JP2623860B2 - Carrier film joining method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、例えばキャリアフィルム等に設けられた
金属リード箔の内側端および外側端に、それぞれICチッ
プおよび電子部品や基板の接続端子に半田付けする場合
におけるキャリアフィルムの接合方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for soldering an inner end and an outer end of a metal lead foil provided on a carrier film or the like to connection terminals of an IC chip, an electronic component or a board, respectively. The present invention relates to a method for joining a carrier film when attaching.
［従来の技術］ ICチップを樹脂フィルム（キャリアフィルム）の一面
に固着されている複数の金属リード箔にボンディングす
る方法は、TAB（Tape Automated Bonding）方式として
知られている。[Background Art] A method of bonding an IC chip to a plurality of metal lead foils fixed to one surface of a resin film (carrier film) is known as a TAB (Tape Automated Bonding) method.
このようなTAB方式によって形成された、ICチップを
有するキャリアフィルムは、小型電子計算機や液晶テレ
ビジョン装置等において液晶表示パネルとプリント配線
基板を電気的に接続する場合に用いられている。A carrier film having an IC chip formed by such a TAB method is used when a liquid crystal display panel and a printed wiring board are electrically connected in a small-sized electronic computer, a liquid crystal television device, or the like.
この場合の接合方法として、従来、樹脂フィルム上の
各金属リード箔に一様な厚さの半田メッキを設けて、各
内側端にICチップを、また各外側端に液晶表示パネルや
プリント配線基板の接続端子を接合していた。Conventionally, the bonding method in this case is to provide a uniform thickness of solder plating on each metal lead foil on the resin film, and attach an IC chip to each inner end, and a liquid crystal display panel or printed wiring board to each outer end. Connection terminals were joined.
［発明が解決しようとする問題点］ しかして、上述したような構造においては、組立時や
完成後の外部からの負荷のために、液晶表示パネルやプ
リント配線基板の接続端子に半田付けされる各金属リー
ド箔の外側端側は、ICチップの電極に半田付けされる内
側端側よりも強い接合強度が必要とされる。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described structure, soldering is performed on connection terminals of a liquid crystal display panel or a printed wiring board due to an external load during assembly or after completion. The outer end side of each metal lead foil is required to have higher bonding strength than the inner end side soldered to the electrode of the IC chip.
しかしながら、従来の接合方法は、半田メッキを金属
リード箔に一様な厚さに設けて接合する方法であるか
ら、内側端側の接合強度が満足されるような半田メッキ
厚にすると、外側端側の接合強度が不足し、逆に、外側
端側の接合強度が十分になる半田メッキ厚にすると、内
側端側端においてメッキ量が流出し、ICチップの電極間
が短絡するという問題があった。However, since the conventional bonding method is a method in which solder plating is provided on a metal lead foil at a uniform thickness and bonded, if the solder plating thickness is such that the bonding strength on the inner end side is satisfied, the outer end is not provided. If the thickness of the solder plating is insufficient to provide sufficient bonding strength on the outer side, and the bonding strength on the outer side is sufficient, there is a problem in that the amount of plating flows out at the inner side and the short circuit between the electrodes of the IC chip. Was.
この発明は、上述の実情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、キャリアフィルムに設けられた
金属リード箔の内側端および外側端のいずれに対しても
適切な半田付けを可能とするキャリアフィルムの接合方
法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to enable appropriate soldering to both the inner end and the outer end of a metal lead foil provided on a carrier film. To provide a bonding method for a carrier film.
［問題点を解決するための手段］ この発明は、側縁に沿って開口部が形成され、外側端
が該開口部を橋架している複数の金属リード箔を有した
キャリアフィルムを、接合状態において該開口部内の該
金属リード箔を介して電子部品または基板と接合させる
ためのキャリアフィルムの接合方法において、前記金属
リード箔に第１のメッキ層を形成する工程と、前記金属
リード箔の各内端側に前記第１のメッキ層を介してICチ
ップの電極を接合する工程と、前記電子部品または前記
基板上に前記キャリアフィルムのみを載置して、前記金
属リード箔の各外側端を前記キャリアフィルムの前記開
口部内に没入した状態で、前記第１のメッキ層とさらに
別に形成された第２のメッキ層とを介して前記電子部品
または前記基板の接続端子と接合する工程とを有し、前
記キャリアフィルムの前記側縁を残した状態で前記電子
部品または前記基板と前記キャリアフィルムとが接合さ
れて、前記キャリアフィルムを介して前記電子部品また
は前記基板と別の電子部品または基板との接続が終了さ
れるものである。[Means for Solving the Problems] According to the present invention, a carrier film having a plurality of metal lead foils each having an opening formed along a side edge and having an outer end bridging the opening is formed in a bonded state. Forming a first plating layer on the metal lead foil, the method comprising: bonding a carrier film to an electronic component or a substrate via the metal lead foil in the opening. Bonding an electrode of an IC chip to the inner end side via the first plating layer, placing only the carrier film on the electronic component or the substrate, and fixing each outer end of the metal lead foil. Joining the electronic component or the connection terminal of the substrate via the first plating layer and a second plating layer formed separately while being immersed in the opening of the carrier film. The electronic component or the substrate and the carrier film are joined in a state where the side edge of the carrier film is left, and another electronic component with the electronic component or the substrate through the carrier film. The connection with the substrate is terminated.
［作用］ この方法によれば、キャリアフィルムに設けられた各
金属リード箔の内側端側を第１のメッキ層を介してICチ
ップの電極に好ましい条件で接合できるし、また、各金
属リード箔の外側端側を、第１のメッキ層と第２のメッ
キ層とを介して、電子部品や基板の接続端子に十分な接
合強度で接合することができる。[Operation] According to this method, the inner end side of each metal lead foil provided on the carrier film can be joined to the electrode of the IC chip via the first plating layer under favorable conditions. Can be bonded to the electronic component or the connection terminal of the substrate with a sufficient bonding strength via the first plating layer and the second plating layer.
［実施例］ 以下、第１図から第８図を参照して、この発明の一実
施例を説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
第１図は卓上型電子計算機等の液晶表示パネルとプリ
ント配線基板とをTAB方式のICユニットで接続した状態
を示す。この図において、１はICユニット、２は液晶表
示パネル、３はプリント配線基板であり、ICユニット１
は液晶表示パネル２とプリント配線基板３とに跨って複
数個（この実施例では３個）配置され、液晶表示パネル
２とプリント配線基板３とを電気的に接続している。こ
れにより、ICユニット１はプリント配線基板３からの信
号に基づいて液晶表示パネル２を駆動し、この液晶表示
パネル２で所定の情報を電気光学的に表示する。FIG. 1 shows a state in which a liquid crystal display panel such as a desktop computer and a printed wiring board are connected by a TAB type IC unit. In this figure, 1 is an IC unit, 2 is a liquid crystal display panel, 3 is a printed wiring board,
Are arranged over the liquid crystal display panel 2 and the printed wiring board 3 (three in this embodiment), and electrically connect the liquid crystal display panel 2 and the printed wiring board 3. Thereby, the IC unit 1 drives the liquid crystal display panel 2 based on the signal from the printed wiring board 3, and the liquid crystal display panel 2 displays predetermined information electro-optically.
このようなICユニット１は第１図および第２図に示す
ように、キャリアフィルム（樹脂フィルム）４にICチッ
プ５の外形よりも大きな開口部６を形成するとともに、
キャリアフィルム４の上面に多数の金属リード箔（ICチ
ップリード）７…をパターン形成し、この金属リード箔
７…の前記開口部６内へ突出する内側端7a…にICチップ
５をILB（Inner Lead Bonding）によりボンディングし
てなるものであり、金属リード箔７…の外側端7b…が液
晶表示パネル２およびプリント配線基板３にOLB（Outer
Lead Bonding）により接合される。これにてICユニッ
ト１は液晶表示パネル２とプリント配線基板３とを電気
的に接続する。この場合、キャリアフィルム４はポリエ
ステル、ポリイミド等の高分子材料よりなる50〜200μ
ｍの厚みをもった可撓絶縁性のフィルムである。また、
金属リード箔７…はキャリアフィルム４の上面に金属箔
（例えば厚さ35μｍの電解銅箔）を接着剤でラミネート
し、このラミネートされた金属箔をフォトエッチングに
よりパターン形成される。As shown in FIGS. 1 and 2, such an IC unit 1 forms an opening 6 larger than the outer shape of an IC chip 5 in a carrier film (resin film) 4, and
A number of metal lead foils (IC chip leads) 7 are formed on the upper surface of the carrier film 4 by patterning, and the IC chips 5 are attached to the inner ends 7a of the metal lead foils 7 projecting into the openings 6 by ILB (Inner). The outer ends 7b of the metal lead foils 7 are connected to the liquid crystal display panel 2 and the printed wiring board 3 by OLB (Outer Bonding).
Lead Bonding). Thereby, the IC unit 1 electrically connects the liquid crystal display panel 2 and the printed wiring board 3. In this case, the carrier film 4 is made of a polymer material such as
It is a flexible insulating film having a thickness of m. Also,
The metal lead foils 7 are formed by laminating a metal foil (for example, an electrolytic copper foil having a thickness of 35 μm) on the upper surface of the carrier film 4 with an adhesive, and patterning the laminated metal foil by photoetching.
このように金属リード箔７…の内側端7a…にボンディ
ングされるICチップ５は、第３図に示すようにシリコン
よりなる半導体ウエハ5aの上面にシリコン酸化膜5bが形
成され、このシリコン酸化膜5bの上面にゲート等の内部
電極（図示せず）およびこの内部電極を外周部へ導くア
ルミニウムの配線パターン5cが形成され、この配線パタ
ーン5cに電極（金バンプ）5dが形成され、この電極5dを
除く配線パターン5cの上面にシリコン酸化膜（絶縁膜）
5eを形成した構成となっている。そして、このICチップ
５はその電極5dに金属リード箔７…の内側端7a…が半田
メッキ7cを介してボンディングされ、この状態で第２図
に示すように、ICチップ５の電極5dを有する側がポッテ
ィングされたレジン８にて被覆されている。この場合、
半田メッキ7cは錫（Sn）と鉛（Pb）との混合物（Sn:Pb
＝8:2）で、金属リード箔７の全表面に施されている。As shown in FIG. 3, the IC chip 5 bonded to the inner ends 7a of the metal lead foils 7 has a silicon oxide film 5b formed on the upper surface of a semiconductor wafer 5a made of silicon. An internal electrode (not shown) such as a gate and an aluminum wiring pattern 5c for guiding the internal electrode to the outer periphery are formed on the upper surface of 5b, and an electrode (gold bump) 5d is formed on this wiring pattern 5c. Silicon oxide film (insulating film) on top of wiring pattern 5c except for
5e is formed. The IC chip 5 is bonded to its electrodes 5d at the inner ends 7a of the metal lead foils 7 via solder plating 7c. In this state, the IC chip 5 has the electrodes 5d of the IC chip 5 as shown in FIG. The side is covered with a potted resin 8. in this case,
Solder plating 7c is a mixture of tin (Sn) and lead (Pb) (Sn: Pb
= 8: 2) on the entire surface of the metal lead foil 7.
一方、上記キャリアフィルム４の両端側には金属リー
ド箔７…の外側端7b…の長手方向に直交して開口巾が１
〜2mmとされた開口部4a、4aが側縁に沿って形成されて
おり、上記各金属リード箔７…はこの開口部4a、4aの上
面を外側端7b…が橋架する状態でキャリアフィルム４の
上面に設けられている。そして、このような金属リード
箔７…の外側端7b…のうち、液晶表示パネル２側の外側
端7b…は第２図に示すように、キャリアフィルム４の側
縁が残存した状態で、開口部4aに対向する中央部分７b1
が開口部4a内に没入して液晶表示パネル２の接続リード
2aに半田メッキ7cを介して熱圧着にて接合され、この没
入した中央部分７b1の両端側に傾斜部分７b2、７b3が開
口部4aの上端縁に向けて斜めに立ち上り、これにより三
角状の半田溜り９、９が形成され、この半田溜り９、９
により接続リード2aに強固に接着される。そして、金属
リード箔７…の外側端7b…は第２図に示すように、液晶
表示パネル２の接続リード2aに接合された状態でシリコ
ンゴム11にて被覆される。On the other hand, at both ends of the carrier film 4, the opening width is 1 orthogonal to the longitudinal direction of the outer ends 7b of the metal lead foils 7.
Openings 4a, 4a each having a thickness of about 2 mm are formed along the side edge, and each of the metal lead foils 7 is connected to the carrier film 4 in such a state that the upper ends of the openings 4a, 4a are bridged by the outer ends 7b. Is provided on the upper surface. Among the outer ends 7b of the metal lead foils 7, the outer ends 7b on the liquid crystal display panel 2 side are opened with the side edges of the carrier film 4 remaining as shown in FIG. Central part 7b 1 facing part 4a
Is immersed in the opening 4a and the connection lead of the liquid crystal display panel 2
2a to through the solder plating 7c are joined by thermocompression bonding, rising obliquely This immersive were inclined on both ends of the central portion 7b 1 part 7b 2, 7b 3 is towards the upper edge of the opening 4a, thereby triangle Solder pools 9, 9 are formed, and the solder pools 9, 9 are formed.
Thereby, it is firmly bonded to the connection lead 2a. As shown in FIG. 2, the outer ends 7b of the metal lead foils 7 are covered with the silicon rubber 11 while being joined to the connection leads 2a of the liquid crystal display panel 2.
ところで、上記金属リード箔７に施される半田メッキ
7cは内側端7aと外側端7bとではその層厚を異にしてい
る。すなわち、外側端7bでは半田量が多すぎると隣りの
金属リード箔７にショートするので、この点からは少な
い量であることが好ましいが、反面強固な接着強度を有
していなければならない。しかし、外側端7bの接合構造
において、半田メッキ7cから溶けた半田は中央部分７b1
のみならず傾斜部分７b2、７b3の立ち上り部にも流れ込
んで半田溜り９、９となるので十分な接着力が確保され
る。このような配慮のため、実施例としては、外側端7b
の半田メッキ7bの層厚は0.8〜2.0μｍとされている。一
方、内側端7aにICチップ５をボンディングするとき、内
側端7aにICチップ５の電極5dを400℃/1〜0.5secの熱を
与えて熱圧着するが、このときに金−錫共晶の接着強度
が最大となるように、その半田メッキ7cの層厚は0.2〜
0.6μｍに設定されている。By the way, solder plating applied to the metal lead foil 7
7c has a different layer thickness between the inner end 7a and the outer end 7b. That is, if the amount of solder is too large at the outer end 7b, the adjacent metal lead foil 7 is short-circuited. Therefore, from this point, the amount is preferably small, but it must have strong adhesive strength. However, in the joint structure of the outer end 7b, the solder melted from the solder plating 7c is not applied to the central portion 7b 1.
Sufficient adhesion is ensured since an inclined portion 7b 2, 7b flows in the solder reservoir 9,9 to rising portion of the 3 as well. Due to such considerations, as an example, the outer end 7b
Has a layer thickness of 0.8 to 2.0 μm. On the other hand, when bonding the IC chip 5 to the inner end 7a, the electrode 5d of the IC chip 5 is thermocompression-bonded to the inner end 7a by applying heat at 400 ° C. for 1 to 0.5 sec. The layer thickness of the solder plating 7c is 0.2 to
It is set to 0.6 μm.
また、上述のようにして金属リード箔７の外側端7bが
半田メッキ7cから溶けた半田によって接合される液晶表
示パネル２の接続リード2aは、第４図に示すように、液
晶表示パネル２の端部に等間隔で多数配列形成されてお
り、その構成は第６図に示すように、液晶表示パネル２
の上面に形成された厚さ1000Å程度の酸化シリコン層２
a1と、この上面に形成された350Å程度のITO（Indium T
in Oxide）層２a2と、この上面に形成された2000Å程度
のNi層（無電解メッキ）２a3と、この上面に形成された
500Å程度のAu層（無電解メッキ）２a4とを積層した構
成となっている。Further, as described above, the connection lead 2a of the liquid crystal display panel 2 to which the outer end 7b of the metal lead foil 7 is joined by the solder melted from the solder plating 7c, as shown in FIG. A large number of arrays are formed at equal intervals at the ends, and the structure thereof is as shown in FIG.
Silicon oxide layer 2 with a thickness of about 1000 mm formed on the upper surface of
a 1 and about 350 mm of ITO (Indium T
and in Oxide) layer 2a 2, the Ni layer (electroless plating) 2a 3 of about 2000Å was formed on the upper surface, is formed on the upper surface
500Å about Au layer has a structure formed by laminating and (electroless plating) 2a 4.
そして、上記金属リード箔７の外側端7bと、これが接
合される接続リード2aは第５図に示すような関係にあ
る。すなわち、各金属リード箔７のピッチＰ＝150μ
ｍ、金属リード箔７の巾WL＝60〜80μｍ、各接続リード
2aの間隔Ｓ＝30μｍ、接続リード2aの巾WG＝120μｍと
されている。従って、WG＞WLであるから、金属リード箔
７の巾方向（ピッチ方向）の両側辺部にも半田メッキ7c
が流れ出して三角状の半田溜り10、10が得られ、これに
よって巾方向からのピーリング強度が高められている。
また、WG＞WLであるから、熱圧着によって溶けた半田メ
ッキ7cの半田は接続リード2a上を広がり、これによって
隣りの金属リード箔７とのショートが防止される。この
ためには金属リード箔７の巾WLはWGの0.5〜0.8倍で、接
続リード2aの巾方向の両側部にWGの0.25〜0.1倍のクリ
アランスを設けることが望ましい。The outer end 7b of the metal lead foil 7 and the connection lead 2a to which the outer end 7b is joined have a relationship as shown in FIG. That is, the pitch P of each metal lead foil 7 is 150 μm.
m, width WL of metal lead foil 7 = 60-80 μm, each connection lead
The interval S between the two leads 2a is 30 μm, and the width WG of the connection lead 2a is 120 μm. Therefore, since WG> WL, solder plating 7c is also applied to both side portions of the metal lead foil 7 in the width direction (pitch direction).
Flows out to obtain triangular solder pools 10, 10, thereby increasing the peeling strength in the width direction.
Further, since WG> WL, the solder of the solder plating 7c melted by the thermocompression bonding spreads on the connection lead 2a, thereby preventing a short circuit with the adjacent metal lead foil 7. For this purpose, it is desirable that the width WL of the metal lead foil 7 is 0.5 to 0.8 times WG, and that the clearance is 0.25 to 0.1 times WG on both sides of the connection lead 2a in the width direction.
次に、かかる構成にあるICユニット１の製造方法につ
いて述べる。Next, a method of manufacturing the IC unit 1 having such a configuration will be described.
まず、第１工程において開口部６、4aが形成されたキ
ャリアフィルム４に金属箔をラミネートし、これをフォ
トエッチングにより所定の金属リード箔７…をパターン
形成する。次の第２工程において金属リード箔７の全面
に内側端7a側の層厚0.2〜0.6μｍの半田メッキ7cを施
す。次の第３工程において金属リード箔７の内側端7aに
ICチップ５をボンディングする。次の第４工程において
ICチップ５の電極5dを有する面にレジン８をポッティン
グ塗布する。次の第５工程においてレジン８を乾燥（15
0℃/3H程度）する。次の第６工程において金属リード箔
７に外側端7b側の層厚0.8となるように再度半田メッキ7
cを施す。このように半田メッキ7cを第６工程において
外側端7bの層厚にするのは、第５工程のレジン８の乾燥
中において第２工程で施した半田メッキ7cの錫が金属リ
ード箔７の鋼と共晶を起して第２工程での半田メッキ7c
の層厚が0.1〜0.2μｍ程度に減少してしまうためであ
る。そして、次の第７工程において半田フラックスを金
属リード箔７の外側端7bにポッティング塗布する。First, a metal foil is laminated on the carrier film 4 in which the openings 6 and 4a are formed in the first step, and a predetermined metal lead foil 7 is pattern-formed by photo-etching. In the next second step, the entire surface of the metal lead foil 7 is plated with solder 7c having a layer thickness of 0.2 to 0.6 μm on the inner end 7a side. In the next third step, the inner end 7a of the metal lead foil 7
The IC chip 5 is bonded. In the next fourth step
The resin 8 is potted and applied to the surface of the IC chip 5 having the electrodes 5d. In the next fifth step, the resin 8 is dried (15
0 ℃ / 3H). In the next sixth step, solder plating 7 is again applied to the metal lead foil 7 so that the layer thickness on the outer end 7b side becomes 0.8.
Apply c. In this way, the thickness of the solder plating 7c is made to be the thickness of the outer end 7b in the sixth step because the tin of the solder plating 7c applied in the second step during the drying of the resin 8 in the fifth step is the steel of the metal lead foil 7. Eutectic and solder plating 7c in the second step
Is reduced to about 0.1 to 0.2 μm. Then, in the next seventh step, the soldering flux is applied to the outer end 7b of the metal lead foil 7 by potting.
次に、上記の如くして製造されたICユニット１の金属
リード箔７を液晶表示パネル２の接続リード2aに接合す
る方法について述べる。Next, a method of joining the metal lead foil 7 of the IC unit 1 manufactured as described above to the connection lead 2a of the liquid crystal display panel 2 will be described.
第７図に示すように、テーブル20上に載置されている
液晶表示パネル２の各接続リード2a上に各金属リード箔
７の外側端7bが重なるようにICユニット１を搬送して、
これをテーブル20の側部近傍に配置されているバキュー
ムヘッド21にて吸着固定する。このとき、液晶表示パネ
ル２上にはキャリアフィルム４のみが載置されて、ICチ
ップ５が載置されないようにする。この場合、金属リー
ド箔７の先端部はキャリアフィルム４に固定されている
ので各金属リード箔７は所定の間隔に保持される。この
後、テーブル20の上方に配置されている熱圧着ヘッド22
を降下させて、第８図に示すように、キャリアフィルム
４の側縁を残存させた状態で金属リード箔７の開口部4a
に対向する外側端7bの中央部分７b1を液晶表示パネル２
の接続リード2aに接合する。この熱圧着ヘッド22によっ
て行なわれる熱圧着は、まず、熱圧着ヘッド22が外側端
7bの中央部分７b1を加圧して、キャリアフィルム４の開
口部4a内に没入させ、この没入した中央部分７b1を接続
リード2aに圧接させ、その両側に傾斜部分７b2、７b3の
立ち上り部を形成する。この場合、金属リード箔７の全
面には半田メッキ7cが施されているので、半田メッキ7c
が熱圧着ヘッド22の加熱により溶け、この溶けた半田が
外側端7bの中央部分７b1と液晶表示パネル２の接続リー
ド2aとの間から流れ出し、中央部分７b1の両側に形成さ
れる傾斜部分７b2、７b3の立ち上り部に流れ込み、この
立ち上り部に流れ込んだ半田は外側端7bの上面が熱圧着
ヘッド22によって加熱されることによって傾斜部分７
b2、７b3に上昇して三角状の半田溜り９、９となる。従
って、中央部分７b1と傾斜部７b2、７b3の立ち上り部に
流れ込んで半田溜り９、９となった半田によって金属リ
ード箔７の外側端7bは接続リード2aに強固に接着され
る。また、熱圧着ヘッド22によって加熱されて溶けた半
田メッキ7cの半田は第５図に示すように巾方向にあって
は接続リード2a上を広がって金属リード箔７の両側部に
おいて三角状の半田溜り10、10となる。従って、金属リ
ード箔７は巾方向の剥れもなく接続リード2aに対して強
固に接着される。このようにして金属リード箔７が接続
リード2aに接合された後その接合部がシリコンゴム11に
て被覆される。As shown in FIG. 7, the IC unit 1 is transported such that the outer end 7b of each metal lead foil 7 overlaps each connection lead 2a of the liquid crystal display panel 2 placed on the table 20, and
This is suction-fixed by a vacuum head 21 arranged near the side of the table 20. At this time, only the carrier film 4 is mounted on the liquid crystal display panel 2 so that the IC chip 5 is not mounted. In this case, since the leading end of the metal lead foil 7 is fixed to the carrier film 4, each metal lead foil 7 is held at a predetermined interval. After that, the thermocompression bonding head 22 arranged above the table 20
8 and the opening 4a of the metal lead foil 7 with the side edge of the carrier film 4 remaining as shown in FIG.
The central portion 7b 1 of the outer end 7b facing the LCD panel 2
To the connection lead 2a. In the thermocompression bonding performed by the thermocompression bonding head 22, first, the thermocompression bonding head 22 is
7b a central portion 7b 1 pressurizes the, immerses into the opening 4a of the carrier film 4, is pressed against a central portion 7b 1 that the immersed in connection leads 2a, the rise of the inclined portion 7b 2, 7b 3 on both sides Form a part. In this case, the entire surface of the metal lead foil 7 is coated with the solder plating 7c.
Inclined portion but melts by heating of the thermal compression bonding head 22, the melted solder flows out from between the central portion 7b 1 and connection leads 2a of the liquid crystal display panel 2 of the outer end 7b, which are formed on both sides of the central portion 7b 1 The solder that has flowed into the rising portions of 7b 2 and 7b 3 is heated by the thermocompression head 22 on the upper surface of the outer end 7b, so that the inclined portion 7
It rises to b 2 , 7b 3 to form triangular solder pools 9, 9. Thus, the outer end 7b of the metal lead foil 7 by the solder became central portion 7b 1 and the inclined portion 7b 2, 7b solder pool 9,9 flows into the rising portion of the 3 is firmly bonded to the connection leads 2a. The solder of the solder plating 7c heated and melted by the thermocompression bonding head 22 spreads over the connection leads 2a in the width direction as shown in FIG. The pool is 10,10. Therefore, the metal lead foil 7 is firmly adhered to the connection lead 2a without peeling in the width direction. After the metal lead foil 7 is joined to the connection lead 2a in this manner, the joint is covered with the silicone rubber 11.
なお、上記熱圧着ヘッド22は、キャリアフィルム４の
開口部4aの開口巾（１〜2mm）の50〜80％の巾を有し、2
00〜400℃の加熱温度と30〜360g/mm2の加圧力で１〜5se
c間処理することにより金属リード箔７を接続リード2a
に接合する。The thermocompression bonding head 22 has a width of 50 to 80% of the opening width (1 to 2 mm) of the opening 4a of the carrier film 4;
00-400 1～5Se at the heating temperature and the pressure of 30~360g / mm 2 of ℃
By connecting the metal lead foil 7 to the connection lead 2a
To join.
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のキャリアフィルムの
接合方法によれば、各金属リード箔の内側端側は適切な
厚さの半田メッキを設けてICチップの電極に好ましい条
件で接合できるし、また、各金属リード箔の外側端側は
内側端側よりも厚く設けた半田メッキによって、電子部
品や基板の接続端子に十分な接合強度をもたせて接合で
き、生産の能率および信頼性を飛躍的に向上することが
できるものである。[Effects of the Invention] As described above, according to the method of bonding a carrier film of the present invention, the inner end side of each metal lead foil is provided with solder plating having an appropriate thickness, and is provided under favorable conditions for electrodes of an IC chip. It can be joined, and the outer end of each metal lead foil is thicker than the inner end by solder plating, so that it can be joined with sufficient joint strength to the connection terminals of electronic components and boards, and production efficiency and reliability This can dramatically improve the performance.
図面はそれぞれこの発明の一実施例を示し、第１図はキ
ャリアフィルムに形成された金属リード箔によって電気
的に接続された液晶表示パネルとプリント回路基板を示
した傾斜図、第２図は第１図のII−II線断面図、第３図
はICユニットのICチップボンディング部を示した拡大断
面図、第４図は第１図のIII−III線断面図、第５図はIC
ユニットと液晶表示パネルとの接続部を示した拡大断面
図、第６図は液晶表示パネルの接続リードを示した断面
図、第７図はこの発明の接合方法で用いた装置を示した
断面図、第８図は液晶表示パネルの接続リードを示した
断面図である。 2a……接続リード、４……キャリアフィルム（樹脂フィ
ルム）、4a……開口部、５……ICチップ、5d……電極、
７……金属リード箔、7a……内側端、7b……外側端、７
b1……中央部分、７b2、７b3……傾斜部分、7c……半田
メッキ、22……熱圧着ヘッド。The drawings each show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a liquid crystal display panel and a printed circuit board electrically connected by metal lead foils formed on a carrier film, and FIG. 1 is a sectional view taken along the line II-II, FIG. 3 is an enlarged sectional view showing an IC chip bonding portion of the IC unit, FIG. 4 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. 1, and FIG.
FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a connection portion between the unit and the liquid crystal display panel, FIG. 6 is a sectional view showing a connection lead of the liquid crystal display panel, and FIG. 7 is a sectional view showing an apparatus used in the joining method of the present invention. FIG. 8 is a sectional view showing connection leads of the liquid crystal display panel. 2a: Connection lead, 4: Carrier film (resin film), 4a: Opening, 5: IC chip, 5d: Electrode,
7 ... Metal lead foil, 7a ... Inner end, 7b ... Outer end, 7
b 1 … Central part, 7b 2 , 7b 3 … Slope part, 7c… Solder plating, 22… Head bonding head.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠崎 英一 東京都八王子市石川町2951番地の５ カ シオ計算機株式会社八王子研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−2537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−148856（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−111763（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−97848（ＪＰ，Ｕ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Eiichi Shinozaki 5 Casio Computer Co., Ltd., Hachioji Research Laboratory, 2951 Ishikawacho, Hachioji-shi, Tokyo (56) References JP-A-57-2537 (JP, A) JP-A-56-148856 (JP, A) JP-A-54-111763 (JP, A) JP-A-58-97848 (JP, U)
Claims (1)
該開口部を橋架している複数の金属リード箔を有したキ
ャリアフィルムを、接合状態において該開口部内の該金
属リード箔を介して電子部品または基板と接合させるた
めのキャリアフィルムの接合方法において、前記金属リ
ード箔に第１のメッキ層を形成する工程と、前記金属リ
ード箔の各内側端に前記第１のメッキ層を介してICチッ
プの電極を接合する工程と、前記電子部品または前記基
板上に前記キャリアフィルムのみを載置して、前記金属
リード箔の各外側端を前記キャリアフィルムの前記開口
部内に没入した状態で、前記第１のメッキ層とさらに別
に形成された第２のメッキ層とを介して前記電子部品ま
たは前記基板の接続端子とを接合する工程とを有し、前
記キャリアフィルムの前記側縁を残した状態で前記電子
部品または前記基板と前記キャリアフィルムとが接合さ
れて、前記キャリアフィルムを介して前記電子部品また
は前記基板と別の電子部品または基板との接続が終了さ
れることを特徴とするキャリアフィルムの接合方法。1. A carrier film having a plurality of metal lead foils having an opening formed along a side edge and having an outer end bridging the opening is provided with the metal lead foil in the opening in a joined state. Forming a first plating layer on the metal lead foil, wherein the first plating layer is formed on each inner end of the metal lead foil. Bonding the electrodes of the IC chip through the electronic component or the substrate, and placing only the carrier film on the electronic component or the substrate, and immersing each outer end of the metal lead foil into the opening of the carrier film. Bonding the electronic component or the connection terminal of the substrate via the first plating layer and a second plating layer further formed in the state. The electronic component or the substrate is bonded to the carrier film while leaving the side edge of the electronic component or the substrate, and the connection between the electronic component or the substrate and another electronic component or the substrate via the carrier film is completed. A method for bonding a carrier film, comprising:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1250736A JP2623860B2 (en) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | Carrier film joining method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250736A JP2623860B2 (en) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | Carrier film joining method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292151A Division JPH01135093A (en) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Method of joining ic chip lead |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119150A JPH02119150A (en) | 1990-05-07 |
| JP2623860B2 true JP2623860B2 (en) | 1997-06-25 |
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ID=17212276
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Families Citing this family (1)
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| JPS572537A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-07 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS5977483A (en) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Liquid crystal display |
| JPH06101492B2 (en) * | 1986-02-24 | 1994-12-12 | 沖電気工業株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPS62249435A (en) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | Seniconductor device |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1250736A patent/JP2623860B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02119150A (en) | 1990-05-07 |
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