。The structure shown in FIG. 2 has the following problems when a force is applied from one of the spring terminals 5 and 6 or when one of the spring terminals 5 and 6 is fatigued.
すなわち、例えば第３図に示すように、一方のばね端
子６側からサーミスタ素子２の方向に力が加わった場合
や他方のばね端子５が疲労した場合、ばね端子５の電極
4aとの接触部分の間隔が拡がる。その結果、電極4aでは
なく、外周部で電極3aに接触することがあった。That is, as shown in FIG. 3, for example, when a force is applied in the direction of the thermistor element 2 from one spring terminal 6 side or when the other spring terminal 5 is fatigued, the electrode of the spring terminal 5
The interval of the contact portion with 4a is increased. As a result, there was a case where the electrode 3a was contacted not at the electrode 4a but at the outer peripheral portion.
Niよりなる電極3aに接触されると、ばね端子５と電極
との間の接触抵抗が高くなる。そのため接点部分で電極
3aが焼損し、装置が所望通りに動作しなくなる。Contact with the electrode 3a made of Ni increases the contact resistance between the spring terminal 5 and the electrode. Therefore, the electrode at the contact point
3a burns out and the device does not operate as desired.
よって、本発明の目的は、Niよりなる全面電極上の外
側に該全面電極よりも小さな径のAg電極を形成してなる
サーミスタ素子をばね端子で挟持した構造において、ば
ね端子がNiよりなる全面電極に接触することを確実に防
止することにより、ばね端子の弾性ばらつき、ばね端子
の疲労あるいは組み立て時の力のかかり具合のばらつき
等により、ばね端子に加わる力がサーミスタ素子の両側
で異なった場合であっても焼損等の欠陥の生じない信頼
性に優れたサーミスタ装置を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a structure in which a thermistor element formed by forming an Ag electrode having a smaller diameter than the whole surface electrode on the outside of the whole surface electrode made of Ni is sandwiched by the spring terminals, When the force applied to the spring terminal is different on both sides of the thermistor element due to the uneven elasticity of the spring terminal, the fatigue of the spring terminal, or the unevenness of the force applied during assembly, by reliably preventing contact with the electrode. However, an object of the present invention is to provide a highly reliable thermistor device that does not cause defects such as burning.
本発明のサーミスタ装置は、両主面上においてNiより
なる全面電極が形成され、この全面電極の外側に全面電
極よりも小径の銀よりなる電極が形成されたサーミスタ
素子と、銀よりなる電極部分でサーミスタ素子をばね性
を持って挟持し、かつ銀よりなる電極部分との電気的な
接続を果たすばね端子とを備えるサーミスタ装置におい
て、ばね端子が、先端部で銀よりなる電極部分に接触さ
れた複数の弾撥部を有しており、かつ弾撥部の先端側で
の銀よりなる電極部分との突状の接触部分が、弾撥部の
基部よりもサーミスタ素子の主面の中心寄りに位置され
ているとともに、弾撥部の基部が、対向する銀よりなる
電極部分の主面の外周部よりも中心寄りに位置されてい
ることを特徴とするものである。The thermistor device of the present invention has a thermistor element in which a full-surface electrode made of Ni is formed on both main surfaces, and an electrode made of silver having a smaller diameter than the whole electrode is formed outside the full-surface electrode, and an electrode portion made of silver A thermistor device having a spring terminal that holds the thermistor element with a spring property and that makes electrical connection with an electrode portion made of silver. And the protruding contact portion with the electrode portion made of silver on the tip side of the resilient portion is closer to the center of the main surface of the thermistor element than the base of the resilient portion. And the base of the resilient portion is located closer to the center than the outer peripheral portion of the main surface of the opposing electrode portion made of silver.
本発明は、ばね端子の弾撥部の先端側でのAgよりなる
電極との接触部分を、支点となる弾撥部の基部よりもサ
ーミスタ素子の主面の中心寄りに位置させることによ
り、ばね端子にサーミスタ素子方向の力が加わった場合
に、ばね端子のAgよりなる電極との突状の接触部分をサ
ーミスタ素子の主面の中心側に移動させるものである。
すなわち、Niよりなる全面電極の外側に相対的に小さな
径の銀よりなる電極を形成したサーミスタ素子をばね端
子で挟持してなる構造を有するサーミスタ装置では、ば
ね端子がNiよりなる全面電極上に直接接触した場合に
は、上述したような焼損等の重大な事故が発生すること
に鑑み、この課題を解決すべく、本発明では、ばね端子
のAgよりなる電極との接触部分を、弾撥部の基部よりも
サーミスタ素子の主面の中心寄りに位置させることによ
り、上記のような力が加わった場合でも、常に、ばね端
子をNiよりなる全面電極ではなく、Agよりなる電極に接
触させることを確保したものである。従って、組み立て
作業時のばらつきや、ばね端子の弾性ばらつき等により
弾撥部の基部とサーミスタ素子との間の間隙が縮められ
たとしても、ばね端子の電極との接触部分が電極の周縁
側には移動しない。また、本発明のばね端子は、弾撥部
の基部を、対向する銀よりなる電極部分の主面の外周部
よりも中心寄りに位置させることにより、ばね端子がサ
ーミスタ素子から離れる方向に力が加わった場合に、ば
ね端子の突状の接触部分は銀よりなる電極の外周部側に
移動するものの、その移動した位置が、銀よりなる電極
の主面の外周部よりも中心寄りの位置に留まる。従っ
て、組み立て作業時のばらつきや、ばね端子の弾性ばら
つきなどにより、弾撥部の基部とサーミスタ素子との間
の間隙が広げられたとしても、ばね端子の電極との接触
部分が銀よりなる小径の電極の外周部から外れることは
ない。According to the present invention, the contact portion of the spring terminal of the spring terminal with the electrode made of Ag on the tip side is located closer to the center of the main surface of the thermistor element than the base of the spring portion serving as a fulcrum. When a force in the direction of the thermistor element is applied to the terminal, the projecting contact portion of the spring terminal with the electrode made of Ag is moved toward the center of the main surface of the thermistor element.
That is, in a thermistor device having a structure in which a thermistor element having a relatively small-diameter silver electrode formed outside a Ni full-surface electrode is sandwiched by spring terminals, the spring terminal is formed on the Ni full-surface electrode. In the case of direct contact, in view of the serious accident such as burnout as described above, in order to solve this problem, in the present invention, the contact portion of the spring terminal with the electrode made of Ag is repelled. By placing the thermistor element closer to the center of the main surface than the base of the part, even when the above-mentioned force is applied, the spring terminal is always in contact with the electrode made of Ag, not the full surface electrode made of Ni It is a thing that has been secured. Therefore, even if the gap between the base of the resilient portion and the thermistor element is reduced due to variations during the assembly work, variations in the elasticity of the spring terminals, etc., the contact portions of the spring terminals with the electrodes are located on the periphery of the electrodes. Does not move. Further, in the spring terminal of the present invention, by positioning the base of the resilient portion closer to the center than the outer periphery of the main surface of the opposing electrode portion made of silver, a force is applied in a direction in which the spring terminal moves away from the thermistor element. When applied, the projecting contact portion of the spring terminal moves toward the outer peripheral portion of the silver electrode, but the moved position is closer to the center than the outer peripheral portion of the main surface of the silver electrode. stay. Therefore, even if the gap between the base of the resilient portion and the thermistor element is widened due to variations during the assembly operation and variations in the elasticity of the spring terminal, the small diameter of the contact portion of the spring terminal with the electrode is made of silver. Does not come off the outer periphery of the electrode.
第１図は本発明の一実施例の断面図である。合成位置
よりなるケース11内にチタン酸バリウム等の半導体材料
よりなるサーミスタ素子12が収納されている。このサー
ミスタ素子12の両主面には、Niよりなる電極13a,13bが
全面に渡り形成されている。電極13a,13bの外側には、
より小径の銀よりなる電極14a,14bが形成されている。FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of the present invention. A thermistor element 12 made of a semiconductor material such as barium titanate is housed in a case 11 formed at the synthesis position. On both main surfaces of the thermistor element 12, electrodes 13a and 13b made of Ni are formed over the entire surface. Outside the electrodes 13a and 13b,
Electrodes 14a and 14b of smaller diameter silver are formed.
上記の二層構造の電極構成は、Niによりサーミスタ素
子12とのオーミックな接触を確保するとともに、Agによ
り接触抵抗を低減するために、並びにはんだ付け性を高
めるために採用されているものである。同様に、銀より
なる電極14a,14bが外周縁に至らないように形成されて
いるのも、従来例と同じくマイグレーションによる短絡
を防止するためである。The above-described two-layer electrode structure is employed to ensure ohmic contact with the thermistor element 12 by Ni, to reduce contact resistance by Ag, and to enhance solderability. . Similarly, the reason why the electrodes 14a and 14b made of silver are formed so as not to reach the outer peripheral edge is to prevent a short circuit due to migration as in the conventional example.
本実施例の特徴は、このサーミスタ素子12をばね性を
持って挟持するばね端子15,16の構造にある。The feature of the present embodiment lies in the structure of the spring terminals 15 and 16 for holding the thermistor element 12 with spring properties.
ばね端子15を代表して説明すると、第４図に斜視図で
示すように、ばね端子15は、サーミスタ素子12の電極14
aに接触される弾撥部15a,15bと、ケース11外に引き出さ
れる引出し部15bとを備える。引出し部15bは図示のよう
に一体に形成する必要は必ずしもなく、別体の引出し部
15bを弾撥部15aに接合して形成してもよい。If the spring terminal 15 is described as a representative, as shown in a perspective view in FIG. 4, the spring terminal 15 is connected to the electrode 14 of the thermistor element 12.
There are provided repelling parts 15a and 15b that come into contact with a, and a drawing part 15b that is drawn out of the case 11. The drawer 15b does not necessarily need to be formed integrally as shown in the figure, but may be a separate drawer.
15b may be joined to the resilient portion 15a.
第１図に戻り、ばね端子15,16は上記の構造を有し、
サーミスタ素子12の電極14a,14bに弾撥部15a,16aが適宜
の間隔を持って接触するように配置されている。この弾
撥部15a,16aの支点となる基部15c,16cに比べて、電極14
a,14bとの接触部分はサーミスタ素子12の主面の中心寄
りに位置されている。さらに、弾撥部の基部15c,16c
は、角弾撥部15a,16aが接触する銀よりなる電極14a,14b
の外周縁よりもサーミスタ素子12の主面の中心寄りに位
置されている。Returning to FIG. 1, the spring terminals 15, 16 have the above structure,
The resilient portions 15a and 16a are arranged so as to contact the electrodes 14a and 14b of the thermistor element 12 at appropriate intervals. Compared to the bases 15c and 16c serving as fulcrums of the repelling parts 15a and 16a, the electrode 14
The contact portions with a and 14b are located near the center of the main surface of the thermistor element 12. In addition, the bases 15c, 16c
Are the electrodes 14a, 14b made of silver with which the square repelling portions 15a, 16a are in contact.
Are located closer to the center of the main surface of the thermistor element 12 than the outer peripheral edge of.
第１図実施例において、組み立て作業時の力の加わり
具合のばらつきにより、一方のばね端子15側においてサ
ーミスタ素子12の方向に力が強く加えられた場合を想定
すると、サーミスタ素子12が第５図に示すように、ばね
端子15側に移動される。この場合、加えられた力によ
り、ばね端子15の弾撥部15a,15aの接触部分の間隔は狭
まる。すなわち、電極14aとの接触部分はサーミスタ素
子12の主面の周縁側ではなく、中心側に移動される。よ
って、第３図に示した従来例のように電極との接触部分
が外周側に移動してNiよりなる電極に接触することのな
いことがわかる。また、第５図において、上記ばね端子
15と反対側に配置されたばね端子16は、サーミスタ素子
12から加えられていた力が解放されるようになる。この
ため、ばね端子16の弾撥部16a,16bの接触部分の間隔は
広がる。すなわち、電極14bとの接触部分はサーミスタ
素子12の主面の周縁側に移動される。しかし、弾撥部16
の基部16c,16cは銀よりなる電極14bの外周縁よりもサー
ミスタ素子の主面の中心寄りに位置されている。よっ
て、弾撥部16a,16aがサーミスタ素子の主面に直交する
位置にまで移動したとしても、弾撥部16a,16aの接触部
分は、なお銀よりなる電極14bの主面内に位置すること
になる。従って、ばね端子の弾撥部16は銀よりなる電極
14bと接触を保ち、Niよりなる電極13bと接触することが
ない。In the embodiment of FIG. 1, assuming that a strong force is applied in the direction of the thermistor element 12 on one of the spring terminals 15 due to a variation in the degree of application of the force during the assembling operation, the thermistor element 12 becomes As shown in (2), it is moved to the spring terminal 15 side. In this case, the distance between the contact portions of the resilient portions 15a, 15a of the spring terminal 15 is reduced by the applied force. That is, the contact portion with the electrode 14a is moved not to the peripheral side of the main surface of the thermistor element 12, but to the center side. Accordingly, it can be seen that the contact portion with the electrode does not move to the outer peripheral side and does not contact the electrode made of Ni as in the conventional example shown in FIG. In addition, in FIG.
The spring terminal 16 arranged on the opposite side to 15 is a thermistor element.
The force applied from 12 will be released. Therefore, the interval between the contact portions of the resilient portions 16a and 16b of the spring terminal 16 increases. That is, the contact portion with the electrode 14b is moved to the peripheral side of the main surface of the thermistor element 12. However, the repelling part 16
Are located closer to the center of the main surface of the thermistor element than the outer peripheral edge of the electrode 14b made of silver. Therefore, even if the resilient portions 16a, 16a move to a position orthogonal to the main surface of the thermistor element, the contact portion of the resilient portions 16a, 16a is still located within the main surface of the electrode 14b made of silver. become. Therefore, the resilient part 16 of the spring terminal is an electrode made of silver.
It maintains contact with 14b and does not come into contact with electrode 13b made of Ni.
上記の説明は、組み立て作業時の力の加わり具合がば
ね端子15,16間で異なる場合についてのものであった
が、両ばね端子15,16の弾性にばらつきがある場合も同
様である。The above description has been made on the case where the degree of force applied during the assembling operation is different between the spring terminals 15 and 16, but the same applies to the case where the elasticity of the spring terminals 15 and 16 varies.
また、第４図に示したばね端子15に限らず、第６図に
斜視図で示すように、四角形の枠の内側から弾撥部25a,
25aが中心側に延び、枠体から引出し部25bが延ばされて
いるばね端子25を用いることも可能である。Further, as shown in a perspective view in FIG. 6, not only the spring terminal 15 shown in FIG.
It is also possible to use a spring terminal 25 in which 25a extends toward the center and a drawer 25b extends from the frame.
さらに、第４図および第６図に示したばね端子15,25
は、サーミスタ素子12の中心を挟んで上下に所定距離を
隔てた支点（基部）からサーミスタ素子の主面の中心側
に延びる弾撥部を複数備えていたが、これに限られるも
のではない。例えば、中心側に延いるものである限り、
図示のようにケース11の上下方向に延びる弾撥部15a,25
aに限らず、水平方向において弾撥部がサーミスタ素子
の主面の中心側に延びるようなばね端子を用いてもよ
い。Further, the spring terminals 15, 25 shown in FIG. 4 and FIG.
Has a plurality of resilient portions extending from a fulcrum (base) at a predetermined distance vertically above and below the center of the thermistor element 12 toward the center of the main surface of the thermistor element. However, the present invention is not limited to this. For example, as long as it extends to the center,
As shown, the resilient portions 15a, 25 extending in the vertical direction of the case 11
Instead of a, a spring terminal may be used in which the resilient portion extends in the horizontal direction toward the center of the main surface of the thermistor element.
さらに、第１図実施例は一個のサーミスタ素子12をば
ね端子15,16で挟持していたが、複数個のサーミスタ素
子を両側から弾撥挟持する場合にも、本発明を適用する
ことができる。In the embodiment shown in FIG. 1, one thermistor element 12 is held between the spring terminals 15 and 16. However, the present invention can be applied to a case where a plurality of thermistor elements are resiliently held from both sides. .
本発明では、ばね端子の複数の弾撥部が、先端側でAg
よりなる電極に接触されており、かつこの先端側での電
極との突状の接触部分が支点となる弾撥部の基部よりも
サーミスタ素子の主面の中心寄りに位置されているの
で、ばね端子がサーミスタ素子側に近づけられた場合で
あっても、Agよりなる電極に接触されるばね端子部分
が、サーミスタ素子の主面の外周縁側ではなく中心側に
移動される。すなわち、外力が加わった場合でも、ばね
端子の上記複数の弾撥部は、Niよりなる全面電極ではな
く、常にAgよりなる電極に接触される。従って、また、
ばね端子の弾撥部の基部が、対向する銀よりなる電極の
主面の外周部よりも中心寄りに位置されているので、ば
ね端子がサーミスタ素子側から離れる方向に移動した場
合であっても、銀よりなる電極に接触している接触部分
はこの銀よりなる電極の外周部分に移動するものの、こ
の銀よりなる電極の外周部から外れない範囲に留まる。
従って、組み立て作業時にばね端子に加えられる力のば
らつき、複数のばね端子の弾性のばらつき等により、上
記のような力が加わったとしても、小径の銀よりなる電
極との接触部分が該銀よりなる電極の主面の面内におい
て移動するため、焼損等の事故を確実に防止することが
できる。よって、信頼性に優れたサーミスタ装置を得る
ことが可能となる。According to the present invention, the plurality of resilient portions of the spring terminal are made of Ag at the tip end side.
And the protruding contact portion with the electrode on the tip side is located closer to the center of the main surface of the thermistor element than the base of the repelling portion serving as a fulcrum. Even when the terminal is brought closer to the thermistor element side, the spring terminal portion that comes into contact with the electrode made of Ag is moved to the center side instead of the outer peripheral side of the main surface of the thermistor element. That is, even when an external force is applied, the plurality of resilient portions of the spring terminal are always in contact with the electrode made of Ag, not the entire surface electrode made of Ni. Therefore, also
Since the base of the resilient portion of the spring terminal is located closer to the center than the outer peripheral portion of the main surface of the opposing silver electrode, even if the spring terminal moves away from the thermistor element side. The contact portion in contact with the electrode made of silver moves to the outer peripheral portion of the electrode made of silver, but stays in a range that does not deviate from the outer peripheral portion of the electrode made of silver.
Therefore, even when the above-mentioned force is applied due to variations in the force applied to the spring terminals during the assembly operation, variations in the elasticity of the plurality of spring terminals, and the like, the contact portion with the small-diameter silver electrode is smaller than the silver. Since the electrode moves in the plane of the main surface of the electrode, accidents such as burnout can be reliably prevented. Therefore, a thermistor device having excellent reliability can be obtained.
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図、第３図は第２図従来例における問題点を説明す
るための断面図、第４図は第１図実施例に用いるばね端
子を示す斜視図、第５図は第１図実施例の効果を説明す
るための断面図、第６図はばね端子の他の例を説明する
ための斜視図である。 図において、12はサーミスタ素子、13a,13b,14a,14bは
電極、、15,16はばね端子、15a,16aは弾撥部、15c,16c
は弾撥部の基部を示す。1 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional example, FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a problem in the conventional example of FIG. 2, and FIG. FIG. 5 is a perspective view showing a spring terminal used in the embodiment, FIG. 5 is a sectional view for explaining the effect of the embodiment in FIG. 1, and FIG. 6 is a perspective view for explaining another example of the spring terminal. . In the figure, 12 is a thermistor element, 13a, 13b, 14a, 14b are electrodes, 15, 16 are spring terminals, 15a, 16a are resilient parts, 15c, 16c
Indicates the base of the repelling portion.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−178601（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−144103（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−38202（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−30880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−156301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−98851（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−123940（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭51−36854（ＪＰ，Ｂ２) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-60-178601 (JP, A) JP-A-59-144103 (JP, A) JP-A-63-38202 (JP, A) JP-A-55-144 30880 (JP, A) JP-A-55-156301 (JP, A) JP-A-55-98851 (JP, A) JP-A-59-123940 (JP, U) JP-B-51-36854 (JP, B2)
Claims (1)
成され、この全面電極の外側に全面電極よりも小径の銀
よりなる電極が形成されたサーミスタ素子と、 前記銀よりなる電極部分でサーミスタ素子をばね性を持
って挟持し、かつ前記銀よりなる電極部分との電気的な
接続を果たすばね端子とを備えるサーミスタ装置におい
て、 前記ばね端子が、先端部で前記銀よりなる電極部分に接
触された複数の弾撥部を有しており、かつ該弾撥部の先
端側での銀よりなる電極部分との突状の接触部分が弾撥
部の基部よりもサーミスタ素子の主面の中心寄りに位置
されているとともに、前記弾撥部の基部が、対向する前
記銀よりなる電極部分の主面の外周部よりも中心寄りに
位置されていることを特徴とするサーミスタ装置。1. A thermistor element in which a full-surface electrode made of Ni is formed on both main surfaces, and an electrode made of silver having a smaller diameter than the whole electrode is formed outside the full-surface electrode; A thermistor device comprising: a thermistor element that holds the thermistor element with resiliency; and a spring terminal that electrically connects to the silver electrode portion. It has a plurality of resilient portions that are in contact with each other, and the protruding contact portion with the electrode portion made of silver on the tip side of the resilient portion has a larger surface area of the thermistor element than the base portion of the resilient portion. A thermistor device, wherein the thermistor device is located closer to the center and the base of the repelling portion is located closer to the center than the outer peripheral portion of the main surface of the opposing electrode portion made of silver.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086708A JP2624764B2 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Thermistor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086708A JP2624764B2 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Thermistor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258401A JPH01258401A (en) | 1989-10-16 |
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Family
ID=13894417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086708A Expired - Lifetime JP2624764B2 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Thermistor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624764B2 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4930429A (en) * | 1972-07-04 | 1974-03-18 | ||
| JPS5136854A (en) * | 1974-09-25 | 1976-03-27 | Japan Radio Co Ltd | SENJOANTEN ASOCHI |
| JPS5917510A (en) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical waveguide |
| JPS59144103A (en) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | 株式会社日立製作所 | Contactless starter |
| JPS59180404U (en) * | 1983-05-19 | 1984-12-01 | 株式会社村田製作所 | Holding structure of positive temperature coefficient thermistor |
| JPS60178601A (en) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | 株式会社日立製作所 | Contactless starter |
| JPS6338202A (en) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | 松下電器産業株式会社 | Manufacture of positive characteristics thermistor |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63086708A patent/JP2624764B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01258401A (en) | 1989-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |