JP2603553B2 - Thin film growth method - Google Patents
Thin film growth methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、シリコンを含んだ原料ガスを真空容器へ
導入し、加熱したシリコン基板の表面にシリコンエピタ
キシャル膜を成長させる薄膜成長法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film growth method in which a raw material gas containing silicon is introduced into a vacuum vessel, and a silicon epitaxial film is grown on the surface of a heated silicon substrate.
(従来の技術) パターニングによってシリコン基板表面の二次元平面
方向で、微細に集積化した構造を形成し、この二次元構
造の任意の一部分だけに、シリコンエピタキシャル層を
形成することのできる選択成長技術は、将来にわたって
シリコン半導体の高集積化を促進し、付加価値を高める
ことのできる方法の一つである。(Prior Art) A selective growth technique capable of forming a finely integrated structure in a two-dimensional plane direction of a silicon substrate surface by patterning and forming a silicon epitaxial layer only on any part of the two-dimensional structure. Is one of the methods that can promote high integration of silicon semiconductors in the future and increase added value.
従来、このような選択成長の一例として、シリコン基
板表面にシリコン酸化膜(SiO2)を形成し、次いでパタ
ーニングによりシリコン基板の表面、即ちシリコン結晶
を露出させる窓を所定の位置に形成することにより、パ
ターニング基板とし、このパターニング基板に対して、
シリコンを含んだ原料ガスを用いたガスソースエピタキ
シーを行い、前記窓に露出したシリコン結晶上にのみシ
リコンエピタキシャル膜を成長させ、酸化膜上には何も
成長させないようにした選択成長技術が知られていた。Conventionally, as an example of such selective growth, a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the surface of a silicon substrate, and then the surface of the silicon substrate, that is, a window for exposing a silicon crystal is formed at a predetermined position by patterning. , And a patterning substrate, for this patterning substrate,
There is known a selective growth technique in which gas source epitaxy using a source gas containing silicon is performed, a silicon epitaxial film is grown only on a silicon crystal exposed in the window, and nothing is grown on an oxide film. I was
前記従来の選択成長では、パターニング基板を真空容
器内に収容した後、始めに850℃、1分間の加熱を行
い、前記窓によって露出させたシリコン表面に、大気中
で形成された薄い酸化膜(自然酸化膜)を除去し、次い
で750℃に維持したシリコン基板にジシランガスを照射
して、露出部分に選択的にシリコンエピタキシャル膜を
成長させる。成長の初期においては、窓の形成で露出さ
せたシリコン基板、即ちシリコン結晶上にはジシランと
の反応によってシリコンのエピタキシャル膜が成長する
のに対して、パターニングで残されたシリコン酸化膜上
には、ジシランが反応しにくい為、何も成長しないので
ある。In the conventional selective growth, after a patterning substrate is housed in a vacuum vessel, heating is first performed at 850 ° C. for 1 minute, and a thin oxide film (formed in air) is formed on the silicon surface exposed through the window. After removing the natural oxide film, the silicon substrate kept at 750 ° C. is irradiated with disilane gas to grow a silicon epitaxial film selectively on the exposed portion. In the initial stage of the growth, an epitaxial silicon film is grown on the silicon substrate exposed by the formation of the window, that is, on the silicon crystal by a reaction with disilane, while on the silicon oxide film left by patterning. Because disilane is difficult to react, nothing grows.
(発明が解決しようとする課題) 前記の選択成長方法において、シリコンエピタキシャ
ル膜に所望の膜厚を得るべく、長時間のエピタキシーを
行うと、シリコン酸化膜もシリコンで被覆され、シリコ
ン核の形成を経て多結晶シリコンの形成へ至るようにな
り、この技術の特徴である選択成長が阻止されることが
知られていた。(Problems to be Solved by the Invention) In the above-mentioned selective growth method, if a long-time epitaxy is performed to obtain a desired thickness of the silicon epitaxial film, the silicon oxide film is also covered with silicon, and the formation of silicon nuclei is prevented. This has led to the formation of polycrystalline silicon, and it has been known that selective growth, which is a feature of this technique, is prevented.
このようなシリコン酸化膜上の多結晶シリコンの成長
を防ぐ方法として、真空容器内へ塩素や塩化物系のシラ
ンガスを導入してシリコン酸化膜上のシリコン核或いは
多結晶シリコンをエッチングにより除去することによっ
て、選択成長を実現する方法が知られていたが、この方
法ではエッチングを十分に行う為にシリコン基板の成長
中の温度を900℃以上にしなければならないので、シリ
コン基板内に熱拡散法によって作り込んだ微細なデバイ
ス構造を崩してしまう問題点があった。As a method of preventing the growth of polycrystalline silicon on such a silicon oxide film, chlorine or chloride silane gas is introduced into a vacuum vessel to remove silicon nuclei or polycrystalline silicon on the silicon oxide film by etching. Therefore, a method of realizing selective growth has been known, but in this method, the temperature during the growth of the silicon substrate must be 900 ° C. or higher in order to perform etching sufficiently, so that a thermal diffusion method is used in the silicon substrate. There is a problem that the built-in fine device structure is destroyed.
また、シリコンエピタキシャル膜の成長時に、シリコ
ン基板の温度を650℃以下とすると共に、シリコンを含
んだ原料ガスの導入流量を1sccm以下として選択成長の
時間を長くする方法も知られていたが、この場合には、
シリコンエピタキシャル膜の成長速度が0.5Å/secと遅
く、半導体デバイスの生産に採用するには問題があっ
た。Also known is a method in which the temperature of the silicon substrate is set to 650 ° C. or less during the growth of the silicon epitaxial film, and the introduction flow rate of the source gas containing silicon is set to 1 sccm or less to lengthen the time for selective growth. in case of,
The growth rate of the silicon epitaxial film is as low as 0.5Å / sec, and there is a problem in adopting it for the production of semiconductor devices.
この発明は以上のような選択成長における問題点に鑑
みてなされたもので、パターニングされたシリコン基板
に対して、高い温度(基板内の構造を崩す温度)に加
熱することなく、半導体デバイスの生産に対応できる
成長速度(10Å/sec)で、更に、任意の膜厚のシリコ
ンエピタキシャル膜の成長ができる膜薄成長法を提供す
ることを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems in the selective growth, and has been developed for manufacturing a semiconductor device without heating a patterned silicon substrate to a high temperature (a temperature at which a structure in the substrate is broken). It is another object of the present invention to provide a thin film growth method capable of growing a silicon epitaxial film having an arbitrary thickness at a growth rate (10 ° / sec) that can cope with the above.
(課題を解決する為の手段) 前記の目的を達成するこの発明の薄膜成長法は、シリ
コンを含んだ原料ガスを真空容器へ導入し、シリコン基
板表面にシリコンのエピタキシャル膜を成長させる方法
において、前記原料ガスの導入を断続して行い、導入遮
断期間に前記シリコン基板を加熱して、該基板に予め形
成された酸化膜上の付着シリコンを蒸発させることを特
徴としている。(Means for Solving the Problems) According to a thin film growth method of the present invention for achieving the above object, in a method of introducing a silicon-containing source gas into a vacuum vessel and growing a silicon epitaxial film on a silicon substrate surface, The method is characterized in that the introduction of the raw material gas is performed intermittently, and the silicon substrate is heated during the introduction cutoff period to evaporate silicon adhered on an oxide film formed in advance on the substrate.
このような方法において、原料の導入遮断期間は、酸
化膜上に付着したシリコンが蒸発するのに必要とされる
時間を確保するものであるが、シリコン基板の温度によ
って時間に長短がある。例えばシリコン基板の温度を85
0℃とする場合には、30秒以上の時間を確保する。一
方、原料ガスの導入期間は、シリコン基板の酸化膜上に
シリコン多結晶膜が成長し、選択成長が損なわれるのを
阻止する必要があるので、約20分以下、望ましくは数分
以下の時間で繰り返し行うと良い。In such a method, the period for blocking the introduction of the raw material is to secure the time required for the silicon attached on the oxide film to evaporate, but the time is longer or shorter depending on the temperature of the silicon substrate. For example, if the temperature of the silicon substrate is 85
When the temperature is set to 0 ° C., a time of 30 seconds or more is secured. On the other hand, during the introduction period of the source gas, it is necessary to prevent the growth of the polycrystalline silicon film on the oxide film of the silicon substrate and to prevent the selective growth from being impaired. It is good to repeat with
(作用) この発明の方法によれば、原料ガスの導入を断続して
行い、導入遮断期間に酸化膜上に付着したシリコンを蒸
発させるので、シリコンエピタキシャル膜の成長速度を
遅くすることなく、かつ所望の膜厚に成長させることが
できる。また、原料ガスの導入によって酸化膜上に付着
したシリコンは、導入遮断期間中に酸化膜中の酸素と反
応させて、蒸気圧の比較的高い一酸化シリコン(SiO)
を生成させて蒸発させるメカニズムを利用できるので、
シリコン基板の内部構造を崩すような高温にすることな
く処理することができる。(Function) According to the method of the present invention, the introduction of the source gas is performed intermittently, and the silicon adhering to the oxide film is evaporated during the introduction interruption period, so that the growth rate of the silicon epitaxial film is not reduced, and It can be grown to a desired film thickness. In addition, silicon adhering to the oxide film due to the introduction of the raw material gas reacts with oxygen in the oxide film during the introduction cutoff period, and silicon monoxide (SiO) having a relatively high vapor pressure.
Because a mechanism that generates and evaporates can be used,
Processing can be performed without a high temperature that would destroy the internal structure of the silicon substrate.
(実 施 例) 以下、この発明を実施例に基づいて説明する。第1図
は実施例で用いたガスソースエピタキシャル装置の要部
を表わしたもので、真空容器1内に、基板ホルダー2、
基板加熱装置3が設置してあると共に、真空容器1の側
璧を貫通して原料ガスの供給口4が設置してあり、供給
口4を通して供給された原料ガス5が基板ホルダー2に
支持された基板6に吹き付けられるように構成されてい
る。図中7は排気口であって、図示していない排気装置
が接続されて、真空容器1内を真空排気できるようにな
っている。(Examples) Hereinafter, the present invention will be described based on examples. FIG. 1 shows a main part of a gas source epitaxial apparatus used in the embodiment.
A substrate heating device 3 is installed, and a source gas supply port 4 is provided through the side wall of the vacuum vessel 1. A source gas 5 supplied through the supply port 4 is supported by the substrate holder 2. It is configured so that it can be sprayed on the substrate 6. In the figure, reference numeral 7 denotes an exhaust port to which an exhaust device (not shown) is connected so that the inside of the vacuum vessel 1 can be evacuated.
このようなガスソースエピタキシャル装置を用いて、
パターニングされたシリコン基板6に対して、ジシラン
ガスを原料ガスとしてシリコン薄膜の選択成長を行っ
た。Using such a gas source epitaxial device,
Selective growth of a silicon thin film was performed on the patterned silicon substrate 6 using disilane gas as a source gas.
シリコン基板6を真空容器1内の基板ホルダー2にセ
ットした後、真空容器1内を先ず超高真空領域に排気し
た。次いで、始めにシリコン基板6を基板加熱装置3に
より850℃で1分間加熱して、シリコン基板6のパター
ニングで形成された窓に露出しているシリコン基板、即
ちシリコン結晶上の薄い酸化膜(自然酸化膜)を除去し
た後、シリコン基板6を750℃に維持して、100%ジシラ
ンガスを供給口4を通して30sccmの流量で導入し、3分
間、シリコンエピタキシャル膜の成長を行った。3分間
経過した時点で、原料ガスのジシランガスの供給を遮断
すると共に、シリコン基板6の温度を850℃として30秒
間維持した。After setting the silicon substrate 6 on the substrate holder 2 in the vacuum vessel 1, the inside of the vacuum vessel 1 was first evacuated to an ultrahigh vacuum region. Next, first, the silicon substrate 6 is heated at 850 ° C. for one minute by the substrate heating device 3, and the silicon substrate exposed to the window formed by patterning the silicon substrate 6, that is, a thin oxide film (natural After removing the oxide film, the silicon substrate 6 was maintained at 750 ° C., and 100% disilane gas was introduced at a flow rate of 30 sccm through the supply port 4 to grow a silicon epitaxial film for 3 minutes. At the time when three minutes had elapsed, the supply of the source gas disilane gas was stopped, and the temperature of the silicon substrate 6 was maintained at 850 ° C. for 30 seconds.
このような、原料ガスの導入(3分間)と遮断(30秒
間)を5回繰り返して、シリコンエピタキシャル膜の成
長を終了した。第2図は上記の工程のシリコン基板6の
温度と、原料ガス(ジシランガス)の供給量のタイムチ
ャートである。The introduction (3 minutes) and cutoff (30 seconds) of such a source gas were repeated five times to complete the growth of the silicon epitaxial film. FIG. 2 is a time chart of the temperature of the silicon substrate 6 and the supply amount of the source gas (disilane gas) in the above process.
成長を終了したシリコン基板6を取り出して、表面を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、パターニングで形
成された酸化膜パターン上には多結晶シリコン核は付着
しておらず、完全な選択成長が実現されていることが確
認できた。シリコン基板6の酸化膜パターンをBHF溶液
でエッチングし、シリコンエピタキシャル膜の膜厚を測
定したところ、1.2μmであった。When the silicon substrate 6 after growth is taken out and the surface is observed with a scanning electron microscope, no polycrystalline silicon nuclei are adhered on the oxide film pattern formed by patterning, and complete selective growth is realized. It was confirmed that it was done. The oxide film pattern of the silicon substrate 6 was etched with a BHF solution, and the thickness of the silicon epitaxial film was measured to be 1.2 μm.
第3図および第4図は、上記実施例におけるシリコン
基板6の表面を模式的に表わしたものである。FIG. 3 and FIG. 4 schematically show the surface of the silicon substrate 6 in the above embodiment.
第3図(a)において、8がパターニングによって残
された酸化膜(SiO2)、9が窓であり、窓9から露出し
ているシリコン基板6表面には自然酸化膜10が形成され
る。この自然酸化膜10は初めの850℃、1分間の加熱に
よって除去される。In FIG. 3A, 8 is an oxide film (SiO 2 ) left by patterning, 9 is a window, and a natural oxide film 10 is formed on the surface of the silicon substrate 6 exposed from the window 9. This natural oxide film 10 is removed by heating at 850 ° C. for one minute.
このようなシリコン基板6に原料ガスであるジシラン
ガス(Si2O6)が吹き付けられると、窓9から露出して
いるシリコン基板6の表面に、シリコンエピタキシャル
膜11が選択的に成長して第3図(b)のようになる。When a disilane gas (Si 2 O 6 ), which is a raw material gas, is blown onto such a silicon substrate 6, a silicon epitaxial film 11 is selectively grown on the surface of the silicon substrate 6 exposed from the window 9, and the third layer is formed. The result is as shown in FIG.
シリコンエピタキシャル膜の成長を継続して行うと、
酸化膜8上もシリコンで被覆されて、第3図(c)に示
したように、多結晶シリコン核12が形成されて、選択成
長が阻止されるのは前記で説明の通りであるが、実施例
では、この多結晶シリコン核12が形成される前に原料ガ
スの供給を遮断した。If the silicon epitaxial film is continuously grown,
The oxide film 8 is also covered with silicon, and as shown in FIG. 3 (c), the polycrystalline silicon nucleus 12 is formed to prevent the selective growth, as described above. In the embodiment, the supply of the source gas was stopped before the polycrystalline silicon nuclei 12 were formed.
原料ガスの遮断期間中に、シリコン基板6を850℃に
加熱すると、第4図に示したように、酸化膜8上のシリ
コン原子13は酸化膜8中の酸素14と反応して、蒸気圧の
高い一酸化シリコン(SiO)15を形成し、酸化膜8上か
ら真空中に蒸発し、多結晶シリコンを形成する為のシリ
コン原料は酸化膜8上から消滅すると説明することがで
きる。When the silicon substrate 6 is heated to 850 ° C. during the cutoff period of the source gas, the silicon atoms 13 on the oxide film 8 react with the oxygen 14 in the oxide film 8 as shown in FIG. It can be described that silicon monoxide (SiO) 15 having a high density is formed, the silicon material for forming polycrystalline silicon is evaporated from the oxide film 8 into a vacuum, and disappears from the oxide film 8.
(発明の効果) 以上に説明したように、この発明によればシリコン基
板の内部構造を崩すような高温に加熱することなく選択
成長ができ、かつ速い成長速度で所要の膜厚に成長させ
ることができるので、半導体デバイスの生産に適用でき
ると共に、半導体デバイスの構造設計の自由度を向上で
きる効果がある。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, it is possible to perform selective growth without heating to a high temperature at which the internal structure of a silicon substrate is destroyed, and to grow a required film thickness at a high growth rate. Therefore, the present invention can be applied to the production of semiconductor devices, and has the effect of improving the degree of freedom in the structural design of semiconductor devices.
第1図はこの発明の実施例で用いた装置の概略図、第2
図はこの発明の実施例のタイムチャート、第3図(a)
(b)(c)は同じく実施例におけるシリコン基板の表
面を模式的に表わした図で、(a)は自然酸化膜が形成
されている状態の図、(b)はシリコンエピタキシャル
膜を成長した状態の図、(c)は酸化膜上に多結晶シリ
コン核が形成された状態の図、第4図は同じく実施例に
おける、原料ガスを遮断して、シリコン基板を加熱した
工程の説明図である。 1……真空容器、2……基板ホルダー、3……基板加熱
装置、4……供給口、5……原料ガス、6……基板、8
……酸化膜、9……窓、10……自然酸化膜、11……シリ
コンエピタキシャル膜FIG. 1 is a schematic view of an apparatus used in an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a time chart of the embodiment of the present invention, and FIG.
(B) and (c) are diagrams schematically showing the surface of the silicon substrate in the example, (a) is a diagram showing a state in which a natural oxide film is formed, and (b) is a silicon epitaxial film grown. FIG. 4C is a view showing a state in which a polycrystalline silicon nucleus is formed on an oxide film, and FIG. 4 is an explanatory view of a step of heating a silicon substrate in the same embodiment with the source gas shut off. is there. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Substrate holder, 3 ... Substrate heating device, 4 ... Supply port, 5 ... Source gas, 6 ... Substrate, 8
...... Oxide film, 9 ... Window, 10 ... Natural oxide film, 11 ... Silicon epitaxial film
Claims (3)
入し、シリコン基板表面にシリコンのエピタキシャル膜
を成長させる方法において、前記原料ガスの導入を断続
して行い、導入遮断期間に前記シリコン基板を加熱し
て、該基板に予め形成された酸化膜上の付着シリコンを
蒸発させることを特徴とする薄膜成長法In a method of introducing a source gas containing silicon into a vacuum vessel and growing a silicon epitaxial film on the surface of a silicon substrate, the source gas is intermittently introduced, and the silicon substrate is introduced during a cut-off period. Heating the substrate to evaporate silicon adhering to the oxide film previously formed on the substrate.
シリコン基板の加熱温度を850℃以上とする請求項1記
載の薄膜成長法2. The method according to claim 2, wherein the supply and cutoff period of the source gas is 30 seconds or more,
2. The method for growing a thin film according to claim 1, wherein the heating temperature of the silicon substrate is 850 ° C. or higher.
とする請求項1又は2記載の薄膜成長法3. The thin film growth method according to claim 1, wherein the introduction period of the source gas is 20 minutes or less per time.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25300390A JP2603553B2 (en) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Thin film growth method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP25300390A JP2603553B2 (en) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | Thin film growth method |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH04132694A JPH04132694A (en) | 1992-05-06 |
JP2603553B2 true JP2603553B2 (en) | 1997-04-23 |
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---|---|---|---|---|
US5633768A (en) * | 1993-10-27 | 1997-05-27 | Teac Corporation | Sheet metal frame construction for a disk apparatus |
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1990
- 1990-09-21 JP JP25300390A patent/JP2603553B2/en not_active Expired - Lifetime
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JPH04132694A (en) | 1992-05-06 |
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