JP2569913Y2 - Ion implantation apparatus - Google Patents

Ion implantation apparatus

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JP2569913Y2
JP2569913Y2 JP1009493U JP1009493U JP2569913Y2 JP 2569913 Y2 JP2569913 Y2 JP 2569913Y2 JP 1009493 U JP1009493 U JP 1009493U JP 1009493 U JP1009493 U JP 1009493U JP 2569913 Y2 JP2569913 Y2 JP 2569913Y2
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ion implantation
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filaments
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Inventor
慶二 岡田
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住友イートンノバ株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 Description of the invention]

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本考案は、プラズマを発生させるためのイオン注入装置に関する。 INVENTION The present invention relates to a relates to an ion implantation apparatus for generating plasma.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図3及び図4に、従来のイオン注入装置におけるバルナス型イオンソースのプラズマ発生室(アークチャンバー)の構造を簡単に示す。 BACKGROUND OF THE INVENTION Figures 3 and 4 briefly illustrates the plasma generation chamber of Barunasu type ion sources in conventional ion implantation apparatus structure (arc chamber). このバルナス型イオンソースは、アークチャンバー1の中でイオンを発生させ、このアークチャンバー1の一方の壁にスリットを設けて、このスリットからプラスの電荷イオンを、数10keVの引き出し電圧によって引き出す。 The Barunasu ion source generates ions in the arc chamber 1, provided with a slit in one wall of the arc chamber 1, a positive charged ions from the slit, derived by extraction voltage of a few 10 keV.

【0003】ここで、そのイオン発生について簡単に説明する。 [0003] In this case, it will be briefly described the ion generation. 図3及び図4において、先ず、フィラメント2 3 and 4, first, the filament 2
に200A程度の電流を流して熱電子を放出させ、ガス状のソース物質、または、固体ソースの場合は、ヒーターにより固体を加熱して蒸発させたものを、ソースガス入口3、または、金属蒸気入口4より、アークチャンバー1内に導入する。 Flowing a 200A current of about to release heat electrons, gaseous source materials, or, in the case of a solid source, those evaporation by heating the solid heater, source gas inlet 3, or metal vapor the inlet 4, is introduced into the arc chamber 1. これにより、フィラメント2とアークチャンバー1との間の電圧で加速された熱電子が、導入されたソースガスと衝突して、自由電子と正の電荷をもったイオンに電離する。 Thus, the voltage accelerated thermal electrons between the filament 2 and the arc chamber 1, collides with the source gas introduced, ionized to having free electrons and positively charged ions. この時、外部より磁界をかけることによって熱電子が螺旋状の運動をするので、これにより熱電子とガス分子との衝突確率を増やすことができる。 At this time, since the thermal electrons to the helical motion by applying a magnetic field from the outside, thereby increasing the probability of collision between thermal electrons and gas molecules.

【0004】 [0004]

【考案が解決しようとする課題】ところで、前述のバルナス型イオンソースにおいて要求されている性能改善の1つに、ソースの寿命の延長がある。 An invention is the way, one of the performance improvement that is required in Barunasu ion source described above, there is a prolongation of life of the source. このソース寿命とは、ソースを大気解放することなくビームを出すことのできる時間のことである。 And the source lifetime is that the time that the source is capable of emitting a beam without releasing the atmosphere.

【0005】このソース寿命を決定する要因としては主に2つあり、1つは、フィラメント2の消耗によるフィラメント交換であり、他の1つは、フィラメントインシュレータ5及びリフレクターインシュレータ6に、ソースガスや金属蒸気が付着して、それらの絶縁性を悪くすることである。 [0005] There are two primary as factors that determine the source life, one is a filament exchange by depletion of the filament 2, the other one, the filament insulator 5 and the reflector insulator 6, source gas Ya metal vapor is adhered, it is to deteriorate their insulation.

【0006】本考案は、上述の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、イオンソースの長寿命化を実現できるバルナス型イオンソースのイオン注入装置を提供することにある。 [0006] The present invention is, was made in order to solve the above problems, its object is to provide an ion implantation apparatus Barunasu ion source that can achieve a long life of the ion source.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本考案によれば、イオン注入装置におけるバルナス型イオンソースのアークチャンバー内に、2個のフィラメントを互いに対向させて装着するとともに、未使用側のフィラメントに負電極を接続して、この未使用側のフィラメント及びフィラメントシールドで、フィラメントリフレクターを兼ねたことを特徴とするイオン注入装置が得られる。 According to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION, in Barunasu type ion source arc chamber in an ion implanter, with attached two each other not face to the filament, negative electrode unused side filaments connect the, in this unused side of the filament and the filament shield, ion implantation apparatus characterized by doubling a filament reflector is obtained.

【0008】 [0008]

【実施例】以下、本考案の実施例を図によって詳細に説明する。 EXAMPLES Hereinafter, the examples of the present invention will be described in detail by FIG.

【0009】本考案によるイオン注入装置は、図1及び図2にその概略的な構成を示すように、バルナス型イオンソースのアークチャンバー1内に、2個のフィラメント2を互いに対向させて装着する。 [0009] Ion implantation apparatus according to the present invention, as shown the schematic configuration in FIGS. 1 and 2, the arc chamber 1 of Barunasu ion source, mounting two of the filaments 2 are opposed to each other . これらのフィラメント2は、従来のフィラメントと同様に、フィラメントインシュレータ5を介して、フィラメントシールド7と共に、アークチャンバー1に対して絶縁性を保つように、 These filaments 2, as in the conventional filament through the filament insulator 5, with a filament shield 7 so as to maintain the insulating properties relative to the arc chamber 1,
それぞれ構成される。 Each composed.

【0010】そして、図1及び図2において、使用中のフィラメントが消耗して交換が必要になった場合には、 [0010] Then, in FIGS. 1 and 2, if the filaments in use becomes necessary to replace exhausted,
フィラメント電源9の+側を、もう1本のフィラメントに、真空を破らずに繋ぎ替える。 The + side of the filament power supply 9, the other one filament, reconnecting without breaking the vacuum.

【0011】また、ここで、未使用側のフィラメントには負電極を接続して、この未使用側のフィラメント及びフィラメントシールド7に、従来構造におけるフィラメントリフレクター8の役目を持たせる。 [0011] Here, the unused side filaments to connect the negative electrode, the filament and the filament shield 7 of the unused side, to have a role of filament reflector 8 in the conventional structure.

【0012】 [0012]

【考案の効果】上述したように、本考案によれば、アークチャンバーのフィラメントの寿命を2倍にすることができるので、イオンソースの長寿命化を実現できる。 [Devised Effect of] As described above, according to the present invention, since the life of the filament of the arc chamber can be doubled, it is possible to realize a long life of the ion source.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本考案の実施例におけるアークチャンバーの正面概略断面図である。 1 is a schematic front sectional view of the arc chamber in the embodiment of the present invention.

【図2】本考案の実施例におけるアークチャンバーの側面概略断面図である。 2 is a side schematic cross-sectional view of the arc chamber in the embodiment of the present invention.

【図3】従来のアークチャンバーの正面概略断面図である。 3 is a front schematic cross-sectional view of a conventional arc chamber.

【図4】従来のアークチャンバーの側面概略断面図である。 4 is a side schematic cross-sectional view of a conventional arc chamber.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 アークチャンバー 2 フィラメント 3 ソースガス入口 4 金属蒸気入口 5 フィラメントインシュレータ 6 リフレクターインシュレータ 7 フィラメントシールド 8 フィラメントリフレクタ 9 フィラメント電源 1 arc chamber 2 filament 3 source gas inlet 4 metal vapor inlet 5 filament insulator 6 reflector insulator 7 filament shield 8 filament reflector 9 filament power supply

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】 (57) [range of utility model registration request]
  1. 【請求項1】イオン注入装置におけるバルナス型イオンソースのアークチャンバー内に、2個のフィラメントを互いに対向させて装着するとともに、未使用側のフィラメントに負電極を接続して、この未使用側のフィラメント及びフィラメントシールドで、フィラメントリフレクターを兼ねたことを特徴とするイオン注入装置。 To 1. A within arc chamber of Barunasu type ion source in the ion implantation apparatus, with attached two by filaments are opposed to each other, by connecting the negative electrode to the unused side filaments of the unused side in filaments and the filament shield, ion implantation apparatus characterized by doubling a filament reflector.
JP1009493U 1993-03-10 1993-03-10 Ion implantation apparatus Expired - Lifetime JP2569913Y2 (en)

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