JP2572119B2 - Magnetoresistive element and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高感度の強磁性体薄膜からなる磁気抵抗素
子およひその製造方法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive element made of a highly sensitive ferromagnetic thin film and a method for manufacturing the same.
［従来の技術］ 本発明者らは既に、特開昭62−128578号公報，特開昭
62−131589号公報および特開昭63−170981号公報におい
て強磁性薄膜磁気抵抗素子の技術を提案している。第８
図（Ａ）にその一例の上面図を、第８図（Ｂ）にそのＡ
−Ａ線に沿った断面図を示す。この従来例は絶縁性基板
１上に強磁性薄膜３で３端子形のセンサ部を形成したも
のである。５は保護膜、７はリード線、８は樹脂被覆層
である。これら従来の技術においては、第８図（Ａ）お
よび（Ｂ）に示されているように、リード７の取り出し
部の電極すなわち端子部と、磁界を検知するセンサエレ
メント部とが同一平面上に形成されることを基本として
いる。このような構造を有する磁気抵抗素子は、それを
直流モータの速度検出素子として利用する場合に、基本
的には第９図に示されているような配置で使用される。
この場合着磁されたリング11が磁気信号源となり、その
磁界強度は着磁ピッチが微細になるほど弱くなる。近
年、モータの小型化、高精度化が進みその着磁ピッチは
微細になってきているため、磁気信号源と素子13のセン
サ部とのギャップを非常に狭く、例えば100μｍ程度に
する必要が生じる。しかるに、第８図に示されているよ
うな従来の素子13では、リード取り出しのための端子部
14は、通常ハンダ付けまたは類似の方法でボンディング
されており、かつ補強のためのボンディング部は樹脂に
よりモールドされた構造となっている。すなわち、ボン
ディングおよびモールド部がセンサ面よりも突出してい
る。そのため従来は、このモールド部を含めた素子全体
を磁気信号源11に対向させると、第９図に示したごと
く、センサ部を磁気信号に充分に近付けることができ
ず、そのため充分な出力を得ることができないという問
題があった。特に小型のモータで精度のよい角速度検出
をしようとするとこの問題は大きかった。また、出力の
低下を招かないようにするため、センサ部を磁気信号に
近付けることができるように、端子部14をセンサ部に対
して離れた位置に形成するという方法があるが、第10図
に示したように、この場合素子15の小型化が図れないと
ともに、磁気信号源に素子を対向配置する際、信号源の
厚みｔ以上の空間を必要とし、その結果モータの小型
化，薄型化を図ることができない等の問題が生じてい
た。特に、磁気抵抗素子の小型化は、磁気コストを下げ
ると共に、それを含めたシステムの小型化につながる。
そのため、素子の小型化は長年の課題であった。[Prior Art] The present inventors have already disclosed JP-A-62-128578 and JP-A-62-128578.
JP-A-62-131589 and JP-A-63-170981 propose a technique of a ferromagnetic thin film magnetoresistive element. 8th
FIG. 8A is a top view of the example, and FIG.
FIG. 4 shows a cross-sectional view along the line A. In this conventional example, a three-terminal sensor unit is formed by a ferromagnetic thin film 3 on an insulating substrate 1. 5 is a protective film, 7 is a lead wire, and 8 is a resin coating layer. In these prior arts, as shown in FIGS. 8A and 8B, the electrode or terminal of the lead-out portion of the lead 7 and the sensor element for detecting the magnetic field are on the same plane. It is based on being formed. When the magnetoresistive element having such a structure is used as a speed detecting element of a DC motor, it is basically used in an arrangement as shown in FIG.
In this case, the magnetized ring 11 serves as a magnetic signal source, and the magnetic field strength becomes weaker as the magnetized pitch becomes finer. In recent years, the miniaturization and high precision of motors have advanced and the magnetization pitch has become finer, so the gap between the magnetic signal source and the sensor unit of the element 13 needs to be very narrow, for example, about 100 μm. . However, in the conventional element 13 as shown in FIG.
14 has a structure in which it is usually soldered or bonded by a similar method, and a bonding portion for reinforcement is molded with resin. That is, the bonding and molding portions protrude from the sensor surface. Therefore, conventionally, when the entire element including the mold portion is opposed to the magnetic signal source 11, as shown in FIG. 9, the sensor portion cannot be brought sufficiently close to the magnetic signal, so that a sufficient output can be obtained. There was a problem that it was not possible. In particular, this problem was significant when attempting to detect angular velocity with high accuracy using a small motor. In order to prevent the output from lowering, there is a method in which the terminal section 14 is formed at a position distant from the sensor section so that the sensor section can approach the magnetic signal. In this case, the size of the element 15 cannot be reduced, and a space larger than the thickness t of the signal source is required when the element is arranged to face the magnetic signal source. As a result, the motor is reduced in size and thickness. And other problems have arisen. In particular, the downsizing of the magnetoresistive element leads to a reduction in magnetic cost and a downsizing of the system including the same.
Therefore, miniaturization of the element has been a subject for many years.
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、以上説明したような問題点を解消
し、端子部のモールド突出による弊害のない素子配置で
使用できる、すなわちリードの取り出し部が磁気信号の
検出に障害となり、または素子やモータの小型化に障害
となることのない構造の強磁性体薄膜によりなる磁気抵
抗素子とその製造方法を提供することにある。[Problem to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to solve the above-described problems and to use the device in an element arrangement which does not cause any adverse effect due to the protrusion of the terminal portion. It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive element made of a ferromagnetic thin film having a structure that does not hinder detection or does not hinder miniaturization of elements and motors, and a method of manufacturing the same.
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明による磁気
抵抗素子は、基板上の突出部に強磁性体材料からなる磁
気センサ部を有する磁気センサにおいて、前記突出部の
表面粗さが100Å以下であり、かつ前記磁気センサ部が
前記突出部の表面にのみ形成されており、前記基板の前
記突出部以外の位置に端子部が設けられ、前記磁気セン
サ部と前記端子部とが前記磁気センサ部より幅の広い配
線部で接続され、前記突出部の側面には前記磁気センサ
部より幅の広い配線部のみが形成されており、前記磁気
センサ部および前記配線部は保護膜で覆われており、リ
ードが前記基板の突出部とは反対側の面に設けられてお
り、前記端子部は前記リードとワイヤボンディングによ
り接続されており、さらに、前記磁気センサ部上の前記
保護膜の表面が樹脂モールドから露出するように前記リ
ード、基板、配線部、端子部、ボンディングワイヤおよ
び保護膜を含む素子ペレットが樹脂モールドされている
ことを特徴とする。Means for Solving the Problems To achieve such an object, a magnetoresistive element according to the present invention is a magnetic sensor having a magnetic sensor portion made of a ferromagnetic material at a projecting portion on a substrate. The surface roughness of the portion is 100 mm or less, and the magnetic sensor portion is formed only on the surface of the projecting portion, and a terminal portion is provided at a position other than the projecting portion of the substrate, and the magnetic sensor portion and The terminal portion is connected to a wiring portion wider than the magnetic sensor portion, and only a wiring portion wider than the magnetic sensor portion is formed on a side surface of the protruding portion. The portion is covered with a protective film, a lead is provided on a surface opposite to the protruding portion of the substrate, the terminal portion is connected to the lead by wire bonding, and further, the magnetic sensor portion An element pellet including the lead, the substrate, the wiring portion, the terminal portion, the bonding wire and the protective film is resin-molded so that the surface of the protective film is exposed from the resin mold.
本発明による磁気抵抗素子の製造方法は、絶縁性の基
板上に高さが少なくとも20μｍで表面粗さが100Å以下
の突出部を少なくとも１個焼成または融着によって形成
する工程、前記基板の全面に強磁性体薄膜を形成する工
程、前記強磁性体薄膜をエッチングして前記突出部の表
面にのみ磁気センサ部を形成すると共に前記突出部以外
に前記磁気センサ部と接続しかつ該センサ部より幅の広
い配線部を形成する工程、前記磁気センサ部および配線
部が形成された基板の表面を保護膜で覆う工程、前記保
護膜の前記配線部上の部位を開孔し露出された配線部上
に端子部を形成する工程、リードを前記基板の突出部と
反対側に設ける工程、前記端子部と前記リードをワイヤ
ボンディングにより接続する工程、および前記磁気セン
サ部上の保護膜の表面が樹脂モールドから露出するよう
に上記工程によって作製された素子ペレットを樹脂モー
ルドする工程を有することを特徴とする。The method of manufacturing a magnetoresistive element according to the present invention includes a step of forming at least one protrusion having a height of at least 20 μm and a surface roughness of 100 ° or less on an insulating substrate by firing or fusing, Forming a ferromagnetic thin film, etching the ferromagnetic thin film to form a magnetic sensor only on the surface of the protrusion, and connecting to the magnetic sensor other than the protrusion and having a width wider than the sensor; Forming a wiring portion having a large width, covering the surface of the substrate on which the magnetic sensor portion and the wiring portion are formed with a protective film, and opening a portion of the protective film on the wiring portion to expose the wiring portion. Forming a terminal portion, providing a lead on the side opposite to the projecting portion of the substrate, connecting the terminal portion and the lead by wire bonding, and forming a surface of a protective film on the magnetic sensor portion. The method includes a step of resin-molding the element pellets manufactured by the above steps so as to be exposed from the resin mold.
［作 用］ 本発明の磁気抵抗素子は、センサ部のみを素子基板面
上で突出させる構造をとり、リード取り出しのための端
子部をセンサ面よりも低い位置に形成する。従って、ボ
ンディング部を補強する目的でモールドした際、そのモ
ールド表面をセンサ面と同一レベルに形成することもで
きる。また、従来の製造プロセスを大幅に変えることな
く、すなわちプロセスコストの上昇なく量産でき、かつ
小型化しても素子の基本特性が従来と比して同等であ
る。さらに実使用上、従来よりもその特性を最大限に生
かすことができる位置に配置することができる素子構造
である。[Operation] The magnetoresistive element of the present invention has a structure in which only the sensor section protrudes on the element substrate surface, and a terminal section for taking out a lead is formed at a position lower than the sensor surface. Therefore, when molding is performed for the purpose of reinforcing the bonding portion, the surface of the mold can be formed at the same level as the sensor surface. In addition, the device can be mass-produced without significantly changing the conventional manufacturing process, that is, without increasing the process cost, and the element has the same basic characteristics as the conventional device even if it is miniaturized. Furthermore, in practical use, the element structure can be arranged at a position where its characteristics can be utilized to the maximum as compared with the related art.
本発明によれば、強磁性薄膜からなる磁気抵抗素子を
小型化することができ、小型化を図っても磁気信号源に
対して、使用上最適位置にて磁界検出することが可能で
ある。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the magnetoresistive element which consists of a ferromagnetic thin film can be miniaturized, and even if it aims at miniaturization, it is possible to detect a magnetic field at the optimal position for use with respect to a magnetic signal source.
［実施例］ 以下に図面を参照して本発明を説明する。Embodiment The present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図（Ａ）は、本発明の磁気抵抗素子の実施例の上
面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面
図である。この例は、第９図に示した従来例と同じ３端
子の素子の例を示してある。FIG. 1A is a top view of an embodiment of the magnetoresistive element of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. This example shows an example of the same three-terminal element as the conventional example shown in FIG.
第１図（Ａ），（Ｂ）において１は絶縁性基板、２は
絶縁性の材料からなる焼成膜、３は強磁性体薄膜であ
り、センサ部を形成している。4A,4B,4Cは外部接続のた
めの端子電極部である。第１図（Ａ）に示すように強磁
性薄膜３はセンサ部から端子部に向って幅が広くなって
いる。センサ部を含む強磁性体薄膜は保護膜５で覆われ
ている。第１図では素子ペレットの構成を示しており、
リードおよびモールド樹脂の図示は省略してある。1 (A) and 1 (B), reference numeral 1 denotes an insulating substrate, 2 denotes a fired film made of an insulating material, and 3 denotes a ferromagnetic thin film, forming a sensor portion. 4A, 4B and 4C are terminal electrodes for external connection. As shown in FIG. 1A, the width of the ferromagnetic thin film 3 increases from the sensor portion to the terminal portion. The ferromagnetic thin film including the sensor section is covered with a protective film 5. FIG. 1 shows the structure of the element pellet,
Illustration of the leads and the mold resin is omitted.
第２図は本発明実施例において、端子電極４とリード７
とをワイヤ９を介して接続した場合の断面構造を示して
おり、素子ペレットが樹脂８で覆われた構造となってい
る。図示されているようにリード７は基板１の焼成膜２
と反対側に設けられており、ボンディングワイヤ９はセ
ンサ形成面より高くならない。樹脂８はセンサ形成面上
の保護膜を除いてペレットを覆っている。FIG. 2 shows the terminal electrode 4 and the lead 7 in the embodiment of the present invention.
2 shows a cross-sectional structure in the case where the element pellets are connected via a wire 9, in which the element pellet is covered with a resin 8. As shown, the lead 7 is a baked film 2 of the substrate 1.
And the bonding wire 9 is not higher than the sensor forming surface. The resin 8 covers the pellet except for the protective film on the sensor forming surface.
通常、磁気抵抗素子は1000Å以下の非常に薄い薄膜で
センサ部を形成するため、焼成膜２の表面は凹凸の極め
て少ない鏡面状態が必要であり、好ましくは100Å以下
の表面粗さにする必要がある。この焼成部の形成は、ガ
ラス粉末あるいはペーストをスクリーン印刷等の方法に
より、所要の部位に塗布し焼結してもよく、所要の部位
にガラスチップを融着してもよい。焼成膜を平坦にし、
表面を鏡面にするため焼成した後に表面を研磨する場合
もある。基板１と焼成膜２の表面との段差は、端子部に
モールドを施した際、モールド面が焼成膜表面よりも10
0μｍ以上突出すると前述のごとく出力が極端に低くな
ってしまうので、少なくとも20μｍの段差が必要であ
り、さらにその段差は好ましくは50μｍ以上である。し
かし段差が大きすぎると、その後のフォトリソグラフィ
工程等が困難になるので段差は300μｍ以下が好まし
い。また、基板１としては耐熱性の優れた材料が必要で
ある。焼成膜形成時の温度または融着時の温度等を考慮
すると、少なくとも400℃までは安定な材料が好まし
い。従って、基板１は、一般に半導体素子の基板等に使
われている絶縁性の基板でよいが、特にセラミック基
板，ガラス基板，サファイア基板，酸化膜付きシリコン
基板等が好ましい材料である。Usually, since the magnetoresistive element forms the sensor section with a very thin thin film of 1000 mm or less, the surface of the fired film 2 needs to have a mirror surface with very few irregularities, and preferably has a surface roughness of 100 mm or less. is there. The formation of the fired portion may be performed by applying a glass powder or a paste to a required portion by a method such as screen printing and sintering, or a glass chip may be fused to a required portion. Flatten the fired film,
The surface may be polished after baking to make the surface a mirror surface. The step between the substrate 1 and the surface of the baked film 2 is such that when the terminal portion is molded, the mold surface is 10 times smaller than the baked film surface.
As described above, the output becomes extremely low when projecting more than 0 μm. Therefore, a step of at least 20 μm is required, and the step is preferably 50 μm or more. However, if the step is too large, the subsequent photolithography step or the like becomes difficult, so the step is preferably 300 μm or less. Further, a material having excellent heat resistance is required for the substrate 1. Considering the temperature at the time of forming a fired film or the temperature at the time of fusion, a material that is stable up to at least 400 ° C. is preferable. Accordingly, the substrate 1 may be an insulating substrate generally used for a substrate of a semiconductor element or the like, but a ceramic substrate, a glass substrate, a sapphire substrate, a silicon substrate with an oxide film, etc. are particularly preferable materials.
また、センサ部と端子部との間に段差を設ける手段と
しては前述のような方法とは別に、機械的な加工により
基板に段差をつけたり、初めから段差のついた基板をプ
レス、焼結して作るという方法も等しく用いられる。こ
の場合もセンサ部を形成する面は鏡面にする必要があ
り、その目的でセンサ部が形成される部分、あるいは基
板全面にSiO2等をコーティングする場合もある。As a means for providing a step between the sensor section and the terminal section, apart from the above-described method, a step is formed on the substrate by mechanical processing, or a substrate having a step from the beginning is pressed and sintered. The method of making is equally used. Also in this case, the surface on which the sensor portion is formed needs to be a mirror surface, and for that purpose, a portion where the sensor portion is formed or the entire substrate may be coated with SiO 2 or the like.
第３図は、機械加工して段差を設けた基板10を用いた
磁気抵抗素子の断面図を示した。FIG. 3 shows a sectional view of a magnetoresistive element using a substrate 10 provided with a step by machining.
第４図には、本発明素子12をリング状の磁気信号源11
に対向させた場合のようすを示している。素子12はモー
ルド面12Aがセンサ面12Bとほぼ同一の位置に形成してあ
るので、第９図に示した従来例のようにセンサ部が磁気
信号源と離れすぎたり、第10図に示した従来例のように
磁気信号源の下にモールド部をもってくる必要もない。
さらに素子を磁気信号源となるリングの厚みよりも薄く
することもできる。FIG. 4 shows that the element 12 of the present invention is connected to a ring-shaped magnetic signal source 11.
In the case where they face each other. Since the element 12 has the mold surface 12A formed at substantially the same position as the sensor surface 12B, the sensor portion is too far away from the magnetic signal source as in the conventional example shown in FIG. There is no need to bring the mold portion below the magnetic signal source as in the conventional example.
Further, the element can be made thinner than the thickness of the ring serving as a magnetic signal source.
第１表に抵抗値および感度が同一となるように設計し
た場合の素子ペレット形状および３インチ角基板から採
れる素子数について従来例との比較を載せた。Table 1 shows a comparison with the conventional example regarding the element pellet shape and the number of elements obtained from a 3-inch square substrate when designed so that the resistance value and the sensitivity are the same.
本発明の素子は従来素子と抵抗および感度を同一にな
るように設計した場合、同じ基板面積で約３倍の採り数
となる。 When the device of the present invention is designed to have the same resistance and sensitivity as those of the conventional device, the number of samples is about three times as large in the same substrate area.
次に本発明の磁気抵抗素子の製造法について、第５
図，第６図および第７図を参照してその一例を述べる。
第５図は工程図の一例、第６図は各工程における素子の
上面図、第７図は第６図におけるＢ−Ｂ線に沿った断面
図である。Next, the fifth method of manufacturing the magnetoresistive element of the present invention will be described.
An example is described with reference to FIG. 6, FIG. 6 and FIG.
FIG. 5 is an example of a process diagram, FIG. 6 is a top view of the element in each process, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
第５図におけるガラス融着工程は、この例の場合、絶
縁性の基板１にガラスチップ２を融着し基板の一部に突
出部を設ける工程である。この工程後の基板の状況を第
６図（Ａ）および第７図（Ａ）に示す。In the case of this example, the glass fusing step in FIG. 5 is a step of fusing the glass chip 2 to the insulating substrate 1 and providing a projecting portion on a part of the substrate. The state of the substrate after this step is shown in FIGS. 6 (A) and 7 (A).
次は、素子パターン形成工程である。これは強磁性体
薄膜３を基板に被着した後、エッチングにより素子パタ
ーンを形成する工程である。この工程により、素子は第
６図（Ｂ）および第７図（Ｂ）に示す状態となる。Next is an element pattern forming step. This is a step of forming an element pattern by etching after the ferromagnetic thin film 3 is applied to the substrate. By this step, the element is brought into the state shown in FIG. 6 (B) and FIG. 7 (B).
保護膜形成工程は素子の所要の部位に保護膜を付着形
成する工程である。その後端子電極形成工程が続く。The protective film forming step is a step of attaching and forming a protective film to a required portion of the device. Thereafter, a terminal electrode forming step follows.
引続き、通常の半導体の電子部品等で行われているダ
イシングによる切断工程，ボンディングおよびモールド
等の工程が続いて行われ、本発明の磁気抵抗素子の製造
は完了する。Subsequently, the steps of dicing, bonding, molding, and the like, which are performed on ordinary semiconductor electronic components and the like, are subsequently performed, and the manufacture of the magnetoresistive element of the present invention is completed.
製造例１ 表面が鏡面の厚み0.6mmの３インチ角ガラス基板を、
ダイヤモンドブレードを用いて、深さ0.2mmの溝加工を
施し、1mm×1.5mm角の突出部を後にセンサ部を形成する
部位に設けた。次に、基板全体を300℃に加熱保持し、
厚さ500Åの83％Ni−17％Fe合金薄膜をスパッタにより
形成した。次いでフォトレジストをエッチングマスクと
し、塩化第二銅系のエッチング液を用い、第７図（Ｂ）
に示したごときセンサパターンを形成した。次に基板全
面にスパッタにより、SiO2膜を２μｍ付着させた。次い
で端子電極を形成するため、所要部位のSiO2窓明けを行
い、窓明けした部分にAu膜を積層し、第３図に示したよ
うな断面構造を有する素子ペレットを３インチ角の基板
上に、約2000個同時に形成した。Production Example 1 A 3 inch square glass substrate having a mirror surface of 0.6 mm in thickness was prepared.
Using a diamond blade, a groove having a depth of 0.2 mm was formed, and a 1 mm × 1.5 mm square protruding portion was provided at a portion where a sensor portion would be formed later. Next, the whole substrate is heated and held at 300 ° C.
A 500% thick 83% Ni-17% Fe alloy thin film was formed by sputtering. Next, using a photoresist as an etching mask and a cupric chloride-based etchant, FIG. 7 (B)
The sensor pattern as shown in FIG. Next, a 2 μm SiO 2 film was deposited on the entire surface of the substrate by sputtering. Next, in order to form a terminal electrode, a required portion of SiO 2 window is opened, an Au film is laminated on the opened portion, and an element pellet having a sectional structure as shown in FIG. 3 is placed on a 3-inch square substrate. Approximately 2,000 were simultaneously formed.
この基板をダイシングソーにより、1.2mm×1.8mmの素
子チップに切断した。その各素子チップとリードとをワ
イヤーボンディングにて接続した後、エポキシ樹脂にて
端子部のモールドをした。得られた素子の特性を第２表
に示す。本実施例の素子は素子チップ面積が従来のもの
の約1/3であるにもかかわらず同等の抵抗値，感度が得
られている。This substrate was cut into device chips of 1.2 mm × 1.8 mm using a dicing saw. After connecting each of the element chips and the leads by wire bonding, the terminals were molded with epoxy resin. Table 2 shows the characteristics of the obtained device. The device of this embodiment has the same resistance and sensitivity even though the device chip area is about 1/3 that of the conventional device.
製造例２ 高さ0.1mm,1mm×1.5mm角の突出部を有するアルミナセ
ラミック基板を金型でプレスし、焼成して形成した。次
に、基板全面にPCVDによりSiO2膜を３μｍ付着させ、セ
ンサ部を形成する突出部の表面粗さを100Å以下にし
た。次いで、基板全体を300℃に加熱保持し、厚さ500Å
の83％Ni−17％Fe合金薄膜をスパッタにより形成した。
以降、製造例１と同様の方法で本発明の磁気抵抗素子を
作製した。得られた素子の特性は製造例１に示した素子
と同様であった。 Production Example 2 An alumina ceramic substrate having a protrusion having a height of 0.1 mm and a size of 1 mm × 1.5 mm was pressed with a mold and fired to form the substrate. Next, a 3 μm SiO 2 film was deposited on the entire surface of the substrate by PCVD, and the surface roughness of the protrusions forming the sensor portion was reduced to 100 ° or less. Next, the entire substrate is heated and held at 300 ° C., and the thickness is 500 mm.
83% Ni-17% Fe alloy thin film was formed by sputtering.
Thereafter, the magnetoresistive element of the present invention was manufactured in the same manner as in Production Example 1. The characteristics of the obtained device were the same as those of the device shown in Production Example 1.
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、従来の約1/3のチ
ップサイズの素子を作ることができる。また、端子部モ
ールドがセンサ面に対し、突出しない構造の素子が製作
可能であり、センサ面と磁気信号源とのギャップを任意
に設定できるので、信号源ピッチの微細化に伴う信号磁
界強度の低下にも十分に対応できる。また、従来のよう
に端子部のモールド突出部を磁気信号源の下側にもって
くる必要もないので、素子の小型化が図れると共に、モ
ータの薄型化，小型化にも役立つ。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, an element having a chip size of about 1/3 of the conventional one can be manufactured. In addition, an element having a structure in which the terminal mold does not protrude from the sensor surface can be manufactured, and the gap between the sensor surface and the magnetic signal source can be set arbitrarily. It can fully cope with the decline. Further, since it is not necessary to bring the mold protrusion of the terminal portion below the magnetic signal source as in the related art, it is possible to reduce the size of the element and also to reduce the thickness and size of the motor.
第１図は本発明の第１の実施例を示し、同図（Ａ）は素
子ペレット上面図，同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ線
に沿った断面図、 第２図はワイヤーボンディングした場合の本発明実施例
を示す素子構造断面図、 第３図は第２の実施例を示す素子ペレット断面図、 第４図はリング状磁気信号源への本発明素子の配置図、 第５図は本発明磁気抵抗素子の製造法の実施例を示す工
程図、 第６図（Ａ）および（Ｂ）は各工程における磁気抵抗素
子の上面図、 第７図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ第６図（Ａ）およ
び（Ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図、 第８図は従来の磁気抵抗素子を示し、同図（Ａ）は上面
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面
図、 第９図および第10図はそれぞれリング状磁気信号源への
従来素子の配置に例を示す図である。 1,10……絶縁性基板、 ２……焼成膜、 ３……強磁性体薄膜、 4,4A,4B,4C……端子部、 ５……保護膜、 11……リング状磁気信号源、 12……本発明素子、 13,15……従来の素子。1A and 1B show a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a top view of an element pellet, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 3 is a sectional view of an element structure showing an embodiment of the present invention when wire bonding is performed. FIG. 3 is a sectional view of an element pellet showing a second embodiment. FIG. 4 is an arrangement of the present invention element in a ring-shaped magnetic signal source. FIG. 5, FIG. 5 is a process chart showing an embodiment of the method of manufacturing the magnetoresistive element of the present invention, FIG. 6 (A) and (B) are top views of the magnetoresistive element in each step, FIG. (B) is a sectional view taken along the line BB of FIGS. 6 (A) and (B), FIG. 8 shows a conventional magnetoresistive element, FIG. FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 9A. FIGS. 9 and 10 each show an example of the arrangement of a conventional element in a ring-shaped magnetic signal source. FIG. 1,10 ... insulating substrate, 2 ... fired film, 3 ... ferromagnetic thin film, 4,4A, 4B, 4C ... terminal part, 5 ... protective film, 11 ... ring-shaped magnetic signal source, 12: the element of the present invention, 13,15: the conventional element.
Claims (2)
センサ部を有する磁気センサにおいて、 前記突出部の表面粗さが100Å以下であり、かつ前記磁
気センサ部が前記突出部の表面にのみ形成されており、 前記基板の前記突出部以外の位置に端子部が設けられ、
前記磁気センサ部と前記端子部とが前記磁気センサ部よ
り幅の広い配線部で接続され、前記突出部の側面には前
記磁気センサ部より幅の広い配線部のみが形成されてお
り、前記磁気センサ部および前記配線部は保護膜で覆わ
れており、 リードが前記基板の突出部とは反対側の面に設けられて
おり、前記端子部は前記リードとワイヤボンディングに
より接続されており、 さらに、前記磁気センサ部上の前記保護膜の表面が樹脂
モールドから露出するように前記リード、基板、配線
部、端子部、ボンティングワイヤおよび保護膜を含む素
子ペレットが樹脂モールドされていることを特徴とする
磁気抵抗素子。1. A magnetic sensor having a magnetic sensor portion made of a ferromagnetic material on a projecting portion on a substrate, wherein the surface roughness of the projecting portion is 100 ° or less, and the magnetic sensor portion is provided on a surface of the projecting portion. Terminal portion is provided at a position other than the protruding portion of the substrate,
The magnetic sensor portion and the terminal portion are connected by a wiring portion wider than the magnetic sensor portion, and only a wiring portion wider than the magnetic sensor portion is formed on a side surface of the protruding portion. A sensor portion and the wiring portion are covered with a protective film, a lead is provided on a surface of the substrate opposite to the protruding portion, and the terminal portion is connected to the lead by wire bonding; An element pellet including the lead, the substrate, the wiring portion, the terminal portion, the bonding wire, and the protective film is resin-molded so that the surface of the protective film on the magnetic sensor portion is exposed from the resin mold. A magnetoresistive element.
で表面粗さが100Å以下の突出部を少なくとも１個焼成
または融着によって形成する工程、 前記基板の全面に強磁性体膜を形成する工程、 前記強磁性体薄膜をエッチングして前記突出部の表面に
のみ磁気センサ部を形成すると共に前記突出部以外に前
記磁気センサ部と接続しかつ該センサ部より幅の広い配
線部を形成する工程、 前記磁気センサ部および配線部が形成された基板の表面
を保護膜で覆う工程、 前記保護膜の前記配線部上の部位を開孔し露出された配
線部上に端子部を形成する工程、 リードを前記基板の突出部と反対側に設ける工程、 前記端子部と前記リードをワイヤボンディングにより接
続する工程、および前記磁気センサ部上の保護膜の表面
が樹脂モールから露出するように上記工程によって作製
された素子ペレットを樹脂モールする工程を有すること
を特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。2. A height of at least 20 μm on an insulating substrate.
Forming at least one protrusion having a surface roughness of 100 ° or less by baking or fusing; forming a ferromagnetic film over the entire surface of the substrate; etching the ferromagnetic thin film to form the protrusion. Forming a magnetic sensor portion only on the surface and forming a wiring portion wider than the sensor portion while being connected to the magnetic sensor portion other than the projecting portion; and forming a wiring portion wider than the sensor portion on the substrate on which the magnetic sensor portion and the wiring portion are formed. Covering the surface with a protective film, forming a terminal portion on the exposed wiring portion by opening a portion of the protective film on the wiring portion, and providing a lead on a side opposite to the projecting portion of the substrate; Connecting the terminal portion and the lead by wire bonding, and applying a resin pellet to the element pellet manufactured by the above-described process so that the surface of the protective film on the magnetic sensor portion is exposed from a resin molding. Manufacturing method of a magnetoresistive element characterized by having a step of Lumpur.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316429A JP2572119B2 (en) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Magnetoresistive element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP63316429A JP2572119B2 (en) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Magnetoresistive element and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162279A JPH02162279A (en) | 1990-06-21 |
| JP2572119B2 true JP2572119B2 (en) | 1997-01-16 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59179322U (en) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | ティーディーケイ株式会社 | magnetic sensor |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63316429A patent/JP2572119B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH02162279A (en) | 1990-06-21 |
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