JP2622379B2 - オーム接点 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 description 2
- -1 Alternatively Chemical compound 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
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- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
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- H01L21/02455—Group 13/15 materials
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02499—Monolayers
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- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
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- H01L21/0257—Doping during depositing
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- H01L21/02576—N-type
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Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はオーム接点、より詳細には元素周期表のIII
−Ｖ族半導体材質内に製造されるオーム接点に関する。
−Ｖ族半導体材質内に製造されるオーム接点に関する。
（背景技術） オーム接点は線形の電流電圧特性を示す接点である。
このタイプの接点は全ての半導体デバイス、例えば、電
界効果形トランジスタ、発光ダイオード及びレーザーの
重要な要素となる。オーム接点は金属と半導体の接合の
電流電圧特性にみられる高度に抵抗性の表面の空乏領域
の強い影響を排除する。
このタイプの接点は全ての半導体デバイス、例えば、電
界効果形トランジスタ、発光ダイオード及びレーザーの
重要な要素となる。オーム接点は金属と半導体の接合の
電流電圧特性にみられる高度に抵抗性の表面の空乏領域
の強い影響を排除する。
先行技術において使用される最も一般的なオーム接点
は金属を半導体表面に混合（alloying）することによっ
て形成される。この金属の不純物が半導体材質内でドー
ナーあるいはアクセプタとして機能する。III−Ｖ族半
導体材質の合金オーム接点（alloyed ohmic contacts）
の最近の研究によって、単なる拡散に加えて、異なる化
学組成を持つ領域が形成され、これによってIII−Ｖ族
半導体デバイスの性能が影響されることが発見された。
また金属の混合（alloying）は、これが金属をドープさ
れた材質とドープされない半導体材質との間の界面に不
規則性を与え、結果として、この接点を使用する半導体
デバイスが予期せぬ挙動を起すことがあり問題を持つ。
は金属を半導体表面に混合（alloying）することによっ
て形成される。この金属の不純物が半導体材質内でドー
ナーあるいはアクセプタとして機能する。III−Ｖ族半
導体材質の合金オーム接点（alloyed ohmic contacts）
の最近の研究によって、単なる拡散に加えて、異なる化
学組成を持つ領域が形成され、これによってIII−Ｖ族
半導体デバイスの性能が影響されることが発見された。
また金属の混合（alloying）は、これが金属をドープさ
れた材質とドープされない半導体材質との間の界面に不
規則性を与え、結果として、この接点を使用する半導体
デバイスが予期せぬ挙動を起すことがあり問題を持つ。
オーム接点を形成するためのもう１つの方法は、元素
周期表のII族、IV族あるいはVI族のドーパント材質をII
I−Ｖ族半導体材質に拡散する方法である。ドーパント
が拡散される量は量が増加すると半導体表面の状態を混
乱させるため制約を持つ。例えば、ヒ素ガリウム内のド
ーパントとして使用されるケイ素の場合は、約２×1018
cm-3の濃度までドーピングすることができる。これは低
抵抗接点を与えるが、現実には、さらに低い抵抗が要求
される。
周期表のII族、IV族あるいはVI族のドーパント材質をII
I−Ｖ族半導体材質に拡散する方法である。ドーパント
が拡散される量は量が増加すると半導体表面の状態を混
乱させるため制約を持つ。例えば、ヒ素ガリウム内のド
ーパントとして使用されるケイ素の場合は、約２×1018
cm-3の濃度までドーピングすることができる。これは低
抵抗接点を与えるが、現実には、さらに低い抵抗が要求
される。
（発明の概略） 本発明においては、分子ビーム、エピタキシー（MB
E）プロセスを使用してIII−Ｖ族半導体材質への新たな
タイプの非合金オーム接点（non−alloyed ohmic conta
ct）が実現される。このオーム特性は金属と半導体の接
合の所にデルタ ドープ ドーナー層を置くことによっ
て達成される。このデルタ ドープ ドーター層は金属
と半導体の接合の所からこの接合からの電子のトンネル
幅以下の距離だけ離れた所に置かれる。互いに数格子定
数の距離を置かれたこれら複数のデルタ ドープ層を形
成することによって、線形性の非常に高い電流電圧特性
を持つ優れたオーム接点が得られる。III−Ｖ族半導体
材質の表面内の所望の領域が金属をこの半導体材質の表
面に蒸着することによって接点にされる。
E）プロセスを使用してIII−Ｖ族半導体材質への新たな
タイプの非合金オーム接点（non−alloyed ohmic conta
ct）が実現される。このオーム特性は金属と半導体の接
合の所にデルタ ドープ ドーナー層を置くことによっ
て達成される。このデルタ ドープ ドーター層は金属
と半導体の接合の所からこの接合からの電子のトンネル
幅以下の距離だけ離れた所に置かれる。互いに数格子定
数の距離を置かれたこれら複数のデルタ ドープ層を形
成することによって、線形性の非常に高い電流電圧特性
を持つ優れたオーム接点が得られる。III−Ｖ族半導体
材質の表面内の所望の領域が金属をこの半導体材質の表
面に蒸着することによって接点にされる。
第１図は優れたオーム接点がヒ化ガリウム基板上に形
成された本発明の１つの実施態様の断面図を示す。高濃
度にドープされたｎ＋タイプのヒ化ガリウム基板11がト
ロリーインターロック ステージ（trolley interlock
stage）にて相互接続された２つの成長チャンバーを持
つ真空ジェネレータ モデルV80分子ビーム エピタキ
シー システム（Vacuum Gennerator model V80 Molecu
lar Beam Epitaxy（MBE） system）内に置かれる。この
システム内においては、従来の浸出セルが第III族の元
素の蒸発、及びドーパント材質の蒸発に使用される。こ
こに成長されたオーム接点では、ガリウムが第III族の
元素として使用され、ドーパント材質はケイ素とされ
る。第Ｖ族の元素であるヒ素はアーセン（AsH3）をMBE
チャンバー内で熱分解することによって得られる。
成された本発明の１つの実施態様の断面図を示す。高濃
度にドープされたｎ＋タイプのヒ化ガリウム基板11がト
ロリーインターロック ステージ（trolley interlock
stage）にて相互接続された２つの成長チャンバーを持
つ真空ジェネレータ モデルV80分子ビーム エピタキ
シー システム（Vacuum Gennerator model V80 Molecu
lar Beam Epitaxy（MBE） system）内に置かれる。この
システム内においては、従来の浸出セルが第III族の元
素の蒸発、及びドーパント材質の蒸発に使用される。こ
こに成長されたオーム接点では、ガリウムが第III族の
元素として使用され、ドーパント材質はケイ素とされ
る。第Ｖ族の元素であるヒ素はアーセン（AsH3）をMBE
チャンバー内で熱分解することによって得られる。
基板11をMBE装置内に置いた後に、基板11上にドーピ
ングされたバッファ層12が１ミクロンの厚さとなるまで
成長される。ここで、三次元ドーパント濃度は約1018cm
-3とされる。この時点で、ガリウム浸出セルを閉じ、結
晶がヒ素とケイ素のみに露出されるようにすることによ
って23分間このＮタイプのヒ化ガリウム結晶の成長が中
断され、代わりにバッファ層12の上にデルタ ドープ層
13が成長される。ケイ素の堆積速度と関連しての前の成
長に関するデータを使用することによって、所定のケイ
素濃度を達成するために必要とされる時間が計算され
る。この一例としての実施態様においては結晶の成長が
23分間だけ中断され、これによって約５×1013/cm2の二
次元ケイ素濃度が達成された。この結晶は、通常、平方
センチメートル当り約６×1014個の第III族の元素を持
つため、この成長の中断は概むねこの結晶の10個のガリ
ウム位置の１つをケイ素原子と置換する。ガリウム浸出
セルが再び開けられ、結晶が約2.5ナノメートルだけ成
長され、これによって層14が形成される。ガリウム浸出
セルを閉じ、次に正規の結晶を再成長されるプロセスが
さらに４回反復され、結果として、第１図に示されるデ
ルタ ドープ層15、17、19及び21、並びに正規のＮドー
プ結晶層16、18、20及び22が得られる。
ングされたバッファ層12が１ミクロンの厚さとなるまで
成長される。ここで、三次元ドーパント濃度は約1018cm
-3とされる。この時点で、ガリウム浸出セルを閉じ、結
晶がヒ素とケイ素のみに露出されるようにすることによ
って23分間このＮタイプのヒ化ガリウム結晶の成長が中
断され、代わりにバッファ層12の上にデルタ ドープ層
13が成長される。ケイ素の堆積速度と関連しての前の成
長に関するデータを使用することによって、所定のケイ
素濃度を達成するために必要とされる時間が計算され
る。この一例としての実施態様においては結晶の成長が
23分間だけ中断され、これによって約５×1013/cm2の二
次元ケイ素濃度が達成された。この結晶は、通常、平方
センチメートル当り約６×1014個の第III族の元素を持
つため、この成長の中断は概むねこの結晶の10個のガリ
ウム位置の１つをケイ素原子と置換する。ガリウム浸出
セルが再び開けられ、結晶が約2.5ナノメートルだけ成
長され、これによって層14が形成される。ガリウム浸出
セルを閉じ、次に正規の結晶を再成長されるプロセスが
さらに４回反復され、結果として、第１図に示されるデ
ルタ ドープ層15、17、19及び21、並びに正規のＮドー
プ結晶層16、18、20及び22が得られる。
第１図内の層13、15、17、19及び21は本発明において
はデルタ ドープ層と呼ばれるが、先行技術においては
他のよびかたも使用されている。このタイプのドーピン
グは結晶の単一原子プレーン（single atomic plan
e）、つまり、単一層（monolayer）内のドーパント濃度
を増加させる。このため、先行技術による文献によって
は、このドーピングを原子プレーン ドーピングと説明
するものもある。これに関しては、ジャーナル オブ
アプライド フィジクス（Journal of Applied Physic
s）、VOl.51、1980年１月、ページ383−387に発表のC.
E.C.ウッド（C.E.C.Wood）、G.メツェ（G.Metze）、J.
ベリー（J.Berry）及びL.F.イーストマン（L.E.Eastma
n）による論文［MBE GaAsの“原子プレーン”ドーピン
グによる複合自由キャリア プロフィルの分析（Comple
x free−carrier profile synthesis by “atomic−pl
ane"doping of MBE GaAs）］、及びフィジカル レビュ
ーＢ（Physical Review B）、Vol.32、NO.2、1985年７
月15日、ページ1085−1089に発表のE.F.シューベルト
（E.F.Schubert）、Y.ホリコシ（Y.Horikoshi）及びK.
プルーグ（K.Ploog）らの論文［分子ビームエピタキシ
ーによる新たな鋸歯半導体超格子成長における放射電子
ホール再結合（Radiative electron−hole recombinati
on in a new sawtooth semiconductor super lattice g
rowth by molecular−beam epitaxy）］を参照するこ
と。用語“デルタ ドープ”は、デルタ ドープ単一層
内の荷電密度を記述するのに便利なディラックデルタ関
数に由来する。ただし、この関数はその中心に疑わしい
物理的意味を持つため厳密には正しくない。
はデルタ ドープ層と呼ばれるが、先行技術においては
他のよびかたも使用されている。このタイプのドーピン
グは結晶の単一原子プレーン（single atomic plan
e）、つまり、単一層（monolayer）内のドーパント濃度
を増加させる。このため、先行技術による文献によって
は、このドーピングを原子プレーン ドーピングと説明
するものもある。これに関しては、ジャーナル オブ
アプライド フィジクス（Journal of Applied Physic
s）、VOl.51、1980年１月、ページ383−387に発表のC.
E.C.ウッド（C.E.C.Wood）、G.メツェ（G.Metze）、J.
ベリー（J.Berry）及びL.F.イーストマン（L.E.Eastma
n）による論文［MBE GaAsの“原子プレーン”ドーピン
グによる複合自由キャリア プロフィルの分析（Comple
x free−carrier profile synthesis by “atomic−pl
ane"doping of MBE GaAs）］、及びフィジカル レビュ
ーＢ（Physical Review B）、Vol.32、NO.2、1985年７
月15日、ページ1085−1089に発表のE.F.シューベルト
（E.F.Schubert）、Y.ホリコシ（Y.Horikoshi）及びK.
プルーグ（K.Ploog）らの論文［分子ビームエピタキシ
ーによる新たな鋸歯半導体超格子成長における放射電子
ホール再結合（Radiative electron−hole recombinati
on in a new sawtooth semiconductor super lattice g
rowth by molecular−beam epitaxy）］を参照するこ
と。用語“デルタ ドープ”は、デルタ ドープ単一層
内の荷電密度を記述するのに便利なディラックデルタ関
数に由来する。ただし、この関数はその中心に疑わしい
物理的意味を持つため厳密には正しくない。
このオーム接点を完成させるために、層22の表面23上
に層24を形成するためにクロムが約20ナノメートルの厚
さに堆積され、次に層25を形成するために約200ナノメ
ートルの金が蒸着される。こうして形成された255マイ
クロメートルの半径を４つデルタ ドープ接点は優れた
線形オーム特性を示した。このオーム接点の電流電圧特
性が第２図に示される。1.4オームの総抵抗は本発明に
よるオーム接点法が高い潜在能力を持つことを示す。第
２図に示されるように、この電流電圧特性は全範囲にわ
たって、Ｓ−及びＮ−形状を持たない完全に線形の形状
を示す。
に層24を形成するためにクロムが約20ナノメートルの厚
さに堆積され、次に層25を形成するために約200ナノメ
ートルの金が蒸着される。こうして形成された255マイ
クロメートルの半径を４つデルタ ドープ接点は優れた
線形オーム特性を示した。このオーム接点の電流電圧特
性が第２図に示される。1.4オームの総抵抗は本発明に
よるオーム接点法が高い潜在能力を持つことを示す。第
２図に示されるように、この電流電圧特性は全範囲にわ
たって、Ｓ−及びＮ−形状を持たない完全に線形の形状
を示す。
コックス（cox）及びストラック（Strack）によって
展開された数式を使用して固有接触抵抗が計算された。
これに関しては、例えば、ソリッド ステート エレク
トロニクス（Solid State Electronics）、Vol.10、ペ
ージ1213−1218、1967年に掲載のR.H.コックス（R.H.Co
x）及びH.ストラック（H.Strack）の論文［GaAsデバイ
スのオーム接点（Ohmic Contacts for GaAs Device
s）］を参照すること。第３図には、接触抵抗（Rt−R
o）とこのオーム接点の径サイズの逆数の関係が示され
る。これらのポイントを得るために、異なるサイズの径
を持つオーム接点が測定され、コックス（Cox）及びス
トラック（Strack）の式から期待される論理上の曲線と
比較された。第３図に示されるように、実験データを補
正することによって、この固有接触抵抗は約6.3×10-6
オーム−cm2の値を持つことがわかった。
展開された数式を使用して固有接触抵抗が計算された。
これに関しては、例えば、ソリッド ステート エレク
トロニクス（Solid State Electronics）、Vol.10、ペ
ージ1213−1218、1967年に掲載のR.H.コックス（R.H.Co
x）及びH.ストラック（H.Strack）の論文［GaAsデバイ
スのオーム接点（Ohmic Contacts for GaAs Device
s）］を参照すること。第３図には、接触抵抗（Rt−R
o）とこのオーム接点の径サイズの逆数の関係が示され
る。これらのポイントを得るために、異なるサイズの径
を持つオーム接点が測定され、コックス（Cox）及びス
トラック（Strack）の式から期待される論理上の曲線と
比較された。第３図に示されるように、実験データを補
正することによって、この固有接触抵抗は約6.3×10-6
オーム−cm2の値を持つことがわかった。
このオーム接点の金属面はこれら接点が金属を混ぜる
こと（alloying）を必要としないため滑らかとなる。つ
まり、従来の合金AuGe（alloyed AuGe）をベースとする
接点におけるボーリング−アップ（丸く盛り上る現象）
の問題を回避できる。表面上にクロム及び金の金属層を
形成する前に光学マイクロスコープを使用してこのデル
タ ドープGaAs層の表面の状態が調べられたが、デルタ
ドープ層に起因する欠陥は認められなかった。
こと（alloying）を必要としないため滑らかとなる。つ
まり、従来の合金AuGe（alloyed AuGe）をベースとする
接点におけるボーリング−アップ（丸く盛り上る現象）
の問題を回避できる。表面上にクロム及び金の金属層を
形成する前に光学マイクロスコープを使用してこのデル
タ ドープGaAs層の表面の状態が調べられたが、デルタ
ドープ層に起因する欠陥は認められなかった。
上に述べたごとく、デルタ ドープ層内のケイ素は５
×1013/cm2の二次元ドーピング濃度に達した。ここで成
長された0.56ナノメートルの格子定数を持つ結晶では、
この二次元ドーピング濃度は約1021cm-3の三次元ケイ素
濃度に達した。このドーピング濃度はケイ素をドーパン
トとして成長される従来の結晶において達成される濃度
を大きく上まわるものである。従って、結果として、低
い抵抗の接点を得ることが可能である。
×1013/cm2の二次元ドーピング濃度に達した。ここで成
長された0.56ナノメートルの格子定数を持つ結晶では、
この二次元ドーピング濃度は約1021cm-3の三次元ケイ素
濃度に達した。このドーピング濃度はケイ素をドーパン
トとして成長される従来の結晶において達成される濃度
を大きく上まわるものである。従って、結果として、低
い抵抗の接点を得ることが可能である。
本発明の理論的な理解は第４図に示されるバンドギャ
ップ エネルギーの図から説明できる。第４図の図は単
一デルタ ドープ層が金属と半導体の界面からZDだけ離
れた所に形成された場合の金属と半導体との界面に対す
るものである。この図はジャパニーズ ジャーナル オ
ブ アプライド フィジクス（Japanese Journal of Ap
plisd Physics）、Vol.24、NO.8、1985年８月、ページ
Ｌ−608−L610に掲載のE.F.シューベルト（E.F.Schuber
t）らの論文［デルタ ドープ電界効果形トランジスタ
（The Delta−Doped Field Effect Transistor）］の第
１図に示される図と類似する。本発明がこれと異なる点
は、このデルタ ドープ単一層が金属と半導体との界面
から距離ZDだけ離れた所に位置され、トンネル バリア
ｔが薄くされ、このバリアを通じての量子−機械的トン
ネルが主要なトランスポート機構となることである。第
４図に示されるごとく、このデルタ ドープ単一層は金
属と半導体との界面から距離ｔだけ離れた所に電子の溜
池41を作る。この図において、ECは導電エネルギーのエ
ッジ、EFはフェルミエネルギー、EVは平衡バンドエネル
ギーのエッジ、ｑは元素電荷、φＢは金属半導体界面に
おけるショットキイバリアのポテンシャル高さ、ｑφＢ
は金属半導体界面におけるショットキイバリアのエネル
ギー高さ、ZDは界面からデルタドープ原子層までの距離
である。デルタ ドープ層のドーナーに由来するこれら
電子の大部分が、第４図において番号42によって示され
るように、金属と半導体の界面の所の表面を占拠する。
ップ エネルギーの図から説明できる。第４図の図は単
一デルタ ドープ層が金属と半導体の界面からZDだけ離
れた所に形成された場合の金属と半導体との界面に対す
るものである。この図はジャパニーズ ジャーナル オ
ブ アプライド フィジクス（Japanese Journal of Ap
plisd Physics）、Vol.24、NO.8、1985年８月、ページ
Ｌ−608−L610に掲載のE.F.シューベルト（E.F.Schuber
t）らの論文［デルタ ドープ電界効果形トランジスタ
（The Delta−Doped Field Effect Transistor）］の第
１図に示される図と類似する。本発明がこれと異なる点
は、このデルタ ドープ単一層が金属と半導体との界面
から距離ZDだけ離れた所に位置され、トンネル バリア
ｔが薄くされ、このバリアを通じての量子−機械的トン
ネルが主要なトランスポート機構となることである。第
４図に示されるごとく、このデルタ ドープ単一層は金
属と半導体との界面から距離ｔだけ離れた所に電子の溜
池41を作る。この図において、ECは導電エネルギーのエ
ッジ、EFはフェルミエネルギー、EVは平衡バンドエネル
ギーのエッジ、ｑは元素電荷、φＢは金属半導体界面に
おけるショットキイバリアのポテンシャル高さ、ｑφＢ
は金属半導体界面におけるショットキイバリアのエネル
ギー高さ、ZDは界面からデルタドープ原子層までの距離
である。デルタ ドープ層のドーナーに由来するこれら
電子の大部分が、第４図において番号42によって示され
るように、金属と半導体の界面の所の表面を占拠する。
固有接触抵抗と界面からの距離ZDとの関係式を得るた
めに単一層に関しての理論的な分析が試みられた。この
式が第５図の曲線51にて示される。第５図に示されるよ
うに、理論的には、界面からの距離が2.5ナノメートル
の場合、固有接触抵抗は10-7オーム−cm2となることが
わかる。これは6.3×10-6オーム−cm2の固有抵抗が得ら
れた第３図に示される測定固有接触抵抗と良く一致す
る。さらに、第５図から、更に研究を行なうことによっ
て10-7から10-9オーム−cm2の範囲の接触抵抗が得られ
ることが示唆される。さらに、第５図から、デルタ ド
ープ単一層に対する接触抵抗は界面からの距離が格子定
数のオーダである限り低いことがわかる。この実施態様
の場合のように、低接触抵抗を確保するために複数のデ
ルタ ドープ層を使用することもできる。
めに単一層に関しての理論的な分析が試みられた。この
式が第５図の曲線51にて示される。第５図に示されるよ
うに、理論的には、界面からの距離が2.5ナノメートル
の場合、固有接触抵抗は10-7オーム−cm2となることが
わかる。これは6.3×10-6オーム−cm2の固有抵抗が得ら
れた第３図に示される測定固有接触抵抗と良く一致す
る。さらに、第５図から、更に研究を行なうことによっ
て10-7から10-9オーム−cm2の範囲の接触抵抗が得られ
ることが示唆される。さらに、第５図から、デルタ ド
ープ単一層に対する接触抵抗は界面からの距離が格子定
数のオーダである限り低いことがわかる。この実施態様
の場合のように、低接触抵抗を確保するために複数のデ
ルタ ドープ層を使用することもできる。
本発明の精神及び範囲から逸脱することなく他の多く
の実施態様が可能である。例えば元素周期表の第IV族の
ゲルマニウムと錫のような元素を使用してｎ−タイプの
ヒ化ガリウムを形成することもできる。同様に、第VI族
の元素、例えば、イオウ、セレン、及びテルルを使用し
てｎ−タイプのヒ化ガリウムを形成することもできる。
ｐ−タイプのデルタ ドープ単一層を形成するために
は、第IIの元素、例えば、ベリリウムとマグネシウム、
あるいはマンガンと亜鉛が使用される。
の実施態様が可能である。例えば元素周期表の第IV族の
ゲルマニウムと錫のような元素を使用してｎ−タイプの
ヒ化ガリウムを形成することもできる。同様に、第VI族
の元素、例えば、イオウ、セレン、及びテルルを使用し
てｎ−タイプのヒ化ガリウムを形成することもできる。
ｐ−タイプのデルタ ドープ単一層を形成するために
は、第IIの元素、例えば、ベリリウムとマグネシウム、
あるいはマンガンと亜鉛が使用される。
第１図は本発明に従って優れたオーム接点が形成された
III−Ｖ族半導体材質の断面図を示し、そして 第２図から第５図は本発明の動作を説明する上で有効な
曲線及び図を示す。 （主要部分の符号の説明） 半導体基板……11 デルタ ドープ層……13、15、17、19、21
III−Ｖ族半導体材質の断面図を示し、そして 第２図から第５図は本発明の動作を説明する上で有効な
曲線及び図を示す。 （主要部分の符号の説明） 半導体基板……11 デルタ ドープ層……13、15、17、19、21
フロントページの続き (72)発明者 ウォン−ティエン ツアング アメリカ合衆国 07733 ニュージャー シイ，ホルムデル，タイラー ラン ８ (56)参考文献 特開 昭61−248479（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】ドープIII−Ｖ族半導体材料の層および該
ドープ層の表面上に堆積された金属層を含み、 少なくとも１つのデルタドープ単一層と少なくとも１つ
の該III−Ｖ族半導体材料の別の層が、該デルタドープ
単一層が該ドープ層の該表面に面し、該別の層が該金属
層に面するようにして該ドープ層と該金属層との間には
さみ込まれているような半導体デバイス内のオーム接点
において、 該別の層の厚さが、該III−Ｖ族半導体材料内の電子ト
ンネル幅以下であって25オングストローム以下であるこ
とを特徴とするオーム接点。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載のオーム接点
において、 複数のデルタドープ単一層とその対である複数の該別の
層は、該複数のデルタ単一層の最下部が該表面と界面を
形成し、複数の該別の層の最上部が金属層と界面を形成
するようにして、ドープ層の該表面と金属層との間に交
互に連続して配列されることを特徴とするオーム接点。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項ないし第２項に記載
のオーム接点において、 少なくとも１つの該ドープ層と該少なくとも１つのデル
タドープ単一層と該少なくとも１つの別の層が分子ビー
ムエピタキシャル装置によって生ずる層であることを特
徴とするオーム接点。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項、第２項ないし第３
項に記載のオーム接点において、 該少なくとも１つのデルタドープ単一層はマンガン、ベ
リリウム、および亜鉛より成る一群から選択されたドー
パントまたは元素周期表の第II族、第IV族および該VI族
からの元素を使用することを特徴とするオーム接点。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
れかに記載のオーム接点において、 該III−Ｖ族半導体材料がGaAsであり、該ドーパントが
ケイ素であることを特徴とするオーム接点。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項ないし第５項に記載
のオーム接点において、 III−Ｖ族半導体材料の該ドープ層がIII−Ｖ族半導体材
料の基板上の成長されるバッファー層であることを特徴
とするオーム接点。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載のオーム接点
において、 該バッファー層がGaAsであることを特徴とするオーム接
点。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/871,248 US4772934A (en) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | Delta-doped ohmic metal to semiconductor contacts |
| US871248 | 1992-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631063A JPS631063A (ja) | 1988-01-06 |
| JP2622379B2 true JP2622379B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=25357022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62140136A Expired - Lifetime JP2622379B2 (ja) | 1986-06-06 | 1987-06-05 | オーム接点 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4772934A (ja) |
| EP (1) | EP0252300B1 (ja) |
| JP (1) | JP2622379B2 (ja) |
| CA (1) | CA1260626A (ja) |
| DE (1) | DE3779192D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926221A (en) * | 1988-09-07 | 1990-05-15 | At&T Bell Laboratories | Bipolar hot electron transistor |
| US5849630A (en) * | 1989-03-29 | 1998-12-15 | Vitesse Semiconductor Corporation | Process for forming ohmic contact for III-V semiconductor devices |
| US5031012A (en) * | 1989-04-21 | 1991-07-09 | At&T Bell Laboratories | Devices having asymmetric delta-doping |
| US5013685A (en) * | 1989-11-02 | 1991-05-07 | At&T Bell Laboratories | Method of making a non-alloyed ohmic contact to III-V semiconductors-on-silicon |
| US5132746A (en) * | 1991-01-04 | 1992-07-21 | International Business Machines Corporation | Biaxial-stress barrier shifts in pseudomorphic tunnel devices |
| US5160982A (en) * | 1991-07-01 | 1992-11-03 | Motorola, Inc. | Phonon suppression in quantum wells |
| US5323022A (en) * | 1992-09-10 | 1994-06-21 | North Carolina State University | Platinum ohmic contact to p-type silicon carbide |
| US5384269A (en) * | 1992-12-09 | 1995-01-24 | Motorola, Inc. | Methods for making and using a shallow semiconductor junction |
| EP0622880A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-01-25 | At & T Corp | Heterogeneous interface with reduced resistance. |
| US6043143A (en) * | 1998-05-04 | 2000-03-28 | Motorola, Inc. | Ohmic contact and method of manufacture |
| US6258616B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Method of making a semiconductor device having a non-alloyed ohmic contact to a buried doped layer |
| US7084423B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Method for depinning the Fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions |
| US6833556B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-12-21 | Acorn Technologies, Inc. | Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel |
| US6797996B1 (en) | 2003-05-27 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compound semiconductor device and method for fabricating the same |
| US7483212B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-01-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same |
| CN107578994B (zh) | 2011-11-23 | 2020-10-30 | 阿科恩科技公司 | 通过插入界面原子单层改进与iv族半导体的金属接触 |
| US9412836B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Contacts for transistors |
| US9620611B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-04-11 | Acorn Technology, Inc. | MIS contact structure with metal oxide conductor |
| WO2018094205A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Acorn Technologies, Inc. | Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
| US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
| US4583110A (en) * | 1984-06-14 | 1986-04-15 | International Business Machines Corporation | Intermetallic semiconductor ohmic contact |
| US4882609A (en) * | 1984-11-19 | 1989-11-21 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafter E.V. | Semiconductor devices with at least one monoatomic layer of doping atoms |
| JPS61248479A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-06 US US06/871,248 patent/US4772934A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-04 DE DE8787108103T patent/DE3779192D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-04 EP EP87108103A patent/EP0252300B1/en not_active Expired
- 1987-06-05 CA CA000538948A patent/CA1260626A/en not_active Expired
- 1987-06-05 JP JP62140136A patent/JP2622379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS631063A (ja) | 1988-01-06 |
| US4772934A (en) | 1988-09-20 |
| CA1260626A (en) | 1989-09-26 |
| EP0252300B1 (en) | 1992-05-20 |
| EP0252300A1 (en) | 1988-01-13 |
| DE3779192D1 (de) | 1992-06-25 |
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