JP2590553B2 - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JP2590553B2 JP2590553B2 JP63305216A JP30521688A JP2590553B2 JP 2590553 B2 JP2590553 B2 JP 2590553B2 JP 63305216 A JP63305216 A JP 63305216A JP 30521688 A JP30521688 A JP 30521688A JP 2590553 B2 JP2590553 B2 JP 2590553B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にマイグレーションに
より生じる金属配線の断線及びマイグレーションの進行
をチェックするチェックパターンを備えた半導体装置に
関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device having a check pattern for checking disconnection of a metal wiring caused by migration and progress of migration.
従来、半導体デバイスにおける、マイグレーションに
よる金属配線の断線及びマイグレーションの進行のチェ
ックは、半導体デバイス内の配線自体をチェックするこ
とによって行われていた。Conventionally, in a semiconductor device, disconnection of a metal wiring due to migration and checking of progress of migration have been performed by checking wiring itself in the semiconductor device.
上述した従来のチェック方法では、半導体デバイス内
の配線自体をチェックすることになるので、発見が困難
であり、また製造工程中では、マイグレーションの進行
を加速させた条件でチェックすることなども不可能であ
り、製造条件とマイグレーションの関係を調査するのに
多大な時間を要した。さらに、信頼性試験を行う場合に
おいても、半導体デバイス内にマイグレーションに対し
て故意に悪くなるようなパターンがないため、試験に長
時間を要していた。In the conventional checking method described above, the wiring itself in the semiconductor device is checked, so it is difficult to find out. In the manufacturing process, it is impossible to check under conditions that accelerate the progress of migration. It took a lot of time to investigate the relationship between manufacturing conditions and migration. Furthermore, even when performing a reliability test, a long time is required for the test because there is no pattern in the semiconductor device that intentionally deteriorates with respect to migration.
本発明の目的は、このような問題を解決し、半導体デ
バイス内に故意にマイグレーションを加速する形状とな
るチェックパターンを設けることにより、マイグレーシ
ョンを効率的にチェックできるようにした半導体装置を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device which solves such a problem and which can check migration efficiently by providing a check pattern in a semiconductor device having a shape that intentionally accelerates migration. It is in.
本発明の半導体装置の構成は、半導体回路を形成する
基板上にこの半導体回路の配線と同一の金属によってこ
の半導体回路と電気的に独立して配設された金属配線を
備え、かつこと金属配線の一部にくさび状のくびれ部
を、このくびれ部の線幅が前記半導体回路の最小配線幅
と同等かもしくはそれ以下となるような形状にしたチェ
ックパターンとして形成し、かつこのチェックパターン
が互いに直角となるように２つ配置されていることを特
徴とする。The structure of the semiconductor device according to the present invention includes a metal wiring provided on a substrate forming a semiconductor circuit by the same metal as the wiring of the semiconductor circuit and electrically independent from the semiconductor circuit. A wedge-shaped constricted portion is formed as a check pattern having a shape such that the line width of the constricted portion is equal to or smaller than the minimum wiring width of the semiconductor circuit, and the check patterns are mutually It is characterized in that two are arranged at right angles.
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例の部分平面図である。本実施例
は、半導体基板等の上に配設されたAlもしくはAl系合金
により構成される金属配線10がその一部分にくさび部11
を有し、このパターンが実際の半導体回路の配線方向に
あわせて、互いに直角な２方向にあることを特徴とす
る。本実施例のマイグレーションチェック用のパターン
は、半導体デバイスの配線に用いられる金属配線10によ
り形成され、電気的にこの半導体デバイスの配線と独立
した配線で構成され、この配線の一部にその幅がデバイ
ス内の最小線幅と同等か、それ以下となるようなくびれ
部11となっている。このくびれ部11によって、金属配線
10のチェックパターンに引張り応力が働いた場合には、
くびれ部11の部分に応力集中が起こりやすくなり、この
部分に特にストレスマイグレーションが起こりやすくな
る。また電流を流した場合はくびれ部で電流密度が最も
高くなる。従って、この部分を観測することにより、マ
イグレーションを加速した状態でチェックすることがで
きる。Next, the present invention will be described with reference to the drawings. First
The figure is a partial plan view of one embodiment of the present invention. In the present embodiment, a metal wiring 10 made of Al or an Al-based alloy disposed on a semiconductor substrate or the like has a wedge portion 11
This pattern is characterized by being in two directions perpendicular to each other in accordance with the wiring direction of the actual semiconductor circuit. The migration check pattern of the present embodiment is formed by metal wiring 10 used for wiring of a semiconductor device, and is configured by wiring that is electrically independent of the wiring of this semiconductor device. The constricted portion 11 is formed so as to be equal to or smaller than the minimum line width in the device. This constriction 11 allows metal wiring
If a tensile stress acts on the 10 check patterns,
Stress concentration is likely to occur in the constricted portion 11, and stress migration is particularly likely to occur in this portion. When a current flows, the current density is highest at the constricted portion. Therefore, by observing this part, it is possible to check in a state where migration is accelerated.
第２図は本発明の第２の実施例の部分平面図である。
本実施例は、基板上のAlもしくはAl系合金により構成さ
れる金属配線10の一部分配線の一方の側だけにくびれ部
12を有している。このくびれ部12にも応力集中が発生す
るような形状となっているため、この部分を観察するこ
とにより、加速してマイグレーションのチェックをする
ことができる。FIG. 2 is a partial plan view of a second embodiment of the present invention.
In the present embodiment, a constriction is formed only on one side of a part of the metal wiring 10 made of Al or an Al-based alloy on the substrate.
Has 12 Since the constricted portion 12 has such a shape that stress concentration occurs, by observing this portion, it is possible to accelerate and check the migration.
実施例２では、実施例１より加速の度合がややおちる
が、マスク作成上はより容易であるという利点がある。In the second embodiment, although the degree of acceleration is slightly lower than in the first embodiment, there is an advantage that the mask is easier to prepare.
以上説明したように本発明は、マイグレーションに対
して最悪状態もしくは加速された状態となるような形状
をチェックパターン上にあらかじめ設けておくことによ
り、半導体デバイスのマイグレーションチェックを効果
的に行うことができる。As described above, according to the present invention, a migration check of a semiconductor device can be effectively performed by providing a shape that gives the worst state or accelerated state with respect to migration on a check pattern in advance. .
第１図，第２図は本発明の第１および第２の実施例を示
す部分平面図である。 10……AlもしくはAl系合金より構成される金属配線、1
1,12……くびれ部。FIG. 1 and FIG. 2 are partial plan views showing first and second embodiments of the present invention. 10 ... Metal wiring composed of Al or Al-based alloy, 1
1,12 ... The neck.
Claims (1)
体回路の配線と同一の金属によってこの半導体回路と電
気的に独立して配設された金属配線を備え、かつこの金
属配線の一部にくさび状のくびれ部を設け、前記くびれ
部の線幅は前記半導体回路の最小配線幅と同等かもしく
はそれ以下であり、少なくとも２つの前記くびれ部が互
いに直角な２方向に延びる前記金属配線の一部にそれぞ
れ設けられることを特徴とする半導体装置。A metal wiring is provided on a substrate on which a semiconductor circuit is formed by the same metal as the wiring of the semiconductor circuit so as to be electrically independent of the semiconductor circuit, and a part of the metal wiring is provided. A wedge-shaped constricted portion, wherein the line width of the constricted portion is equal to or smaller than a minimum wiring width of the semiconductor circuit, and at least two of the constricted portions extend in two directions perpendicular to each other; A semiconductor device, which is provided in part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305216A JP2590553B2 (en) | 1987-12-07 | 1988-12-01 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-310163 | 1987-12-07 | ||
| JP31016387 | 1987-12-07 | ||
| JP63305216A JP2590553B2 (en) | 1987-12-07 | 1988-12-01 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02336A JPH02336A (en) | 1990-01-05 |
| JP2590553B2 true JP2590553B2 (en) | 1997-03-12 |
Family
ID=26564212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305216A Expired - Lifetime JP2590553B2 (en) | 1987-12-07 | 1988-12-01 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590553B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04321251A (en) * | 1991-04-22 | 1992-11-11 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JP5389073B2 (en) | 2011-02-18 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139383A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-21 | Hitachi Ltd | Testing method for semiconductor device |
| JPS5583247A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Hitachi Ltd | Electron migration detector |
| JPS5637659A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS602775B2 (en) * | 1981-08-28 | 1985-01-23 | 富士通株式会社 | Large-scale integrated circuit with monitor function and its manufacturing method |
| JPS6283677A (en) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Nec Corp | Apparatus for testing electromigration |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305216A patent/JP2590553B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02336A (en) | 1990-01-05 |
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