JP2570162B2 - 結晶育成方法及びその装置 - Google Patents
結晶育成方法及びその装置Info
- Publication number
- JP2570162B2 JP2570162B2 JP5324983A JP32498393A JP2570162B2 JP 2570162 B2 JP2570162 B2 JP 2570162B2 JP 5324983 A JP5324983 A JP 5324983A JP 32498393 A JP32498393 A JP 32498393A JP 2570162 B2 JP2570162 B2 JP 2570162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- melt
- crystal growing
- crystal growth
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法、
又は液体封止チョクラルスキー法による結晶育成方法及
びその装置に関する。
又は液体封止チョクラルスキー法による結晶育成方法及
びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】単結晶育成技術は多くの方法が研究さ
れ、多種多様な手段が材料・用途に応じて適宜選択され
て行われている。育成材料としては何らかの溶媒に溶か
した溶液や、原料を融点以上に加熱して得た融液等ある
が、高純度のウエハを作製するためには融液による結晶
成長が実施されている。融液による結晶成長としはチョ
クラルスキー法と言われる引き上げ結晶化法が従来より
広く用いられ、研究が進められている。
れ、多種多様な手段が材料・用途に応じて適宜選択され
て行われている。育成材料としては何らかの溶媒に溶か
した溶液や、原料を融点以上に加熱して得た融液等ある
が、高純度のウエハを作製するためには融液による結晶
成長が実施されている。融液による結晶成長としはチョ
クラルスキー法と言われる引き上げ結晶化法が従来より
広く用いられ、研究が進められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来、チョクラルスキ
ー法、又は液体封止チョクラルスキー法によって結晶育
成を行う場合、育成速度はメニスカスの形状により決定
されていた。すなわち、重力の加速度と融液の表面張力
という制御不可能な物性値によりメニスカス形状は決定
され、結果として育成速度を独立に制御することが不可
能となっていた。従って、結晶育成速度の上限を向上す
ることは不可能であった。具体的には、図2に示すよう
に結晶育成速度を増加させるとメニスカスの高さは増加
し、その曲率半径は減少する。これにより結晶に対する
融液の濡れ角θは増加し、結晶直径が減少する。このよ
うに、結晶育成速度を増加させると一定直径の結晶育成
が困難となり、生産性の低下を招く結果となった。
ー法、又は液体封止チョクラルスキー法によって結晶育
成を行う場合、育成速度はメニスカスの形状により決定
されていた。すなわち、重力の加速度と融液の表面張力
という制御不可能な物性値によりメニスカス形状は決定
され、結果として育成速度を独立に制御することが不可
能となっていた。従って、結晶育成速度の上限を向上す
ることは不可能であった。具体的には、図2に示すよう
に結晶育成速度を増加させるとメニスカスの高さは増加
し、その曲率半径は減少する。これにより結晶に対する
融液の濡れ角θは増加し、結晶直径が減少する。このよ
うに、結晶育成速度を増加させると一定直径の結晶育成
が困難となり、生産性の低下を招く結果となった。
【0004】本発明の目的は、これらの従来は不可能で
あった結晶成長における物性値を制御するための装置及
びそれを用いた結晶成長方法を提供することにある。
あった結晶成長における物性値を制御するための装置及
びそれを用いた結晶成長方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、融液表面に近
接した網状又は板状の電極と融液表面間に電場を印加す
ることによって、静電力によりメニスカス形状を制御
し、結晶育成速度が増加してもメニスカス形状の制御を
可能とするような結晶成長方法及び装置である。
接した網状又は板状の電極と融液表面間に電場を印加す
ることによって、静電力によりメニスカス形状を制御
し、結晶育成速度が増加してもメニスカス形状の制御を
可能とするような結晶成長方法及び装置である。
【0006】本発明においては、シリコンやゲルマニウ
ム、及びGaAsの場合網状又は板状のカーボン性電極
を融液の近傍に設置し、この電極と融液の間に直流電圧
を印加し、クーロン力による静電場を印加した。これに
よって融液表面をカーボン性電極の方向、すなわち上方
に引き上げ、結晶に対する融液の濡れ角θを減少させる
ことができ、育成速度の増加に伴う結晶直径の減少を抑
制し、高速で結晶育成が可能となる。
ム、及びGaAsの場合網状又は板状のカーボン性電極
を融液の近傍に設置し、この電極と融液の間に直流電圧
を印加し、クーロン力による静電場を印加した。これに
よって融液表面をカーボン性電極の方向、すなわち上方
に引き上げ、結晶に対する融液の濡れ角θを減少させる
ことができ、育成速度の増加に伴う結晶直径の減少を抑
制し、高速で結晶育成が可能となる。
【0007】
【実施例】以下に本発明を図を用いて説明する。
【0008】図1はシリコンの融液表面に静電力を印加
するための電極を有する結晶育成装置の構造を示した図
である。図1においては厚さ1ミリのカーボン性電極4
をシリコン融液上2ミリの位置に設置し、直流電圧50
0Vを印加した場合を示した。これにより、結晶育成速
度を1(mm/min)から2(mm/min)へ増加
させた場合においても、濡れ角はほぼ11℃の値となり
一定となることが育成装置5に装着したX線透視装置
6,7により確認された。この結果、結晶育成速度を約
2倍増加することが可能となった。又、板状のカーボン
性電極においても同様の効果が確認された。
するための電極を有する結晶育成装置の構造を示した図
である。図1においては厚さ1ミリのカーボン性電極4
をシリコン融液上2ミリの位置に設置し、直流電圧50
0Vを印加した場合を示した。これにより、結晶育成速
度を1(mm/min)から2(mm/min)へ増加
させた場合においても、濡れ角はほぼ11℃の値となり
一定となることが育成装置5に装着したX線透視装置
6,7により確認された。この結果、結晶育成速度を約
2倍増加することが可能となった。又、板状のカーボン
性電極においても同様の効果が確認された。
【0009】以上、本実施例においてはシリコンやゲル
マニウムを対象として述べたが、GaAsやInPに代
表されるような化合物半導体においては封止材である酸
化ホウ素中にカーボン製電極を挿入することにより実現
することも可能である。
マニウムを対象として述べたが、GaAsやInPに代
表されるような化合物半導体においては封止材である酸
化ホウ素中にカーボン製電極を挿入することにより実現
することも可能である。
【0010】
【発明の効果】以上のように、本発明を用いると半導体
融液と電極との間に発生する静電力によりメニスカス形
状の変化を抑制することが可能となるので、結晶育成速
度をほぼ2倍増加させることが可能となった。
融液と電極との間に発生する静電力によりメニスカス形
状の変化を抑制することが可能となるので、結晶育成速
度をほぼ2倍増加させることが可能となった。
【図1】本発明の位置実施例における結晶育成装置の構
造図である。
造図である。
【図2】従来の結晶育成装置による育成速度を増加させ
た場合のメニスカス形状の変化と結晶直径の変化を示し
た図である。
た場合のメニスカス形状の変化と結晶直径の変化を示し
た図である。
1 育成中の結晶 2 シリコン融液 3 坩堝 4 カーボン製電極 5 結晶育成装置 6 X線発生装置 7 X線カメラ 8 直流電圧印加装置 9 固液界面
Claims (2)
- 【請求項1】 チョクラルスキー法、又は液体封止チョ
クラルスキー法による結晶育成を、融液表面に設置され
た板状または網状の電極と前記融液表面間に電場を印加
しながら行うことを特徴とする結晶育成方法。 - 【請求項2】 チョクラルスキー法、又は液体封止チョ
クラルスキー法による結晶育成装置において、融液表面
に板状または網状の電極を設置したことを特徴とする結
晶育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5324983A JP2570162B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 結晶育成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5324983A JP2570162B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 結晶育成方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07172979A JPH07172979A (ja) | 1995-07-11 |
JP2570162B2 true JP2570162B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=18171822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5324983A Expired - Fee Related JP2570162B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 結晶育成方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2570162B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6599659B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-07-29 | Sony Corporation | Secondary cell and method for preparation thereof |
US8507123B2 (en) | 2010-11-16 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible battery and flexible electronic device including the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005047575A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | National University Of Singapore | Colloidal structure and method of forming |
KR102153519B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2020-09-08 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06107492A (ja) * | 1990-08-28 | 1994-04-19 | Texas Instr Inc <Ti> | 結晶引き上げ法 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5324983A patent/JP2570162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6599659B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-07-29 | Sony Corporation | Secondary cell and method for preparation thereof |
US8507123B2 (en) | 2010-11-16 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible battery and flexible electronic device including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07172979A (ja) | 1995-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3841863B2 (ja) | シリコン単結晶の引き上げ方法 | |
JP2570162B2 (ja) | 結晶育成方法及びその装置 | |
JPH0321515B2 (ja) | ||
JPH107487A (ja) | 磁場印加による半導体単結晶の製造方法 | |
JPH0212920B2 (ja) | ||
CN112831836A (zh) | 拉晶方法和拉晶装置 | |
JPS5850953B2 (ja) | 結晶成長法 | |
JPS6033291A (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
JP2885240B1 (ja) | 半導体結晶育成装置および育成方法 | |
JPS63252989A (ja) | 引上法による半導体単結晶の製造方法 | |
JPH08231294A (ja) | 水平磁界下シリコン単結晶引上方法 | |
KR20110087035A (ko) | 단결정 성장장치, 단결정 성장방법 및 이에 의해 성장된 단결정 잉곳과 웨이퍼 | |
EP1201795A1 (en) | Semiconductor single crystal pulling apparatus | |
JPS6317291A (ja) | 結晶成長方法及びその装置 | |
US6284041B1 (en) | Process for growing a silicon single crystal | |
JP2011051805A (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
JP2542434B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2849537B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
JP2622274B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JP2929006B1 (ja) | 高品質結晶薄板材料の製造方法 | |
JP2000154097A (ja) | SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
JPS6153188A (ja) | 結晶成長法 | |
JPH0465388A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JPS61183197A (ja) | 化合物半導体結晶成長装置 | |
JPS6385082A (ja) | 単結晶の成長方法および成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960820 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |