JP2599895B2 - Probe unit and its manufacturing method - Google Patents
Probe unit and its manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は液晶パネルの検査等に
使用されるプローブユニットの如き、リードを微小ピッ
チで並列配置し弾性接片を付有せねばならない場合に適
したプローブユニットとその製法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe unit suitable for a case where leads must be arranged in parallel at a fine pitch and an elastic contact piece must be provided, such as a probe unit used for inspection of a liquid crystal panel, etc. About.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶パネルを形成するガラス板端縁に並
列配置される電極層は益々微小ピッチ化する傾向にあ
り、これら液晶パネルの検査においては、検査装置側に
おいて、これら微小ピッチの電極層に対応するピッチの
プローブユニットの提供が必要となる。2. Description of the Related Art There is a tendency that electrode layers arranged in parallel with the edge of a glass plate forming a liquid crystal panel have an increasingly smaller pitch. It is necessary to provide a probe unit having a pitch corresponding to the above.
【0003】現状では上記電極層のピッチは0.1mm
以下であり、これら液晶パネルの電極層に接触する検査
側のプローブユニットのリードをフープ材から機械的に
打抜加工して形成することは困難となってきている。At present, the pitch of the above electrode layers is 0.1 mm.
As described below, it has become difficult to mechanically punch and form the lead of the probe unit on the inspection side that comes into contact with the electrode layer of the liquid crystal panel from the hoop material.
【0004】従って現在はエッチング法や、マスクを通
して光照射して形成された蝕刻溝に金属材を充填するア
ディティブ法等を使用して微小ピッチのリード群を形成
する方法が採られている。この方法を使用した最新の技
術が特願平4−297578号及び特願平4−3828
9号である。At present, therefore, a method of forming a lead group having a fine pitch by using an etching method or an additive method of filling a metal material into an etching groove formed by irradiating light through a mask is employed. The latest technology using this method is disclosed in Japanese Patent Application Nos. 4-297578 and 4-3828.
No. 9.
【0005】この先行発明は何れもエッチング法等によ
って形成されたリード群をガラス板等の絶縁ベース板の
表面に全巾に亘り接着剤を介して接着し、各リードの一
端側を絶縁ベース板の端部から突出しこの突出部先端を
上記液晶パネルの電極層との加圧接触に供すると共に、
絶縁ベース板の表面に接着された各リードの基端側表面
に検査装置側のIC等のリードを重ねて接続する構成と
している。In each of the prior arts, a lead group formed by an etching method or the like is bonded to the surface of an insulating base plate such as a glass plate over an entire width via an adhesive, and one end of each lead is connected to the insulating base plate. And projecting the tip of the protruding portion into pressure contact with the electrode layer of the liquid crystal panel,
The configuration is such that leads such as ICs on the inspection device side are overlapped and connected to the base end surface of each lead bonded to the surface of the insulating base plate.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする問題点】上記先行発明は絶縁
ベース板にリード群の各リードピッチを正確に保ちなが
ら接着剤で固定しなければならない。しかし接着剤の収
縮、特に熱収縮で、各リードピッチは変化する。これを
防ぐため、圧接力を加えながら各リードを接着するが、
この場合も圧接力によりリードピッチが変化する。又接
着剤が毛細管現象により絶縁ベース板の端部から延出し
たリード部に流出して、上記の接着剤の収縮によりリー
ド先端ピッチにバラツキが出る欠点がある。In the above prior art, it is necessary to fix the lead pitch of the lead group to the insulating base plate with an adhesive while maintaining the lead pitch accurately. However, each lead pitch changes due to shrinkage of the adhesive, particularly heat shrinkage. To prevent this, each lead is adhered while applying pressure.
Also in this case, the lead pitch changes due to the pressing force. Further, there is a disadvantage that the adhesive flows out to the lead portion extending from the end of the insulating base plate due to the capillary phenomenon, and the pitch of the lead tip varies due to the contraction of the adhesive.
【0007】[0007]
【問題点を解決するための手段】この発明は上記問題点
を有効に解決する構成を持ったプローブユニット及びそ
の製法を提供するものであり、このプローブユニットは
ベース板表面に並列配置せるリード群がメッキ成長によ
り形成されてベース板に固定されており、同時にこのメ
ッキ成長により形成したリードにより上記ベース板端部
から突出せる弾性接片を得ている。又上記各リードは細
長導電層を介してベース板に固定され、該細長導電層を
各リードの端部からベース板表面に露出してIC等と接
続する電極端子を形成している。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to provide a probe unit having a configuration for effectively solving the above problems and a method for manufacturing the same. The probe unit is a group of leads arranged in parallel on the surface of a base plate. Are formed by plating growth and are fixed to the base plate, and at the same time, an elastic contact piece protruding from the end of the base plate is obtained by the lead formed by the plating growth. Each of the leads is fixed to the base plate via an elongated conductive layer, and the elongated conductive layer is exposed from the end of each lead to the surface of the base plate to form an electrode terminal for connecting to an IC or the like.
【0008】上記プローブユニットは次に述べる方法に
よって製造される。The probe unit is manufactured by the following method.
【0009】第1の方法は第1ベース板と第2ベース板
とを端面において突き合せ、この突き合せ面は接着する
か又は自由接触面とする。次でこの第1,第2ベース板
の表面に多数のリードを両ベース板を横断するように並
列状態でメッキ成長させる。次で第2ベース板を第2ベ
ース板上に延在していたリード端部から剥離してこのリ
ード端部を上記第1ベース板の端部から突出させるよう
にしてプローブユニットを製造する思想を提供してい
る。In a first method, a first base plate and a second base plate are abutted on an end face, and the abutted surfaces are bonded or free contact surfaces. Next, a large number of leads are plated and grown on the surfaces of the first and second base plates in parallel so as to cross both base plates. Next, the idea of manufacturing the probe unit by peeling the second base plate from the lead end extending on the second base plate and projecting the lead end from the end of the first base plate. Is provided.
【0010】又第2の方法はベース板表面に多数のリー
ドを並列状態でメッキ成長させ、次で該ベース板の端部
を切除してベース板切除部上に延在していたリード端部
を残余のベース板の端部から突出させプローブユニット
を製造する思想を提供している。In a second method, a large number of leads are plated and grown on the surface of the base plate in parallel, and then the end of the base plate is cut off to extend the lead end portion extending on the cutout of the base plate. Is projected from the end of the remaining base plate to produce a probe unit.
【0011】上記ベース板の表面にリード群をメッキ成
長させる下地として、上記リードと同一ピッチの細長導
電層を事前に印刷等により形成して置き、この各細長導
電層を電極としてその表面に直接メッキ成長を促し所定
厚みを有するリードを形成する。An elongated conductive layer having the same pitch as the leads is formed in advance by printing or the like as a base on which a lead group is to be plated and grown on the surface of the base plate, and each of the elongated conductive layers is directly used as an electrode on the surface. A lead having a predetermined thickness is formed by promoting plating growth.
【0012】従ってこの場合、プローブユニットはベー
ス板表面に密着して並列配置されたメッキ成長下地層た
る多数の細長導電層を有し、この各細長導電層を下地と
してメッキ成長により形成した多数のリードを有し、こ
のメッキ成長リードによってベース板一端から突出せる
弾性接片を得ている。Therefore, in this case, the probe unit has a large number of elongated conductive layers as plating growth base layers which are closely arranged in parallel on the surface of the base plate, and a plurality of elongated conductive layers formed by plating with the respective elongated conductive layers as bases. An elastic contact piece having a lead and protruding from one end of the base plate is obtained by the plating growth lead.
【0013】[0013]
【作用】以上のように、この発明に係るプローブユニッ
トはベース板表面にメッキ成長により形成された並列リ
ード群を有し、このリード群により形成されたベース板
より突出せる並列弾性接片群を有する。As described above, the probe unit according to the present invention has a parallel lead group formed by plating on the surface of the base plate, and a parallel elastic contact group protruding from the base plate formed by the lead group. Have.
【0014】従ってエッチング法等により形成したリー
ド群を準備し、これを接着剤によりベース板表面に接着
する場合のような、接着剤の収縮によるピッチ変化等の
問題を惹起せず、接着剤塗布や接着作業の困難性、或い
は接着するまでの整列を保持するタイバー等のリード間
連結手段を要せず、従ってこのタイバーを爾後的に切断
する困難な作業も排除できる。Accordingly, a lead group formed by an etching method or the like is prepared, and a problem such as a change in pitch due to contraction of the adhesive, unlike the case where the lead group is adhered to the surface of the base plate with an adhesive, is not caused. Also, it is not necessary to use a tie bar or other connecting means such as a tie bar for maintaining the alignment until the bonding, and thus it is possible to eliminate the difficult work of subsequently cutting the tie bar.
【0015】又メッキ成長によりリード群を極小ピッチ
に高精度に形成でき、弾性接片の弾性と強度に必要な厚
みも充分に確保できる。Further, the lead group can be formed at a very small pitch with high precision by plating growth, and the thickness required for the elasticity and strength of the elastic contact piece can be sufficiently secured.
【0016】[0016]
【実施例】図2乃至図9は本発明の第1実施例である。
図2A,Bに示すように、ガラス板,合成樹脂板,セラ
ミック板等の絶縁板から成るベース板2の表面に予定す
るリード3のピッチと同じピッチのストライプ状のパタ
ーンを持つ(並列配置した)細長導電層3′を形成す
る。2 to 9 show a first embodiment of the present invention.
As shown in FIGS. 2A and 2B, the base plate 2 made of an insulating plate such as a glass plate, a synthetic resin plate, or a ceramic plate has a stripe-shaped pattern having the same pitch as the pitch of the leads 3 to be formed on the surface of the base plate 2. 3.) forming an elongated conductive layer 3 '.
【0017】この細長導電層3′はベース板2に金属膜
を成膜した後これをホトエッチングプロセスでパターニ
ングする方法や導電ペーストを印刷する方法等の既知の
プリント配線基板におけるパターン製造法の適用により
容易に形成できる。The elongated conductive layer 3 'is formed by forming a metal film on the base plate 2 and then patterning the metal film by a photo-etching process or applying a known method of manufacturing a pattern on a printed wiring board, such as a method of printing a conductive paste. Can be easily formed.
【0018】これら既知の方法で並列細長導電層3′を
ベース板2の表面に並列配置にして形成し、その表面に
前記リード3群、及び弾性接片3a群をメッキ成長して
形成するのである。According to these known methods, the parallel elongated conductive layers 3 'are formed on the surface of the base plate 2 in parallel, and the leads 3 and the elastic contact pieces 3a are formed on the surface by plating. is there.
【0019】上記細長導電層3′は図2に示すように、
一端延在部bにおいてはメッキによりリード3を形成し
た時、リード3即ちメッキ層が充分な強度で細長導電層
3′と母材結合する金属(例えば銅材)が選ばれてお
り、同他端延在部分aはメッキ形成できる金属であって
なお且つ比較的弱い剥離力でメッキ成長層即ちリード3
から剥離できる金属(又は剥離性の表面層を有する金
属)を以って形成されている。例えばこのような剥離性
を有する金属として極く薄いクロム材を銅材上に成膜す
る方法あるいはニッケル膜を成膜する方法が採られる。The elongated conductive layer 3 'is formed as shown in FIG.
In the one end extending portion b, when the lead 3 is formed by plating, a metal (for example, a copper material) is selected, in which the lead 3, that is, the plating layer has a sufficient strength and bonds to the elongated conductive layer 3 'as a base material. The end extending portion a is a metal that can be formed by plating and has a relatively small peeling force and a plated growth layer, that is, a lead 3.
It is formed of a metal (or a metal having a releasable surface layer) that can be peeled from the substrate. For example, a method of forming an extremely thin chromium material on a copper material or a method of forming a nickel film as a metal having such releasability is adopted.
【0020】具体例として図2に示すように、ベース板
2の表面に銅材から成る細長導電層3′を並列して形成
し、この細長導電層3′の一端延在部分aの表面に例え
ばクロム材の如き細長剥離層8を形成する。この剥離層
8を形成したa部分は弾性接片3aが形成される部分で
ある。換言するとaはリード3の弾性接片形成区域であ
るのに対しbはリード3の結合片形成区域である。As a specific example, as shown in FIG. 2, elongated conductive layers 3 'made of a copper material are formed in parallel on the surface of the base plate 2, and the surface of the one end extending portion a of the elongated conductive layer 3' is formed on the surface. For example, an elongated release layer 8 such as a chromium material is formed. The portion a where the release layer 8 is formed is a portion where the elastic contact piece 3a is formed. In other words, a is the area where the elastic contact piece of the lead 3 is formed, while b is the area where the connecting piece of the lead 3 is formed.
【0021】図3に示すように、上記図2の如くしたベ
ース板2の表面を感光性樹脂層9(レジスト層)で覆
う。例えば感光性樹脂フィルムを貼り合わせるか、又は
感光性樹脂材を塗布する。As shown in FIG. 3, the surface of the base plate 2 as shown in FIG. 2 is covered with a photosensitive resin layer 9 (resist layer). For example, a photosensitive resin film is attached or a photosensitive resin material is applied.
【0022】次に図4A,Bに示すように、上記感光性
樹脂層9の表面に露光マスク10を重ね、光11を上方
から照射することにより感光性樹脂層9を露光する。露
光マスク10は図4Bに示すように、リード3と同一パ
ターンの透光部10a(感光性樹脂層9がネガレジスト
である場合、10aは逆にリード3と同一パターンの非
透光部)を有し、この透光部10a(又は非透光部)と
細長導電層3′とが対応するように上記マスク10を設
置し上記露光を行なう。Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, an exposure mask 10 is superposed on the surface of the photosensitive resin layer 9 and the photosensitive resin layer 9 is exposed by irradiating light 11 from above. As shown in FIG. 4B, the exposure mask 10 has a light-transmitting portion 10a having the same pattern as the lead 3 (when the photosensitive resin layer 9 is a negative resist, 10a is a non-light-transmitting portion having the same pattern as the lead 3). The mask 10 is provided so that the light-transmitting portion 10a (or the non-light-transmitting portion) corresponds to the elongated conductive layer 3 ', and the exposure is performed.
【0023】次に図5A,Bに示すように、現像により
透光部(ネガレジストの場合は非透光部)10aに対応
した感光性樹脂層9の露光樹脂(ネガレジストの場合は
非露光樹脂)を除去して感光性樹脂層9を貫通するリー
ド形成用溝(メッキ成長用溝)9aを形成し、細長導電
層3′をこの溝9aと対向する部分において露出する。
上記リード形成用溝9aは当然リード3と同じピッチで
並列配置されている。Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, the exposed resin (non-exposed in the case of a negative resist) of the photosensitive resin layer 9 corresponding to the translucent portion (non-transmissive portion in the case of a negative resist) 10a by development. The resin is removed to form a lead forming groove (plating growth groove) 9a penetrating through the photosensitive resin layer 9, and the elongated conductive layer 3 'is exposed at a portion facing the groove 9a.
The lead forming grooves 9 a are naturally arranged in parallel at the same pitch as the leads 3.
【0024】而して図6に示すように、図5の状態にし
たものを適当なメッキ液により電気メッキし、上記リー
ド形成用溝9a内におけるメッキ成長を促す。即ち、電
気メッキによりリード形成用溝9aの底面に露出してい
る細長導電層3′(メッキ成長下地)の表面に直接メッ
キが施され溝9a内における成長が促されて、溝9aの
深さと略同じ厚みのリード3を生成する。As shown in FIG. 6, the state shown in FIG. 5 is electroplated with an appropriate plating solution to promote the plating growth in the lead forming groove 9a. That is, the surface of the elongated conductive layer 3 ′ (plating growth base) exposed on the bottom surface of the lead forming groove 9 a is directly plated by electroplating, and the growth in the groove 9 a is promoted. The leads 3 having substantially the same thickness are generated.
【0025】上記メッキ金属としては適当な硬さと弾性
を持つもの、例えばニッケル又はニッケル合金であり、
メッキ成長下地たる細長導電層3′のb部を銅又は銅合
金で形成することにより上記ニッケル又はニッケル合金
とは極めて強固に結合し、細長導電層3′のa部で剥離
性のある金属8によりある程度の強度で結合する。The above-mentioned plating metal is one having appropriate hardness and elasticity, for example, nickel or a nickel alloy.
By forming the portion b of the elongated conductive layer 3 ', which is the base for plating growth, with copper or a copper alloy, it is extremely strongly bonded to the nickel or nickel alloy, and the metal 8 having a releasable property at the portion a of the elongated conductive layer 3'. For a certain degree of strength.
【0026】次に図7A,Bに示すように感光性樹脂層
9を除去すると、上記メッキ成長により形成されたリー
ド3が等間隔をおいて並列されたベース板が得られる。Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, when the photosensitive resin layer 9 is removed, a base plate in which the leads 3 formed by the plating growth are arranged in parallel at equal intervals is obtained.
【0027】次に、図8に示すようにベース板2の一端
部を切り込み12から所要の長さに亘りリードから剥離
しつつ切除する。Next, as shown in FIG. 8, one end of the base plate 2 is cut off from the lead over a predetermined length from the cut 12 while being peeled off from the lead.
【0028】この結果図9A,Bに示すようにリード3
はその結合片3bによって残余のベース板2の表面に強
固に結合すると共にベース板切除部上に延在していたリ
ード部分は残余のベース板2の一端から側方へ遊離し突
出したプローブユニットが形成される。このリード突出
部で前記弾性接片3aを形成する。As a result, as shown in FIGS.
Is a probe unit which is firmly connected to the surface of the remaining base plate 2 by the connecting piece 3b and the lead portion extending on the cut-out portion of the base plate 2 is released sideways from one end of the remaining base plate 2 and protrudes. Is formed. The resilient contact piece 3a is formed by the lead protrusion.
【0029】上記ベース板2の一端を切除するに際して
のリード3からの剥離を容易にする例として、前記細長
導電層3′における弾性接片形成区域aの表面に剥離層
8を形成したものである。従ってこの剥離層8の内端縁
付近から上記ベース板端部を切除することによってリー
ド3からの剥離が比較的容易に行なえる。As an example to facilitate peeling from the lead 3 when cutting off one end of the base plate 2, a peeling layer 8 is formed on the surface of the elastic contact piece forming area a in the elongated conductive layer 3 '. is there. Therefore, by cutting off the end of the base plate from the vicinity of the inner edge of the peeling layer 8, the peeling from the lead 3 can be performed relatively easily.
【0030】上記ベース板端部は剥離層8とリード3の
界面から剥離しつつ除去され、従って細長導電層3′は
この剥離層8を形成した部分において切除したベース板
端部に付着した状態で除去される。The end of the base plate is removed while peeling off from the interface between the peeling layer 8 and the lead 3, so that the elongated conductive layer 3 'is attached to the cut end of the base plate where the peeling layer 8 is formed. Is removed by
【0031】換言すると図9に示すように、リード3は
ベース板2との結合片3bにおいてメッキ成長下地たる
細長導電層3′を介して上記ベース板2に固定され、こ
のベース板2から突出する弾性接片3aの裏面には細長
導電層3′が残置しない構造となる。In other words, as shown in FIG. 9, the lead 3 is fixed to the base plate 2 via the elongated conductive layer 3 'serving as a plating growth base at the joint piece 3b with the base plate 2, and protrudes from the base plate 2. The structure is such that the elongated conductive layer 3 'does not remain on the back surface of the elastic contact piece 3a.
【0032】図9に示すように、上記リード3は上記細
長導電層3′の一端延在部の表面においてメッキ成長さ
せ、他端延在部をベース板2の表面に露出させてIC等
との接続に供する電極端子3a′を形成する。As shown in FIG. 9, the lead 3 is plated and grown on the surface of the one end extending portion of the elongated conductive layer 3 ', and the other end is exposed on the surface of the base plate 2 to form an IC or the like. The electrode terminals 3a 'used for the connection are formed.
【0033】換言するとメッキ成長にて形成されたリー
ド3は細長導電層3′の一端延在部の表面に結合片3b
により結合され、且つこの細長導電層3′の一端延在部
を介してベース板2に結合された構造となり、このリー
ド結合片3bの後端から後方へ細長導電層3′の他端延
在部が導出して露出され電極端子3a′を形成してい
る。In other words, the lead 3 formed by the plating growth is provided on the surface of the one end extending portion of the elongated conductive layer 3 'with the connecting piece 3b.
And connected to the base plate 2 via one end extending portion of the elongated conductive layer 3 ', and the other end of the elongated conductive layer 3' extends rearward from the rear end of the lead connecting piece 3b. The portion is led out and exposed to form an electrode terminal 3a '.
【0034】図示しないが、本発明は細長導電層3′の
全長に亘ってメッキ成長によるリード3を形成する場合
も含む。この場合リード3の結合片端部にて上記電極端
子3a′を形成する。Although not shown, the present invention includes a case where the leads 3 are formed by plating over the entire length of the elongated conductive layer 3 '. In this case, the electrode terminal 3a 'is formed at one end of the connection of the lead 3.
【0035】次に、この発明の第2実施例について説明
する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
【0036】この実施例は図10に示すように、第1ベ
ース板2Aと第2ベース板2Bとを端面において突き合
せ、第1,第2ベース板2A,2Bの表面に両ベース板
を横断せる多数のリード3を並列状態でメッキ成長さ
せ、第2ベース板2Bを剥離して第2ベース板上に延在
していたリード端部を上記第1ベース板2Aの端部から
突出させるようにしたプローブユニット1の製法を開示
している。In this embodiment, as shown in FIG. 10, a first base plate 2A and a second base plate 2B are abutted on an end face, and both base plates are crossed on the surfaces of the first and second base plates 2A and 2B. A large number of leads 3 to be plated are grown in parallel, and the second base plate 2B is peeled off so that the lead ends extending on the second base plate are projected from the ends of the first base plate 2A. Discloses a method of manufacturing the probe unit 1 described above.
【0037】その具体例に付き図11乃至図17に基き
詳述すると、プローブユニット1の完成時においてリー
ド担体となる第1ベース板2Aの他に、メッキ成長して
リードを形成した後に除去される第2ベース板2Bを準
備する。More specifically, referring to FIG. 11 to FIG. 17, specific examples are shown. In addition to the first base plate 2A serving as a lead carrier when the probe unit 1 is completed, it is removed after the lead is formed by plating and growing. A second base plate 2B is prepared.
【0038】第1,第2ベース板2A,2Bはガラス
板、合成樹脂板等の絶縁ベース板であり、両者ともに矩
形を呈する。The first and second base plates 2A and 2B are insulating base plates such as a glass plate and a synthetic resin plate, and both have a rectangular shape.
【0039】図11A,Bに示すように第1ベース板2
Aの全表面に導電層3″をベタに積層する。As shown in FIGS. 11A and 11B, the first base plate 2
A conductive layer 3 ″ is solidly laminated on the entire surface of A.
【0040】この導電層3″は導電ペーストを印刷する
方法等の既知のプリント配線基板におけるパターン製造
法の適用により形成される。The conductive layer 3 ″ is formed by applying a known pattern manufacturing method on a printed wiring board such as a method of printing a conductive paste.
【0041】上記導電層3″はメッキ成長によりリード
3を形成した時、リード3即ちメッキ層が充分な強度で
導電層3″と母材結合する金属(例えば銅材)で形成す
る。When the lead 3 is formed by plating growth, the conductive layer 3 "is formed of a metal (for example, a copper material) whose base material is bonded to the conductive layer 3" with sufficient strength.
【0042】他方第2ベース板2Bの全表面にはメッキ
成長できる金属であってなお且つ比較的弱い剥離力でメ
ッキ成長層即ちリード3から剥離できる金属(又は剥離
性の表面層を有する金属)を以って剥離層8′をベタで
層着する。On the other hand, a metal which can be plated and grown on the entire surface of the second base plate 2B and which can be peeled from the plating growth layer, that is, the lead 3 with a relatively weak peeling force (or a metal having a peelable surface layer). Thus, the release layer 8 'is solidly layered.
【0043】本発明は上記剥離層8′と導電層3″とを
予定するリード3のピッチと同一にし並列配置する場合
を含む。The present invention includes a case where the release layer 8 ′ and the conductive layer 3 ″ are arranged in parallel with the same pitch of the intended lead 3.
【0044】例えば上記のような剥離層8′を形成する
金属として極く薄いクロム材を第2ベース板2Bの表面
に成膜する方法が採られる。上記第2ベース板2Bの表
面に成膜された剥離層8′はリード3の弾性接片3aが
メッキ成長される下地層を形成し、これに対し第1ベー
ス板2Aの表面に成膜された導電層3″はリード3の結
合片3bをメッキ成長させる下地層を形成する。For example, a method of forming an extremely thin chromium material on the surface of the second base plate 2B as a metal forming the release layer 8 'as described above is adopted. The release layer 8 'formed on the surface of the second base plate 2B forms a base layer on which the elastic contact pieces 3a of the leads 3 are plated and grown, whereas the release layer 8' is formed on the surface of the first base plate 2A. The conductive layer 3 ″ forms a base layer for plating and growing the coupling piece 3b of the lead 3.
【0045】上記の如くした第1ベース板2Aと第2ベ
ース板2Bを準備し、両ベース板2A,2Bを直線状の
端面において相互に突き合わせる。The first base plate 2A and the second base plate 2B as described above are prepared, and the two base plates 2A and 2B are butted against each other at a straight end face.
【0046】この突き合せによって第1ベース板2Aの
導電層3″と剥離層8′とを突き合せ線cにおいて連続
状態にする。By this butting, the conductive layer 3 ″ of the first base plate 2A and the release layer 8 ′ are made continuous at the butting line c.
【0047】上記第1ベース板2Aと第2ベース板2B
とは突き合せ面において自由接触面とし治具によって突
き合せ状態を保持する。The first base plate 2A and the second base plate 2B
Is a free contact surface at the abutting surface, and the abutting state is maintained by a jig.
【0048】又は両ベース板2A,2Bを突き合せ面に
おいて接着剤を介し仮接着し突き合せ状態を保持する。
この接着は剥離を容易にする強度の弱接着である。Alternatively, the two base plates 2A and 2B are temporarily adhered to each other at an abutting surface via an adhesive to maintain the abutting state.
This bonding is a weak bonding with a strength that facilitates peeling.
【0049】図12に示すように、上記図11の如くし
た第1,第2ベース板2A,2Bの表面を感光性樹脂層
9(レジスト層)で覆う。例えば感光性樹脂フィルムを
貼り合わせるか、又は感光性樹脂材を塗布する。As shown in FIG. 12, the surfaces of the first and second base plates 2A and 2B as shown in FIG. 11 are covered with a photosensitive resin layer 9 (resist layer). For example, a photosensitive resin film is attached or a photosensitive resin material is applied.
【0050】次に図13A,Bに示すように、上記感光
性樹脂層9の表面に露光マスク10を重ね、光11を上
方から照射することにより感光性樹脂層9を露光する。
露光マスク10は図13Bに示すように、リード3と同
一パターンの透光部10a(感光性樹脂層9がネガレジ
ストである場合、10aは逆にリード3と同一パターン
の非透光部)を有する。Next, as shown in FIGS. 13A and 13B, an exposure mask 10 is placed on the surface of the photosensitive resin layer 9, and the photosensitive resin layer 9 is exposed by irradiating light 11 from above.
As shown in FIG. 13B, the exposure mask 10 has a light-transmitting portion 10a having the same pattern as the lead 3 (when the photosensitive resin layer 9 is a negative resist, 10a is a non-light-transmitting portion having the same pattern as the lead 3). Have.
【0051】次に図14A,Bに示すように、現像によ
り透光部(ネガレジストの場合は非透光部)10aに対
応した感光性樹脂層9の露光樹脂(ネガレジストの場合
は非露光樹脂)を除去して感光性樹脂層9を貫通するリ
ード形成用溝(メッキ成長用溝)9aを形成し、導電層
3″をこの溝9aと対向する部分において露出する。上
記リード形成用溝9aは当然リード3と同じピッチで並
列配置されている。Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, the exposed resin of the photosensitive resin layer 9 corresponding to the light-transmitting portion (non-light-transmitting portion in the case of a negative resist) 10a by development (non-exposed in the case of a negative resist). The resin is removed to form a lead forming groove (plating growth groove) 9a penetrating the photosensitive resin layer 9, and the conductive layer 3 ″ is exposed at a portion facing the groove 9a. 9a is naturally arranged in parallel with the lead 3 at the same pitch.
【0052】而して図15に示すように、図14の状態
にしたものを適当なメッキ液により電気メッキし、上記
リード形成用溝9a内におけるメッキ成長を促す。即
ち、電気メッキによりリード形成用溝9aの底面に露出
している導電層3″(メッキ成長下地)の表面に直接メ
ッキが施され溝9a内における成長が促されて、溝9a
の深さと略同じ厚みのリード3を生成する。As shown in FIG. 15, the substrate in the state shown in FIG. 14 is electroplated with a suitable plating solution to promote plating growth in the lead forming groove 9a. That is, the surface of the conductive layer 3 ″ (plating growth base) exposed on the bottom surface of the lead forming groove 9a is directly plated by electroplating, and the growth in the groove 9a is promoted.
Lead 3 having a thickness substantially equal to the depth of the lead 3 is generated.
【0053】上記メッキ金属としては適度な硬さと弾性
を持つもの、例えばニッケル又はニッケル合金であり、
メッキ成長下地たる導電層3″を銅又は銅合金で形成す
ることにより上記ニッケル又はニッケル合金とは極めて
強固に結合する。The above-mentioned plating metal is one having appropriate hardness and elasticity, for example, nickel or nickel alloy.
By forming the conductive layer 3 ″ as a plating growth base from copper or a copper alloy, the conductive layer 3 ″ is extremely strongly bonded to the nickel or the nickel alloy.
【0054】次に図16A,Bに示すように図15の感
光性樹脂層9を除去すると、導電層3″及び剥離層8′
の表面に横断して上記メッキ成長により形成されたリー
ド3が等間隔をおいて並列されたベース板が得られる。Next, as shown in FIGS. 16A and 16B, when the photosensitive resin layer 9 of FIG. 15 is removed, the conductive layer 3 ″ and the release layer 8 ′ are removed.
A base plate is obtained in which the leads 3 formed by the plating growth are arranged in parallel at equal intervals across the surface of the substrate.
【0055】次に、図16におけるベタに成膜された導
電層3″をメッキ成長により形成された各リード3間に
おいて除去(例えばエッチングにて除去)し、図17
A,Bに示すように各リード3の下地として細長導電層
3′を残存する。Next, the solid conductive layer 3 ″ formed in FIG. 16 is removed (for example, removed by etching) between the leads 3 formed by plating growth, and FIG.
As shown in FIGS. 3A and 3B, an elongated conductive layer 3 'remains as a base of each lead 3. FIG.
【0056】この結果、第1ベース板2Aの表面には並
列配置された細長導電層3′が形成され、この細長導電
層3′の表面にメッキ成長によって形成されたリード3
の結合片3bが固着されると共に、第2ベース板2Bの
表面には並列配置された細長剥離層8が形成され、この
細長剥離層8の表面にメッキ成長によって形成されたリ
ード3の弾性接片3aが形成されている。As a result, elongated conductive layers 3 'arranged in parallel are formed on the surface of the first base plate 2A, and the leads 3 formed by plating growth on the surface of the elongated conductive layer 3' are formed.
And the elongated stripping layer 8 arranged in parallel is formed on the surface of the second base plate 2B. The elastic contact of the lead 3 formed by plating on the surface of the elongated stripping layer 8 is formed. A piece 3a is formed.
【0057】然る後、第2ベース板Bをリード3から剥
離し除去することにより、図7A,Bに示したと同様の
プローブユニットが形成される。Thereafter, by peeling and removing the second base plate B from the leads 3, a probe unit similar to that shown in FIGS. 7A and 7B is formed.
【0058】即ち、リード3はその結合片3bによって
第1ベース板2Aの表面に強固に結合し、第2ベース板
2B上に延在していたリード部分は第1ベース板2Aの
一端から側方へ遊離し突出したプローブユニットが形成
される。このリード突出部で前記弾性接片3aを形成す
る。That is, the lead 3 is firmly connected to the surface of the first base plate 2A by the connecting piece 3b, and the lead portion extending on the second base plate 2B is located at one side of the first base plate 2A. A protruding probe unit is formed. The resilient contact piece 3a is formed by the lead protrusion.
【0059】上記第2ベース板2Bを除去するに際して
のリード3からの剥離を容易にするために、第2ベース
板Bの表面に剥離層8′を形成したものである。In order to facilitate separation from the leads 3 when removing the second base plate 2B, a release layer 8 'is formed on the surface of the second base plate B.
【0060】上記第2ベース板2Bは剥離層8′とリー
ド3の界面から界離しつつ除去され、従って剥離層8′
はこの第2べース板2Bに付着した状態で除去される。The second base plate 2B is removed while being separated from the interface between the release layer 8 'and the lead 3, so that the release layer 8'
Is removed while attached to the second base plate 2B.
【0061】従って、図9A,Bに示すように、リード
3はベース板2との結合片3bにおいてメッキ成長下地
たる細長導電層3′を介して上記ベース板2Aに固定さ
れ、このベース板2Aから突出する弾性接片3aの裏面
には剥離層8′が残置しない構造となる。Accordingly, as shown in FIGS. 9A and 9B, the lead 3 is fixed to the base plate 2A via the elongated conductive layer 3 'serving as a base for plating growth at the joint piece 3b with the base plate 2, and the lead plate 2A The structure is such that the release layer 8 'does not remain on the back surface of the elastic contact piece 3a protruding from the elastic contact piece 3a.
【0062】この時剥離層8′を弾性接片3aの下面に
残置させたままにすることができる。At this time, the release layer 8 'can be left on the lower surface of the elastic contact piece 3a.
【0063】図9に示すと同様、上記リード3は上記導
電層3′の一端延在部の表面においてメッキ成長させ、
他端延在部をベース板2Aの表面に露出させてIC等と
の接続に供する電極端子を形成する。As shown in FIG. 9, the lead 3 is grown by plating on the surface of one end extending portion of the conductive layer 3 '.
The other end extension is exposed on the surface of the base plate 2A to form an electrode terminal for connection to an IC or the like.
【0064】換言するとメッキ成長にて形成されたリー
ド3は導電層3′の一端延在部の表面に結合片3bによ
り結合され、且つこの導電層3′の一端延在部を介して
ベース板2Aに結合された構造となり、このリード結合
片3bの後端から後方へ細長導電層3′の他端延在部が
導出され露出されて電極端子を形成する。In other words, the lead 3 formed by plating growth is joined to the surface of the one end extending portion of the conductive layer 3 'by the coupling piece 3b, and the base plate is connected via the one end extending portion of the conductive layer 3'. 2A, the extension of the other end of the elongated conductive layer 3 'is led out from the rear end of the lead connection piece 3b to the rear and exposed to form an electrode terminal.
【0065】[0065]
【0066】図1は上記プローブユニットによって形成
された検査ユニットを示し、プローブユニット1はべー
ス板2を以って担体4の斜面に接着し、リード3の一端
突出部(弾性接片3a)を前下り状態にして液晶パネル
5の電極層5aに弾力的に加圧接触させる。他方上記担
体4斜面にIC6と回路基板7を設置し、上記ベース板
2の表面に接着されたリード他端(結合片)3bをIC
6を介して回路基板7に接続する。FIG. 1 shows an inspection unit formed by the above-mentioned probe unit. The probe unit 1 is adhered to a slope of a carrier 4 with a base plate 2 and one end of a lead 3 (an elastic contact piece 3a). ) Is brought down frontward, and is elastically pressed into contact with the electrode layer 5a of the liquid crystal panel 5. On the other hand, the IC 6 and the circuit board 7 are set on the slope of the carrier 4 and the other end (coupling piece) 3b of the lead bonded to the surface of the base plate 2 is connected to the IC
6 to a circuit board 7.
【0067】[0067]
【発明の効果】以上のように、この発明によればエッチ
ング法等により形成したリード群を接着剤によりベース
板表面に接着する場合のような、接着剤の収縮によるピ
ッチ変化等の問題を有効に防止できる。As described above, according to the present invention, problems such as a change in pitch due to shrinkage of an adhesive, such as a case where a lead group formed by an etching method or the like is adhered to the surface of a base plate with an adhesive, are effective. Can be prevented.
【0068】又接着剤塗布や接着作業の困難性、或いは
接着するまでの整列を保持するタイバー等のリード間連
結手段を要せず、このタイバーを爾後的に切断する困難
な作業も排除できる。Further, it is possible to eliminate the difficulty of applying or bonding the adhesive, or the need for a means for connecting leads such as a tie bar for maintaining alignment until the bonding, thereby eliminating the difficult work of subsequently cutting the tie bar.
【0069】又メッキ成長によりリード群を極小ピッチ
に高精度に形成でき、弾性接片の弾性付与に必要な厚み
も充分に確保できる。又リードのメッキ下地となる細長
導電層の露出端で形成した電極端子により、IC等との
接続が健全に行なえる。Further, the lead group can be formed with extremely small pitch and high precision by plating growth, and the thickness required for imparting elasticity of the elastic contact piece can be sufficiently secured. In addition, the electrode terminals formed at the exposed ends of the elongated conductive layer serving as the plating base of the leads can be soundly connected to an IC or the like.
【0070】又弾性接片はメッキ成長時ベース板によっ
て適正に支持され適正にピッチが保たれ、ベース板の一
部を除去するか、第2ベース板を除去することによって
弾性接片を遊離し突出させた状態を容易に形成できる。
又第2ベース板は第1ベース板からの除去及び弾性接片
からの剥離が容易に行なえ、ベース板の一部を切除して
弾性接片から剥離する場合の困難性を排除できる。The elastic contact piece is properly supported by the base plate during plating growth and maintained at a proper pitch. The elastic contact piece is released by removing a part of the base plate or removing the second base plate. The projected state can be easily formed.
Further, the second base plate can be easily removed from the first base plate and peeled off from the elastic contact piece, and it is possible to eliminate the difficulty in removing a part of the base plate and peeling off the elastic contact piece.
【図1】この発明によるプローブユニットによって検査
ユニットを形成した例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example in which an inspection unit is formed by a probe unit according to the present invention.
【図2】A図は上記プローブユニットを形成する方法の
第1実施例を示すベース板断面図、B図は同斜視図であ
り、A図はB図におけるA−A線断面図を示す。2A is a sectional view of a base plate showing a first embodiment of a method of forming the probe unit, FIG. 2B is a perspective view of the same, and FIG. 2A is a sectional view taken along the line AA in FIG.
【図3】図2の次の工程を示すベース板断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a base plate illustrating a step subsequent to that of FIG. 2;
【図4】A図は図3の次の工程を示すベース板断面図、
B図はマスク斜視図である。FIG. 4A is a cross-sectional view of the base plate showing the next step of FIG. 3,
FIG. B is a perspective view of the mask.
【図5】A図は図4の次の工程を示すベース板断面図、
B図は同斜視図であり、A図はB図におけるB−B線断
面図である。5A is a sectional view of a base plate showing a step subsequent to that of FIG. 4,
FIG. B is a perspective view of the same, and FIG. A is a sectional view taken along line BB in FIG.
【図6】図5の次の工程を示すベース板断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a base plate illustrating a step subsequent to that of FIG. 5;
【図7】A図は図6の次の工程を示すベース板断面図、
B図は同斜視図であり、A図はB図におけるC−C線断
面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view of a base plate showing the next step of FIG. 6,
FIG. B is a perspective view of the same, and FIG. A is a sectional view taken along line CC in FIG.
【図8】図7の次の工程を示すベース板断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a base plate illustrating a step subsequent to that of FIG. 7;
【図9】A図は図8によって形成されたプローブユニッ
トの断面図、B図は同斜視図である。9A is a sectional view of the probe unit formed according to FIG. 8, and FIG. 9B is a perspective view of the same.
【図10】この発明の第2実施例の原理思想を示すベー
ス板断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a base plate showing a principle of a second embodiment of the present invention.
【図11】A図は上記第2実施例の具体例を示すB図に
おけるベース板のD−D線断面図、B図は同斜視図であ
る。FIG. 11A is a sectional view taken along line DD of the base plate in FIG. B showing a specific example of the second embodiment, and FIG.
【図12】図11の次の工程を示すベース板断面図であ
る。FIG. 12 is a cross-sectional view of a base plate illustrating a step subsequent to that of FIG. 11;
【図13】A図は図12の次の工程を示すベース板断面
図、B図は同斜視図である。13A is a cross-sectional view of the base plate showing the next step of FIG. 12, and FIG.
【図14】A図は図13の次の工程を示すB図における
ベース板のE−E線断面図、B図は同斜視図である。14A is a sectional view taken along line EE of the base plate in FIG. B showing the next step of FIG. 13, and FIG.
【図15】図14の次の工程を示すベース板断面図であ
る。FIG. 15 is a cross-sectional view of a base plate illustrating a step subsequent to that of FIG. 14;
【図16】A図は図15の次の工程を示すB図における
ベース板のF−F線断面図、B図は同斜視図である。16 is a sectional view taken along line FF of the base plate in FIG. B showing the next step of FIG. 15, and FIG.
【図17】A図は図16の次の工程を示すB図における
ベース板のG−G線断面図、B図は同斜視図である。17A is a sectional view taken along the line GG of the base plate in FIG. B showing the next step of FIG. 16, and FIG.
1 プローブユニット 2 ベース板 2A 第1ベース板 2B 第2ベース板 3 メッキ成長リード 3′ 細長導電層 3″ ベタの導電層 3a 弾性接片 3b 結合片 8 細長剥離層 8′ ベタの剥離層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe unit 2 Base plate 2A 1st base plate 2B 2nd base plate 3 Plating growth lead 3 'Elongated conductive layer 3 "Solid conductive layer 3a Elastic contact piece 3b Coupling piece 8 Elongated stripping layer 8' Solid stripping layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥野 敏雄 福岡県福岡市博多区半道橋1丁目6番46 号 九州日東精工株式会社内 (72)発明者 人見 保幸 京都府綾部市井倉新町瓜田8番地の1 日東公進株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−199219(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Toshio Okuno 1-46-46 Handomibashi, Hakata-ku, Fukuoka, Fukuoka Prefecture Inside Kyushu Nitto Seiko Co., Ltd. (56) References JP-A-7-199219 (JP, A)
Claims (3)
り形成された多数のリードを有し、該メッキ成長リード
はメッキ成長下地たる細長導電層を介してベース板と結
合され、該メッキ成長リードの一端を上記ベース板の一
端から突出させて弾性接片を形成すると共に、上記細長
導電層は上記リードの他端からベース板表面に露出して
電極端子を形成していることを特徴とするプローブユニ
ット。The present invention has a plurality of leads formed by plating growth in parallel on the surface of a base plate, and the plating growth leads are connected to the base plate via an elongated conductive layer serving as a plating growth base. One end of the lead is projected from one end of the base plate to form an elastic contact piece, and the elongated conductive layer is exposed from the other end of the lead to the base plate surface to form an electrode terminal. Probe unit.
いて突き合せ、第1,第2ベース板の表面に両ベース板
を横断せる多数のリードを並列状態でメッキ成長させ、
第2ベース板を剥離して第2ベース板上に延在していた
リード端部を上記第1ベース板の端部から突出させるこ
とを特徴とするプローブユニットの製法。2. A first base plate and a second base plate are abutted on an end face, and a large number of leads crossing both base plates are plated and grown on the surfaces of the first and second base plates in parallel.
A method of manufacturing a probe unit, wherein a lead end portion that has been peeled off from a second base plate and extended on the second base plate is projected from an end portion of the first base plate.
り並列状態で成長させ、該ベース板の端部を切除して該
ベース板切除部上に延在していたリード端部を残余のベ
ース板の端部から突出させることを特徴とするプローブ
ユニットの製法。3. A plurality of leads are grown in parallel on a surface of a base plate by plating, and an end of the base plate is cut off, and a lead end extending on the cutout of the base plate is used as a remaining base. A method for producing a probe unit, wherein the probe unit is projected from an end of a plate.
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