JP2581412B2 - 電子波動固体増幅器 - Google Patents
電子波動固体増幅器Info
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- JP2581412B2 JP2581412B2 JP25740793A JP25740793A JP2581412B2 JP 2581412 B2 JP2581412 B2 JP 2581412B2 JP 25740793 A JP25740793 A JP 25740793A JP 25740793 A JP25740793 A JP 25740793A JP 2581412 B2 JP2581412 B2 JP 2581412B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子波動の量子干渉効果
を利用した固体増幅器に関するものである。
を利用した固体増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩの微細化、高密度化に伴って微
小信号を増幅する技術が重要になりつつある。このため
に電子波動の干渉を電磁ポテンシャルで制御できること
を利用することが出来る。このような効果はアハラノフ
・ボーム（ＡＢ）効果と呼ばれる。（アハラノフ（Ｙ．
Ａｈａｒａｎｏｖ），ボーム（Ｄ．Ｂｏｈｍ），フィジ
カル・レビュー（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．）１１５（１９５
９）４８５）。真空系における電子顕微鏡を用いた実験
的検証については外村彰氏の報告がある（Ｒｅｖ．Ｍｏ
ｄ．Ｐｈｙｓ．５９（１９８７）６３９及びＭ．Ｐｅｓ
ｈｋｉｎ，Ａ．Ｔｏｎｏｍｕｒａ，Ｔｈｅ Ａｈａｒｏ
ｎｏｖ−Ｂｏｈｍ Ｅｆｆｅｃｔ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ
Ｖｅｒｌａｇ，Ｌｅｃｔｕｒｅ ｒｏｔｅ ｉｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ３４０，１９８９）。しかるにこの効果を
固体増幅器に使えることを最初に示したのは超伝導ジョ
セフソン効果を利用したＳＱＵＩＤである（Ｒ．Ｃ．Ｊ
ａｋｌｅｖｉｃ他、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，１２（１９６４）２７４。この効果は超伝導リング
を貫く磁束によってＳＱＵＩＤを流れる電流が磁束の関
数として振動する効果であって、ジョセフソンコンピュ
ータの基本素子として応用されている。
小信号を増幅する技術が重要になりつつある。このため
に電子波動の干渉を電磁ポテンシャルで制御できること
を利用することが出来る。このような効果はアハラノフ
・ボーム（ＡＢ）効果と呼ばれる。（アハラノフ（Ｙ．
Ａｈａｒａｎｏｖ），ボーム（Ｄ．Ｂｏｈｍ），フィジ
カル・レビュー（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．）１１５（１９５
９）４８５）。真空系における電子顕微鏡を用いた実験
的検証については外村彰氏の報告がある（Ｒｅｖ．Ｍｏ
ｄ．Ｐｈｙｓ．５９（１９８７）６３９及びＭ．Ｐｅｓ
ｈｋｉｎ，Ａ．Ｔｏｎｏｍｕｒａ，Ｔｈｅ Ａｈａｒｏ
ｎｏｖ−Ｂｏｈｍ Ｅｆｆｅｃｔ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ
Ｖｅｒｌａｇ，Ｌｅｃｔｕｒｅ ｒｏｔｅ ｉｎ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ３４０，１９８９）。しかるにこの効果を
固体増幅器に使えることを最初に示したのは超伝導ジョ
セフソン効果を利用したＳＱＵＩＤである（Ｒ．Ｃ．Ｊ
ａｋｌｅｖｉｃ他、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，１２（１９６４）２７４。この効果は超伝導リング
を貫く磁束によってＳＱＵＩＤを流れる電流が磁束の関
数として振動する効果であって、ジョセフソンコンピュ
ータの基本素子として応用されている。
【０００３】これに対して二つの電子のパスの一方に静
電ポテンシャルを印加することによって現われる干渉効
果は真空系ではメレンステッドら（Ｇ．Ｍｏｌｌｅｎｓ
ｔｅｄｔ）によって実験された（Ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅ
ｎｓｈｅｆｔｅｎ ４（１９８２）８１）。この効果の
固体化はファウラー（Ａ，Ｂ，Ｆｏｗｌｅｒ）（”Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅ
ｒ，”Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ ４，５５０，３３０．Ｉ
ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ，”Ｇｒａｎｕ
ｌａｒ Ｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｐ．Ｋ．Ｆ
ｅｒｒｙ他編Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，１９９０，Ｐ
６３）及びＳ．Ｄａｔｔａ他、（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，５５，２３４４（１９８５））によって
行われた。この素子は注目されたが、電子のエネルギー
によって波長が変化し干渉効果が変化するため全電子波
を重ね合せると干渉効果が弱められる。これを解決する
手段として単色エネルギーの電子を用いる方法が考え出
された。固体系では共鳴トンネル効果によって単色のエ
ネルギーの電子波が得られる。これらを利用した発明と
して以下のものがある。 特開平２−４４７３５号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを置いて単色
エネルギーを入射させる方法が記載されている。 特開平２−１２５４７２号公報 ＡＢリングとソース電極の間に波数選択のための共鳴ト
ンネルバリヤーをもうける。 特開平３−４６３６８号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを設ける。 特開平３−４６３６８号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを前置きす
る。 特開平３−１９６５７３号公報 ＡＢリングの前段又は後段に共鳴バリヤーを置いた装置
が記載されている。これらは素子構造に各種のバリエー
ションガ提案されてはいるが、基本構成はＡＢリングの
入力段に前置きの単色波化のための共鳴トンネル素子を
置いたものである。
電ポテンシャルを印加することによって現われる干渉効
果は真空系ではメレンステッドら（Ｇ．Ｍｏｌｌｅｎｓ
ｔｅｄｔ）によって実験された（Ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅ
ｎｓｈｅｆｔｅｎ ４（１９８２）８１）。この効果の
固体化はファウラー（Ａ，Ｂ，Ｆｏｗｌｅｒ）（”Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅ
ｒ，”Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ ４，５５０，３３０．Ｉ
ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ，”Ｇｒａｎｕ
ｌａｒ Ｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｐ．Ｋ．Ｆ
ｅｒｒｙ他編Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，１９９０，Ｐ
６３）及びＳ．Ｄａｔｔａ他、（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，５５，２３４４（１９８５））によって
行われた。この素子は注目されたが、電子のエネルギー
によって波長が変化し干渉効果が変化するため全電子波
を重ね合せると干渉効果が弱められる。これを解決する
手段として単色エネルギーの電子を用いる方法が考え出
された。固体系では共鳴トンネル効果によって単色のエ
ネルギーの電子波が得られる。これらを利用した発明と
して以下のものがある。 特開平２−４４７３５号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを置いて単色
エネルギーを入射させる方法が記載されている。 特開平２−１２５４７２号公報 ＡＢリングとソース電極の間に波数選択のための共鳴ト
ンネルバリヤーをもうける。 特開平３−４６３６８号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを設ける。 特開平３−４６３６８号公報 ＡＢリングの前段に共鳴トンネルバリヤーを前置きす
る。 特開平３−１９６５７３号公報 ＡＢリングの前段又は後段に共鳴バリヤーを置いた装置
が記載されている。これらは素子構造に各種のバリエー
ションガ提案されてはいるが、基本構成はＡＢリングの
入力段に前置きの単色波化のための共鳴トンネル素子を
置いたものである。
【０００４】又、本発明に類似の構造として共鳴トンネ
ルトランジスターを並列接続した発明がある。 特開平４−１９２５６７号公報 これは共鳴トンネルダイオードを２個以上並列に結合
し、これらの特性のそろった小さな素子を組合せること
によって大電力の共鳴トンネルダイオードを得る方法を
示している。
ルトランジスターを並列接続した発明がある。 特開平４−１９２５６７号公報 これは共鳴トンネルダイオードを２個以上並列に結合
し、これらの特性のそろった小さな素子を組合せること
によって大電力の共鳴トンネルダイオードを得る方法を
示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述の〜の発明で
は素子構造に対する各種の提案が行われているが、入力
信号に対するコンダクタンスの変化率が小さく感度が小
さいという問題がある。
は素子構造に対する各種の提案が行われているが、入力
信号に対するコンダクタンスの変化率が小さく感度が小
さいという問題がある。
【０００６】またの発明は共鳴トンネルダイオードは
単に特性を揃えるための作り易さを目的としたものであ
ってそれらのダイオードを通過した電子波の位相差によ
る干渉効果を利用するという概念は何ら記載されていな
い。共鳴トンネルバリヤー中に形成される共鳴レベルが
リング及びリングに接続された導体のフェルミレベルに
十分近くないと十分感度よいコンダクタンス変化が得ら
れない。
単に特性を揃えるための作り易さを目的としたものであ
ってそれらのダイオードを通過した電子波の位相差によ
る干渉効果を利用するという概念は何ら記載されていな
い。共鳴トンネルバリヤー中に形成される共鳴レベルが
リング及びリングに接続された導体のフェルミレベルに
十分近くないと十分感度よいコンダクタンス変化が得ら
れない。
【０００７】本発明の目的は様々の共鳴現象を利用して
小さな磁束密度の変化または静電ポテンシャルの変化に
対しても感度よくコンダクタンスの変化が現われること
にある。
小さな磁束密度の変化または静電ポテンシャルの変化に
対しても感度よくコンダクタンスの変化が現われること
にある。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例である。
【０００９】図１（ａ）は本発明の平面図、（ｂ）は
（ａ）の点線に沿って切った断面図である。
（ａ）の点線に沿って切った断面図である。
【００１０】まず平面図１（ａ）について説明する。
【００１１】電子波は電極１から電極２まで散乱されな
いか、あるいは弾性散乱をされながら通過する。その通
路は１−３−４−５−６−７−２のパスと１−９−１０
−１１−１２−１３−２の２つのパスに分枝され、合流
する。上のパスでは微小領域５は両側の間隙４，６によ
って前後の通路と分離され、電子はこの間隙をトンネル
効果で通過し、２つのトンネルバリヤによって共鳴トン
ネルが起る。この微小領域５はゲート電極８のバイアス
によって大きさが変調され、その結果間隙４，６の長さ
が変調され共鳴トンネル確率が変調される。同様に下側
のパスでは微小領域１１が間隙１０，１２，によって分
離され電子波はここをトンネル効果で通過し、２つのト
ンネル効果によって共鳴トンネルが起る。この共鳴トン
ネルが微小領域１１上のゲート電極１４によって変調さ
れる。これによって電極１，２間のコンダクタンスが変
調される。
いか、あるいは弾性散乱をされながら通過する。その通
路は１−３−４−５−６−７−２のパスと１−９−１０
−１１−１２−１３−２の２つのパスに分枝され、合流
する。上のパスでは微小領域５は両側の間隙４，６によ
って前後の通路と分離され、電子はこの間隙をトンネル
効果で通過し、２つのトンネルバリヤによって共鳴トン
ネルが起る。この微小領域５はゲート電極８のバイアス
によって大きさが変調され、その結果間隙４，６の長さ
が変調され共鳴トンネル確率が変調される。同様に下側
のパスでは微小領域１１が間隙１０，１２，によって分
離され電子波はここをトンネル効果で通過し、２つのト
ンネル効果によって共鳴トンネルが起る。この共鳴トン
ネルが微小領域１１上のゲート電極１４によって変調さ
れる。これによって電極１，２間のコンダクタンスが変
調される。
【００１２】次に図１（ｂ）の断面図によって、このデ
バイスの立体構造を説明する。絶縁性ＧａＡｓ基板１５
上にエピタキシャルＧａＡｓ層１６、Ａｌ1 - x Ｇａx
Ａｓ（ｘ＝０．３）層１７を順に形成するとその間に電
子の伝導チャンネル１８，１９，２０が金属ゲート電極
８に印加されたバイアスによって形成される。これがリ
ングを構成する「導体」となる。
バイスの立体構造を説明する。絶縁性ＧａＡｓ基板１５
上にエピタキシャルＧａＡｓ層１６、Ａｌ1 - x Ｇａx
Ａｓ（ｘ＝０．３）層１７を順に形成するとその間に電
子の伝導チャンネル１８，１９，２０が金属ゲート電極
８に印加されたバイアスによって形成される。これがリ
ングを構成する「導体」となる。
【００１３】具体的な数値例としてはリング径１０００
Ａ（オングストローム）電子経路の断面は１００〜２０
０Ａの矩形又は半円形状、共鳴トンネルのバリヤー層
（間隙４，６）の厚さ５０Ａ，バリヤーの深さ０．３ｅ
Ｖ共鳴トンネルの井戸の厚さは２０−３０Ａ動作温度は
この数値例では２０Ｋとしたが、４．２−１００Ｋの間
で動作させることができる。
Ａ（オングストローム）電子経路の断面は１００〜２０
０Ａの矩形又は半円形状、共鳴トンネルのバリヤー層
（間隙４，６）の厚さ５０Ａ，バリヤーの深さ０．３ｅ
Ｖ共鳴トンネルの井戸の厚さは２０−３０Ａ動作温度は
この数値例では２０Ｋとしたが、４．２−１００Ｋの間
で動作させることができる。
【００１４】図１（ｃ）はポテンシャルバリヤー４−５
−６及び１０−１１−１２の形を示したものである。Ｖ
はバリヤーの高さ、ｄはバリヤーの幅、Ｌは二つのバリ
ヤー間の距離である。これらのポテンシャルバリヤーの
形はゲート電極８と１４の電位によって幅ｄと高さＶを
変えることができる。二つの枝のポテンシャルバリヤー
の形に差を設けることによって電極１，２間のコンダク
タンスを変調できる。
−６及び１０−１１−１２の形を示したものである。Ｖ
はバリヤーの高さ、ｄはバリヤーの幅、Ｌは二つのバリ
ヤー間の距離である。これらのポテンシャルバリヤーの
形はゲート電極８と１４の電位によって幅ｄと高さＶを
変えることができる。二つの枝のポテンシャルバリヤー
の形に差を設けることによって電極１，２間のコンダク
タンスを変調できる。
【００１５】二つの枝のポテンシャルバリヤーの形に差
を設けるには、それぞれのポテンシャルの深さと幅のど
ちらか又は両方に違いを持たせればよい。
を設けるには、それぞれのポテンシャルの深さと幅のど
ちらか又は両方に違いを持たせればよい。
【００１６】上述の数値例では共鳴準位が１個又は２個
存在し得る条件になっている。バリヤーの幅が十分に厚
くトンネル確率ＴB が低い場合は共鳴準位は二つのバリ
ヤーが無限に厚い場合のバリヤーにはさまれたポテンシ
ャルの井戸の固有値に一致する。電子がトンネルによっ
て有限の寿命を持つことによって共鳴準位は幅をもつ
が、その幅Γは
存在し得る条件になっている。バリヤーの幅が十分に厚
くトンネル確率ＴB が低い場合は共鳴準位は二つのバリ
ヤーが無限に厚い場合のバリヤーにはさまれたポテンシ
ャルの井戸の固有値に一致する。電子がトンネルによっ
て有限の寿命を持つことによって共鳴準位は幅をもつ
が、その幅Γは
【００１７】
【数１】
【００１８】となり、前述の数値例では１０- 4 ｅＶと
十分小さい。但しｖは共鳴準位のエネルギーにおける電
子の速度ｄはポテンシャルの井戸の幅である。
十分小さい。但しｖは共鳴準位のエネルギーにおける電
子の速度ｄはポテンシャルの井戸の幅である。
【００１９】今２つのバリヤーの共鳴準位に（最低の）
のエネルギーをそれぞれＥ1 ，Ｅ2とすると差δＥ＝Ｅ
2 −Ｅ1 》ｋB Ｔとなればよい。（但しＴは温度、ｋB
はボルツマン定数）。こうなるようにポテンシャルの井
戸の深さと幅を変えればよい。
のエネルギーをそれぞれＥ1 ，Ｅ2とすると差δＥ＝Ｅ
2 −Ｅ1 》ｋB Ｔとなればよい。（但しＴは温度、ｋB
はボルツマン定数）。こうなるようにポテンシャルの井
戸の深さと幅を変えればよい。
【００２０】井戸の深さ（Ｖ0 ）と幅Ｌ1 をどのような
値にするかは次の井戸型ポテンシャルの解によって決定
される（例．シッフ（Ｓｃｈｉｆｆ）著、新版量子力学
（上）吉岡書店１９８７，４．２５第１５刷，Ｐ４６−
４９）。井戸型ポテンシャルの共鳴準位が一個の場合の
エネルギー準位Ｅ0 はＥ0 ／Ｖ0 ≧０．３５２となる。
但しこの時の
値にするかは次の井戸型ポテンシャルの解によって決定
される（例．シッフ（Ｓｃｈｉｆｆ）著、新版量子力学
（上）吉岡書店１９８７，４．２５第１５刷，Ｐ４６−
４９）。井戸型ポテンシャルの共鳴準位が一個の場合の
エネルギー準位Ｅ0 はＥ0 ／Ｖ0 ≧０．３５２となる。
但しこの時の
【００２１】
【数２】
【００２２】また２個の場合は２番目の準位をＥ1 とす
るとＥ0 ／Ｖ0 ≧０．１４（Ｅ1 −Ｅ0 ）／Ｖ0 ≧０．
４０，Ｅ1 ／Ｖ0 ≧０．５４となる。但しこの時
るとＥ0 ／Ｖ0 ≧０．１４（Ｅ1 −Ｅ0 ）／Ｖ0 ≧０．
４０，Ｅ1 ／Ｖ0 ≧０．５４となる。但しこの時
【００２３】
【数３】
【００２４】とする。
【００２５】例えば７７Ｋの時ｋB Ｔ＝７ｍｅＶである
から、共鳴準位のエネルギー差を７ｍｅＶ以上にすれば
よい。Ａｌx Ｇａ1 - x Ａｓ層１７の厚さを２００Ａキ
ャリア層の厚さを１００Ａとするとゲート電極８．１４
の電位の違いを２０ｍＶ程度にすればよい。これは非常
に小さな電圧でシャープにコンダクタンスの変化が起こ
るという効果がある。
から、共鳴準位のエネルギー差を７ｍｅＶ以上にすれば
よい。Ａｌx Ｇａ1 - x Ａｓ層１７の厚さを２００Ａキ
ャリア層の厚さを１００Ａとするとゲート電極８．１４
の電位の違いを２０ｍＶ程度にすればよい。これは非常
に小さな電圧でシャープにコンダクタンスの変化が起こ
るという効果がある。
【００２６】次に２つの共鳴トンネルポテンシャルを同
じ形にして磁束と静電ポテンシャルのいずれか又は両方
を印加する場合について述べる。磁束の印加は素子全体
をリングに垂直な磁界の中に置くと、磁束密度Ｂに対し
てリングを貫く磁束ΦはΦ＝Ｂx （リングが囲む円の面
積）となり、Φについて磁束量子Φ0 ＝ｈ／ｅの周期で
コンダクタンスがｅ2 ／ｈと０の間を変化する。又下側
のブランチの上にゲート電極をおいてこれに静電ポテン
シャルを印加すると上の枝と下の枝のパスに対して位相
差
じ形にして磁束と静電ポテンシャルのいずれか又は両方
を印加する場合について述べる。磁束の印加は素子全体
をリングに垂直な磁界の中に置くと、磁束密度Ｂに対し
てリングを貫く磁束ΦはΦ＝Ｂx （リングが囲む円の面
積）となり、Φについて磁束量子Φ0 ＝ｈ／ｅの周期で
コンダクタンスがｅ2 ／ｈと０の間を変化する。又下側
のブランチの上にゲート電極をおいてこれに静電ポテン
シャルを印加すると上の枝と下の枝のパスに対して位相
差
【００２７】
【数４】
【００２８】が生ずる。但し、ｍ* は電子の有効質量、
Ｌは各枝の長さ、Ｖは下側のブランチに印加した静電ポ
テンシャルＥは共鳴トンネル準位のエネルギーである。
コンダクタンスはΦについて２πの周期関数になる。こ
れらは通常の意味での磁界型ＡＢ効果と静電型ＡＢ効果
であるが、共鳴トンネルバリヤーによってエネルギーが
Ｅだけの電子が選別され、温度によって色々なエネルギ
ーの電子の干渉効果が互いに打ち消し合う効果を除去す
ることが出来る。
Ｌは各枝の長さ、Ｖは下側のブランチに印加した静電ポ
テンシャルＥは共鳴トンネル準位のエネルギーである。
コンダクタンスはΦについて２πの周期関数になる。こ
れらは通常の意味での磁界型ＡＢ効果と静電型ＡＢ効果
であるが、共鳴トンネルバリヤーによってエネルギーが
Ｅだけの電子が選別され、温度によって色々なエネルギ
ーの電子の干渉効果が互いに打ち消し合う効果を除去す
ることが出来る。
【００２９】そうして、コンダクタンスと磁束または静
電ポテンシャルとの関係でΦの狭い共鳴のピークが現わ
れるので、これらの微小な変化によってコンダクタンス
が変化する、つまり高感度の増幅器を実現出来る。
電ポテンシャルとの関係でΦの狭い共鳴のピークが現わ
れるので、これらの微小な変化によってコンダクタンス
が変化する、つまり高感度の増幅器を実現出来る。
【００３０】図２（ａ）は本発明の第２の実施例であ
る。電極１０１、１０２の間にリングを結合する。１０
３、１０４はリングを構成する枝である。電極とリング
をつなぐ導線１０５、１０６にポテンシャルバリヤー１
０７、１０８を設ける。さらに枝１０４に静電ポテンシ
ャルのゲート電極１０９を設ける。ゲート１０９にはポ
テンシャルＶが印加されてる。
る。電極１０１、１０２の間にリングを結合する。１０
３、１０４はリングを構成する枝である。電極とリング
をつなぐ導線１０５、１０６にポテンシャルバリヤー１
０７、１０８を設ける。さらに枝１０４に静電ポテンシ
ャルのゲート電極１０９を設ける。ゲート１０９にはポ
テンシャルＶが印加されてる。
【００３１】図２（ｂ）はポテンシャルバリア１０７、
１０８の形を示したものである。Ｖ0 はポテンシャルの
高さ、ｄはバリヤーの厚さである。図２（ａ）の構成で
は電子波は、バリア１０７と１０８の間をリングの枝１
０３と１０４を介して定在波を立てる。枝１０４の定在
波は電極１０９の電位によって位相が変調され、２つの
枝１０３と１０４を通過する電子波に位相差を生ずる。
この位相差によって電極１０１、１０２間のコンダクタ
ンスがポテンシャルＶの関数として振動する。
１０８の形を示したものである。Ｖ0 はポテンシャルの
高さ、ｄはバリヤーの厚さである。図２（ａ）の構成で
は電子波は、バリア１０７と１０８の間をリングの枝１
０３と１０４を介して定在波を立てる。枝１０４の定在
波は電極１０９の電位によって位相が変調され、２つの
枝１０３と１０４を通過する電子波に位相差を生ずる。
この位相差によって電極１０１、１０２間のコンダクタ
ンスがポテンシャルＶの関数として振動する。
【００３２】図２（ｃ）に図２（ａ）の直線の部分で切
断した断面図を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高純度
のｎ型ＧａＡｓのエピタキシャル層１１３を形成する。
その上に真性のＡｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（ｘ＜０．３）１
１４とＮ型Ａｌx Ｇａ1 - xＡｓ層１１５を形成する。
断した断面図を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板上に高純度
のｎ型ＧａＡｓのエピタキシャル層１１３を形成する。
その上に真性のＡｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（ｘ＜０．３）１
１４とＮ型Ａｌx Ｇａ1 - xＡｓ層１１５を形成する。
【００３３】更にその上に金属電極１０７、１０４、１
０８を形成する。Ａｌx Ｇａ1 - xＡｓ層１１４の厚さ
とドーピング量及び１１５の厚さは金属電極のバイアス
が０の時及びそれがない領域で電子のチャンネル１１
６、１１７、１１８が形成される（いわゆるデプリーシ
ョン形、ノーマリーオン型）条件に設定する。電子チャ
ンネルによって電子のパスを形成するには、図２（ａ）
のパス以外の領域にＨ+イオンの注入を行ない、ＧａＡ
ｓのエピタキシャル層を絶縁性に変換する。又はパス以
外の領域をＧａＡｓエピタキシャル層１１３までエッチ
ングで除去してもよい。
０８を形成する。Ａｌx Ｇａ1 - xＡｓ層１１４の厚さ
とドーピング量及び１１５の厚さは金属電極のバイアス
が０の時及びそれがない領域で電子のチャンネル１１
６、１１７、１１８が形成される（いわゆるデプリーシ
ョン形、ノーマリーオン型）条件に設定する。電子チャ
ンネルによって電子のパスを形成するには、図２（ａ）
のパス以外の領域にＨ+イオンの注入を行ない、ＧａＡ
ｓのエピタキシャル層を絶縁性に変換する。又はパス以
外の領域をＧａＡｓエピタキシャル層１１３までエッチ
ングで除去してもよい。
【００３４】次にゲート電極１１０、１１１に負のバイ
アスを印加すると電子のチャンネルが切断されてトンネ
ルバリヤ１０７、１０８が形成される。電極１０４はバ
イアスＶを印加する。数値例としては、実施例１と同一
寸法のリングを用いて、ｄ＝２０Ａとすると、Ｖ0 ＜１
０ｍＶ以下の低電圧でｅ2 ／ｈ程度の大きさのコンダク
タンスの変化を実現することがでる。
アスを印加すると電子のチャンネルが切断されてトンネ
ルバリヤ１０７、１０８が形成される。電極１０４はバ
イアスＶを印加する。数値例としては、実施例１と同一
寸法のリングを用いて、ｄ＝２０Ａとすると、Ｖ0 ＜１
０ｍＶ以下の低電圧でｅ2 ／ｈ程度の大きさのコンダク
タンスの変化を実現することがでる。
【００３５】またリングを貫く磁Φを印加することによ
ってもコンダクタンス変化し量子磁束Φ0 の数分の１と
いう小さなΦの変化でｅ2 ／ｈ程度のコンダクタンスの
変化が得られる。つまり高感度になる。
ってもコンダクタンス変化し量子磁束Φ0 の数分の１と
いう小さなΦの変化でｅ2 ／ｈ程度のコンダクタンスの
変化が得られる。つまり高感度になる。
【００３６】コンダクタンスＧが小さなΦ又はＶ0 の変
化でｅ2 ／ｈの程度変化することが本実施例の特徴であ
る。
化でｅ2 ／ｈの程度変化することが本実施例の特徴であ
る。
【００３７】なお、静電ポテンシャルと磁界を同時に印
加してもよい。
加してもよい。
【００３８】図３は本発明の第３の実施例である。図３
（ａ）の実施例は電極３０１、３０２とリングを構成す
る二つの枝３０３、３０４とこれらをつなぐ導線３０
５、３０６と共鳴トンネルバリア３０７Ａと３０７Ｂと
リングの枝３０４にもうけられた静電ポテンシャルを印
加するための電極３０８から構成されている。電極３０
８に印加された静電ポテンシャルＶ、またはリングを貫
く磁束Φ３０９、あるいはＶとΦの両方によって端子３
０１、３０２間のコンダクタンスが周期的に変調され
る。ここまでは図１の実施例と同じである。
（ａ）の実施例は電極３０１、３０２とリングを構成す
る二つの枝３０３、３０４とこれらをつなぐ導線３０
５、３０６と共鳴トンネルバリア３０７Ａと３０７Ｂと
リングの枝３０４にもうけられた静電ポテンシャルを印
加するための電極３０８から構成されている。電極３０
８に印加された静電ポテンシャルＶ、またはリングを貫
く磁束Φ３０９、あるいはＶとΦの両方によって端子３
０１、３０２間のコンダクタンスが周期的に変調され
る。ここまでは図１の実施例と同じである。
【００３９】本実施例では共鳴トンネルバリアの形を変
える図３（ｂ）に共鳴トンネルのポテンシャル３０７の
形を示す。ｄはポテンシャルの幅、Ｌ1 はポテンシャル
の井戸の幅ΔＥは導線側のバリヤー高さ、Ｖ0 はポテン
シャルの井戸の深さでＶ0 ＞ΔＥとなっている。Ｖ1 と
Ｌによって井戸の中の共鳴準位３１０は導線の伝導帯の
レベルに近い位置に生じている。そのための井戸の深さ
と幅と導体のフェルミレベルの位置は図２の実施例と同
じものとする。
える図３（ｂ）に共鳴トンネルのポテンシャル３０７の
形を示す。ｄはポテンシャルの幅、Ｌ1 はポテンシャル
の井戸の幅ΔＥは導線側のバリヤー高さ、Ｖ0 はポテン
シャルの井戸の深さでＶ0 ＞ΔＥとなっている。Ｖ1 と
Ｌによって井戸の中の共鳴準位３１０は導線の伝導帯の
レベルに近い位置に生じている。そのための井戸の深さ
と幅と導体のフェルミレベルの位置は図２の実施例と同
じものとする。
【００４０】つまりΔＥ＝０．３ｅＶ，Ｖ0 ＝０．４４
１ｅＶ，Ｌ1 ＝３６Ａ，ｄ＝２０Ａ，導体のフェルミレ
ベル＝１４ｍｅＶ（伝導帯の底から）。この時は共鳴ト
ンネルの共鳴準位の変化によるコンダクタンスの変化が
鋭くなる。
１ｅＶ，Ｌ1 ＝３６Ａ，ｄ＝２０Ａ，導体のフェルミレ
ベル＝１４ｍｅＶ（伝導帯の底から）。この時は共鳴ト
ンネルの共鳴準位の変化によるコンダクタンスの変化が
鋭くなる。
【００４１】図４は本発明の第４の実施例である。図４
（ａ）に示すように本実施例は電極６０１、６０２とリ
ング６０３、６０４を導線６０５、６０６で接続する。
導線６０５の側に共鳴トンネルバリア６０７、６０８井
戸６０９とこれらに対する電極６１０，６１１，６１２
とリングの枝６０４に静電ポテンシャルを印加するため
の電極６１３から構成されている。断面の構造は図２
（ｃ）と同様とし、電極のパターンの配置のみが異なる
ものとする。
（ａ）に示すように本実施例は電極６０１、６０２とリ
ング６０３、６０４を導線６０５、６０６で接続する。
導線６０５の側に共鳴トンネルバリア６０７、６０８井
戸６０９とこれらに対する電極６１０，６１１，６１２
とリングの枝６０４に静電ポテンシャルを印加するため
の電極６１３から構成されている。断面の構造は図２
（ｃ）と同様とし、電極のパターンの配置のみが異なる
ものとする。
【００４２】第４（ｂ）に共鳴トンネルバリヤーのポテ
ンシャルの図を示す。
ンシャルの図を示す。
【００４３】今リングの導体のフェルミレベルとバリア
の高さをそれぞれ伝導帯の底からＥF 及びΔＥC にある
とする。
の高さをそれぞれ伝導帯の底からＥF 及びΔＥC にある
とする。
【００４４】
【数５】
【００４５】のときを考え、Ｅ0 ／Ｖ0 ≡α＝０．３５
２とすると、ポテンシャルの井戸の伝導帯の底がリング
の導体の伝導帯よりδＥだけ低いとする。するとＶ0 ＝
（ΔＥC −ＥF ）／（１−α），δＥ＝Ｖ0 −ΔＥC と
なる。ΔＥC ０．３ｅＶ，ＥF＝１４ｍｅＶ，α＝０．
３５２とするとＶ0 ＝０．４４１ｅＶ，δＥ＝０．１４
ｅＶとなる。この時の井戸の幅はＬ1 ＝３６Ａとする。
この時共鳴レベルＥ0 はリングの導体のフェルミレベル
にちょうど一致する。バリアの幅が２０Ａ以上の時は共
鳴レベルの幅は１０- 4 ｅＶと狭い。従って例えばＴ＝
２０〜３００Ｋの温度域でも電子波はフェルミレベルに
一致する単色波だけがフィルターされてリングに入射す
るので静電ＡＢ効果で温度分散による特性の劣化が起ら
ない。
２とすると、ポテンシャルの井戸の伝導帯の底がリング
の導体の伝導帯よりδＥだけ低いとする。するとＶ0 ＝
（ΔＥC −ＥF ）／（１−α），δＥ＝Ｖ0 −ΔＥC と
なる。ΔＥC ０．３ｅＶ，ＥF＝１４ｍｅＶ，α＝０．
３５２とするとＶ0 ＝０．４４１ｅＶ，δＥ＝０．１４
ｅＶとなる。この時の井戸の幅はＬ1 ＝３６Ａとする。
この時共鳴レベルＥ0 はリングの導体のフェルミレベル
にちょうど一致する。バリアの幅が２０Ａ以上の時は共
鳴レベルの幅は１０- 4 ｅＶと狭い。従って例えばＴ＝
２０〜３００Ｋの温度域でも電子波はフェルミレベルに
一致する単色波だけがフィルターされてリングに入射す
るので静電ＡＢ効果で温度分散による特性の劣化が起ら
ない。
【００４６】なお図４では電極６１３を設けて静電ポテ
ンシャルを印加する場合を述べたが、それに代えて、前
述の実施例で述べたように、リングに磁界を印加しても
よい。また静電ポテンシャルと磁界を両方印加してもよ
い。
ンシャルを印加する場合を述べたが、それに代えて、前
述の実施例で述べたように、リングに磁界を印加しても
よい。また静電ポテンシャルと磁界を両方印加してもよ
い。
【００４７】また図１〜４で説明した実施例では静電ポ
テンシャルを印加する電極は二つの枝の一方にだけ設け
たが両方に設けてもよいことは明らかである。
テンシャルを印加する電極は二つの枝の一方にだけ設け
たが両方に設けてもよいことは明らかである。
【００４８】図５は本発明の第５の実施例である。本実
施例は導体のリング４０１と静電ポテンシャルＶが印加
されたゲート電極４０２から構成されている。リング内
部の固有状態はポテンシャルＶとリングを貫く磁束Φ４
０３によって変わる。その結果、リングを通過する光、
マイクロ波、赤外線、紫外線等の電磁波に対する応答関
数がＶとΦで変調できる。電磁波はリングの面に垂直方
向に通過する場合、リングの面内を通過する場合、及び
それらの重ね合せの場合が含まれる。
施例は導体のリング４０１と静電ポテンシャルＶが印加
されたゲート電極４０２から構成されている。リング内
部の固有状態はポテンシャルＶとリングを貫く磁束Φ４
０３によって変わる。その結果、リングを通過する光、
マイクロ波、赤外線、紫外線等の電磁波に対する応答関
数がＶとΦで変調できる。電磁波はリングの面に垂直方
向に通過する場合、リングの面内を通過する場合、及び
それらの重ね合せの場合が含まれる。
【００４９】図６はポテンシャルバリアの色々のバリエ
ーションを示したものである。図１（ｃ）のポテンシャ
ルバリア、図３（ｂ）のポテンシャルバリアのかわりに
用いることができる。図６（ａ）はＮ段の周期的なポテ
ンシャルバリアである。これによって強い単色電子波を
得ることができる。
ーションを示したものである。図１（ｃ）のポテンシャ
ルバリア、図３（ｂ）のポテンシャルバリアのかわりに
用いることができる。図６（ａ）はＮ段の周期的なポテ
ンシャルバリアである。これによって強い単色電子波を
得ることができる。
【００５０】図６（ｂ）は多段の井戸のポテンシャルを
深くしたもので、コンダクタンスを増やす効果はさらに
増大する。
深くしたもので、コンダクタンスを増やす効果はさらに
増大する。
【００５１】図６（ｃ）は、図６（ａ）の周期的なバリ
アの周期性を電気的に乱すことによってコンダクタンス
を変調するものである。
アの周期性を電気的に乱すことによってコンダクタンス
を変調するものである。
【００５２】図７に第６の実施例を示す。Ｎ個のリング
Ｒ1 ，Ｒ2 ，・・・，ＲN を直列に接続し、各リングの
一方の枝に静電ポテンシャルＶを印加するための電極Ｇ
1 ，Ｇ2 ・・・，ＧN を設ける。
Ｒ1 ，Ｒ2 ，・・・，ＲN を直列に接続し、各リングの
一方の枝に静電ポテンシャルＶを印加するための電極Ｇ
1 ，Ｇ2 ・・・，ＧN を設ける。
【００５３】各リングの構造はこれまでの実施例から共
鳴トンネルバリヤーを取り除いたいずれのタイプでもよ
い。
鳴トンネルバリヤーを取り除いたいずれのタイプでもよ
い。
【００５４】図８にＮ＝５、リング間の距離Ｌ1 ＝５０
Ａの場合のコンダクタンスとΦの関係を示す。リングの
半周をＬ＝１０５０Ａ、電子のフェルミ波数ｋはｋＬ＝
５．２５πを満足する値、リングと電極との結合を表わ
すパラメーターε＝０．５（εの定義としてはＤ．Ｔａ
ｋａｉ，Ｋ．ｏｈｔａ，”Ａｈａｒａｎｏｖ．Ｂｏｈｍ
Ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ａ Ｍｅｓｏｓｃｏｐｉｃ Ｒ
ｉｎｇ，”ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｂ，１９９３，７．１５号
及び、Ｍ Ｃａｈａｙ他、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ，Ｂ３９
（１９８９）１２９８９参照）とした。Φ／π＝１〜
１．５、３〜３．５の間にそれぞれ４つの鋭いピークが
現れている。一般にはＮ−１本のピークが現れる。例え
ばＮ＝２の時は一本の共鳴ピークが現れる。このピーク
の近くのΦの領域では静電ポテンシャルΦのごく小さな
変化に対してコンダクタンスがｅ2／ｈのオーダー変化
する。従ってこれを利用すれば高成度の増幅器が実現さ
れる。
Ａの場合のコンダクタンスとΦの関係を示す。リングの
半周をＬ＝１０５０Ａ、電子のフェルミ波数ｋはｋＬ＝
５．２５πを満足する値、リングと電極との結合を表わ
すパラメーターε＝０．５（εの定義としてはＤ．Ｔａ
ｋａｉ，Ｋ．ｏｈｔａ，”Ａｈａｒａｎｏｖ．Ｂｏｈｍ
Ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ ａ Ｍｅｓｏｓｃｏｐｉｃ Ｒ
ｉｎｇ，”ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｂ，１９９３，７．１５号
及び、Ｍ Ｃａｈａｙ他、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ，Ｂ３９
（１９８９）１２９８９参照）とした。Φ／π＝１〜
１．５、３〜３．５の間にそれぞれ４つの鋭いピークが
現れている。一般にはＮ−１本のピークが現れる。例え
ばＮ＝２の時は一本の共鳴ピークが現れる。このピーク
の近くのΦの領域では静電ポテンシャルΦのごく小さな
変化に対してコンダクタンスがｅ2／ｈのオーダー変化
する。従ってこれを利用すれば高成度の増幅器が実現さ
れる。
【００５５】図８はＮ＝４で、ε＝０．５、０．４、
０．３と小さくすると、コンダクタンスが静電ポテンシ
ャルφの関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示
す。
０．３と小さくすると、コンダクタンスが静電ポテンシ
ャルφの関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示
す。
【００５６】図９はＮ＝２で、ε＝０．５、０．４、
０．０５と小さくした場合、コンダクタンスが磁場θの
関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示す。
０．０５と小さくした場合、コンダクタンスが磁場θの
関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示す。
【００５７】これらの例に示すようにεを小さくする
と、鋭い共鳴ピークが現れるので、ピークの近くでθま
たはφの微小変化に対してコンダクタンスがｅ2 ／ｈの
程度変化する。従って高感度の増幅が可能になる。
と、鋭い共鳴ピークが現れるので、ピークの近くでθま
たはφの微小変化に対してコンダクタンスがｅ2 ／ｈの
程度変化する。従って高感度の増幅が可能になる。
【００５８】図８、９はＬ1 ＝０の場合であるが、Ｌ1
が０でない場合にも同様の結果を得る。
が０でない場合にも同様の結果を得る。
【００５９】εを小さくするには導線とリングの接点に
おける断面を絞り、電子を多少通りにくくすればよい。
おける断面を絞り、電子を多少通りにくくすればよい。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、電子波の干渉作用を利
用し、微小信号の高感度な増幅が可能になる。
用し、微小信号の高感度な増幅が可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図で、リングの二
つの枝に共鳴トンネルバリアを設けた増幅器を示す図で
ある。
つの枝に共鳴トンネルバリアを設けた増幅器を示す図で
ある。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図で、リングの両
端にポテンシャルバリアを設けた増幅器を示す図であ
る。
端にポテンシャルバリアを設けた増幅器を示す図であ
る。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図で、リングの二
つの枝に設けた共鳴トンネルバリアの井戸の底を深くし
た例を示す図である。
つの枝に設けた共鳴トンネルバリアの井戸の底を深くし
た例を示す図である。
【図４】本発明の第４の実施例を示す図で、リングの片
側だけポテンシャルバリアを設けた例を示す図である。
側だけポテンシャルバリアを設けた例を示す図である。
【図５】本発明の第５の実施例を示す図で、リングによ
って電磁波の変調を行う例を示す図である。
って電磁波の変調を行う例を示す図である。
【図６】本発明の共鳴トンネルバリアのバリエーション
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の第６の実施例を示す図であり、リング
を直列に接続した例を示す図である。
を直列に接続した例を示す図である。
【図８】本発明の第６の実施例で、コンダクタンスが静
電ポテンシャルφの関係として鋭い共鳴ピークが現れる
ことを示す図である。
電ポテンシャルφの関係として鋭い共鳴ピークが現れる
ことを示す図である。
【図９】本発明の第６の実施例で、コンダクタンスが磁
束θの関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示す図
である。
束θの関係として鋭い共鳴ピークが現れることを示す図
である。
１、２、１０１、１０２、６０１、６０２ 電極 ４、６、１０、１２、 間隙 ５ 微小領域 ８、９、１０９、４０２ ゲート電極 １０３、１０４ 枝 １０５、１０６ 導線 １０７、１０８、６０７、６０８ バリア ６０９ 井戸 １１２ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 １１３ ＧａＡｓエピタキシャル層 １１７ 電子のチャンネル ３１０ 共鳴準位 ４０１ リング ４０３ 磁束
Claims (11)
- 【請求項１】 電子の弾性散乱波長と同程度かそれより
短い細線の導体リングと、このリングの対称の位置に設
けられた電極と、この電極によって分けられる前記リン
グの両方の枝にそれぞれ共鳴トンネルバリアが設けら
れ、トンネルバリアにそのポテンシャルの形を変えるた
めの電極が設けられ、それぞれの共鳴トンネルバリアの
ポテンシャルの形を変えて共鳴準位を異ならせることで
コンダクタンスの変調を行う手段を有することを特徴と
する電子波動固体増幅器。 - 【請求項２】 それぞれの共鳴トンネルバリアのポテン
シャルの形を同じにし、前記電極で分けられるリングの
少なくとも一方の枝に静電ポテンシャルを印加するか、
あるいはリングを貫く磁束を印加するか、あるいは静電
ポテンシャルと磁束の両方を印加して、一つの枝と他の
枝の間に電子波の位相差を生じさせる請求項１に記載の
電子波動固体増幅器。 - 【請求項３】 電子の弾性散乱波長と同程度かそれより
短い細線の導体リングと、このリングの対称位置に設け
られた電極と、この電極とリングの間にバリアを設け、
しかも前記電極で分けられるリングの少なくとも一方の
枝に静電ポテンシャルを印加するか、あるいはリングを
貫く磁束を印加するか、あるいは静電ポテンシャルと磁
束の両方を印加して、一つの枝と他の枝の間に電子波の
位相差を生じさせてコンダクタンスの変調を行うことを
特徴とする電子波動固体増幅器。 - 【請求項４】 電極とリングの間に設けるバリアとし
て、ポテンシャルの井戸の底がバリアの外側の導体より
も低い共鳴トンネルバリアを用いる請求項１、２または
３に記載の電子波動固体増幅器。 - 【請求項５】 ポテンシャルの井戸の最も底の共鳴レベ
ルがバリアの外側の導体のフェルミレベルに一致する請
求項４に記載の電子波動固体増幅器。 - 【請求項６】 周期的なポテンシャルバリアで共鳴トン
ネル効果によって通過する単色の電子波をポテンシャル
バリアの周期性を電気的に乱すことによって共鳴トンネ
ルバリアの透過性を変調して、共鳴トンネルのコンダク
タンスを変調することを特徴とする固体増幅器。 - 【請求項７】 電子の弾性散乱波長と同程度かそれより
短い細線の導体リングと、このリングの対称の位置に設
けられた電極と、電子波が入射する側の電極とリングの
間に周期的なポテンシャルバリアを設けて電子波を単色
化する手段と、前記電極で分けられるリングの少なくと
も一方の枝に静電ポテンシャルを印加するか、あるいは
リングを貫く磁束を印加するか、あるいは静電ポテンシ
ャルと磁束の両方を印加して、一つの枝と他の枝の間に
電子波の位相差を生じさせてコンダクタンスの変調を行
うことを特徴とする電子波動固体増幅器。 - 【請求項８】 周期的なポテンシャルバリアとして、ポ
テンシャルの井戸の底がバリアの外側の導体よりも低い
共鳴トンネルバリアを用いる請求項６または７に記載の
電子波動固体増幅器。 - 【請求項９】 ポテンシャルの井戸の最も底の共鳴レベ
ルがバリアの外側の導体のフェルミレベルに一致する請
求項８に記載の電子波動固体増幅器。 - 【請求項１０】 電子の弾性散乱波長と同程度かそれよ
り短い細線の導体リングと、このリングの対称の位置に
設けられた電極と、この電極とリングの間にバリアを設
け、しかも前記電極で分けられるリングの少なくとも一
方の枝に静電ポテンシャルを印加するか、あるいは静電
ポテンシャルと磁束の両方を印加して、リングを通過す
る電磁波を変調することを特徴とする電磁波変調器。 - 【請求項１１】 電子の弾性散乱波長と同程度かそれよ
り短い細線の導体リングと、このリングの対称の位置に
設けられた電極を有する素子を複数個直列に接続し、前
記電極で分けられる個々のリングの少なくとも一方の枝
に静電気ポテンシャルを印加するか、あるいはこれらす
べてのリングを貫く磁束を印加するか、あるいは静電ポ
テンシャルと磁束の両方を印加して、その際現れる共鳴
ピークを用いてコンダクタンスを変調することを特徴と
する増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740793A JP2581412B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 電子波動固体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740793A JP2581412B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 電子波動固体増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115206A JPH07115206A (ja) | 1995-05-02 |
| JP2581412B2 true JP2581412B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17305952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25740793A Expired - Fee Related JP2581412B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 電子波動固体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581412B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25740793A patent/JP2581412B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115206A (ja) | 1995-05-02 |
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