JP2574385B2 - Force detection device - Google Patents
Force detection deviceInfo
- Publication number
- JP2574385B2 JP2574385B2 JP63099061A JP9906188A JP2574385B2 JP 2574385 B2 JP2574385 B2 JP 2574385B2 JP 63099061 A JP63099061 A JP 63099061A JP 9906188 A JP9906188 A JP 9906188A JP 2574385 B2 JP2574385 B2 JP 2574385B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bridge circuit
- single crystal
- type
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、例えばロボツト用力覚センサ、マンマシン
インターフエイスとしての三次元入力装置、三次元荷重
測定装置等に利用される力検出装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a force detection device used for, for example, a force sensor for a robot, a three-dimensional input device as a man-machine interface, a three-dimensional load measuring device, and the like.
従来の技術 従来の力検出装置としては、例えば実願昭61−166996
号に本出願人により出願されているものがある。すなわ
ち、第12図に示すように、起歪体１はその中心部が作用
部２とされ、その周辺部が支持部３とされており、これ
らの間には肉厚の薄い弾性変形面（ダイヤフラム）４が
形成されている。前記作用部２の下方には外力が作用す
る力伝達体５が形成されている。また、第13図に示すよ
うに、単結晶基板６の表層には前記力伝達体５に作用す
るX,Y,Z軸方向の力の成分力を検出するための検出素子
７が形成され、その表面には絶縁膜（SiO2）８を介し
て、Alパターン９が配線され後述するブリツジ回路を構
成している。また、前記単結晶基板６の外周端部には前
記検出素子７により検出された信号を外部へ取り出すリ
ードピン10が設けられている。そして、前記起歪体１の
前記ダイヤフラム４面上には前記単結晶基板６が接着固
定された状態になつている。2. Description of the Related Art As a conventional force detecting device, for example, Japanese Utility Model Application No. 61-166996
Some of the issues have been filed by the present applicant. That is, as shown in FIG. 12, the strain-generating body 1 has an action portion 2 at its center and a support portion 3 at its periphery, and a thin elastically deforming surface (between them). (Diaphragm) 4 is formed. A force transmitting body 5 to which an external force acts is formed below the action section 2. As shown in FIG. 13, a detection element 7 for detecting a component force of the X, Y, and Z axis directions acting on the force transmitting member 5 is formed on a surface layer of the single crystal substrate 6, An Al pattern 9 is wired on the surface via an insulating film (SiO 2 ) 8 to form a bridge circuit described later. Further, a lead pin 10 for extracting a signal detected by the detection element 7 to the outside is provided at an outer peripheral end of the single crystal substrate 6. The single crystal substrate 6 is bonded and fixed on the surface of the diaphragm 4 of the strain body 1.
このような構成において、単結晶基板６に検出素子７
を形成し、これを起歪体６の表面に接着した場合の問題
点について述べる。第13図は、単結晶基板がｎ型Si基板
６からなり、これにボロン等の不純物を拡散しＰ型拡散
領域11を形成した場合の様子を示す。これにより、Ｐ型
拡散領域11内に検出素子としてのＰ型拡散抵抗７が形成
される他に、そのＰ型拡散領域11をアノードとしｎ型Si
基板６をカソードとしたダイオード12が形成される。そ
して、そのＰ型拡散抵抗７は、第14図の内側に示すよう
なブリツジ回路13を構成している。なお、このようなブ
リツジ回路13は力のある一軸方向の成分力を検出するも
のであり、例えば３成分力を検出するような場合にはそ
のようなブリツジ回路13が３つ必要となる。In such a configuration, the detection element 7 is provided on the single crystal substrate 6.
Is formed, and a problem in the case where this is adhered to the surface of the strain body 6 will be described. FIG. 13 shows a state where a single crystal substrate is formed of an n-type Si substrate 6 and an impurity such as boron is diffused into the n-type Si substrate 6 to form a P-type diffusion region 11. As a result, in addition to forming the P-type diffusion resistor 7 as a detection element in the P-type diffusion region 11, the P-type diffusion region 11 is used as an anode and n-type Si
A diode 12 having the substrate 6 as a cathode is formed. The P-type diffusion resistor 7 constitutes a bridge circuit 13 as shown in FIG. It should be noted that such a bridge circuit 13 detects a strong uniaxial component force. For example, when detecting a three-component force, three such bridge circuits 13 are required.
また、ｎ型Si基板６を起歪体１の表面に接着固定する
場合には、第15図に示すように、まず起歪体１の表面に
Auメツキを行い、その上にプリフオーム材（Au/Si,Au/S
n等）を置き、さらにその上に、その裏面に予めスパツ
タ、蒸着等によりAu薄膜が形成されているｎ型Si基板６
を置く。そして、ｎ型Si基板６の裏面が共晶融点以上に
加熱され除冷され第16図に示すように共晶化されること
により、ｎ型Si基板６はその共晶化された導電性物質に
よつて起歪体１と強固に接着固定されたことになり、こ
れにより、クリープやヒステリシスが発生しないように
なつている。When the n-type Si substrate 6 is bonded and fixed to the surface of the strain body 1, first, as shown in FIG.
Au plating is performed, and preform material (Au / Si, Au / S
n), and an n-type Si substrate 6 on which an Au thin film is previously formed on its back surface by sputtering, vapor deposition, or the like.
Put. Then, the back surface of the n-type Si substrate 6 is heated to a temperature equal to or higher than the eutectic melting point and is cooled to be eutectic as shown in FIG. 16, whereby the n-type Si substrate 6 becomes the eutectic conductive material. As a result, it is firmly adhered and fixed to the flexure element 1, thereby preventing creep and hysteresis from occurring.
上述したように、ｎ型Si基板６内にＰ型拡散抵抗７と
ダイオード12とが形成され、そのｎ型Si基板６に導電性
物質により起歪体１の表面に接着固定されているわけで
あるが、これらの様子を回路で示すと第14図のように結
線されたものとなる。従つて、ｎ型Si基板６はダイオー
ド12、導電性物質を介して、起歪体１と接続された形と
なつているため、ｎ形Si基板６と起歪体１とは同電位の
状態となる。また、力伝達体５の先端には種々の力検出
用の図示しないアタツチメントが取付けられるわけであ
るが、そのアタツチメントは高い剛性が要求されその材
質としては導電性の金属物が多く使われるためそのアタ
ツチメントの電位がｎ型Si基板６の電位と等しくなる。As described above, the P-type diffused resistor 7 and the diode 12 are formed in the n-type Si substrate 6, and the n-type Si substrate 6 is bonded and fixed to the surface of the strain body 1 with a conductive material. However, if these states are shown by circuits, they are connected as shown in FIG. Accordingly, since the n-type Si substrate 6 is connected to the strain body 1 via the diode 12 and the conductive material, the n-type Si substrate 6 and the strain body 1 have the same potential. Becomes Attachments (not shown) for detecting various forces are attached to the tip of the force transmitting body 5. The attachments are required to have high rigidity, and a conductive metal material is often used as the material. The potential of the attachment becomes equal to the potential of the n-type Si substrate 6.
このような事実から従来の装置においては以下の例に
示すような問題を生じる。まず、第17図に示す例では、
アラツチメントに接触した被検出物の電圧Vhがブリツジ
回路13の励起電圧Vdよりも低い値を保つ場合の例であ
る。この場合、Vdの＋側に近いＰ型拡散抵抗７のダイオ
ード12が正バイアスされやすいため、本来各抵抗を流れ
るべき電流I1，I2の一部がそのダイオード12を介してリ
ーク電流Il1，Il2として起歪体１側へ漏れ出てしまい、
これにより検出電圧V0に誤差が発生し正確な力検出を行
うことがことができないという問題を生じる。また、第
18図に示す例では、アラツチメントに接触した被検出物
の電圧Vhが交流電圧Vacを含む励起電圧Vdよりも高くな
つた場合には、ブリツジ回路13に誘導性や容量性のノイ
ズが現われて正確な力検出を行うことができないという
問題を生じる。Due to such a fact, the conventional apparatus has the following problems. First, in the example shown in FIG.
This is an example of a case where the voltage Vh of the object in contact with the attachment keeps a value lower than the excitation voltage Vd of the bridge circuit 13. In this case, since the diode 12 of the P-type diffused resistor 7 is likely to be positively biased close to the + side of Vd, the current should flow through the resistor original I 1, the leakage current portion of I 2 via the diode 12 I l1 , I l2 leaked to the strain body 1 side,
This causes a problem that an error occurs in the detection voltage V 0 and accurate force detection cannot be performed. Also,
In the example shown in FIG. 18, when the voltage Vh of the object in contact with the attachment becomes higher than the excitation voltage Vd including the AC voltage Vac, inductive or capacitive noise appears in the bridge circuit 13 and the accurate detection is performed. A problem arises in that it is not possible to perform an accurate force detection.
目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、単結
晶基板上のブリツジ回路の各部の電位を外部ノイズから
分離して常に一定に保つことにより、正確な力検出を行
うことが可能な力検出装置を得ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to perform accurate force detection by separating the potential of each part of a bridge circuit on a single crystal substrate from external noise and keeping the potential constant at all times. It is an object to obtain a simple force detection device.
構成 本発明は、中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部
とし他方を作用部とする起歪体を設け、この起歪体の表
面に機械的変形により電気抵抗を変化させる検出素子が
ブリツジ回路として接続され形成された単結晶基板を接
着固定し、この単結晶基板上に配線されたブリツジ回路
に所定部の電位を設定したノイズ分離手段を設けたこと
によつて、外部か侵入するノイズを分離して単結晶基板
上のブリツジ回路の各部の電位を一定に保つことができ
る。特に、その所定部としてブリツジ回路と単結晶基板
との間で互いに絶縁状態となるように電位を設定するこ
とによつて、ブリツジ回路における検出電圧の検出誤差
をなくし、正確にしかも常に安定した状態で力の成分力
の検出を行うことができる。Configuration The present invention provides a flexure element having one of a central portion and a peripheral portion as a support portion and the other as an action portion, and a detection element that changes electric resistance by mechanical deformation on the surface of the flexure element is provided. A single crystal substrate connected and formed as a bridge circuit is bonded and fixed, and the bridge circuit wired on the single crystal substrate is provided with noise separating means for setting the potential of a predetermined portion. By separating noise, the potential of each part of the bridge circuit on the single crystal substrate can be kept constant. In particular, by setting the potential of the bridge circuit and the single crystal substrate as a predetermined portion so that the bridge circuit and the single crystal substrate are insulated from each other, a detection error of the detection voltage in the bridge circuit is eliminated, and an accurate and always stable state is achieved. Can be used to detect the component force of the force.
本発明の第一の実施例を第１図に基づいて説明する。
なお、力検出装置の全体構成については従来技術で説明
したのでここでは省略し、同一部分については同一符号
を用いる。A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Since the entire configuration of the force detection device has been described in the related art, it is omitted here, and the same reference numerals are used for the same portions.
単結晶基板（ｎ型Si基板）６上には検出素子（Ｐ型拡
散抵抗）７が形成されブリツジ回路を構成している。端
子ac間にはブリツジ励起電圧Vdが印加され、端子bd間に
は検出電圧V0を検出するための検出計が接続されてい
る。また、ｎ型Si基板６の下部に形成されたダイオード
12は、接着剤である図示しない導電性物質を介して、起
歪体１上の接続点e,f,g,hに接続されており、これら接
続点e,f,g,hは互いに共通電位となつている。そして、
本発明であるノイズ分離手段14としてのVdより高い電圧
をもつ電圧Vbは、その＋極側を起歪体１上の接続点ｈと
し、その一極側をｎ型Si基板６上の接続点ｃとしてその
間で接続されている。On a single-crystal substrate (n-type Si substrate) 6, a detection element (P-type diffusion resistor) 7 is formed to constitute a bridge circuit. Between terminals ac is applied Buritsuji excitation voltage Vd, detection meter for detecting a detection voltage V 0 is connected between the terminals bd. Also, a diode formed below the n-type Si substrate 6
Numeral 12 is connected to connection points e, f, g, h on the flexure element 1 via a conductive material (not shown) which is an adhesive, and these connection points e, f, g, h are common to each other. Potential. And
The voltage Vb having a voltage higher than Vd as the noise separating means 14 according to the present invention has a positive pole side as a connection point h on the strain body 1 and a single pole side as a connection point on the n-type Si substrate 6. It is connected between them as c.
このような構成において、電圧Vbによりｎ型Si基板６
と起歪体１との間に接続された４個のダイオード12は、
電圧Vbにより逆バイアスされた形となつている。従つ
て、従来技術（第17図参照）で述べたようなダイオード
12を介してリーク電流Il1，Il2が流れるようなことがな
いので、ブリツジ回路13の各部の電位は一定に保たれ検
出電圧V0に誤差が発生するようなことがなくなり正常な
力検出を行うことができる。また、外部ノイズとしての
電圧Vhをもつ被検出物が力伝達体５に接続された図示し
ないアタツチメントに接触し、電圧Vhが接続点ｈに接続
されたような場合でも、ｎ型Si基板６と起歪体１とは電
圧Vbにより強制的に一定電位に保たれているので、ノイ
ズの影響を受けることなく常に安定した力検出を行うこ
とができる。In such a configuration, the n-type Si substrate 6
The four diodes 12 connected between and the strain body 1
It is reverse biased by the voltage Vb. Therefore, the diode as described in the prior art (see FIG. 17)
Since the leak currents I l1 and I l2 do not flow through the circuit 12, the potential of each part of the bridge circuit 13 is kept constant, and no error occurs in the detection voltage V 0 and the normal force detection is performed. It can be performed. Further, even when an object having a voltage Vh as external noise comes into contact with an attachment (not shown) connected to the force transmitting body 5 and the voltage Vh is connected to the connection point h, the n-type Si substrate 6 is not connected. Since the flexure element 1 is forcibly maintained at a constant potential by the voltage Vb, it is possible to always perform stable force detection without being affected by noise.
しかし、ノイズ発生源である電圧Vhの内部抵抗が電圧
Vbの内部抵抗に比べ著しく小さい（例えば、第２図に示
すように、ノイズ発生防止や帯電防止のためにアース接
続されている）ようなものに対しては、以下に述べるよ
うな実施例のものを用いて力検出を行うようにする。However, the internal resistance of the voltage Vh
For the case where the internal resistance is significantly smaller than the internal resistance of Vb (for example, as shown in FIG. 2, grounding is performed to prevent noise generation and charging), an embodiment described below is used. The force detection is performed by using an object.
次に、本発明の第二の実施例を第３図ないし第７図に
基づいて説明する。本実施例は、ビリツジ励起電圧Vdを
ノイズ分離手段14として用い、各検出素子７とｎ型Si基
板６との間のダイオードを常に逆バイアスすることによ
りノイズを分離して正常な力検出を行わせるものであ
る。すなわち、ｎ型Si基板６上の端子ac間において電圧
Vdを第一の実施例とは逆方向に印加（接続点ｃ側が＋
極）する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the billet excitation voltage Vd is used as the noise separating means 14, and the diode between each detecting element 7 and the n-type Si substrate 6 is always reverse-biased to separate noise and perform normal force detection. It is something to make. That is, the voltage between the terminals ac on the n-type Si substrate 6
Vd is applied in a direction opposite to that of the first embodiment (+
Pole).
このような構成において、第４図に示すように接続点
ｈに外部から何も接続しなかつたような場合には、ダイ
オード12のカソード側と接続された起歪体１上の接続点
e,f,g,hにおける電位は、ｎ型Si基板６上のブリツジ回
路13の接続点Ｃでの電位に比べ約−0.6Vだけ低い値に保
たれることになる。従つて、第３図に示すように、−0.
6Vより高い電位であるアース電位に接続しても、この時
各ダイオードは逆バイアスされるため、正常な力検出を
行える。さらに、この時第３図のように、外部から接続
点ｈにノイズ発生源となる電圧Vhを接続したような場合
でも接続点ｈとアースとの間はインピーダンスが拡散抵
抗のインピーダンスに比べて非常に低いので、電圧Vhか
ら流れる電流Ihはブリツジ回路の方へは侵入せずバイパ
スされアース側（矢印方向）へ流れる。これにより、ブ
リツジ回路13の各部はノイズの影響を受けずに一定電位
に保つことができるので、検出電圧V0に検出誤差が発生
するようなことがなく正常な力検出を行うことができ
る。また、本実施例では、第５図に示すように力伝達体
５の図示しないアタツチメント（接続点ｈ）を直接アー
ス接続したような場合にも常に安定した力検出を行うこ
とができる。In such a configuration, if nothing is externally connected to the connection point h as shown in FIG. 4, the connection point on the strain body 1 connected to the cathode side of the diode 12
The potentials at e, f, g, and h are kept at about -0.6 V lower than the potential at the connection point C of the bridge circuit 13 on the n-type Si substrate 6. Therefore, as shown in FIG.
Even if the diode is connected to the earth potential which is higher than 6V, each diode is reversely biased at this time, so that normal force detection can be performed. Further, at this time, as shown in FIG. 3, even when a voltage Vh serving as a noise source is externally connected to the connection point h, the impedance between the connection point h and the ground is very much smaller than the impedance of the diffusion resistor. Therefore, the current Ih flowing from the voltage Vh does not enter the bridge circuit and is bypassed and flows toward the ground (in the direction of the arrow). Thus, each part of Buritsuji circuit 13 can be kept at a constant potential without the influence of noise, it is possible to perform it is not normal force detection as a detection error occurs in the detected voltage V 0. Further, in this embodiment, even when an attachment (connection point h) (not shown) of the force transmitting body 5 is directly grounded as shown in FIG. 5, stable force detection can always be performed.
なお、起歪体１及びｎ型Si基板６をVb又はアース電位
に接続する方法としては第６図に示すように起歪体１に
接続する方法や、第７図に示すようにｎ型Si基板６をオ
ーミツク接触を取るためにn+の高濃度領域を設け、コン
タクトホール15を介して直接接続を行う方法がある。As a method of connecting the strain body 1 and the n-type Si substrate 6 to Vb or the ground potential, a method of connecting the strain body 1 to the strain body 1 as shown in FIG. 6 or a method of connecting the n-type Si substrate as shown in FIG. There is a method in which a high concentration region of n + is provided to obtain ohmic contact with the substrate 6, and a direct connection is made through the contact hole 15.
次に、第三の実施例を第８図ないし第11図に基づいて
説明する。上述した２つの実施例においては、単結晶基
板にｎ型Si基板６を用い、検出素子をＰ型拡散抵抗７と
して説明してきたが、これとは逆に、単結晶基板にＰ型
Si基板16を用い、検出素子をｎ型拡散抵抗17として構成
することもできる。その具体例のいくつかを説明する。Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. In the above two embodiments, the n-type Si substrate 6 is used as the single crystal substrate and the P-type diffusion resistor 7 is used as the detecting element.
The detection element can be configured as an n-type diffused resistor 17 using the Si substrate 16. Some specific examples will be described.
第８図は、第一の実施例の第１図に対応するものであ
り、励起電圧Vd、ダイオード12、ノイズ分離手段14とし
てのVbの極性がそれぞれ反対になつて接続されており、
これにより、第一の実施例と同様な効果を得ることがで
きる。以下同様に、電圧Vd、ダイオード12の極性を変え
て対応するものを順次列挙すると、第９図は第二の実施
例の第３図に対応し、また、第10図は第６図に対応し、
さらに、第11図は第７図に対応する。このようにｎ型、
Ｐ型を問わずいずれの場合にもノイズ分離手段14を用い
て外部ノイズを除去し、ブルツジ回路13による正常な力
検出を行うことができる。FIG. 8 corresponds to FIG. 1 of the first embodiment, in which the excitation voltage Vd, the diode 12, and the polarity of Vb as the noise isolation means 14 are connected in opposite directions,
Thereby, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Similarly, the voltage Vd and the corresponding ones by changing the polarity of the diode 12 are sequentially listed. FIG. 9 corresponds to FIG. 3 of the second embodiment, and FIG. 10 corresponds to FIG. And
Further, FIG. 11 corresponds to FIG. Thus, n-type,
In any case regardless of the P type, external noise can be removed using the noise separating means 14 and normal force detection by the bulge circuit 13 can be performed.
効果 本発明は、中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部
とし他方を作用部とする起歪体を設け、この起歪体の表
面に機械的変形により電気抵抗を変化させる検出素子が
ブリツジ回路として接続され形成された単結晶基板を接
着固定し、この単結晶基板上に配線されたブリツジ回路
に所定部の電位を設定したノイズ分離手段を設けたこと
によつて、外部から侵入するノイズを分離して単結晶基
板上のブリツジ回路の各部の電位を一定に保つことがで
きる。特に、その所定部としてブリツジ回路と単結晶基
板との間で互いに絶縁状態となるように電位を設定する
ことによつて、ブリツジ回路における検出電圧の検出誤
差をなくし、正確にしかも常に安定した状態で力の成分
力の検出を行うことができる。Effect The present invention provides a flexure element having one of a central portion and a peripheral portion as a support portion and the other as an action portion, and a detection element that changes electric resistance by mechanical deformation on the surface of the flexure element is provided. A single crystal substrate connected and formed as a bridge circuit is bonded and fixed, and the bridge circuit wired on the single crystal substrate is provided with noise separating means for setting the potential of a predetermined portion. By separating noise, the potential of each part of the bridge circuit on the single crystal substrate can be kept constant. In particular, by setting the potential of the bridge circuit and the single crystal substrate as a predetermined portion so that the bridge circuit and the single crystal substrate are insulated from each other, a detection error of the detection voltage in the bridge circuit is eliminated, and an accurate and always stable state is achieved. Can be used to detect the component force of the force.
第１図は本発明の第一の実施例を示す回路図、第２図は
その変形例を示す回路図、第３図は本発明の第二の実施
例を示す回路図、第４図及び第５図はその変形例を示す
回路図、第６図及び第７図は第３図の変形例を示す縦断
側面図、第８図は本発明の第三の実施例を示す回路図、
第９図はその変形例を示す回路図、第10図及び第11図は
第８図の変形例を示す縦断側面図、第12図は従来例を示
す縦断側面図、第13図は単結晶基板に形成される等価回
路の状態を示す説明図、第14図はそれにより構成される
ブリツジ回路部の接続状態を示す回路、第15図及び第16
図は単結晶基板と起歪体との間の接続部の状態を示す説
明図、第17図及び第18図は第14図の変形例を示す回路図
である。 １……起歪体、２……作用部、３……支持部、６……単
結晶基板、７……検出素子、13……ブリツジ回路、14…
…ノイズ分離手段、16……単結晶基板、17……検出素
子、Vh……外部ノイズFIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a modification thereof, FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, FIG. FIG. 5 is a circuit diagram showing a modification thereof, FIGS. 6 and 7 are longitudinal side views showing a modification of FIG. 3, FIG. 8 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention,
9 is a circuit diagram showing a modification thereof, FIGS. 10 and 11 are longitudinal side views showing a modification of FIG. 8, FIG. 12 is a longitudinal side view showing a conventional example, and FIG. 13 is a single crystal. FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state of an equivalent circuit formed on a substrate, and FIG. 14 is a circuit showing a connection state of a bridge circuit unit formed by the circuit; FIGS.
FIG. 17 is an explanatory diagram showing a state of a connection portion between the single crystal substrate and the strain body, and FIGS. 17 and 18 are circuit diagrams showing modifications of FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flexure body, 2 ... Working part, 3 ... Support part, 6 ... Single crystal substrate, 7 ... Detection element, 13 ... Bridge circuit, 14 ...
... Noise separation means, 16 ... Single-crystal substrate, 17 ... Detector, Vh ... External noise
Claims (2)
とし他方を作用部とする起歪体を設け、この起歪体の表
面に機械的変形により電気抵抗を変化させる検出素子が
ブリツジ回路として接続され形成された単結晶基板を接
着固定し、この単結晶基板上に配線された前記ブリツジ
回路に外部からのノイズが生じることのないように所定
部の電位を設定したノイズ分離手段を設けたことを特徴
とする力検出装置。A detecting element for changing an electric resistance by mechanical deformation is provided on a surface of a flexure element having one of a center section and a peripheral section as a support section and the other as an action section. A noise separating means in which a single crystal substrate connected and formed as a bridge circuit is bonded and fixed, and a potential of a predetermined portion is set so that external noise does not occur in the bridge circuit wired on the single crystal substrate. A force detecting device comprising:
し、これら回路及び基板が互いに絶縁状態となるように
電位を設定したことを特徴とする請求項１記載の力検出
装置。2. The force detecting device according to claim 1, wherein the bridge circuit and the single crystal substrate are used as predetermined portions, and the potential is set so that the circuit and the substrate are insulated from each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099061A JP2574385B2 (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Force detection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099061A JP2574385B2 (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Force detection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01269023A JPH01269023A (en) | 1989-10-26 |
| JP2574385B2 true JP2574385B2 (en) | 1997-01-22 |
Family
ID=14237215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63099061A Expired - Fee Related JP2574385B2 (en) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Force detection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574385B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6342772B2 (en) * | 2014-10-06 | 2018-06-13 | 本田技研工業株式会社 | Power system |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63099061A patent/JP2574385B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01269023A (en) | 1989-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5585775A (en) | Integrated magnetoresistive sensor | |
| Gieles et al. | Miniature pressure transducers with a silicon diaphragm | |
| US5606128A (en) | Semiconductor acceleration detecting device | |
| JPH06213743A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| US3482197A (en) | Pressure sensitive device incorporating semiconductor transducer | |
| JPH08178951A (en) | Semiconductor acceleration detector | |
| US20070186664A1 (en) | Strain gauge | |
| JP3700910B2 (en) | Semiconductor strain sensor, manufacturing method thereof, and scanning probe microscope | |
| JP2574385B2 (en) | Force detection device | |
| JP4379993B2 (en) | Pressure sensor | |
| JPS59158566A (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| US4654621A (en) | Semiconductor strain measuring apparatus | |
| JP2015143713A (en) | semiconductor pressure sensor | |
| JPH09166620A (en) | Semiconductor sensor | |
| JP3019549B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
| JPH0677052B2 (en) | Magnetic detection device | |
| JPH06207871A (en) | Pressure sensor | |
| JP3173256B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH04181133A (en) | Distortion-producing structure of three-dimensional force sensitive sensor | |
| JPS5871423A (en) | Circuit device for measuring temperature | |
| JPH02205077A (en) | Power sensor | |
| JPH10160610A (en) | Strain detection sensor | |
| JP2018021796A (en) | Semiconductor strain gauge | |
| JP2936990B2 (en) | Acceleration sensor | |
| JP2748077B2 (en) | Pressure sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |