JP2576421B2 - Dicing equipment - Google Patents

Dicing equipment

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JP2576421B2
JP2576421B2 JP23656494A JP23656494A JP2576421B2 JP 2576421 B2 JP2576421 B2 JP 2576421B2 JP 23656494 A JP23656494 A JP 23656494A JP 23656494 A JP23656494 A JP 23656494A JP 2576421 B2 JP2576421 B2 JP 2576421B2
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Japan
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wafer
blade
pure water
amount
cutting
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一夫 三原
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板である円形
状のウェーハ上に縦横に配列され形成された複数の半導
体回路素子を回転する円盤状のブレードで個々の半導体
回路素子に切断分割するダイシング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cutting and dividing a plurality of semiconductor circuit elements arranged in a matrix on a circular wafer as a semiconductor substrate into individual semiconductor circuit elements by a rotating disk-shaped blade. It relates to a dicing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置の製造においては、
大きな口径をもつウェーハに多数の半導体回路素子を縦
横に並べて形成してから、ダイアモンド研粒をメタルボ
ンドに埋込まれたブレードを回転させながらウェーハの
半導体回路素子を区画するスクライブ線に沿って走行さ
せ、個々の半導体回路素子片つまりチップに分割してい
た。また、この切断する際に発生するウェーハの発熱や
ブレードの燒損を防止するための冷却と、切断で生じる
切屑をウェーハから排除するために研削液をブレードと
ウェーハに噴射していた。さらに、ウェーハの半導体回
路素子は高度の洗浄度を要求されるため、研削液として
は、高価な純水を使用しなければならなかった。
2. Description of the Related Art Generally, in the manufacture of semiconductor devices,
After forming a large number of semiconductor circuit elements on a wafer with a large diameter in a row, they run along the scribe line that separates the semiconductor circuit elements on the wafer while rotating a blade embedded with diamond abrasive grains in a metal bond. And divided into individual semiconductor circuit element pieces, that is, chips. Further, a cooling liquid has been sprayed onto the blade and the wafer in order to prevent heat generation of the wafer and burnout of the blade generated during the cutting, and to remove chips generated by the cutting from the wafer. Furthermore, since the semiconductor circuit elements on the wafer require a high degree of cleaning, expensive pure water had to be used as the grinding fluid.

【0003】図2は従来のダイシング装置の一例におけ
る概略を示す図、図3は図2のウェーハを示す平面図で
ある。従来、この種のダイシング装置は、図2に示すよ
うに、ウェーハ11を保持具7とともに保持するチャッ
クテーブル3と、ブレード1を30.000rpm回転
という一定回転速度にする回転駆動部6aと、流量調節
部2aより供給される純水10を噴射するノズル9a
と、チャックテーブル3をブレード1に対し相対的に移
動させる駆動機構部4aと、ブレード1の回転駆動部6
aと駆動機構部4aを制御する制御部5aとを備えてい
た。
FIG. 2 is a view schematically showing an example of a conventional dicing apparatus, and FIG. 3 is a plan view showing the wafer of FIG. Conventionally, as shown in FIG. 2, this type of dicing apparatus includes a chuck table 3 for holding a wafer 11 together with a holder 7, a rotation driving unit 6a for rotating the blade 1 at a constant rotation speed of 30.000 rpm, Nozzle 9a that injects pure water 10 supplied from control unit 2a
A driving mechanism 4a for moving the chuck table 3 relative to the blade 1;
a and a control unit 5a for controlling the drive mechanism unit 4a.

【0004】このダイシング装置でウェーハを切断する
には、まず、制御部5aの信号によりチャックテーブル
3を移動させ、図3に示すように、ウェーハ11のいず
れかの端部から複数回の走行による軌跡12を描きブレ
ード1でウェーハ11の一方向を研削切断し、次に、チ
ャックテーブルを90度回転させてから、チャックテー
ブル3を走行させ軌跡12に直交する軌跡を描きウェー
ハ11を矩形状の半導体回路素子の個片に切断分割して
いた。
In order to cut a wafer with this dicing apparatus, first, the chuck table 3 is moved by a signal from a control unit 5a, and as shown in FIG. The trajectory 12 is drawn and one direction of the wafer 11 is ground and cut by the blade 1, and then the chuck table 3 is rotated by 90 degrees. It has been cut and divided into individual pieces of semiconductor circuit elements.

【0005】この軌跡12を走行させ研削切断中は、チ
ャックテーブル3を移動させる駆動機構部4aとブレー
ド1を回転させる回転駆動部6aとを制御する制御部5
aとは独立して純水10の流量は流量調節部2aで設定
しノズル9aから一定量の純水10をブレード1および
ウェーハ11に噴射していた。
A control unit 5 for controlling a driving mechanism 4a for moving the chuck table 3 and a rotation driving unit 6a for rotating the blade 1 during the grinding and cutting along the locus 12.
The flow rate of the pure water 10 was set by the flow rate control unit 2a independently of a, and a certain amount of the pure water 10 was jetted from the nozzle 9a to the blade 1 and the wafer 11.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイシ
ング装置では、ウェーハ11を切断するときあるいは切
断しないときも純水10の供給量は一定にしブレード1
が走行している限りノズル9aより噴射していた。しか
も冷却を十分に行なうために洗浄に必要な量より過多に
供給されていた。このため実際にウェーハ11を切って
いない状態(図3のウェーハ11上以外の軌跡12)で
も純水10は供給され続け高価な純水10が無駄に使用
されていた。また、ウェーハ11の大型化に伴う生産能
力の向上のためにブレード1の回転数及びチャックテー
ブル3の移動速度を上げると切屑量が増加する。当然、
発生する切屑量に応じて純水10の供給量を設定するこ
ととなり、純水10をさらに無駄にすることになる。
In the above-mentioned conventional dicing apparatus, the supply amount of the pure water 10 is kept constant even when the wafer 11 is cut or not.
Was ejected from the nozzle 9a as long as the vehicle was traveling. In addition, in order to perform sufficient cooling, the amount was supplied in excess of the amount required for cleaning. Therefore, even when the wafer 11 is not actually cut (the locus 12 other than on the wafer 11 in FIG. 3), the pure water 10 is continuously supplied and the expensive pure water 10 is wasted. Further, if the rotation speed of the blade 1 and the moving speed of the chuck table 3 are increased in order to improve the production capacity with the increase in the size of the wafer 11, the amount of chips increases. Of course,
The supply amount of the pure water 10 is set according to the amount of generated chips, and the pure water 10 is further wasted.

【0007】一方、ウェーハ11を切り込んでいないと
きにもブレード1は高速回転しているので、噴射された
純水がブレード1に衝突し、メタルボンドより脱離され
かけたダイアモンド研粒片や研粒間に介在する切屑が回
転力と純水の噴射力とでかえって離脱し易くなり、ブレ
ード1より研粒や切屑が飛散してウェーハ11の面に付
着するという問題を含んでいる。この研粒や切屑が付着
した半導体回路素子片は後工程で重大な品質上の問題を
引起すことになる。
On the other hand, even when the wafer 11 is not cut, since the blade 1 is rotating at a high speed, the jetted pure water collides with the blade 1 and the diamond particles and the diamond particles which are about to be detached from the metal bond. The chips interposed between the grains are more likely to be separated by the rotational force and the jetting force of the pure water, and there is a problem that the grains and the chips are scattered from the blade 1 and adhere to the surface of the wafer 11. The semiconductor circuit element pieces to which the granules and chips have adhered cause serious quality problems in a later process.

【0008】従って、本発明の目的は、純水の消費量が
少なくて済みかつウェーハの清浄度を保ち切断できるダ
イシング装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a dicing apparatus which requires less consumption of pure water and can cut the wafer while keeping the wafer clean.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板である円形状のウェーハ上に縦横に配列され形成さ
れた複数の半導体回路素子を回転する円盤状のブレード
で個々の該半導体回路素子に切断分割するダイシング装
置において、前記ブレードを回転させる回転駆動部と、
前記ウェーハを保持し移動させるチャックテーブルと、
このチャックテーブルを移動し前記ウェーハと前記ブレ
ードとを相対的に走行させる駆動部と、前記ブレードと
前記ウェーハとに純水を噴射するノズルと、前記ブレー
ドが前記ウェーハを切断中は前記純水の噴射量を適切な
量に設定し前記ブレードが前記ウェーハを切断してない
ときは前記純水の噴射量が前記適切な量より少なく設定
する制御手段とを備えるダイシング装置である。また、
前記ウェーハを切断していないときの前記ブレードの回
転数は前記ウェーハを切断しているときの回転数より低
いことが望ましい。
SUMMARY OF THE INVENTION The feature of the present invention is that a plurality of semiconductor circuit elements arranged and formed in a matrix on a circular wafer as a semiconductor substrate are individually rotated by a disk-shaped blade. In a dicing device that cuts and divides into elements, a rotation drive unit that rotates the blade,
A chuck table for holding and moving the wafer,
A driving unit that moves the chuck table to relatively move the wafer and the blade, a nozzle that injects pure water to the blade and the wafer, and the pure water while the blade is cutting the wafer. A dicing apparatus comprising: a controller configured to set an injection amount to an appropriate amount and set the injection amount of the pure water to be smaller than the appropriate amount when the blade does not cut the wafer. Also,
It is preferable that the rotation speed of the blade when the wafer is not cut is lower than the rotation speed when the wafer is cut.

【0010】[0010]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0011】図1(a)および(b)は本発明のダイシ
ング装置の一実施例を説明するためのダイシング装置の
概略を示す図およびタイムチャートである。このダイシ
ング装置は、図1(a)に示すように、円形状のウェー
ハ11を一方向にブレード1とウェーハとが相対的に移
動する毎にブレード1がウェーハ11を切断中は適切な
純水10の噴出量を設定しブレード1がウェーハ11を
切り込まないときは純水10の流量を適切な量より少な
く設定するようにプログラムするプログラムシーケンサ
8を制御部に連結させ設けたことである。それ以外の駆
動機構部4,チャックテーブルおよび保持具7並びにノ
ズル9は従来例と同じである。
FIGS. 1A and 1B are a schematic diagram and a time chart of a dicing apparatus for explaining an embodiment of the dicing apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1 (a), this dicing apparatus uses a suitable pure water while the blade 1 cuts the wafer 11 every time the blade 1 and the wafer move relatively in one direction. When the ejection amount is set to 10 and the blade 1 does not cut the wafer 11, a program sequencer 8 that programs the flow rate of the pure water 10 to be set smaller than an appropriate amount is connected to the control unit. The other drive mechanism 4, chuck table and holder 7, and nozzle 9 are the same as in the conventional example.

【0012】また、切断していないときのブレード1の
回転数は、プログラムシーケンサ8によって切込み中の
回転数より低く設定することが望ましい。このプログラ
ムシーケンサ8は特別に設計製作することなく市販のも
のを使用することごできるので従来のダイシング装置に
単に組込むことによって改造できるので安価に済むとい
う利点がある。
It is desirable that the rotation speed of the blade 1 when not cutting is set lower than the rotation speed during cutting by the program sequencer 8. This program sequencer 8 can be a commercially available program sequencer without special design and manufacture, and can be modified simply by assembling it into a conventional dicing apparatus.

【0013】このプログラムシーケンサ8への設定は、
例えば、図1(b)に示すように、ブレード1のウェー
ハ11面上を走行する各ストローク毎に純水10の設定
流量の異なる流量調節部2bと2cとのバルブ13aと
13bの開閉の切替えのタイミングと、回転駆動部6の
速度切替えのタイミングとをプログラムすることでであ
る。
The setting for the program sequencer 8 is as follows:
For example, as shown in FIG. 1B, switching of the opening and closing of valves 13a and 13b of flow control units 2b and 2c having different set flow rates of pure water 10 for each stroke of blade 1 traveling on wafer 11 surface. And the timing of the speed switching of the rotation drive unit 6 are programmed.

【0014】なお、流量調節部2b,2cは一種の流量
調節弁であって、高流量側の流量調節部13aを例えば
3.3l/minに予じめ設定し、低流量側の流量調節
部2cを例えば1l/minに設定しておけば、バルブ
13a,13bの開閉によって、任意の時期に毎分3.
3リットルかあるいは毎分1リットルの純水10を噴出
することができる。
The flow rate control units 2b and 2c are a kind of flow rate control valve. The flow rate control unit 13a on the high flow rate side is preset to, for example, 3.3 l / min, and the flow rate control unit on the low flow rate side is set. If 2c is set to, for example, 1 l / min, the valves 13a and 13b are opened and closed at an arbitrary time every minute.
3 liters or 1 liter per minute of pure water 10 can be spouted.

【0015】一方、回転駆動部6でのブレード1の回転
数の切替えは、例えば、回転駆動部6に内蔵する同軸の
電磁クラッチ・ブレーキで行われる。そして、ブレード
1がウェーハ11を切込み始め切込み終了するまで電磁
クラッチを作動させ適切な回転数でブレード1を回転さ
せ、切込みが終了し単にブレード1がウェーハ11以外
の領域を走行しているときやウェーハ11上を通り越し
元位置側に戻るために走行しているときは、電磁ブレー
キを作動させ所定の回転数まで落し所定の回転数に達し
たら電磁ブレーキを開放する。そして、再び、ウェーハ
11を切込み始めるときに電磁クラッチを作動させブレ
ード1の適切な回転数にする。
On the other hand, the switching of the number of rotations of the blade 1 in the rotary drive unit 6 is performed by, for example, a coaxial electromagnetic clutch / brake built in the rotary drive unit 6. Then, the blade 1 starts to cut the wafer 11, the electromagnetic clutch is operated until the cutting is completed, and the blade 1 is rotated at an appropriate rotation speed. When the cutting is completed and the blade 1 is simply traveling in an area other than the wafer 11, When the vehicle is traveling to pass over the wafer 11 and return to the original position side, the electromagnetic brake is actuated to reduce the rotational speed to a predetermined rotational speed, and release the electromagnetic brake when the rotational speed reaches the predetermined rotational speed. Then, when the cutting of the wafer 11 is started again, the electromagnetic clutch is operated to set the blade 1 to an appropriate rotation speed.

【0016】次に、このダイシング装置の動作を説明す
る。まず、予じめ、プログラムシーケンサ8にウェーハ
11を切断するときのブレード1のストローク毎にバル
ブ13a,13bのタイミングとブレード1の回転数の
切替えのタイミングを設定する。そして、ウェーハ11
を粘着シートとフレームとでなる保持具7とともにチャ
ックテーブル3に取付ける。
Next, the operation of the dicing apparatus will be described. First, the timing of the valves 13a and 13b and the timing of switching the number of revolutions of the blade 1 are set for each stroke of the blade 1 when cutting the wafer 11 in the program sequencer 8 in advance. And the wafer 11
Is attached to the chuck table 3 together with the holder 7 composed of an adhesive sheet and a frame.

【0017】次に、ブレード1とチャックテーブル3の
位置を原点位置にする。この原点位置は、図面では示さ
ないが、ウェーハ11からブレードが最も離れた位置で
かつブレード1の走行線がウェーハ11の最外側のスク
ライブ線と一致する位置である。次に、原点位置でブレ
ードは上述した電磁クラッチ・ブレーキの動作で低速回
転数で、例えば、8000rpmに回転させる。これと
同時にバルブ13aは閉じバルブ13bを開き、純水を
例えば1l/minを流す。そして、チャックテーブル
3の切り込み時の送り速度を例えば80mm/minに
ブレード1の戻し速度を例えば300mm/minにそ
れぞれ設定する。
Next, the positions of the blade 1 and the chuck table 3 are set to the origin positions. Although not shown in the drawing, this origin position is a position where the blade is farthest from the wafer 11 and where the running line of the blade 1 coincides with the outermost scribe line of the wafer 11. Next, at the origin position, the blade is rotated at a low speed, for example, 8000 rpm by the operation of the electromagnetic clutch / brake described above. At the same time, the valve 13a closes and the valve 13b is opened, and pure water flows at, for example, 1 l / min. Then, the feed speed at the time of cutting the chuck table 3 is set to, for example, 80 mm / min, and the return speed of the blade 1 is set to, for example, 300 mm / min.

【0018】次に、原点位置からチャックテーブル3が
移動しブレード1がP1点に到達すると、回転駆動部6
とプログラムシーケンサ8によりブレード1は高速回転
に切替えられる。さらに、ブレード1がP2に至るとバ
ルブ13bが閉じバルブ13aが開き、ノズル9からの
純水10の吐出量が、例えば、3.3l/minに増量
される。ブレード1の回転数が、例えば、毎分3000
0回転,純水10の噴出量が3.3l/minになる
と、ブレード1はウェーハ11を切込み始める。ここ
で、P1およびP2点とウェーハ11のエッジとの距離
設定に際しては、チャックテーブル3の送り速度による
ウェーハエッジへの到達時間とブレード1の高速回転の
立ち上り時間および純水の供給速度の立上り時間を考慮
して決めることが望ましい。
Next, when the chuck table 3 moves from the origin position and the blade 1 reaches the point P1, the rotation driving unit 6
And the program sequencer 8 switches the blade 1 to high-speed rotation. Further, when the blade 1 reaches P2, the valve 13b is closed and the valve 13a is opened, and the discharge amount of the pure water 10 from the nozzle 9 is increased to, for example, 3.3 l / min. The number of revolutions of the blade 1 is, for example, 3000 per minute.
When the rotation amount of the pure water 10 reaches 0 l / min, the blade 1 starts to cut the wafer 11. Here, when setting the distance between the points P1 and P2 and the edge of the wafer 11, the arrival time to the wafer edge by the feed speed of the chuck table 3, the rise time of the high-speed rotation of the blade 1, and the rise time of the supply speed of pure water are set. It is desirable to decide in consideration of.

【0019】次に、ブレード1がP3点に到達するとブ
レード1の回転数が低速に切替わり、P4点に到達する
とバルブ13aが閉じバルブ13bが開き純水10の噴
出量が少なくなる。そして、チャックテーブル3が元位
置側に300mm/minの速度で早戻りし、再び、ブ
レード1がP5点に到達するとブレード1の回転数は高
速に切替わり、P6点に到達すると純水10の噴出量が
増加する。そして、ブレード1はウェーハ11への切込
みを開始し、ブレード1がウェーハ11のP7点に到達
すると、ブレード1の回転は低速に切替えられ、P8に
到達しブレード1のウェーハ11の切断が終了するとノ
ズル9からの純水10の噴出量がバルブの切替えにより
少なくなる。
Next, when the blade 1 reaches the point P3, the rotation speed of the blade 1 is switched to a low speed, and when the blade 1 reaches the point P4, the valve 13a is closed and the valve 13b is opened, and the amount of pure water 10 jetted decreases. Then, the chuck table 3 quickly returns to the original position at a speed of 300 mm / min. When the blade 1 reaches the point P5 again, the rotation speed of the blade 1 is switched to high speed. The amount of spout increases. Then, the blade 1 starts cutting into the wafer 11, and when the blade 1 reaches the point P7 of the wafer 11, the rotation of the blade 1 is switched to low speed, and reaches P8, and when the cutting of the wafer 11 by the blade 1 is completed. The amount of pure water 10 ejected from the nozzle 9 is reduced by switching the valve.

【0020】このようにプログラムシーケンサ8に予じ
め設定された動作によりストローク毎にブレード1の回
転数の高低の切替えおよびバルブ13a,13bによる
純水10の噴出量の切替えを行ない一方向での切断を完
了する。次に、チャックテーブル3を90度回転させ、
前述の一方向と直角となる方向でプログラムシーケンサ
8に組み込まれたプログラムにより前述と同様にウェー
ハ11を前述の一方向と直角となる方向にブレード1を
走行させ賽目に切断して矩形状の半導体回路素子片の個
々に分割する。
As described above, the operation set in advance in the program sequencer 8 switches the rotation speed of the blade 1 for each stroke and the amount of the pure water 10 jetted by the valves 13a and 13b in one direction. Complete the disconnect. Next, the chuck table 3 is rotated 90 degrees,
In the same manner as described above, the wafer 1 is caused to travel in the direction perpendicular to the above-mentioned one direction by running the blade 1 by the program incorporated in the program sequencer 8 in the direction perpendicular to the above-mentioned one direction, and cut into dices to form a rectangular shape. The semiconductor circuit element pieces are divided individually.

【0021】ここで、純水の節約量がどの程度できるか
試算してみる。例えば、ブレードの切断時の走行速度を
80mm/min,反転時の走行速度を300mm/m
inとし、6インチ口径のウェーハを一方向に14スト
ロークずつブレードを走行させ10mm角の半導体回路
素子チップに分割したと想定し純水の使用量を従来の場
合と本発明の場合を試算してみる。
Here, a trial calculation will be made as to how much pure water can be saved. For example, the traveling speed when cutting the blade is 80 mm / min, and the traveling speed when reversing is 300 mm / m.
Assuming that a 6-inch diameter wafer was moved by a blade in each direction for 14 strokes in one direction and divided into 10-mm square semiconductor circuit element chips, the amount of pure water used was calculated for the conventional case and the present invention. View.

【0022】まず、従来の場合は、ブレードが走行中、
常に3.3l/minの純水を流し、ブレードの一スト
ロークをウェーハの直径6インチ(約150mm)より
稍大きい170mmとし、切断分割するためのストロー
ク回数を一方向での往復による回数と一方向に直角の方
向での往復回数を総計すると、14×4=56回数とな
り、ブレードの総走行距離は170×56=9520m
mとなる。そして、この内の半分の距離は切断のために
走行した距離で、残りの半分の距離は単にブレードを元
位置側に戻す距離である。
First, in the conventional case, while the blade is running,
A pure water flow of 3.3 l / min is always flowed, one stroke of the blade is set to 170 mm, which is slightly larger than the diameter of the wafer of 6 inches (about 150 mm), and the number of strokes for cutting and dividing is the number of times of reciprocating in one direction and one direction. The total number of reciprocations in the direction perpendicular to the direction is 14 × 4 = 56, and the total travel distance of the blade is 170 × 56 = 9520 m
m. Half of the distance is the distance traveled for cutting, and the other half is simply the distance to return the blade to the original position.

【0023】そして、この総走行距離を走破する時間
は、9520mm/2÷80mm/min+9520m
m/2÷300mm/min=75.3minとなる。
すなわち、150mm直径のウェーハを切断分割するの
に消費する純水の量は、3.3l/min×75.3m
in=248.49lとなり、純水消費量は約250リ
ットルとなる。
The time required to travel through this total traveling distance is 9520 mm / 2 / 80 mm / min + 9520 m
m / 2 ÷ 300 mm / min = 75.3 min.
That is, the amount of pure water consumed to cut and divide a 150 mm diameter wafer is 3.3 l / min × 75.3 m
in = 248.49 l, and the pure water consumption is about 250 liters.

【0024】これに対し本発明では、円形であるウェー
ハ部分のみ3.3l/minの流量で純水を噴射し、1
70mmの正方形領域から円形のウェーハの直径150
mmという円形領域を差し引いた他の領域とブレードが
元位置に戻る距離では、上述したように1l/minと
いう少ない流量の噴出量の純水を流している。このこと
から、まず、ウェーハ以外の領域での走行距離を求める
と、正方形と円の面積比から、(1−3.14/4)×
9520mm=2046mmとなる。一方、ウェーハ面
での走行距離は9520mm−2046mm=7474
mmとなる。そして、ブレードが元位置に戻るために走
行する距離は、前述のように4760mmとなる。
On the other hand, in the present invention, pure water is jetted at a flow rate of 3.3 l / min only in the wafer portion having a circular shape.
70 mm square area to circular wafer diameter 150
As described above, pure water is discharged at a flow rate as small as 1 l / min at a distance where the blade returns to the original position from another area obtained by subtracting the circular area of mm. From this, first, when the traveling distance in a region other than the wafer is obtained, the area ratio between the square and the circle is (1−3.14 / 4) ×
9520 mm = 2046 mm. On the other hand, the traveling distance on the wafer surface is 9520 mm-2046 mm = 7474.
mm. Then, the distance traveled by the blade to return to the original position is 4760 mm as described above.

【0025】次に、これらブレードの走行する時間から
純水の消費量を求める。まず、ウェーハ面上を純水3.
3l/minを噴射しながら走行する時間は、7474
mm/2÷80mm/min=46.7minとなり、
その消費量は、46.7min×3.3l/min=1
54lとなる。一方、1l/minの流量で走行する距
離は、ウェーハ面以外の領域では、2046mmの半分
の1023mmとなり、ブレードが元位置に戻る距離は
4760mmとなる。そして、その走破時間は、(10
23mm+4760mm)÷300mm/min=1
9.27minとなり、消費量は、19.27×1l/
min=19.27lとなる。
Next, the consumption of pure water is determined from the running time of these blades. First, pure water is applied on the wafer surface.
The running time while injecting 3 l / min is 7474.
mm / 2 ÷ 80 mm / min = 46.7 min,
The consumption is 46.7 min × 3.3 l / min = 1.
54l. On the other hand, the distance traveled at a flow rate of 1 l / min is 1023 mm, which is half of 2046 mm, in the region other than the wafer surface, and the distance that the blade returns to the original position is 4760 mm. And the running time is (10
23mm + 4760mm) ÷ 300mm / min = 1
9.27 min, the consumption is 19.27 × 1 l /
min = 19.27 l.

【0026】従って、本発明による純水の消費量は、1
54リットル+19.27リットル=173.27リッ
トルとなる。従来の250リットルに比べ30パーセン
ト以上節約できる。
Therefore, the consumption of pure water according to the present invention is 1
54 liters + 19.27 liters = 173.27 liters. It can save more than 30% compared to the conventional 250 liters.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェーハ
を切断中のみ適切な流量の純水を噴射させウェーハを切
断しないときは少量の純水を流すようにブレードの走行
する経過時間でプログラムを組むプログラムシーケンサ
を設けることによって、純水の消費量を最小限にするこ
とができるという効果を有する。また、切断しないとき
には、純水の噴射量を少なくするとともにブレードの回
転数を落すことによって、研粒や切屑の飛散するのを避
けウェーハへの再付着を防止し切断分割後も清浄度を保
つことができるという効果もある。
As described above, according to the present invention, an appropriate flow rate of pure water is sprayed only when a wafer is being cut, and a small amount of pure water is supplied when the wafer is not cut. By providing a program sequencer, the consumption of pure water can be minimized. Also, when not cutting, reduce the injection amount of pure water and reduce the number of revolutions of the blade to prevent scattering of chips and chips, prevent reattachment to the wafer, and maintain cleanliness after cutting and dividing. There is also an effect that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のダイシング装置の一実施例を説明する
ためのダイシング装置の概略を示す図およびタイムチャ
ートである。
FIG. 1 is a schematic diagram and a time chart of a dicing apparatus for explaining one embodiment of a dicing apparatus of the present invention.

【図2】従来のダイシング装置の一例における概略を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an example of a conventional dicing apparatus.

【図3】図2のウェーハを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the wafer of FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ブレード 2a,2b,2c 流量調節部 3 チャックテーブル 4,4a 駆動機構部 5,5a 制御部 6,6a 回転駆動部 7 保持具 8 プログラムシーケンサ 9,9a ノズル 10 純水 11 ウェーハ 13a,13b バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Blade 2a, 2b, 2c Flow control part 3 Chuck table 4, 4a Drive mechanism part 5, 5a Control part 6, 6a Rotation drive part 7 Holder 8 Program sequencer 9, 9a Nozzle 10 Pure water 11 Wafer 13a, 13b Valve

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体基板である円形状のウェーハ上に
縦横に配列され形成された複数の半導体回路素子を回転
する円盤状のブレードで個々の該半導体回路素子に切断
分割するダイシング装置において、前記ブレードを回転
させる回転駆動部と、前記ウェーハを保持し移動させる
チャックテーブルと、このチャックテーブルを移動し前
記ウェーハと前記ブレードとを相対的に走行させる駆動
部と、前記ブレードと前記ウェーハとに純水を噴射する
ノズルと、前記ブレードが前記ウェーハを切断中は前記
純水の噴射量を適切な量に設定し前記ブレードが前記ウ
ェーハを切断してないときは前記純水の噴射量が前記適
切な量より少なく設定する制御手段とを備えることを特
徴とするダイシング装置。
1. A dicing apparatus which cuts and divides a plurality of semiconductor circuit elements arranged and arranged in a matrix on a circular wafer as a semiconductor substrate into individual semiconductor circuit elements by a rotating disk-shaped blade. A rotation drive unit for rotating a blade, a chuck table for holding and moving the wafer, a drive unit for moving the chuck table and relatively moving the wafer and the blade, and a pure drive for the blade and the wafer. Nozzle for injecting water, the jetting amount of the pure water is set to an appropriate amount while the blade is cutting the wafer, and the jetting amount of the pure water is not appropriate when the blade is not cutting the wafer. Control means for setting the amount to be less than an appropriate amount.
【請求項2】 前記ウェーハを切断していないときの前
記ブレードの回転数は前記ウェーハを切断しているとき
の回転数より低いことを特徴とする請求項1記載のダイ
シング装置。
2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the rotation speed of the blade when the wafer is not cut is lower than the rotation speed when the wafer is cut.
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