JP2571117Y2 - ヒートシンクを有する回路装置 - Google Patents
ヒートシンクを有する回路装置Info
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- JP2571117Y2 JP2571117Y2 JP1992066211U JP6621192U JP2571117Y2 JP 2571117 Y2 JP2571117 Y2 JP 2571117Y2 JP 1992066211 U JP1992066211 U JP 1992066211U JP 6621192 U JP6621192 U JP 6621192U JP 2571117 Y2 JP2571117 Y2 JP 2571117Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- ceramic substrate
- circuit device
- heat
- conductive
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、例えば高周波用ＦＥＴ
等の発熱量の大きな電子部品を冷却するためのヒートシ
ンクを有する回路装置に関するものである。
等の発熱量の大きな電子部品を冷却するためのヒートシ
ンクを有する回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のヒートシンクを有する回路
装置の一例の分解斜視図、図４は図３の回路装置の積層
後のものの断面図である。これらの図において、１０は
アルミナ等からなるセラミック基板であり、セラミック
基板１０の一部には矩形の開口部１２が形成されてい
る。セラミック基板１０の表面（図３及び図４では上側
の面）にはマイクロストリップラインを形成するパター
ン（図示せず）が印刷によって形成され、セラミック基
板１０の裏面にはグランド用の電極（図示せず）が全面
に亙って形成されている。
装置の一例の分解斜視図、図４は図３の回路装置の積層
後のものの断面図である。これらの図において、１０は
アルミナ等からなるセラミック基板であり、セラミック
基板１０の一部には矩形の開口部１２が形成されてい
る。セラミック基板１０の表面（図３及び図４では上側
の面）にはマイクロストリップラインを形成するパター
ン（図示せず）が印刷によって形成され、セラミック基
板１０の裏面にはグランド用の電極（図示せず）が全面
に亙って形成されている。
【０００３】セラミック基板１０の裏面には前記グラン
ド用の電極に接して銅等の熱伝導性の良好な金属からな
るヒートシンク１８が積層され、セラミック基板１０及
びヒートシンク１８はハンダで接合されて一体になって
いる。セラミック基板１０の回路パターンには高周波用
ＦＥＴ２０が開口部１２に一部が挿入され、この挿入さ
れた部分の放熱面がヒートシンク１８に接するようにし
て取り付けられている。
ド用の電極に接して銅等の熱伝導性の良好な金属からな
るヒートシンク１８が積層され、セラミック基板１０及
びヒートシンク１８はハンダで接合されて一体になって
いる。セラミック基板１０の回路パターンには高周波用
ＦＥＴ２０が開口部１２に一部が挿入され、この挿入さ
れた部分の放熱面がヒートシンク１８に接するようにし
て取り付けられている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】ところで、ヒートシン
ク１８は熱伝導性の良好な金属からなり、熱による膨張
収縮量が大幅に大きいのに対し、セラミック基板１０は
熱による膨張収縮量が著しく小さいので、ヒートサイク
ルを受けるとセラミック基板１０はヒートシンク１８の
膨張収縮によって繰り返し湾曲させられ、セラミック基
板にクラックを発生させてしまうことがある。
ク１８は熱伝導性の良好な金属からなり、熱による膨張
収縮量が大幅に大きいのに対し、セラミック基板１０は
熱による膨張収縮量が著しく小さいので、ヒートサイク
ルを受けるとセラミック基板１０はヒートシンク１８の
膨張収縮によって繰り返し湾曲させられ、セラミック基
板にクラックを発生させてしまうことがある。
【０００５】本考案は、ヒートサイクルによりセラミッ
ク基板が受けるストレスを緩和して、セラミック基板に
クラックが発生し難くなるようにしたヒートシンクを有
する回路装置を提供することを目的とするものである。
ク基板が受けるストレスを緩和して、セラミック基板に
クラックが発生し難くなるようにしたヒートシンクを有
する回路装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】 本考案に係るヒートシンクを有する回路
装置は、発熱量の大きな電子部品と、この電子部品を取
り付けたセラミック基板と、このセラミック基板の裏側
に積層された導電性緩和板と、この導電性緩和板を介し
てこのセラミック基板に積層されたヒートシンクとを備
え、前記導電性緩和板の熱膨張係数は前記セラミック基
板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間に
あり、前記セラミック基板及び前記導電性緩和板には前
記ヒートシンクに達する開口部が連接され、前記電子部
品はこの開口部を介して前記ヒートシンクに接している
ものである。
装置は、発熱量の大きな電子部品と、この電子部品を取
り付けたセラミック基板と、このセラミック基板の裏側
に積層された導電性緩和板と、この導電性緩和板を介し
てこのセラミック基板に積層されたヒートシンクとを備
え、前記導電性緩和板の熱膨張係数は前記セラミック基
板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間に
あり、前記セラミック基板及び前記導電性緩和板には前
記ヒートシンクに達する開口部が連接され、前記電子部
品はこの開口部を介して前記ヒートシンクに接している
ものである。
【０００７】ここで、発熱量の大きな電子部品としては
ＦＥＴ、特に高周波用ＦＥＴを挙げることができ、ま
た、セラミック基板の表面にはマイクロストリップライ
ンを形成するパターンが印刷によって形成され、裏面に
はグランド用の電極が全面に亙って形成されていること
がある。
ＦＥＴ、特に高周波用ＦＥＴを挙げることができ、ま
た、セラミック基板の表面にはマイクロストリップライ
ンを形成するパターンが印刷によって形成され、裏面に
はグランド用の電極が全面に亙って形成されていること
がある。
【０００８】
【作用】本考案はセラミック基板の裏面側にヒートシン
クを導電性緩和材を介して積層したので、ヒートサイク
ルによりセラミック基板が受けるストレスが導電性緩和
板によって緩和される。
クを導電性緩和材を介して積層したので、ヒートサイク
ルによりセラミック基板が受けるストレスが導電性緩和
板によって緩和される。
【０００９】
【実施例】図１は本考案の一実施例に係るヒートシンク
を有する回路装置の分解斜視図、図２は図１の回路装置
の積層後のものの断面図である。これらの図において、
１０はアルミナ等からなるセラミック基板であり、セラ
ミック基板１０の一部には矩形の開口部１２が形成され
ている。セラミック基板１０の表面（図１及び図２では
上側の面）にはマイクロストリップラインを形成するパ
ターン（図示せず）が印刷によって形成され、セラミッ
ク基板１０の裏面にはグランド用の電極（図示せず）が
全面に亙って形成されている。
を有する回路装置の分解斜視図、図２は図１の回路装置
の積層後のものの断面図である。これらの図において、
１０はアルミナ等からなるセラミック基板であり、セラ
ミック基板１０の一部には矩形の開口部１２が形成され
ている。セラミック基板１０の表面（図１及び図２では
上側の面）にはマイクロストリップラインを形成するパ
ターン（図示せず）が印刷によって形成され、セラミッ
ク基板１０の裏面にはグランド用の電極（図示せず）が
全面に亙って形成されている。
【００１０】セラミック基板１０の裏面にはこのグラン
ド用の電極に接して４２アロイ、鉄等からなる導電性緩
和板１４が積層されている。導電性緩和板１４にも開口
部１６がセラミック基板１０の開口部１２と同じ位置に
同じ大きさ形状で形成されている。導電性緩和板１４に
は銅等からなるヒートシンク１８が積層され、セラミッ
ク基板１０と導電性緩和板１４とヒートシンク１８とは
ハンダで接合されて一体になっている。セラミック基板
１０の回路パターンには高周波用ＦＥＴ２０が開口部１
２，１６に一部を挿入し、下部の放熱面がヒートシンク
１８に接するようにして取り付けられている。
ド用の電極に接して４２アロイ、鉄等からなる導電性緩
和板１４が積層されている。導電性緩和板１４にも開口
部１６がセラミック基板１０の開口部１２と同じ位置に
同じ大きさ形状で形成されている。導電性緩和板１４に
は銅等からなるヒートシンク１８が積層され、セラミッ
ク基板１０と導電性緩和板１４とヒートシンク１８とは
ハンダで接合されて一体になっている。セラミック基板
１０の回路パターンには高周波用ＦＥＴ２０が開口部１
２，１６に一部を挿入し、下部の放熱面がヒートシンク
１８に接するようにして取り付けられている。
【００１１】以上のようにして構成されたヒートシンク
を有する回路装置が加熱されたり冷却されたりすると、
アルミナ基板１０の熱膨張係数が７．０、導電性緩和板
１４を形成する４２アロイの熱膨張係数が７．５〜８．
５、ヒートシンク１８を形成する銅の熱膨張係数が１
８．３であるので、ヒートシンク１８が膨張収縮するこ
とによって生じた応力は導電性緩和板１４を介してセラ
ミック基板１０に伝えられ、セラミック基板１０が受け
るストレスは導電性緩和板１４が吸収して大幅に減少す
ることになる。
を有する回路装置が加熱されたり冷却されたりすると、
アルミナ基板１０の熱膨張係数が７．０、導電性緩和板
１４を形成する４２アロイの熱膨張係数が７．５〜８．
５、ヒートシンク１８を形成する銅の熱膨張係数が１
８．３であるので、ヒートシンク１８が膨張収縮するこ
とによって生じた応力は導電性緩和板１４を介してセラ
ミック基板１０に伝えられ、セラミック基板１０が受け
るストレスは導電性緩和板１４が吸収して大幅に減少す
ることになる。
【００１２】
【考案の効果】 本考案によれば、ヒートサイクルによ
りセラミック基板がヒートシンクから受けるストレスを
導電性緩和板が緩和するので、セラミック基板にクラッ
クが発生し難くなり、製品の信頼性が向上する。
りセラミック基板がヒートシンクから受けるストレスを
導電性緩和板が緩和するので、セラミック基板にクラッ
クが発生し難くなり、製品の信頼性が向上する。
【図１】本考案の一実施例に係るヒートシンクを有する
回路装置の分解斜視図である。
回路装置の分解斜視図である。
【図２】図１の回路装置の積層後のものの断面図であ
る。
る。
【図３】従来のヒートシンクを有する回路装置の一例の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図４】図３の回路装置の積層後のものの断面図であ
る。
る。
１０ セラミック基板 １２ 開口部 １４ 導電性緩和板 １６ 開口部 １８ ヒートシンク ２０ ＦＥＴ
Claims (2)
- 【請求項１】 発熱量の大きな電子部品と、この電子部
品を取り付けたセラミック基板と、このセラミック基板
の裏側に積層された導電性緩和板と、この導電性緩和板
を介してこのセラミック基板に積層されたヒートシンク
とを備え、前記導電性緩和板の熱膨張係数は前記セラミ
ック基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数
の間にあり、前記セラミック基板及び前記導電性緩和板
には前記ヒートシンクに達する開口部が連接され、前記
電子部品はこの開口部を介して前記ヒートシンクに接し
ていることを特徴とするヒートシンクを有する回路装
置。 - 【請求項２】 発熱量の大きな前記電子部品が高周波用
ＦＥＴであり、前記セラミック基板の表側にはマイクロ
ストリップラインを形成するパターンが形成され、裏側
にはグランド用の電極が全面に亙って形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のヒートシンクを有する回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992066211U JP2571117Y2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | ヒートシンクを有する回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992066211U JP2571117Y2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | ヒートシンクを有する回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0623269U JPH0623269U (ja) | 1994-03-25 |
| JP2571117Y2 true JP2571117Y2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=13309270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992066211U Expired - Lifetime JP2571117Y2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | ヒートシンクを有する回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571117Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236279A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | 松下電工株式会社 | 配線用板 |
| JPH04137756A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPH04180689A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Matsushita Electric Works Ltd | パワーデバイス実装板 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP1992066211U patent/JP2571117Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623269U (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980106 |
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