JP2593726B2 - Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method - Google Patents
Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、エピタキシャル成長等の気相化学反応によ
ってウエーハの表面上に薄膜層を形成するための気相成
長装置および気相成長方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method for forming a thin film layer on a wafer surface by a vapor phase chemical reaction such as epitaxial growth.
（従来の技術） 第２図に従来の気相成長装置を示すが、該装置はベル
ジャ101とベースプレート102とで囲まれる空間（反応
室）Ｓ内に、回転自在に支持されたペデスタル104、該
ペデスタル104に支持されたサセプタ105、該サセプタ10
5の下方に配される加熱コイル106、該加熱コイル106を
被う有底二重筒状のコイルカバー107等を収容して構成
され、前記ペデスタル104には反応ガスを供給する反応
ガス供給管103が接続されていた。又、前記ベースプレ
ート102にはパージガス供給口117及びガス排出口123が
開口しており、パージガス供給口117にはパージガス供
給管118が、ガス排出口123にはガス排出管124がそれぞ
れ接続されていた。(Prior Art) FIG. 2 shows a conventional vapor phase growth apparatus. The apparatus is a pedestal 104 rotatably supported in a space (reaction chamber) S surrounded by a bell jar 101 and a base plate 102. Susceptor 105 supported on pedestal 104, susceptor 10
A reaction gas supply pipe for supplying a reaction gas to the pedestal 104 is constituted by housing a heating coil 106 disposed below the coil 5, a coiled cover 107 having a bottomed double cylindrical shape that covers the heating coil 106, and the like. 103 was connected. Further, a purge gas supply port 117 and a gas discharge port 123 were opened in the base plate 102, a purge gas supply pipe 118 was connected to the purge gas supply port 117, and a gas discharge pipe 124 was connected to the gas discharge port 123. .
而して、前記サセプタ105上にセットされたウエーハ
Ｗは加熱コイル106によって所定温度に加熱され、反応
ガス供給管103を経て供給される反応ガスは、その上部
に配置された不図示の複数の開口部から図示矢印にて示
すように流出し、気相化学反応によってウエーハＷ上に
は所要の薄膜層が形成される。Thus, the wafer W set on the susceptor 105 is heated to a predetermined temperature by the heating coil 106, and the reaction gas supplied through the reaction gas supply pipe 103 is supplied to a plurality of unillustrated plural parts arranged at the upper part thereof. It flows out from the opening as indicated by the arrow in the figure, and a required thin film layer is formed on the wafer W by a gas phase chemical reaction.
ところで、加熱コイル106は一般には導電性の高い銅
（CU）等の金属で構成され、反応ガスは腐食性の強い塩
素系ガス等であることが多いため、パージガス供給管11
8から供給されるH2，N2,Ar等の不活性ガス（以下、パー
ジガスと称する）によって反応ガスが加熱コイル106に
触れてこれを損傷せしめるのを防いでおり、この効果を
高めるべく前記コイルカバー107によって加熱コイル106
を被うようにしている。尚、反応ガス及びパージガスは
ガス排出口123からガス排出管124を経て反応室Ｓ外に排
出される。The heating coil 106 is generally made of a metal such as copper (CU) having high conductivity, and the reaction gas is often a highly corrosive chlorine-based gas.
An inert gas (hereinafter, referred to as a purge gas) such as H 2 , N 2 , or Ar supplied from 8 prevents the reaction gas from touching and damaging the heating coil 106. Heating coil 106 by coil cover 107
To be covered. The reaction gas and the purge gas are discharged from the reaction chamber S through the gas discharge port 123 through the gas discharge pipe 124.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来の気相成長装置にあっては、コイ
ルカバー107が加熱コイル106を下まで完全に被っていな
いため、反応ガスが加熱コイル106の下部空間部に廻り
込み、反応ガスが加熱コイル106に触れるのを完全に防
ぐことができないという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional vapor phase epitaxy apparatus, since the coil cover 107 does not completely cover the heating coil 106 to the lower part, the reaction gas flows into the lower space of the heating coil 106. There is a problem that it is impossible to completely prevent the reactant gas from coming into contact with the heating coil 106 around the heating coil 106.
又、加熱コイル106の放電によって該加熱コイル106の
一部が損傷し、内部を流れる冷却水が漏れ出た場合、こ
れを検知する手段がなく、ガス排出口123がベルジャ101
より高い位置まで立ち上っている場合には、漏れ出た水
の一部がベルジャ101内に溜り、更に水位が上昇し、反
応ガス供給管103の開口部から逆流し、反応ガス供給管1
03を経て他の気相成長装置に達し、他の気相成長装置に
悪影響を及ぼすという問題もあった。Further, when a part of the heating coil 106 is damaged by the discharge of the heating coil 106 and the cooling water flowing inside leaks, there is no means for detecting this, and the gas outlet 123 is connected to the bell jar 101
When rising to a higher position, part of the leaked water accumulates in the bell jar 101, the water level further rises, flows backward through the opening of the reaction gas supply pipe 103, and the reaction gas supply pipe 1
There was also a problem in that another vapor phase growth apparatus was reached via 03 and had an adverse effect on other vapor phase growth apparatuses.
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的
は、気相成長装置の加熱コイルへの反応ガスの接触に起
因する加熱コイルの腐食を防ぐことにより、その耐久性
向上を図ることができる気相成長装置および気相成長方
法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the durability of a heating coil by preventing corrosion of the heating coil caused by contact of a reaction gas with the heating coil of a vapor phase growth apparatus. An object of the present invention is to provide a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method that can be used.
また本発明の目的は、反応ガスによる気相成長装置の
コイルカバー上面の汚染を防止することができる気相成
長装置および気相成長方法を提供することである。Another object of the present invention is to provide a vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method capable of preventing contamination of the upper surface of a coil cover of a vapor phase growth apparatus with a reaction gas.
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成すべく、本発明に係る気相成長装置
（請求項１）は、ベルジャとベースプレートとで囲まれ
る反応室内に、ペデスタルに支持されたサセプタ、該サ
セプタの下方に配される加熱コイル、該加熱コイルを被
う有底二重筒状のコイルカバー等を収容して成る気相成
長装置において、コイルカバーの外円筒下端面をベース
プレートに当接せしめ、ペデスタル外周部とサセプタ内
周部とを気密分離可能に接合し、ベースプレートの中央
部に筒状の支持部材を設け、該支持部材にペデスタルを
軸受を介して設けて、モータによりペデスタルとサセプ
タとを一体回転可能となし、コイルカバー内の空間内に
パージガスを供給するパージガス供給管を設けるととも
に、コイルカバーの内円筒下端面とベースプレートとの
間、ペデスタル外周面とコイルカバーの内円筒面との
間、およびサセプタ下面とコイルカバー上面との間に、
それぞれ所定の隙間を形成し、前記コイルカバーの内円
筒下端面とベースプレートとの間に形成された隙間から
コイルカバー外に流出したパージガスが、ペデスタルと
コイルカバーとの間に形成される隙間を通過し、サセプ
タとコイルカバーとの間の隙間を経て反応室へ流れるよ
うにすることにより、サセプタとコイルカバーとの間の
隙間への反応ガスの流入を防止することを特徴とする。(Means for Solving the Problems) To achieve the above object, a vapor phase growth apparatus (Claim 1) according to the present invention includes a susceptor supported by a pedestal in a reaction chamber surrounded by a bell jar and a base plate. In a vapor phase growth apparatus containing a heating coil disposed below a susceptor, a coiled cover having a bottomed double cylindrical shape covering the heating coil, a lower end surface of an outer cylinder of the coil cover is brought into contact with a base plate. The outer peripheral portion of the pedestal and the inner peripheral portion of the susceptor are joined in an airtight manner, a cylindrical support member is provided at the center of the base plate, and the pedestal is provided on the support member via a bearing. And a purge gas supply pipe for supplying purge gas into the space inside the coil cover, and the lower end face of the inner cylinder of the coil cover and the base press are provided. Between the pedestal outer surface and the inner cylindrical surface of the coil cover, and between the lower surface of the susceptor and the upper surface of the coil cover.
Purge gas flowing out of the coil cover from the gap formed between the inner cylindrical lower end surface of the coil cover and the base plate passes through the gap formed between the pedestal and the coil cover. Then, by flowing into the reaction chamber through the gap between the susceptor and the coil cover, the reaction gas is prevented from flowing into the gap between the susceptor and the coil cover.
本発明の気相成長装置では、ベースプレートに、コイ
ルカバー内の空間内に開口するパージガス排出口を形成
すること（請求項２）が好ましい。In the vapor phase growth apparatus of the present invention, it is preferable that a purge gas outlet opening into the space inside the coil cover is formed in the base plate (claim 2).
本発明に係る気相成長方法（請求項３）は、ベルジャ
とベースプレートとで囲まれる反応室内に、ペデスタル
に支持されたサセプタ、該サセプタの下方に配される加
熱コイル、該加熱コイルを被う有底二重筒状のコイルカ
バー等を収容し、反応室内には反応ガスが供給され、コ
イルカバー内にはパージガスが供給される気相成長装置
においては、前記コイルカバーの外円筒下端面を前記ベ
ースプレートに当接せしめ、同コイルカバーの内円筒下
端部とベースプレートとの間に所定の隙間を形成するこ
とにより、該隙間からパージガスをコイルカバー外に流
出せしめ、前記隙間からコイルカバー内へ反応ガスが流
入することを防止することを特徴とする。In a vapor phase growth method according to the present invention (claim 3), a susceptor supported by a pedestal, a heating coil disposed below the susceptor, and the heating coil are covered in a reaction chamber surrounded by a bell jar and a base plate. In a vapor phase growth apparatus that houses a bottomed double cylindrical coil cover and the like, a reaction gas is supplied into the reaction chamber, and a purge gas is supplied into the coil cover, the outer cylindrical lower end surface of the coil cover is closed. By making contact with the base plate and forming a predetermined gap between the lower end of the inner cylinder of the coil cover and the base plate, the purge gas flows out of the coil cover from the gap and reacts into the coil cover from the gap. It is characterized in that gas is prevented from flowing.
この気相成長方法では、パージガス圧を反応ガス圧よ
りも高くして、前記隙間からパージガスをコイルカバー
外へ流出せしめること（請求項４）が好ましい。In this vapor phase growth method, it is preferable that the purge gas pressure is made higher than the reaction gas pressure so that the purge gas flows out of the coil cover from the gap (claim 4).
また、この気相成長方法においては、前記ペデスタル
外周とサセプタ内周とを互いに気密分離可能に接合し、
サセプタと前記コイルカバーとの間に所定の隙間を形成
して、前記コイルカバーの内円筒下端面とベースプレー
トとの間に形成された隙間からコイルカバー外に流出し
たパージガスが、ペデスタルとコイルカバーとの間に形
成される隙間を通過し、サセプタとコイルカバーとの間
の隙間を経て反応室へ流れるようにすることにより、サ
セプタとコイルカバーとの間の隙間への反応ガスの流入
を防止すること（請求項５）が望ましい。Further, in this vapor phase growth method, the outer periphery of the pedestal and the inner periphery of the susceptor are joined to each other so as to be airtightly separated,
By forming a predetermined gap between the susceptor and the coil cover, the purge gas flowing out of the coil cover from the gap formed between the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover and the base plate, the pedestal and the coil cover By flowing into the reaction chamber through the gap between the susceptor and the coil cover, thereby preventing the reaction gas from flowing into the gap between the susceptor and the coil cover. (Claim 5) is desirable.
（作用） 本発明の気相成長装置（請求項１）および気相成長方
法（請求項３）では、コイルカバーの外円筒下端面をベ
ースプレーに当接せしめたため、加熱コイル下方への反
応ガスの廻り込みがコイルカバーによって防がれる。ま
た、コイルカバーの内円筒下端部とベースプレートとの
間に所定の隙間を形成したことで、コイルカバー内の空
間内に供給されたパージガスは、加熱コイルの周辺を流
れた後、上記隙間を介してコイルカバー外に流出する。
このため、コイルカバー内の空間内への反応ガスの流入
が防止されるので、反応ガスが加熱コイルに接触するの
を確実に防ぐことができ、加熱コイルの腐食が抑えられ
てその耐久性が高められる。この場合、パージガス圧を
反応ガス圧よりも高くして、前記隙間からパージガスを
コイルカバー外へ流出せしめること（請求項４）によ
り、上記隙間からコイルカバー内の空間内へ反応ガスが
流入するのを、より確実に防止することができる。(Operation) In the vapor phase growth apparatus (Claim 1) and the vapor phase growth method (Claim 3) of the present invention, the lower end surface of the outer cylinder of the coil cover is brought into contact with the base play, so that the reaction gas flows downward the heating coil. Is prevented by the coil cover. Further, by forming a predetermined gap between the lower end of the inner cylinder of the coil cover and the base plate, the purge gas supplied into the space inside the coil cover flows around the heating coil and then passes through the gap. Out of the coil cover.
Therefore, the flow of the reaction gas into the space inside the coil cover is prevented, so that the reaction gas can be reliably prevented from coming into contact with the heating coil, the corrosion of the heating coil is suppressed, and the durability of the heating coil is reduced. Enhanced. In this case, by setting the purge gas pressure higher than the reaction gas pressure and allowing the purge gas to flow out of the coil cover through the gap (claim 4), the reaction gas flows from the gap into the space inside the coil cover. Can be more reliably prevented.
また、本発明の気相成長装置（請求項１）および気相
成長方法（請求項５）においては、サセプタとコイルカ
バーとの間の隙間への反応ガスの流入を防止することが
できるため、反応ガスによるコイルカバー上面の汚染が
防止される。Further, in the vapor phase growth apparatus (claim 1) and the vapor phase growth method (claim 5) of the present invention, it is possible to prevent the reaction gas from flowing into the gap between the susceptor and the coil cover. The contamination of the upper surface of the coil cover by the reaction gas is prevented.
さらに本発明の気相成長装置（請求項２）では、ベー
スプレートに、コイルカバー内の空間内に開口するパー
ジガス排出口を形成することにより、以下の作用が得ら
れる。すなわち、加熱コイルの放電によってこれの一部
が損傷し、内部の冷却水が漏れ出ても、漏れ出た水はパ
ージガス排出口からパージガス排出管へ流れ、少なくと
も従来のように反応ガス供給管を経て他の気相成長装置
側へ達することがないため、他の気相成長装置が悪影響
を受けることがない。尚、パージガス排出口に接続され
るパージガス排出管に漏水検知器を設ければ、漏水を素
早く検知することができる。Further, in the vapor phase growth apparatus according to the present invention (claim 2), the following effects can be obtained by forming the purge gas outlet opening in the space inside the coil cover in the base plate. That is, even if a part of this is damaged by the discharge of the heating coil and the internal cooling water leaks, the leaked water flows from the purge gas discharge port to the purge gas discharge pipe, and at least the reaction gas supply pipe is connected as in the conventional case. Since it does not reach another vapor phase growth apparatus through the above, other vapor phase growth apparatuses are not adversely affected. If a water leak detector is provided in the purge gas discharge pipe connected to the purge gas discharge port, water leak can be detected quickly.
（実施例） 以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明す
る。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
第１図は本発明に係る気相成長装置の構成図であり、
該装置は石英製のベルジャ１とステンレス製のベースプ
レート２とで囲まれる反応室S1内に石英製のペデスタル
４、該ペデスタル４の上端に水平に、且つ気密分離可能
に接合されて支持されたリング状のカーボン製サセプタ
５、該サセプタ５の下方に配される銅製の高周波加熱コ
イル６、該高周波加熱コイル６を被う有底二重筒状の石
英製コイルカバー７等を収容して構成されている。尚、
前記ペデスタル４内には反応ガス供給管３が貫通してお
り、該反応ガス供給管３の上端は前記サセプタ５の中央
部に開口している。FIG. 1 is a configuration diagram of a vapor phase growth apparatus according to the present invention,
The apparatus quartz pedestal 4 in the reaction chamber S 1 surrounded by the bell jar 1 and the stainless steel base plate 2 made of quartz, horizontally at the upper end of the pedestal 4, which is supported by being and hermetically separable joined A ring-shaped carbon susceptor 5, a copper high-frequency heating coil 6 disposed below the susceptor 5, and a bottomed double cylindrical quartz coil cover 7 covering the high-frequency heating coil 6 are housed. Have been. still,
A reaction gas supply pipe 3 penetrates through the pedestal 4, and an upper end of the reaction gas supply pipe 3 is opened at a central portion of the susceptor 5.
ところで、前記ペデスタル４は、前記ベースプレート
２の中央部に設けられた筒状の支持部材８及び該支持部
材８の下面を被う蓋部材９にボールベアリング10,11を
介して回転自在に支持されており、これはモータ12の回
転動力をギヤ13,14を経て受け、前記サセプタ５と共に
一定の速度で回転せしめられる。尚、前記蓋部材９には
パージガス供給管15が接続されている。The pedestal 4 is rotatably supported by a cylindrical support member 8 provided at the center of the base plate 2 and a lid member 9 covering the lower surface of the support member 8 via ball bearings 10 and 11. This receives the rotational power of the motor 12 via the gears 13 and 14 and is rotated at a constant speed together with the susceptor 5. Incidentally, a purge gas supply pipe 15 is connected to the lid member 9.
更に、前記支持部材８の上端内周部には前記ペデスタ
ル４の外周を被うリング状の遮熱部材16が嵌着されてお
り、該遮熱部材16には通気孔17が貫設されている。Further, a ring-shaped heat shield member 16 covering the outer periphery of the pedestal 4 is fitted to the inner peripheral portion of the upper end of the support member 8, and a vent hole 17 is formed through the heat shield member 16. I have.
而して、前記コイルカバー７は図示のように加熱コイ
ル６の下方まで完全に被っており、その外円筒下端面は
ベースプレート２に当接支持されており、同コイルカバ
ー７の内円筒下端面と前記遮熱部材16との間には所定の
隙間δ１が形成されている。Thus, the coil cover 7 is completely covered below the heating coil 6 as shown in the figure, and the lower end surface of the outer cylinder is supported in contact with the base plate 2, and the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover 7 is provided. predetermined gap [delta] 1 is formed between the heat insulating member 16 and.
一方、前記ベースプレート２にはパージガス供給管18
が貫通しており、その先部は加熱コイル６を支持する支
持板19に穿設された孔19a内に臨んでいる。又、ベース
プレート２には、コイルカバー７にて囲まれる空間S1内
に開口するパージガス排出口20が形成されており、この
パージガス排出口20にはパージガス排出管21が接続され
ている。尚、このパージガス排出管21の途中には不図示
の漏水検知器が設けられている。On the other hand, the base plate 2 has a purge gas supply pipe 18.
Penetrates, and its tip faces a hole 19a formed in a support plate 19 that supports the heating coil 6. Further, the base plate 2, and a purge gas outlet 20 which opens into the space S 1 is formed to be surrounded by the coil cover 7, in this purge gas outlet 20 is connected to a purge gas discharge pipe 21. A leak detector (not shown) is provided in the middle of the purge gas discharge pipe 21.
更に、ベースプレート２のコイルカバー７の外側の部
位には大径の反応ガス排出口22が開口しており、この反
応ガス排出口22には反応ガス排出管23が接続されてい
る。Further, a large-diameter reaction gas discharge port 22 is opened at a portion of the base plate 2 outside the coil cover 7, and a reaction gas discharge pipe 23 is connected to the reaction gas discharge port 22.
次に、本気相成長装置の作用を説明する。 Next, the operation of the present vapor phase growth apparatus will be described.
サセプタ５上にセットされたウエーハｗは、高周波加
熱コイル６によって所定の温度に加熱されながら、前述
のようにペデスタル４が回転されることによってこれと
共に一定速度で回転せしめられる。このとき、反応室S1
内には反応ガス供給管３から塩素系の反応ガスが供給さ
れ、コイルカバー７内の空間S2内にはパージガス供給管
15,18から水素ガス等のパージガスが供給される。尚、
一方のパージガス供給管15から供給されるパージガスは
遮熱部材16に形成された通気孔17から空間S2内に流入
し、他方のパージガス供給管18から供給されるパージガ
スは加熱コイル６に向かって噴出される。While the wafer w set on the susceptor 5 is heated to a predetermined temperature by the high-frequency heating coil 6, the pedestal 4 is rotated at a constant speed by rotating the pedestal 4 as described above. At this time, the reaction chamber S 1
Reaction gas chlorine is supplied from the reactive gas supply tube 3 within, purge gas supply pipe into the space S 2 in the coil cover 7
A purge gas such as hydrogen gas is supplied from 15,18. still,
Purge gas supplied from one of the purge gas supply pipe 15 flows through the vent holes 17 formed in the heat insulating member 16 into the space S 2, the purge gas supplied from the other purge gas supply pipe 18 toward the heating coil 6 It is gushing.
而して、ウエーハＷの表面上には気相化学反応によっ
て所要の薄膜層が形成される。Thus, a required thin film layer is formed on the surface of the wafer W by a gas phase chemical reaction.
以上において、本実施例では、加熱コイル６はその下
端がベースプレート２まで延びるコイルカバー７によっ
てその全体が被われるため、反応ガスの加熱コイル６の
下方への廻り込みがコイルカバー７によって確実に防が
れ、反応ガスの加熱コイル６への接触が防がれ、加熱コ
イル６の腐食が抑えられてその耐久性が高められる。こ
の場合、パージガス圧を反応ガス圧よりも幾分高くして
おけば、パージガスは第１図に矢印にて示すようにコイ
ルカバー７の内円筒下端面と遮熱部材16との間に形成さ
れた前記隙間δ１からコイルカバー７外に流出し、ペデ
スタル４とコイルカバー７との間に形成されるリング状
の隙間δ２及びサセプタ５とコイルカバー７との間の隙
間δ３を経て反応室S1へと流れるため、隙間δ３への反
応ガスの流入が防がれ、コイルカバー７上面の反応ガス
による汚染が防がれる。As described above, in the present embodiment, since the lower end of the heating coil 6 is entirely covered with the coil cover 7 extending to the base plate 2, the coil cover 7 reliably prevents the reaction gas from flowing under the heating coil 6. Separation and contact of the reaction gas with the heating coil 6 are prevented, corrosion of the heating coil 6 is suppressed, and the durability of the heating coil 6 is enhanced. In this case, if the purge gas pressure is set to be somewhat higher than the reaction gas pressure, the purge gas is formed between the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover 7 and the heat shielding member 16 as shown by an arrow in FIG. Flows out of the coil cover 7 through the gap δ 1 and reacts through a ring-shaped gap δ 2 formed between the pedestal 4 and the coil cover 7 and a gap δ 3 between the susceptor 5 and the coil cover 7. to flow into the chamber S 1, it is prevented from flowing into the reaction gas into the gap [delta] 3, contamination due to the reaction gas of the coil cover 7 top is prevented.
又、本実施例によれば、加熱コイル６の放電によって
これの一部が損傷し、内部の冷却水が漏れ出ても、漏れ
出た水はパージガス排出口20からパージガス排出管21へ
流れ、少なくとも従来のように反応ガス供給管３を経て
他の気相成長装置側へ達することがないため、他の気相
成長装置が悪影響を受けることがない。更に、この場合
には、漏水はパージガス排出管21に設けられた漏水検知
器によって素早く検知されるため、漏水対策を迅速に講
ずることができる。Further, according to the present embodiment, even if a part of the heating coil 6 is damaged by the discharge and the cooling water inside leaks, the leaked water flows from the purge gas discharge port 20 to the purge gas discharge pipe 21, Since it does not reach at least another gas phase growth apparatus via the reaction gas supply pipe 3 as in the conventional case, the other gas phase growth apparatus is not adversely affected. Further, in this case, since the water leak is quickly detected by the water leak detector provided in the purge gas discharge pipe 21, it is possible to quickly take a countermeasure against the water leak.
（発明の効果） 以上の説明で明らかな如く、本発明によれば、コイル
カバーの外円筒下端面をベースプレートに当接させると
ともに、パージガスをコイルカバーの内円筒下端面とベ
ースプレートとの間の所定の隙間を介してコイルカバー
外に流出させ、コイルカバー内への反応ガスの流入を防
止するように構成したことで、加熱コイルへの反応ガス
の接触に起因する加熱コイルの腐食が確実に抑えられて
その耐久性が高められる。(Effects of the Invention) As is apparent from the above description, according to the present invention, the lower end surface of the outer cylinder of the coil cover is brought into contact with the base plate, and the purge gas is supplied between the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover and the base plate. To prevent the reaction gas from flowing into the coil cover by flowing it out of the coil cover through the gap between the heating coil and the heating coil. And its durability is enhanced.
また本発明によれば、パージガスが上記所定の隙間を
介してコイルカバー外に流出した後、サセプタとコイル
カバーとの隙間を経て反応室に流れるようにしたため、
反応ガスによるコイルカバー上面の汚染が防止される効
果がある。According to the present invention, after the purge gas flows out of the coil cover through the predetermined gap, the purge gas flows into the reaction chamber through the gap between the susceptor and the coil cover.
There is an effect that contamination of the upper surface of the coil cover by the reaction gas is prevented.
さらに本発明では、ベースプレートに、コイルカバー
内の空間内に開口するパージガス排出口を形成すること
により、漏水を素早く検知することができるという効果
が得られる。Further, according to the present invention, by forming a purge gas outlet opening in the space inside the coil cover in the base plate, an effect that water leakage can be detected quickly can be obtained.
第１図は本発明に係る気相成長装置の構成図、第２図は
従来の気相成長装置の断面図である。 １……ベルジャ、２……ベースプレート、４……ペデス
タル、５……サセプタ、６……高周波加熱コイル、７…
…コイルカバー、20……パージガス排出口、S1……反応
室、S2……隙間、δ１，δ２，δ３……隙間。FIG. 1 is a configuration diagram of a vapor phase growth apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional vapor phase growth apparatus. 1 ... bell jar, 2 ... base plate, 4 ... pedestal, 5 ... susceptor, 6 ... high frequency heating coil, 7 ...
... coil cover, 20 ...... purge gas outlet, S 1 ...... reaction chamber, S 2 ...... gap, δ 1, δ 2, δ 3 ...... gap.
Claims (5)
応室内に、ペデスタルに支持されたサセプタ、該サセプ
タの下方に配される加熱コイル、該加熱コイルを被う有
底二重筒状のコイルカバー等を収容して成る気相成長装
置において、コイルカバーの外円筒下端面をベースプレ
ートに当接せしめ、ペデスタル外周部とサセプタ内周部
とを気密分離可能に接合し、ベースプレートの中央部に
筒状の支持部材を設け、該支持部材にペデスタルを軸受
を介して設けて、モータによりペデスタルとサセプタと
を一体回転可能となし、コイルカバー内の空間内にパー
ジガスを供給するパージガス供給管を設けるとともに、
コイルカバーの内円筒下端面とベースプレートとの間、
ペデスタル外周面とコイルカバーの内円筒面との間、お
よびサセプタ下面とコイルカバー上面との間に、それぞ
れ所定の隙間を形成し、前記コイルカバーの内円筒下端
面とベースプレートとの間に形成された隙間からコイル
カバー外に流出したパージガスが、ペデスタルとコイル
カバーとの間に形成される隙間を通過し、サセプタとコ
イルカバーとの間の隙間を経て反応室へ流れるようにす
ることにより、サセプタとコイルカバーとの間の隙間へ
の反応ガスの流入を防止することを特徴とする気相成長
装置。1. A susceptor supported by a pedestal, a heating coil disposed below the susceptor, a double-ended bottomed cylindrical coil cover for covering the heating coil, etc. in a reaction chamber surrounded by a bell jar and a base plate. In the vapor phase growth apparatus, the lower end surface of the outer cylinder of the coil cover is brought into contact with the base plate, and the outer peripheral portion of the pedestal and the inner peripheral portion of the susceptor are joined so as to be airtightly separated. A support member is provided, a pedestal is provided on the support member via a bearing, the pedestal and the susceptor can be integrally rotated by a motor, and a purge gas supply pipe for supplying a purge gas into a space in the coil cover is provided.
Between the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover and the base plate,
A predetermined gap is formed between the outer peripheral surface of the pedestal and the inner cylindrical surface of the coil cover, and between the lower surface of the susceptor and the upper surface of the coil cover, and formed between the lower end surface of the inner cylinder of the coil cover and the base plate. The purge gas flowing out of the coil cover from the gap formed passes through the gap formed between the pedestal and the coil cover, and flows into the reaction chamber through the gap between the susceptor and the coil cover. Characterized in that a reaction gas is prevented from flowing into a gap between the coil and the coil cover.
ー内の空間内に開口するパージガス排出口を形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。2. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein said base plate has a purge gas outlet opening into a space inside said coil cover.
応室内に、ペデスタルに支持されたサセプタ、該サセプ
タの下方に配される加熱コイル、該加熱コイルを被う有
底二重筒状のコイルカバー等を収容し、反応室内には反
応ガスが供給され、コイルカバー内にはパージガスが供
給される気相成長装置において、前記コイルカバーの外
円筒下端面を前記ベースプレートに当接せしめ、同コイ
ルカバーの内円筒下端部とベースプレートとの間に所定
の隙間を形成することにより、該隙間からパージガスを
コイルカバー外に流出せしめ、前記隙間からコイルカバ
ー内へ反応ガスが流入することを防止することを特徴と
する気相成長方法。3. A susceptor supported by a pedestal, a heating coil disposed below the susceptor, a double-ended bottomed cylindrical coil cover covering the heating coil, and the like, in a reaction chamber surrounded by a bell jar and a base plate. In a vapor phase growth apparatus in which a reaction gas is supplied into the reaction chamber and a purge gas is supplied into the coil cover, the lower end surface of the outer cylinder of the coil cover is brought into contact with the base plate, and the coil cover is closed. By forming a predetermined gap between the lower end of the inner cylinder and the base plate, the purge gas flows out of the coil cover from the gap to prevent the reaction gas from flowing into the coil cover from the gap. Vapor growth method.
て、前記隙間からパージガスをコイルカバー外へ流出せ
しめることを特徴とする請求項３記載の気相成長方法。4. The vapor phase growth method according to claim 3, wherein the purge gas pressure is set higher than the reaction gas pressure, and the purge gas flows out of the coil cover from the gap.
いに気密分離可能に接合し、サセプタと前記コイルカバ
ーとの間に所定の隙間を形成して、前記コイルカバーの
内円筒下端面とベースプレートとの間に形成された隙間
からコイルカバー外に流出したパージガスが、ペデスタ
ルとコイルカバーとの間に形成される隙間を通過し、サ
セプタとコイルカバーとの間の隙間を経て反応室へ流れ
るようにすることにより、サセプタとコイルカバーとの
間の隙間への反応ガスの流入を防止することを特徴とす
る請求項３または４記載の気相成長方法。5. An outer periphery of the pedestal and an inner periphery of a susceptor are joined to each other so as to be airtightly separated from each other, and a predetermined gap is formed between the susceptor and the coil cover. The purge gas flowing out of the coil cover from the gap formed between the pedestal and the coil cover passes through the gap formed between the pedestal and the coil cover, and flows into the reaction chamber through the gap between the susceptor and the coil cover. The method according to claim 3 or 4, wherein the flow of the reactive gas is prevented from flowing into a gap between the susceptor and the coil cover.
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| JP2110611A JP2593726B2 (en) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method |
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1990
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