JP2597645B2 - 高周波電力分配/合成回路 - Google Patents

高周波電力分配/合成回路

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、超小型の高周波用電力多分配/多合成回路
に関するものである。
[従来の技術] 多分配の例として、4分配について従来技術を述べ
る。
高周波電力を4分配する最も単純な回路は、たとえば
第7図に示すような並列4分配回路である。ここで、P1
は入力高周波電力であり、この入力高周波電力P1を任意
長の特性インピーダンスZ0の高周波伝送線路1を介し
て、4つの1/4波長高周波伝送線路2,3,4および5(それ
ぞれ特性インピーダンス2Z0)に分配し、さらに任意長
の特性インピーダンスZ0の高周波伝送線路6,7,8および
9をそれぞれ経て、4分配された高周波電力P2,P3,P4
よびP5を取り出す。
この場合、分配後の各端子P2〜P4の出力インピーダン
スを入力インピーダンスZ0と等しくするためには、4:1
のインピーダンス変換器が必要であるから、第7図の例
では、このインピーダンス変換器として、特性インピー
ダンス2Z0の1/4波長伝送線路2〜5を使用している。
第8図は広く使用されているウィルキンソン型電力4
分配回路の例である。ここでは、第7図の並列4分配回
路において、線路2と6,3と7,4と8および5と9の間
に、それぞれ、抵抗値Rの抵抗10,11,12および13の各一
端を接続し、同他端を共通に接続する。
この例は、これら抵抗10〜13を付加して、出力端子P2
〜P5間でのアイソレーションを持たせている点が第7図
と異なっているが、電力分配の原理は両者とも同一であ
る。
[発明が解決しようとする課題] これら両回路の問題点は以下の2点である。
(1)1/4波長インピーダンス変換器2〜5を用いてい
るため、動作帯域が制限されており、かつ回路が大型に
なる。
例えば、1GHzでの1/4波長高周波伝送線路の大きさは7
5mm,10GHzでも7.5mmである。
(2)多分配回路を最も必要とするのは、例えば第9図
に示すような高出力増幅器への応用である。ここで、14
は第7図または第8図に示した4分配回路、15〜18は各
分配出力を増幅する単位増幅器である。これら増幅器15
〜18の出力を第7図または第8図に示した4分配回路
を、その入出力側を逆にして用いた4合成回路であり、
合成出力を取り出す。
ここで、これら分配回路は、入力から出力へ至る高周
波の経路を全て一致させるような多分配回路でなければ
ならない。ところが、第7図または第8図に示した回路
では、回路を立体的にしなければ、P1→A→P2に至る経
路長とP1→B→P3に至る経路長とを厳密に一致させるこ
とは難しかった。
そこで、上述した問題点(2)を解決するために、従
来技術では、第10図(A)に示すように構成され、第10
図(B)に示すようにシンボル表示される2分配のウィ
ルキンソン型電力分配回路PDを、第11図のように3個組
み合わせて4分配回路を構成していた。
これは、2分配回路PDでは、P1→P2に至る経路長とP1
→P3に至る経路長とを幾何学的に常に等しくできるから
であった。しかしながら、この構成では1/2波長以上の
伝送経路を必要とし、極めて大きな回路になるという欠
点を生じた。しかもまた、高周波の伝搬長が、分配部で
長いため、電力分配回路の損失も大きかった。
以上、要するに、従来は、主に並列分配を繰り返し縦
続継続することにより、多分配回路を構成しており、イ
ンピーダンスの上昇をインピーダンス変換器で解消する
手段をとっていたため、分配回路の特性はインピーダン
ス変換器の周波数特性に支配される。さらに加えて、イ
ンピーダンス変換器の回路自体も目的とする周波数での
1/4波長の大きさとなり、その占有面積から勘案する
と、能動回路と同一の半導体基板上に形成することに対
する利点は乏しかった。
そこで、本発明の目的は、同一半導体基板上に能動回
路と混載可能な程度に小型であり、しかも周波数が制限
されない高周波電力分配/合成回路を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成するために、請求項1の発明
は、第1端子におけるインピーダンスZに対して、第1
端子とは反対側の第2および第3端子の各々におけるイ
ンピーダンスがZ/2となる直列2分配回路と、第2およ
び第3端子の各々に接続される第4および第5端子にお
けるインピーダンスZ′に対して、第4および第5端子
の各々とは反対側の第6および第7端子および第8およ
び第9端子における各インピーダンスが2Z′となる第1
および第2並列2分配回路とを備え、第1端子における
インピーダンスZをZ0とするときに、第6ないし第9端
子の各々におけるインピーダンスがZ0に等しくなるよう
に構成したことを特徴とする。
さらにまた、請求項2の発明は、第1端子におけるイ
ンピーダンスZに対して、第1端子とは反対側の第2お
よび第3端子の各々におけるインピーダンスが2Zとなる
並列2分配回路と、第2および第3端子の各々に接続さ
れる第4および第5端子におけるインピーダンスZ′に
対して、第4および第5端子の各々とは反対側の第6お
よび第7端子および第8および第9端子における各イン
ピーダンスがZ′/2となる第1および第2直列2分配回
路とを備え、第1端子におけるインピーダンスZをZ0
するときに、第6ないし第9端子の各々におけるインピ
ーダンスがZ0に等しくなるように構成したことを特徴と
する。
[作 用] 請求項1の本発明は、インピーダンス変換器を用いな
い直列2分配の場合に生じる入力インピーダンスZに対
する出力インピーダンスZ/2への低下と、インピーダン
ス変換器を用いない並列2分配の場合に生じる入力イン
ピーダンスZ′に対する、出力インピーダンス2Z′への
上昇とを組み合わせることにより、入力インピーダンス
Z0に対する出力インピーダンスがZ0の4分配回路を構成
した。
更に、請求項2の本発明では、半導体基板上の集積回
路のような回路の平面化および超小型化を必要とする応
用のために、直列2分配回路をスロット線路による直列
分配の形態とし、および並列2分配をクプレーナ線路も
しくはマイクロストリップ線路による並列分配の形態と
する。
本発明によれば、高周波電力多分配回路を1/4波長イ
ンピーダンス変換器等の周波数に依存する部分を設ける
ことなしに実現できることから、本質的に周波数特性を
持たず、かつ大きさも超小型にできる。その結果、本発
明によれば、半導体プロセスと完全に整合がとれてお
り、構造および寸法の点からも能動素子と共に同一の半
導体基板上へ混載することが極めて容易である。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の第1の実施例を示す。
第1図において、21は特性インピーダンスZ0の任意長
の高周波伝送線路であり、入力高周波電力P1をこの伝送
線路21を介して1:1の理想変成器31の入力端子32に供給
する。入力端子33を零電位とする。理想変成器31では、
まずその2次側コイルの中点34を高周波的に零電位に
し、出力端子35および36から2分配された高周波出力を
取り出す。この理想変成器31は直列2分配回路を構成
し、2次側コイルの2つの出力端子35および36では、1
次側のインピーダンスZ0に対して、それぞれ、Z0/2のイ
ンピダンスとなっているので、各出力端子35および36に
特性インピーダンスがZ0/2の任意長の高周波線路41およ
び42を、それぞれ、接続する。これら伝送線路41および
42のそれぞれに特性インピーダンスZ0の任意長の高周波
伝送線路43と44および45と46を2本ずつ並列に接続す
る。これら並列接続された4つの伝送線路43,44,45およ
び46の各出力端子P2,P3,P4およびP5では出力インピーダ
ンスはZ0/2の2倍のZ0となっており、入力端子P1の入力
インピーダンスZ0に対して、4分配後の出力インピーダ
ンスもZ0と等しくできる。ここで、各伝送線路21,41〜4
6は任意長であり、零でもよい。
一方、出力端子P2,P3,P4およびP5を入力端子、入力端
子P1を出力端子として用いれば、第1図示の回路により
高周波電力合成回路を構成することもできる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す。
この実施例では、第1の実施例と異なり、入力端子P1
を任意長の特性インピーダンスZ0の高周波伝送線路51に
接続し、この伝送線路51の出力端を2分岐して任意長の
特性インピーダンス2Z0の高周波伝送線路52および53に
接続する。これら伝送線路52および53の各出力端を、そ
れぞれ、理想変成器61および62を介して、任意長の特性
インピーダンスZ0の高周波伝送線路71と72および73と74
に結合する。これら伝送線路71〜74を出力端子P2〜P5
接続する。
この実施例では、以上のようにして、まず、入力イン
ピーダンスZ0に対して、伝送線路51〜53による並列2分
配回路により2Z0のインピーダンスに上昇させ、それぞ
れのインピーダンスを理想変成器61および62を経て直列
2分配することにより、Z0のインピーダンスに戻して出
力させる。したがって、この回路においても、入力端子
P1の入力インピーダンスZ0に対して、4分配後の出力端
子P2,P3,P4およびP5の各出力インピーダンスはZ0に等し
い。ここで、図に示す高周波伝送線路51〜53,71〜74の
各長さは第1図の例と同じく任意長でよく、零でもよ
い。
一方、出力端子P2,P3,P4およびP5を入力端子、入力端
子P1を出力端子として用いれば、第2図示の回路により
高周波電力合成回路を構成することもできる。
第3図(A)はスロット線路によって、第1図示の直
列分配回路を構成した例の斜視図、第3図(B)はその
等価回路を示す。
第3図(A)において、81は誘電体基板、82,83およ
び84は、T字型パターンでスロット線路85,86および87
を形成するように、基板81上に配置された導体板であ
る。スロット線路85の特性インピーダンスをZとし、ス
ロット線路86および87の各特性インピーダンスをZ/2と
する。
第4図(A)および(B)は、それぞれ、コプレーナ
線路によって第2図示の並列分配回路を構成した例の斜
視図およびその等価回路を示す。
第4図(A)において、91,92および83は、T字型パ
ターンのスロット94を形成するように、基板81上に配置
された接地導体板である。このスロット94内にはT字型
パターンの導体板95を配置して、特性インピーダンス
Z′のコプレーナ線路97とそれぞれ特性インピーダンス
2Z′のコプレーナ線路98および99とを形成する。接地導
体板91と93および92と93を、それぞれ、導体ワイヤまた
はエアブリッジ配線96で接続する。
第5図(A)および(B)は、それぞれ、マイクロス
トリップ線路によって第2図示の並列分配回路を構成し
た例の斜視図およびその等価回路図である。
第5図(A)において、基板81の一方の主面には接地
導体板101を配置する。基板81の他方の主面にはT字型
パターンの導体板によるマイクロストリップ線路102,10
3および104を配置する。マイクロストリップ線路102の
特性インピーダンスをZ′とし、マイクロストリップ線
路103および104の各特性インピーダンスを2Z′とする。
第6図は本発明の第3の実施例であり、ここでは、誘
電体基板上に形成した導体パターンを示している。
第6図において、111は接地導体板131と132により形
成された、特性インピーダンスZ0のスロット線路、112
および113は接地導体板131〜133により形成された、特
性インピーダンスZ0/2のスロット線路である。114およ
び115はスロット線路とコプレーナ線路とを、両者間の
整合をとって結合するための変換部であり、接地導体板
131および132にそれぞれ連続して、かつ導体板133と134
および135の間および133と136および137の間に、T字型
パターンの導体板140および141を配置する。116および1
17は導体板133〜135と140および133,136,137と141によ
り、それぞれ、形成された、特性インピーダンスZ0/2の
コプレーナ線路、118と119および120と121は同様に構成
された特性インピーダンスZ0のコプレーナ線路である。
122,123,124,125,126および127は接地導体133と134,133
と136,134と135,133と137および136と137の間を、それ
ぞれ、接続する導体ワイヤもしくはエアブリッジ配線で
ある。130は誘電体基板である。
入力端子P1より入力された高周波電力はスロット線路
111〜113による直列分配回路を反射なく伝搬し、変換部
114および115においてコプレーナ線路のモードに変換さ
れる。さらに、コプレーナ線路116〜121による並列分配
回路で2分配され、それぞれ、出力端子P2,P3,P4および
P5に出力される。
ここで、入力端子P1での入力インピーダンスはZ0であ
り、出力端子P2,P3,P4およびP5での出力インピーダンス
も等しくZ0となる。したがって、出力端子P2,P3,P4およ
びP5に接続されるそれぞれの負荷が全てZ0に等しいイン
ピーダンスであれば、入力端子P1で反射は生じず、高周
波電力は等しく4分配されて負荷に供給される。
一方、出力端子P2,P3,P4およびP5を入力端子とし、入
力端子P1を出力端子として用いれば、第6図示の回路を
高周波電力合成回路を構成することもできる。
本発明の実施例3は本発明の実施例1の回路を半導体
基板を含む誘電体基板上に平面回路で構成した場合の具
体的な例でもある。この回路は1/4波長インピーダンス
変換器等のように周波数に強く依存する部位を持ってお
らず、原理的には周波数特性を持たない。また、回路の
大きさも、製作上におりる制限のみで定まり、たとえば
100μm角以下の極めて小さな領域内にでも実現可能で
あり、能動回路と共に半導体基板上に混載可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、高周波電力多
分配回路を1/4波長インピーダンス変換器等の周波数に
依存する部分を設けることなしに実現できることから、
本質的に周波数特性を持たず、かつ大きさも超小型にで
きる。その結果、本発明によれば、半導体プロセスと完
全に整合がとれており、構造および寸法の点からも能動
素子と共に同一の半導体基板上へ混載することが極めて
容易である。
高周波電力多分配回路は、主に、第9図に示した高出
力増幅器において要求されるが、本発明によれば、かか
る多分配回路を、極めて容易かつ小型に実現できる。し
かもまた、本発明の回路は、単位増幅器と同一の半導体
基板上に混載して、モノリシック・マイクロ波集積回路
の形態に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1を示す回路図、 第2図は本発明の実施例2を示す回路図、 第3図(A)および(B)はスロット線路による直列分
配回路の一例を示す、それぞれ、斜視図および等価回路
図、 第4図(A)および(B)はコプレーナ線路による並列
分配回路の一例を示す、それぞれ、斜視図および等価回
路図、 第5図(A)および(B)はマイクロストリップ線路に
よる並列分配回路の一例を示す、それぞれ、斜視図およ
び等価回路図、 第6図は本発明の実施例3を示す平面図、 第7図は従来の並列4分配回路の一例を示す回路図、 第8図は従来のウィルキンソン型電力4分配回路の一例
を示す回路図、 第9図は電力4分配回路を用いた高出力増幅器の一例を
示すブロック図、 第10図(A)および(B)は従来のウィルキンソン型電
力2分配回路の一例を示す、それぞれ、回路図およびそ
のシンボル表示の説明図、 第11図は第10図(A)および(B)に示したウィルキン
ソン型電力2分配回路を3個組み合わせた従来の電力4
分配回路の一例を示すブロック図である。 1,6〜9……高周波伝送線路、 2〜5……1/4波長高周波伝送線路、 10〜13……抵抗、 14……4分配回路、 15〜18……単位増幅器、 19……4合成回路、 PD……ウィルキンソン型電力2分配回路、 21,41,42,43〜46,51〜53,71〜74……高周波伝送線路、 31,61,62……理想変成器、 81……誘電体基板、 82〜84……導体板、 91〜93,101……接地導体板、 85〜87……スロット線路、 94……スロット、 95……T字型導体板、 96……導体ワイヤ(エアブリッジ配線)、 97〜99……コプレーナ線路、 102〜104……マイクロストリップ線路、 111……特性インピーダンスZ0のスロット線路、 112,113……特性インピーダンスZ0/2のスロット線路、 114,115……スロット線路−コプレーナ線路変換部、 116,117……特性インピーダンスZ0/2のコプレーナ線
路、 118〜121……特性インピーダンスZ0のコプレーナ線路、 122〜127……接地導体板間を接続する導体ワイヤ(エア
ブリッジ配線)、 130……誘電体基板、 131〜137……接地導体板、 140,141……T字型導体板。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1端子におけるインピーダンスZに対し
    て、前記第1端子とは反対側の第2および第3端子の各
    々におけるインピーダンスがZ/2となる直列2分配回路
    と、 前記第2および第3端子の各々に接続される第4および
    第5端子におけるインピーダンスZ′に対して、前記第
    4および第5端子の各々とは反対側の第6および第7端
    子および第8および第9端子における各インピーダンス
    が2Z′となる第1および第2並列2分配回路と を備え、前記第1端子におけるインピーダンスZをZ0
    するときに、前記第6ないし第9端子の各々におけるイ
    ンピーダンスがZ0に等しくなるように構成したことを特
    徴とする高周波電力分配/合成回路。
  2. 【請求項2】第1端子におけるインピーダンスZに対し
    て、前記第1端子とは反対側の第2および第3端子の各
    々におけるインピーダンスが2Zとなる並列2分配回路
    と、 前記第2および第3端子の各々に接続される第4および
    第5端子におけるインピーダンスZ′に対して、前記第
    4および第5端子の各々とは反対側の第6および第7端
    子および第8および第9端子における各インピーダンス
    がZ/2となる第1および第2直列2分配回路と を備え、前記第1端子におけるインピーダンスZをZ0
    するときに、前記第6ないし第9端子の各々におけるイ
    ンピーダンスがZ0に等しくなるように構成したことを特
    徴とする高周波電力分配/合成回路。
  3. 【請求項3】誘電体基板と、 前記誘電体基板上に形成した特性インピーダンスZの第
    1スロット線路を特性インピーダンスZ/2の第2および
    第3スロット線路と接続することにより構成した直列2
    分配回路と、 前記誘電体基板に形成した特性インピーダンスZ′の第
    1コプレーナ線路またはマイクロストリップ線路を特性
    インピーダンス2Z′の第2および第3コプレーナ線路ま
    たはマイクロストリップ線路と接続することにより構成
    した並列2分配回路と、 前記直列2分配回路と前記並列2分配回路との間に配置
    され、前記第2および第3スロット線路と前記第1コプ
    レーナ線路もしくはマイクロストリップ線路とを結合す
    る線路変換部と を備え、前記第1スロット線路におけるインピーダンス
    ZをZ0とするときに、前記第2および第3コプレーナ線
    路またはマイクロストリップ線路の各々におけるインピ
    ーダンスがZ0に等しくなるように構成したことを特徴と
    する高周波電力分配/合成回路。
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